JPH05257150A - 黒色微粒子およびその製造方法 - Google Patents
黒色微粒子およびその製造方法Info
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- JPH05257150A JPH05257150A JP5812592A JP5812592A JPH05257150A JP H05257150 A JPH05257150 A JP H05257150A JP 5812592 A JP5812592 A JP 5812592A JP 5812592 A JP5812592 A JP 5812592A JP H05257150 A JPH05257150 A JP H05257150A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分な黒色化度を有し、光の透過を防止する
ことができるとともに、絶縁性にも優れ、液晶表示装置
用のスペーサーとして好適な黒色微粒子を提供する。 【構成】 本発明の黒色微粒子は、金属酸化物からなる
球状微粒子と、この球状微粒子の表面に設けられた黒色
酸化チタン薄膜と、この薄膜の表面に設けられた絶縁層
とを含むことを特徴とする。
ことができるとともに、絶縁性にも優れ、液晶表示装置
用のスペーサーとして好適な黒色微粒子を提供する。 【構成】 本発明の黒色微粒子は、金属酸化物からなる
球状微粒子と、この球状微粒子の表面に設けられた黒色
酸化チタン薄膜と、この薄膜の表面に設けられた絶縁層
とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の液晶の
厚みを制御するスペーサー等に使用するに好適な黒色微
粒子およびその製造方法に関する。
厚みを制御するスペーサー等に使用するに好適な黒色微
粒子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】ＴＮ（Twisted Nematic)型の液晶表示装置
においては、液晶セルのギャップのバラツキが、応答速
度、視野角、コントラスト等の表示品質に大きく影響
し、表示ムラを生じさせる。特にＳＴＮ（Super Twiste
d Nematic)型液晶表示装置の液晶セルのギャップのバラ
ツキは０．０５μｍ以下に制御される必要があるとさ
れ、スペーサーの精度が表示品位を大きく左右する。
においては、液晶セルのギャップのバラツキが、応答速
度、視野角、コントラスト等の表示品質に大きく影響
し、表示ムラを生じさせる。特にＳＴＮ（Super Twiste
d Nematic)型液晶表示装置の液晶セルのギャップのバラ
ツキは０．０５μｍ以下に制御される必要があるとさ
れ、スペーサーの精度が表示品位を大きく左右する。
【０００３】一方液晶セルにおけるスペーサーの散布密
度を大きくすれば、ギャップのバラツキを小さくするこ
とができるが、反対にスペーサーからの光の漏れが増大
する。このため、スペーサー自体を黒色等に着色させ、
光がスペーサー内を透過しないようにすることが行われ
ている。
度を大きくすれば、ギャップのバラツキを小さくするこ
とができるが、反対にスペーサーからの光の漏れが増大
する。このため、スペーサー自体を黒色等に着色させ、
光がスペーサー内を透過しないようにすることが行われ
ている。
【０００４】この種の技術として例えば、特開昭６３−
８９８９０号公報に提案されているように、ケイ素のア
ルコキシドを用いてゾルゲル法により得られたシリカ
（ＳｉＯ2 ）微粒子を２５０℃以上の温度で処理して黒
色化する方法がある。しかしながら、この方法は、粒子
内部の残留有機物（未反応ケイ素アルコキシド）を炭化
させて黒色化するものであり、有機物の残留量をコント
ロールするのが難しく、したがって黒色の度合いをコン
トロールするのが難しいという欠点がある。
８９８９０号公報に提案されているように、ケイ素のア
ルコキシドを用いてゾルゲル法により得られたシリカ
（ＳｉＯ2 ）微粒子を２５０℃以上の温度で処理して黒
色化する方法がある。しかしながら、この方法は、粒子
内部の残留有機物（未反応ケイ素アルコキシド）を炭化
させて黒色化するものであり、有機物の残留量をコント
ロールするのが難しく、したがって黒色の度合いをコン
トロールするのが難しいという欠点がある。
【０００５】そこで本発明者らは、粒子径分布が非常に
シャープなシリカ微粒子の表面に酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）の薄膜をコーティングし、この薄膜を還元性雰囲
気で処理して、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素
が欠乏した黒色酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］の薄
膜を形成させることにより、黒色酸化チタン薄膜付きシ
リカ微粒子を得、これを液晶表示装置用スペーサーに用
いることを提案している（特願平３−１８４００２
号）。
シャープなシリカ微粒子の表面に酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）の薄膜をコーティングし、この薄膜を還元性雰囲
気で処理して、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素
が欠乏した黒色酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］の薄
膜を形成させることにより、黒色酸化チタン薄膜付きシ
リカ微粒子を得、これを液晶表示装置用スペーサーに用
いることを提案している（特願平３−１８４００２
号）。
【０００６】この特願平３−１８４００２号明細書に記
載の液晶スペーサーにおいては、黒色層が薄膜であるた
め、母粒子であるシリカ微粒子の粒子径分布の単分散性
をそのまま保った高精度な黒色粒子が生成する。すなわ
ち、この粒子の黒色の度合いは、ＸＹＺの表色系におけ
るＹ値が５％程度というように良好な黒色を示す。
載の液晶スペーサーにおいては、黒色層が薄膜であるた
め、母粒子であるシリカ微粒子の粒子径分布の単分散性
をそのまま保った高精度な黒色粒子が生成する。すなわ
ち、この粒子の黒色の度合いは、ＸＹＺの表色系におけ
るＹ値が５％程度というように良好な黒色を示す。
【０００７】また、この特願平３−１８４００２号明細
書に記載の液晶スペーサーは、黒色酸化チタン薄膜が化
学量論的組成よりも酸素が欠乏した酸化チタン薄膜であ
るにも拘らず、導電性を殆んど示さず、絶縁性を有す
る。
書に記載の液晶スペーサーは、黒色酸化チタン薄膜が化
学量論的組成よりも酸素が欠乏した酸化チタン薄膜であ
るにも拘らず、導電性を殆んど示さず、絶縁性を有す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置用スペーサーの黒色度をさらに上げるために、還
元処理時間を長くしたり、還元処理温度を高くすると、
絶縁抵抗が低下し、液晶スペーサーが導電性を示し出す
ことが明らかとなった。従って本発明の目的は、十分な
黒色化度を有し、光の透過を防止することができるとと
もに、絶縁性にも優れ、液晶表示装置用のスペーサーと
して好適な黒色微粒子およびその製造方法を提供するこ
とにある。
示装置用スペーサーの黒色度をさらに上げるために、還
元処理時間を長くしたり、還元処理温度を高くすると、
絶縁抵抗が低下し、液晶スペーサーが導電性を示し出す
ことが明らかとなった。従って本発明の目的は、十分な
黒色化度を有し、光の透過を防止することができるとと
もに、絶縁性にも優れ、液晶表示装置用のスペーサーと
して好適な黒色微粒子およびその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、液晶表示
装置用スペーサーの黒色度を向上させるための還元処理
において、その時間を長くしたり、その温度を高くする
と、液晶表示装置用スペーサーの絶縁抵抗が低下し、導
電性を示し出す理由について検討を加えた結果、還元処
理により、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素が欠
乏した酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］とともに、こ
の酸化チタンが還元雰囲気中のアンモニアガスなどの窒
素含有ガスと反応してチタンの窒化物（例えばＴｉＮな
ど）を生じ、このチタン窒化物が絶縁抵抗を低下させる
ことを明らかにした。そしてこの絶縁抵抗の低下を防止
するために研究を行なった結果、黒色酸化チタン薄膜付
き金属酸化物微粒子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層
を設けることにより、不所望の絶縁抵抗の低下を防止で
きることを見い出した。本発明は、これらの知見に基づ
いてなされたものであり、本発明の黒色微粒子は、金属
酸化物からなる球状微粒子と、この球状微粒子の表面に
設けられた黒色酸化チタン薄膜と、この薄膜の表面に設
けられた絶縁層とを含むことを特徴とする。
装置用スペーサーの黒色度を向上させるための還元処理
において、その時間を長くしたり、その温度を高くする
と、液晶表示装置用スペーサーの絶縁抵抗が低下し、導
電性を示し出す理由について検討を加えた結果、還元処
理により、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素が欠
乏した酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］とともに、こ
の酸化チタンが還元雰囲気中のアンモニアガスなどの窒
素含有ガスと反応してチタンの窒化物（例えばＴｉＮな
ど）を生じ、このチタン窒化物が絶縁抵抗を低下させる
ことを明らかにした。そしてこの絶縁抵抗の低下を防止
するために研究を行なった結果、黒色酸化チタン薄膜付
き金属酸化物微粒子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層
を設けることにより、不所望の絶縁抵抗の低下を防止で
きることを見い出した。本発明は、これらの知見に基づ
いてなされたものであり、本発明の黒色微粒子は、金属
酸化物からなる球状微粒子と、この球状微粒子の表面に
設けられた黒色酸化チタン薄膜と、この薄膜の表面に設
けられた絶縁層とを含むことを特徴とする。
【００１０】また本発明の黒色微粒子を製造するための
方法は、金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程と、前記工程で得られた酸化
チタン薄膜付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記
酸化チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成
分とする黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒子を得る工程
と、前工程で得られた黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒
子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層を設けて、黒色酸
化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程
と、を必須工程として含むことを特徴とする。
方法は、金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程と、前記工程で得られた酸化
チタン薄膜付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記
酸化チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成
分とする黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒子を得る工程
と、前工程で得られた黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒
子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層を設けて、黒色酸
化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程
と、を必須工程として含むことを特徴とする。
【００１１】本発明の黒色微粒子を製造するための他の
方法は、金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程と、前工程で得られた酸化チ
タン薄膜付き球状微粒子の酸化チタン薄膜表面に絶縁層
を設ける工程と、前工程で得られた酸化チタン薄膜およ
び絶縁層付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸
化チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分
とする黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子
を得る工程と、を必須工程として含むことを特徴とす
る。
方法は、金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程と、前工程で得られた酸化チ
タン薄膜付き球状微粒子の酸化チタン薄膜表面に絶縁層
を設ける工程と、前工程で得られた酸化チタン薄膜およ
び絶縁層付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸
化チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分
とする黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子
を得る工程と、を必須工程として含むことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の黒色微粒子において母粒子を構成
する球状微粒子は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 な
どの金属酸化物からなる。この球状微粒子の粒径は、１
〜１０μが好ましい。また粒径分布がシャープなものが
好ましく、例えばその変動係数（＝標準偏差÷平均値）
は１．５％以下である。この金属酸化物からなる球状微
粒子は、加水分解性を有し、得られた加水分解生成物の
脱水重縮合反応により金属酸化物を生成し得る任意の金
属化合物（例えばアルコキシド、ハロゲン化物など）を
用いて、いわゆるゾルーゲル法により得ることができ
る。特にケイ素のアルコキシドのアンモニア触媒存在下
の加水分解重縮合反応により得られる単分散シリカ（Ｓ
ｉＯ2 ）微粒子が好適である。
する球状微粒子は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 な
どの金属酸化物からなる。この球状微粒子の粒径は、１
〜１０μが好ましい。また粒径分布がシャープなものが
好ましく、例えばその変動係数（＝標準偏差÷平均値）
は１．５％以下である。この金属酸化物からなる球状微
粒子は、加水分解性を有し、得られた加水分解生成物の
脱水重縮合反応により金属酸化物を生成し得る任意の金
属化合物（例えばアルコキシド、ハロゲン化物など）を
用いて、いわゆるゾルーゲル法により得ることができ
る。特にケイ素のアルコキシドのアンモニア触媒存在下
の加水分解重縮合反応により得られる単分散シリカ（Ｓ
ｉＯ2 ）微粒子が好適である。
【００１３】この球状微粒子の表面に設けられる黒色酸
化チタン薄膜は、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸
素が欠乏した酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］を主成
分とする。このような酸素が欠乏した酸化チタンを主成
分とすることによって、微粒子は黒色を呈して光の透過
を防止し、その結果液晶表示装置用スペーサーとして用
いたときに光の漏れを防止する。上述の如く、この黒色
酸化チタン薄膜は、ＴｉＯ2 （ｎ＜２）を主成分とする
が、他にチタン窒化物（例えばＴｉＮなど）を少量含ん
でいてもよい。この黒色酸化チタン薄膜の膜厚は、光の
透過を防止し得る程度の厚さであれば特に限定されな
い。この黒色酸化チタン薄膜の膜厚は後記する絶縁層の
厚さよりも薄くてよい。
化チタン薄膜は、化学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸
素が欠乏した酸化チタン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］を主成
分とする。このような酸素が欠乏した酸化チタンを主成
分とすることによって、微粒子は黒色を呈して光の透過
を防止し、その結果液晶表示装置用スペーサーとして用
いたときに光の漏れを防止する。上述の如く、この黒色
酸化チタン薄膜は、ＴｉＯ2 （ｎ＜２）を主成分とする
が、他にチタン窒化物（例えばＴｉＮなど）を少量含ん
でいてもよい。この黒色酸化チタン薄膜の膜厚は、光の
透過を防止し得る程度の厚さであれば特に限定されな
い。この黒色酸化チタン薄膜の膜厚は後記する絶縁層の
厚さよりも薄くてよい。
【００１４】本発明の黒色微粒子は、上記黒色酸化チタ
ン薄膜の表面に絶縁層を有する。絶縁層としては、絶縁
性を有する金属酸化物であればその種類を問わないが、
化学的耐久性、熱的安定性に優れている点でシリカ（Ｓ
ｉＯ2 ）が好ましく用いられる。なお酸化インジウム、
酸化すずなどの導電性金属酸化物を用いることができな
いことはもちろんである。絶縁層の厚さは、その下に存
在する黒色酸化チタン薄膜の導電性が発現しない厚み以
上であれば特に限定されないが０．０５〜０．５μであ
るのが特に好ましい。本発明の黒色微粒子は、黒色度が
高く光の透過を防止できるとともに、電気絶縁性にも優
れており、特にコントラストが要求されるフルカラー表
示の液晶パネル用スペーサーとして好適に使用される。
ン薄膜の表面に絶縁層を有する。絶縁層としては、絶縁
性を有する金属酸化物であればその種類を問わないが、
化学的耐久性、熱的安定性に優れている点でシリカ（Ｓ
ｉＯ2 ）が好ましく用いられる。なお酸化インジウム、
酸化すずなどの導電性金属酸化物を用いることができな
いことはもちろんである。絶縁層の厚さは、その下に存
在する黒色酸化チタン薄膜の導電性が発現しない厚み以
上であれば特に限定されないが０．０５〜０．５μであ
るのが特に好ましい。本発明の黒色微粒子は、黒色度が
高く光の透過を防止できるとともに、電気絶縁性にも優
れており、特にコントラストが要求されるフルカラー表
示の液晶パネル用スペーサーとして好適に使用される。
【００１５】次に本発明の黒色微粒子製造方法について
説明する。本発明の黒色微粒子を製造するための方法と
しては下記の方法（Ａ）と方法（Ｂ）がある。以下、方
法（Ａ）および方法（Ｂ）を順次説明する。
説明する。本発明の黒色微粒子を製造するための方法と
しては下記の方法（Ａ）と方法（Ｂ）がある。以下、方
法（Ａ）および方法（Ｂ）を順次説明する。
【００１６】方法（Ａ） この方法は、以下の３工程を必須工程として含む。 （ａ1 ）金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて、酸化チタン薄
膜付き球状微粒子を得る工程 （ａ2 ）工程（ａ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球
状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸化チタン薄膜を
黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化
チタン薄膜付き球状微粒子を得る工程 （ａ3 ）工程（ａ2 ）で得られた黒色酸化チタン薄膜付
き球状微粒子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層を設け
て、黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を
得る工程 方法（Ａ）において、工程（ａ1 ）は、金属酸化物から
なる球状微粒子表面に、ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄
膜を形成する工程である。出発物質として用いられる金
属酸化物からなる球状微粒子は、ケイ素、アルミニウ
ム、ジルコニウムなどの金属のアルコキシドの加水分解
重縮合反応により得られた、対応する金属の酸化物から
なる球状微粒子が好ましく、特に単分散シリカ（ＳｉＯ
2 ）の球状微粒子が好ましい。球状微粒子の好ましい粒
径は、１〜１０μである。球状微粒子の粒径分布はシャ
ープのものが好ましく、その変動係数は１．５％以下で
ある。
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて、酸化チタン薄
膜付き球状微粒子を得る工程 （ａ2 ）工程（ａ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球
状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸化チタン薄膜を
黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化
チタン薄膜付き球状微粒子を得る工程 （ａ3 ）工程（ａ2 ）で得られた黒色酸化チタン薄膜付
き球状微粒子の黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層を設け
て、黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を
得る工程 方法（Ａ）において、工程（ａ1 ）は、金属酸化物から
なる球状微粒子表面に、ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄
膜を形成する工程である。出発物質として用いられる金
属酸化物からなる球状微粒子は、ケイ素、アルミニウ
ム、ジルコニウムなどの金属のアルコキシドの加水分解
重縮合反応により得られた、対応する金属の酸化物から
なる球状微粒子が好ましく、特に単分散シリカ（ＳｉＯ
2 ）の球状微粒子が好ましい。球状微粒子の好ましい粒
径は、１〜１０μである。球状微粒子の粒径分布はシャ
ープのものが好ましく、その変動係数は１．５％以下で
ある。
【００１７】工程（ａ1 ）において、上記球状微粒子表
面へのＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜の形成は、
（ｉ）有機溶剤を含む液体中に球状微粒子を分散させ、
チタンのアルコキシド（例えばテトラアルコキシチタ
ン）を添加した後、pHを調整した水を加えて加水分解重
縮合させてＴｉＯ2 からなる酸化チタンの薄膜を形成す
る方法、（ii）球状微粒子とpHを調整した水を予め有機
溶剤中に混合しておき、これにチタンのアルコキシドを
添加して、加水分解重縮合させてＴｉＯ2 からなる酸化
チタンの薄膜を形成する方法などがある。球状微粒子：
チタンのアルコキシドのモル比は、１：０．６モル以
下、好ましくは１：０．０５〜０．１３モルである。酸
化チタン薄膜は球状微粒子の表面と均一に被覆される必
要はなく、光の漏れを防止できる程度に被覆されていれ
ばよい。上記チタンのアルコキシドの代りに四塩化チタ
ンなどのチタンのハロゲン化物を用いても良い。
面へのＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜の形成は、
（ｉ）有機溶剤を含む液体中に球状微粒子を分散させ、
チタンのアルコキシド（例えばテトラアルコキシチタ
ン）を添加した後、pHを調整した水を加えて加水分解重
縮合させてＴｉＯ2 からなる酸化チタンの薄膜を形成す
る方法、（ii）球状微粒子とpHを調整した水を予め有機
溶剤中に混合しておき、これにチタンのアルコキシドを
添加して、加水分解重縮合させてＴｉＯ2 からなる酸化
チタンの薄膜を形成する方法などがある。球状微粒子：
チタンのアルコキシドのモル比は、１：０．６モル以
下、好ましくは１：０．０５〜０．１３モルである。酸
化チタン薄膜は球状微粒子の表面と均一に被覆される必
要はなく、光の漏れを防止できる程度に被覆されていれ
ばよい。上記チタンのアルコキシドの代りに四塩化チタ
ンなどのチタンのハロゲン化物を用いても良い。
【００１８】チタンのアルコキシドやチタンのハロゲン
化物などのチタン化合物の加水分解に使用される有機溶
剤は、球状微粒子およびチタン化合物を良く分散させる
ものであれば特に限定されないが、水やメタノール、エ
タノール、プロパノール等のアルコールが好適に用いら
れる。用いられる有機溶剤の量は、球状微粒子の濃度が
２０wt％以下、好ましくは５wt％程度となる量である。
また用いられるチタン化合物の種類によっては、加水分
解速度が非常に速く、そのまま溶剤中で反応させると不
均質なコーティングを生じることがあるが、その場合は
アセチルアセトン等のキレート剤やアミルアルコール等
の添加により加水分解速度を調節すればよい。加水分解
液のpHは１〜１３．４の範囲とするのが好ましいので、
酢酸などの有機酸や塩酸などの無機酸によってまたはア
ンモニア水によってpHを上記の範囲に調整した水がチタ
ン化合物の加水分解に際して用いられる。これらのpHを
調製した水により、チタン化合物が加水分解重縮合反応
をおこし、酸化物粒子の表面に酸化チタンからなる薄膜
を形成する。
化物などのチタン化合物の加水分解に使用される有機溶
剤は、球状微粒子およびチタン化合物を良く分散させる
ものであれば特に限定されないが、水やメタノール、エ
タノール、プロパノール等のアルコールが好適に用いら
れる。用いられる有機溶剤の量は、球状微粒子の濃度が
２０wt％以下、好ましくは５wt％程度となる量である。
また用いられるチタン化合物の種類によっては、加水分
解速度が非常に速く、そのまま溶剤中で反応させると不
均質なコーティングを生じることがあるが、その場合は
アセチルアセトン等のキレート剤やアミルアルコール等
の添加により加水分解速度を調節すればよい。加水分解
液のpHは１〜１３．４の範囲とするのが好ましいので、
酢酸などの有機酸や塩酸などの無機酸によってまたはア
ンモニア水によってpHを上記の範囲に調整した水がチタ
ン化合物の加水分解に際して用いられる。これらのpHを
調製した水により、チタン化合物が加水分解重縮合反応
をおこし、酸化物粒子の表面に酸化チタンからなる薄膜
を形成する。
【００１９】工程（ａ1 ）によれば、球状微粒子の表面
にＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜が形成されて、酸化
チタン薄膜付き球状微粒子が得られる。前記工程
（ａ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球状微粒子は、
工程（ａ2 ）において還元雰囲気下で焼成処理される。
還元雰囲気下での焼成処理は、例えば、以下のように行
なわれる。すなわち、各１０ｇの焼成試料を試料焼成容
器（１００×１００×５mm）に入れた後、複数個（例え
ば２個）の試料焼成容器をシリコニット石英チューブ
（１０５mmφ×１６００mmＬ：１４リットル）に入れ、
次いでチューブ内に４００ml/min以上の窒素ガスを４時
間以上流してチューブ内を窒素置換する。次に同様に４
００ml/min以上の窒素ガスを流しながらチューブ内温度
を２００℃／hrの昇温速度で室温から７００℃に昇温す
る。７００℃に到達後、さらに温度を上げながら１２４
ml/min程度のアンモニアガスを導入し、８００℃になっ
た時点で、この温度を保持しつつ同量のアンモニアガス
を３時間以上導入して酸化チタン薄膜を還元する。次に
電気炉から粒子を取り出すため、および降温する間に黒
色チタン層が再び退色するのを防止するため、アンモニ
アガスの導入を停止して、４００ml/min程度の窒素ガス
を導入して室温まで冷却する。上の例では酸化チタン薄
膜の還元を８００℃で行なったが、還元温度は７００〜
１０００℃の範囲内で適宜選択できる。この処理によ
り、ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜は還元されて、化
学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素が欠乏した酸化チ
タン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］を主成分とする黒色の薄膜
が形成される。この黒色薄膜は、酸化チタンとアンモニ
アとの反応によって得られたチタンの窒化物（例えばＴ
ｉＮなど）を少量含有していても差支えない。
にＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜が形成されて、酸化
チタン薄膜付き球状微粒子が得られる。前記工程
（ａ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球状微粒子は、
工程（ａ2 ）において還元雰囲気下で焼成処理される。
還元雰囲気下での焼成処理は、例えば、以下のように行
なわれる。すなわち、各１０ｇの焼成試料を試料焼成容
器（１００×１００×５mm）に入れた後、複数個（例え
ば２個）の試料焼成容器をシリコニット石英チューブ
（１０５mmφ×１６００mmＬ：１４リットル）に入れ、
次いでチューブ内に４００ml/min以上の窒素ガスを４時
間以上流してチューブ内を窒素置換する。次に同様に４
００ml/min以上の窒素ガスを流しながらチューブ内温度
を２００℃／hrの昇温速度で室温から７００℃に昇温す
る。７００℃に到達後、さらに温度を上げながら１２４
ml/min程度のアンモニアガスを導入し、８００℃になっ
た時点で、この温度を保持しつつ同量のアンモニアガス
を３時間以上導入して酸化チタン薄膜を還元する。次に
電気炉から粒子を取り出すため、および降温する間に黒
色チタン層が再び退色するのを防止するため、アンモニ
アガスの導入を停止して、４００ml/min程度の窒素ガス
を導入して室温まで冷却する。上の例では酸化チタン薄
膜の還元を８００℃で行なったが、還元温度は７００〜
１０００℃の範囲内で適宜選択できる。この処理によ
り、ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜は還元されて、化
学量論的組成（ＴｉＯ2 ）よりも酸素が欠乏した酸化チ
タン［ＴｉＯn （ｎ＜２）］を主成分とする黒色の薄膜
が形成される。この黒色薄膜は、酸化チタンとアンモニ
アとの反応によって得られたチタンの窒化物（例えばＴ
ｉＮなど）を少量含有していても差支えない。
【００２０】得られた黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒
子は、光を透過しない黒色薄膜を有するので、液晶表示
装置用スペーサーとして用いたときに、このスペーサー
からの光の漏れを防止することができる。
子は、光を透過しない黒色薄膜を有するので、液晶表示
装置用スペーサーとして用いたときに、このスペーサー
からの光の漏れを防止することができる。
【００２１】工程（ａ2 ）で得られた黒色酸化チタン薄
膜付き球状微粒子は、工程（ａ3 ）において、その表面
に絶縁層が設けられる。この絶縁層は、上述の如く絶縁
性を有する金属酸化物であれば、その種類は問わない
が、化学的耐久性、熱的安定性に優れている点でシリカ
（ＳｉＯ2 ）が好ましく用いられる。シリカからなる絶
縁層の形成は、ケイ素のアルコキシド（テトラアルコキ
シシランなど）と、黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒子
とを水−アルコール溶剤中でアンモニアによりpHをアル
カリ性に調整して混合して、ケイ素のアルコキシドを加
水分解重縮合させることにより行なうのが好ましい。黒
色酸化チタン薄膜付き球状微粒子：ケイ素アルコキシド
のモル比は、１：０．１〜１０、好ましくは１：０．５
〜５である。また溶媒中の球状微粒子濃度は２０wt％以
下、好ましくは、３wt％程度である。絶縁層の厚さは、
その下に存在する黒色酸化チタン膜の導電性が発現しな
い厚み以上であれば特に限定されないが、上述のように
０．０５〜０．５μであるのが特に好ましい。
膜付き球状微粒子は、工程（ａ3 ）において、その表面
に絶縁層が設けられる。この絶縁層は、上述の如く絶縁
性を有する金属酸化物であれば、その種類は問わない
が、化学的耐久性、熱的安定性に優れている点でシリカ
（ＳｉＯ2 ）が好ましく用いられる。シリカからなる絶
縁層の形成は、ケイ素のアルコキシド（テトラアルコキ
シシランなど）と、黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒子
とを水−アルコール溶剤中でアンモニアによりpHをアル
カリ性に調整して混合して、ケイ素のアルコキシドを加
水分解重縮合させることにより行なうのが好ましい。黒
色酸化チタン薄膜付き球状微粒子：ケイ素アルコキシド
のモル比は、１：０．１〜１０、好ましくは１：０．５
〜５である。また溶媒中の球状微粒子濃度は２０wt％以
下、好ましくは、３wt％程度である。絶縁層の厚さは、
その下に存在する黒色酸化チタン膜の導電性が発現しな
い厚み以上であれば特に限定されないが、上述のように
０．０５〜０．５μであるのが特に好ましい。
【００２２】このようにして得られた、黒色酸化チタン
薄膜上に絶縁層を有する球状微粒子は、電気絶縁性に優
れており、また黒色酸化チタン薄膜によってもたらされ
る光の透過防止効果と相まって、液晶表示装置用スペー
サーとして好適に使用される。
薄膜上に絶縁層を有する球状微粒子は、電気絶縁性に優
れており、また黒色酸化チタン薄膜によってもたらされ
る光の透過防止効果と相まって、液晶表示装置用スペー
サーとして好適に使用される。
【００２３】方法（Ｂ） この方法は、以下の３工程を必須工程として含む。 （ｂ1 ）金属酸化物からなる球状微粒子表面に、ＴｉＯ
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程 （ｂ2 ）工程（ｂ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球
状微粒子の酸化チタン薄膜の表面に絶縁層を設けて、酸
化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程 （ｂ3 ）工程（ｂ2 ）で得られた酸化チタン薄膜および
絶縁層付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸化
チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分と
する黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を
得る工程 方法（Ｂ）において、工程（ｂ1 ）は方法（Ａ）におけ
る工程（ａ1 ）と同一であり、酸化チタン薄膜付き球状
微粒子を得るものである。従ってその詳細は上記工程
（ａ1 ）についての説明を参照されたい。
2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタン薄膜
付き球状微粒子を得る工程 （ｂ2 ）工程（ｂ1 ）で得られた酸化チタン薄膜付き球
状微粒子の酸化チタン薄膜の表面に絶縁層を設けて、酸
化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程 （ｂ3 ）工程（ｂ2 ）で得られた酸化チタン薄膜および
絶縁層付き球状微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸化
チタン薄膜を黒色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分と
する黒色酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を
得る工程 方法（Ｂ）において、工程（ｂ1 ）は方法（Ａ）におけ
る工程（ａ1 ）と同一であり、酸化チタン薄膜付き球状
微粒子を得るものである。従ってその詳細は上記工程
（ａ1 ）についての説明を参照されたい。
【００２４】工程（ｂ1 ）で得られた酸化チタン薄膜
は、工程（ｂ2 ）において、その表面に絶縁層が形成さ
れる。形成される絶縁層の種類および厚さ並びに絶縁層
の形成条件は、方法（Ａ）の工程（ａ3 ）におけると同
一である。
は、工程（ｂ2 ）において、その表面に絶縁層が形成さ
れる。形成される絶縁層の種類および厚さ並びに絶縁層
の形成条件は、方法（Ａ）の工程（ａ3 ）におけると同
一である。
【００２５】工程（ｂ2 ）で得られた酸化チタン薄膜上
に絶縁層を有する。球状微粒子は、工程（ｂ3 ）におい
て、還元雰囲気で焼成処理され、酸化チタン薄膜が黒色
化されてＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化チ
タン薄膜となる。この還元雰囲気下での焼成処理の条件
は、方法（Ａ）の工程（ａ2 ）におけると基本的に同様
であるが、方法（Ｂ）の工程（ｂ3 ）においては、黒色
化されるべき酸化チタン薄膜上に絶縁層が存在し、酸化
チタン薄膜の還元による黒色化が、絶縁層中に存在する
空孔を介して流入した還元性ガス（例えばアンモニアガ
スなど）が酸化チタン薄膜と接触することによって行な
われるため、この点を考慮して還元処理条件を決定する
必要がある。例えば方法（Ａ）の工程（ａ3 ）において
は、７００℃に昇温後に還元性ガスであるアンモニアガ
スを導入したが、方法（Ｂ）の工程（ｂ3 ）において
は、室温から８００℃への昇温開始時からアンモニアガ
スを導入し、アンモニアガスによる還元時間を長くする
のが好ましい。
に絶縁層を有する。球状微粒子は、工程（ｂ3 ）におい
て、還元雰囲気で焼成処理され、酸化チタン薄膜が黒色
化されてＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化チ
タン薄膜となる。この還元雰囲気下での焼成処理の条件
は、方法（Ａ）の工程（ａ2 ）におけると基本的に同様
であるが、方法（Ｂ）の工程（ｂ3 ）においては、黒色
化されるべき酸化チタン薄膜上に絶縁層が存在し、酸化
チタン薄膜の還元による黒色化が、絶縁層中に存在する
空孔を介して流入した還元性ガス（例えばアンモニアガ
スなど）が酸化チタン薄膜と接触することによって行な
われるため、この点を考慮して還元処理条件を決定する
必要がある。例えば方法（Ａ）の工程（ａ3 ）において
は、７００℃に昇温後に還元性ガスであるアンモニアガ
スを導入したが、方法（Ｂ）の工程（ｂ3 ）において
は、室温から８００℃への昇温開始時からアンモニアガ
スを導入し、アンモニアガスによる還元時間を長くする
のが好ましい。
【００２６】上述のように、方法（Ｂ）は、絶縁層を形
成したのち、酸化チタン薄膜の黒色化を行なっている点
で、酸化チタン薄膜の黒色化の後、絶縁層を形成する方
法（Ａ）と異なるが、方法（Ｂ）で得られた黒色微粒子
も光の透過防止性、電気絶縁性に優れており、液晶表示
装置用スペーサーとして好適に用いられる。
成したのち、酸化チタン薄膜の黒色化を行なっている点
で、酸化チタン薄膜の黒色化の後、絶縁層を形成する方
法（Ａ）と異なるが、方法（Ｂ）で得られた黒色微粒子
も光の透過防止性、電気絶縁性に優れており、液晶表示
装置用スペーサーとして好適に用いられる。
【００２７】
【実施例】以下実施例にしたがって本発明を詳細に説明
する。
する。
【００２８】実施例１（方法（Ａ）） 粒子径が３．４μm の単分散シリカ微粒子（球状微粒
子）１０ｇをメタノール１００ｇに添加し、１０分間超
音波処理を行って分散させのち、pHを２に調整した水２
０ｇを添加、混合してシリカ微粒子の分散液を得た。別
に４．８ｇのＴｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を予め１０ｇの
tert−アミルアルコールと混合したのち６０ｇのメタノ
ールと混合した液をつくり、これを３０℃に保ったシリ
カ微粒子の分散液に撹拌しながら滴下混合した。数時間
撹拌後反応液を静置して目的の粒子を沈降させた後、デ
カンテーションにより液中に浮遊している微粒子を取り
除いた。水を加えて沈降、デカンテーションを数度繰り
返した後、凍結乾燥することにより、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）薄膜を有するシリカ微粒子を得た。次いで得られ
た乾燥微粒子各１０ｇを各石英ガラス製ルツボに入れ、
２個のルツボを石英ガラスチューブからなる炉心管（シ
リコニット石英チューブ）内に設置し、炉心管内を窒素
ガスによってパージした（窒素ガス流量≧４００ml/mi
n, 時間≧４hrs）。次いで同量の窒素ガスを流しながら
毎時２００℃の速さで昇温し、７００℃に達した時点で
液体アンモニアボンベより約１２４ml/minのアンモニア
ガスを炉心管内に導入し、８００℃に到達後同量のアン
モニアガスを流しながらその温度で３時間加熱処理して
酸化チタンを還元して黒色化した。得られた粒子は黒色
（Ｙ値０．５％）であり、Ｘ線回折測定の結果、黒色酸
化チタン層はＴｉＯn （ｎ＜２）以外に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）を少量含んでいた。この粒子を電極の間に充填し
て本実施例の末尾に示す抵抗測定法により抵抗を測定し
たところ、導電性があることが確認された。この黒色酸
化チタン薄膜付きシリカ微粒子の５ｇを再びメタノール
１００ｇに分散させ、超音波を３０分照射して粒子を十
分に分散させた後、２５％アンモニア水３０ｇとメタノ
ール３０ｇとの混合液を添加した。１０分撹拌の後、テ
トラエトキシシラン１７．３ｇとメタノール１０ｇとの
混合液を滴下し、絶縁層としてシリカを黒色酸化チタン
薄膜の表面にコーティングした。得られた絶縁層を有す
る黒色粒子の分散液を沈降−デカンテーションにより洗
浄を繰り返して精製した後、乾燥することにより真球状
の黒色粒子が得られた（黒色度Ｙ値：１．０％）。この
黒色酸化チタン層および絶縁層を有するシリカ微粒子を
電極の間に充填して絶縁抵抗を本実施例の末尾に示す方
法により測定した。
子）１０ｇをメタノール１００ｇに添加し、１０分間超
音波処理を行って分散させのち、pHを２に調整した水２
０ｇを添加、混合してシリカ微粒子の分散液を得た。別
に４．８ｇのＴｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を予め１０ｇの
tert−アミルアルコールと混合したのち６０ｇのメタノ
ールと混合した液をつくり、これを３０℃に保ったシリ
カ微粒子の分散液に撹拌しながら滴下混合した。数時間
撹拌後反応液を静置して目的の粒子を沈降させた後、デ
カンテーションにより液中に浮遊している微粒子を取り
除いた。水を加えて沈降、デカンテーションを数度繰り
返した後、凍結乾燥することにより、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）薄膜を有するシリカ微粒子を得た。次いで得られ
た乾燥微粒子各１０ｇを各石英ガラス製ルツボに入れ、
２個のルツボを石英ガラスチューブからなる炉心管（シ
リコニット石英チューブ）内に設置し、炉心管内を窒素
ガスによってパージした（窒素ガス流量≧４００ml/mi
n, 時間≧４hrs）。次いで同量の窒素ガスを流しながら
毎時２００℃の速さで昇温し、７００℃に達した時点で
液体アンモニアボンベより約１２４ml/minのアンモニア
ガスを炉心管内に導入し、８００℃に到達後同量のアン
モニアガスを流しながらその温度で３時間加熱処理して
酸化チタンを還元して黒色化した。得られた粒子は黒色
（Ｙ値０．５％）であり、Ｘ線回折測定の結果、黒色酸
化チタン層はＴｉＯn （ｎ＜２）以外に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）を少量含んでいた。この粒子を電極の間に充填し
て本実施例の末尾に示す抵抗測定法により抵抗を測定し
たところ、導電性があることが確認された。この黒色酸
化チタン薄膜付きシリカ微粒子の５ｇを再びメタノール
１００ｇに分散させ、超音波を３０分照射して粒子を十
分に分散させた後、２５％アンモニア水３０ｇとメタノ
ール３０ｇとの混合液を添加した。１０分撹拌の後、テ
トラエトキシシラン１７．３ｇとメタノール１０ｇとの
混合液を滴下し、絶縁層としてシリカを黒色酸化チタン
薄膜の表面にコーティングした。得られた絶縁層を有す
る黒色粒子の分散液を沈降−デカンテーションにより洗
浄を繰り返して精製した後、乾燥することにより真球状
の黒色粒子が得られた（黒色度Ｙ値：１．０％）。この
黒色酸化チタン層および絶縁層を有するシリカ微粒子を
電極の間に充填して絶縁抵抗を本実施例の末尾に示す方
法により測定した。
【００２９】その結果、本実施例で得られた黒色酸化チ
タン層および絶縁層を有するシリカ微粒子の絶縁抵抗は
１０6 Ω以上であった。また粒子径分布は母粒子である
シリカ微粒子の粒子径分布の単分散性（ＣＶ値：１．５
％）を保っていた。
タン層および絶縁層を有するシリカ微粒子の絶縁抵抗は
１０6 Ω以上であった。また粒子径分布は母粒子である
シリカ微粒子の粒子径分布の単分散性（ＣＶ値：１．５
％）を保っていた。
【００３０】（抵抗測定法） 測定セルへの試料のセッティング 外径３０mm、内径１０mm、長さ５０mmのアクリル製パイ
プに測定試料約０．１５ｇを入れ、この試料を真鍮製ロ
ッド（直径１０mm弱、長さ３０mm）２本で上下から挟
み、圧縮させる（試料の厚み１mm以上）。 圧縮方法 下部を固定させ、上部に約６kgのおもりを乗せて圧縮す
る。 測定 真鍮製ロッドの試料に接していない面にテスターの端子
を接続した後、直接テスターの抵抗値を読み取る。 実施例２（方法Ｂ） 実施例１と同様の手順で単分散シリカ微粒子（球状微粒
子）の表面に酸化チタンをコーティングし、沈降−デカ
ンテーションを繰り返した後、凍結乾燥を行って酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）薄膜がコーティングされた白色単分散
粒子を得た。これをシード粒子として、実施例１と同様
に絶縁層としてシリカをコーティングし、沈降−デカン
テーションを繰り返して洗浄した後、凍結乾燥してシリ
カ−酸化チタン−シリカの三層構造の白色微粒子を得
た。得られた白色微粒子の還元処理は、昇温前の室温時
からアンモニアガスを導入した以外は実施例１と同様に
行なった。すなわち白色微粒子を収容したルツボを石英
ガラスチューブからなる炉心管内に設置し、炉心管内を
窒素ガスによってパージした。次いでアンモニアガスを
炉心管に導入し、その後アンモニアガスを流しながら毎
時２００℃の速さで８００℃まで昇温し、その温度で４
時間熱処理して中間層の酸化チタン（ＴｉＯ2）をＴｉ
Ｏn （ｎ＜２）に還元して黒色化させた（Ｙ値１．０
％）。得られた黒色微粒子を電極の間に充填して絶縁抵
抗を測定したところ１０6 Ω以上であった。また粒子径
分布は母粒子であるシリカ微粒子の粒子径分布の単分散
性を保っていた。
プに測定試料約０．１５ｇを入れ、この試料を真鍮製ロ
ッド（直径１０mm弱、長さ３０mm）２本で上下から挟
み、圧縮させる（試料の厚み１mm以上）。 圧縮方法 下部を固定させ、上部に約６kgのおもりを乗せて圧縮す
る。 測定 真鍮製ロッドの試料に接していない面にテスターの端子
を接続した後、直接テスターの抵抗値を読み取る。 実施例２（方法Ｂ） 実施例１と同様の手順で単分散シリカ微粒子（球状微粒
子）の表面に酸化チタンをコーティングし、沈降−デカ
ンテーションを繰り返した後、凍結乾燥を行って酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）薄膜がコーティングされた白色単分散
粒子を得た。これをシード粒子として、実施例１と同様
に絶縁層としてシリカをコーティングし、沈降−デカン
テーションを繰り返して洗浄した後、凍結乾燥してシリ
カ−酸化チタン−シリカの三層構造の白色微粒子を得
た。得られた白色微粒子の還元処理は、昇温前の室温時
からアンモニアガスを導入した以外は実施例１と同様に
行なった。すなわち白色微粒子を収容したルツボを石英
ガラスチューブからなる炉心管内に設置し、炉心管内を
窒素ガスによってパージした。次いでアンモニアガスを
炉心管に導入し、その後アンモニアガスを流しながら毎
時２００℃の速さで８００℃まで昇温し、その温度で４
時間熱処理して中間層の酸化チタン（ＴｉＯ2）をＴｉ
Ｏn （ｎ＜２）に還元して黒色化させた（Ｙ値１．０
％）。得られた黒色微粒子を電極の間に充填して絶縁抵
抗を測定したところ１０6 Ω以上であった。また粒子径
分布は母粒子であるシリカ微粒子の粒子径分布の単分散
性を保っていた。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、黒
色度が高く光の透過を防止できるとともに電気絶縁性に
も優れている黒色微粒子およびその製造方法が提供され
た。
色度が高く光の透過を防止できるとともに電気絶縁性に
も優れている黒色微粒子およびその製造方法が提供され
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｃ 3/06 ＰＢＴ 6904−4Ｊ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３２３ 6447−5Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属酸化物からなる球状微粒子と、この
球状微粒子の表面に設けられた黒色酸化チタン薄膜と、
この薄膜の表面に設けられた絶縁層とを含むことを特徴
とする黒色微粒子。 - 【請求項２】 金属酸化物からなる球状微粒子表面に、
ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタ
ン薄膜付き球状微粒子を得る工程と、 前記工程で得られた酸化チタン薄膜付き球状微粒子を還
元雰囲気で焼成して前記酸化チタン薄膜を黒色化し、Ｔ
ｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化チタン薄膜付
き球状微粒子を得る工程と、 前工程で得られた黒色酸化チタン薄膜付き球状微粒子の
黒色酸化チタン薄膜表面に絶縁層を設けて、黒色酸化チ
タン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程と、を
必須工程として含むことを特徴とする黒色微粒子の製造
方法。 - 【請求項３】 金属酸化物からなる球状微粒子表面に、
ＴｉＯ2 からなる酸化チタン薄膜を形成させて酸化チタ
ン薄膜付き球状微粒子を得る工程と、 前工程で得られた酸化チタン薄膜付き球状微粒子の酸化
チタン薄膜の表面に絶縁層を設ける工程と、 前工程で得られた酸化チタン薄膜および絶縁層付き球状
微粒子を還元雰囲気で焼成して前記酸化チタン薄膜を黒
色化し、ＴｉＯn （ｎ＜２）を主成分とする黒色酸化チ
タン薄膜および絶縁層付き球状微粒子を得る工程と、を
必須工程として含むことを特徴とする黒色微粒子の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の黒色微粒子からなる液
晶表示装置用スペーサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5812592A JPH05257150A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 黒色微粒子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5812592A JPH05257150A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 黒色微粒子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257150A true JPH05257150A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13075264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5812592A Pending JPH05257150A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 黒色微粒子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05257150A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997047417A1 (fr) * | 1996-06-10 | 1997-12-18 | Nittetsu Mining Co., Ltd. | Revetement de poudre a couches minces multiples et son procede de fabrication |
| US6013369A (en) * | 1994-11-21 | 2000-01-11 | Ube Nitto Kasei Co., Ltd. | Process for the production of titanium oxide coated particles |
| US8779173B2 (en) | 2012-06-08 | 2014-07-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of preparing silica composite particles |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5812592A patent/JPH05257150A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013369A (en) * | 1994-11-21 | 2000-01-11 | Ube Nitto Kasei Co., Ltd. | Process for the production of titanium oxide coated particles |
| US6194069B1 (en) | 1994-11-21 | 2001-02-27 | Ube Nitto Kasei Co., Ltd. | Process for the production of coated particles |
| WO1997047417A1 (fr) * | 1996-06-10 | 1997-12-18 | Nittetsu Mining Co., Ltd. | Revetement de poudre a couches minces multiples et son procede de fabrication |
| US8779173B2 (en) | 2012-06-08 | 2014-07-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of preparing silica composite particles |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001106 |