JPH05251831A - マルチビーム半導体レーザ装置とその組立て方法 - Google Patents
マルチビーム半導体レーザ装置とその組立て方法Info
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- JPH05251831A JPH05251831A JP4888092A JP4888092A JPH05251831A JP H05251831 A JPH05251831 A JP H05251831A JP 4888092 A JP4888092 A JP 4888092A JP 4888092 A JP4888092 A JP 4888092A JP H05251831 A JPH05251831 A JP H05251831A
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- Japan
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- semiconductor laser
- substrate
- alignment
- chip
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ５０μｍ以下の狭小なピッチをもって多数の
レーザ発光部が配されたマルチビーム半導体レーザ装置
において、その各ビームに対応する電極と、マウント基
板の各電極との位置合わせを行い易いようにする。 【構成】 マウント基板１側とレーザチップ２側に位置
合せ用の凹凸３を形成して構成する。
レーザ発光部が配されたマルチビーム半導体レーザ装置
において、その各ビームに対応する電極と、マウント基
板の各電極との位置合わせを行い易いようにする。 【構成】 マウント基板１側とレーザチップ２側に位置
合せ用の凹凸３を形成して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチビーム半導体レ
ーザ装置及びその組立て方法に係わる。
ーザ装置及びその組立て方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの高集積化・高速処理化な
どの要請に対し、１チップ内に複数の独立制御が可能な
レーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発
されている。このような独立制御のマルチビームレーザ
においては、単体素子とは異なり複数の独立した入力端
子が必要とされる。このため例えばレーザビーム毎に独
立した電極をパターニング形成する等の方法が考えられ
るが、１つのチップにレーザパッドなどを含むモノリシ
ック型構成の半導体レーザ装置では、レーザ端面形成の
ためのエッチングなど製造上の問題、或いは配線部の熱
抵抗による発熱の問題等が生じるため、上述した独立制
御の実用化は難しい。
どの要請に対し、１チップ内に複数の独立制御が可能な
レーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発
されている。このような独立制御のマルチビームレーザ
においては、単体素子とは異なり複数の独立した入力端
子が必要とされる。このため例えばレーザビーム毎に独
立した電極をパターニング形成する等の方法が考えられ
るが、１つのチップにレーザパッドなどを含むモノリシ
ック型構成の半導体レーザ装置では、レーザ端面形成の
ためのエッチングなど製造上の問題、或いは配線部の熱
抵抗による発熱の問題等が生じるため、上述した独立制
御の実用化は難しい。
【０００３】このため、各レーザビーム毎に分離電極を
設け、この分離電極と基板上にパターニング形成した電
極とを対向させ、はんだ等の融着によりマウントする方
法が採られている。この場合、レーザ装置自体の小型化
をはかる上で、ビーム本数の増加に伴ってビーム間隔の
狭小化がはかられており、このようなレーザビームの高
密度化をはかる上で、そのレーザビームの電極と基板側
の電極との位置合わせ精度の向上が必要とされている。
設け、この分離電極と基板上にパターニング形成した電
極とを対向させ、はんだ等の融着によりマウントする方
法が採られている。この場合、レーザ装置自体の小型化
をはかる上で、ビーム本数の増加に伴ってビーム間隔の
狭小化がはかられており、このようなレーザビームの高
密度化をはかる上で、そのレーザビームの電極と基板側
の電極との位置合わせ精度の向上が必要とされている。
【０００４】このようなレーザの基板への貼り合わせに
際し、画像処理を用いた通常のチップマウンタでは、機
械的精度や、接着材料（はんだ等）の厚さなどを考慮し
て±５〜１０μｍ程度の誤差が生じる。これに対し、ビ
ーム本数の増加に伴って、半導体レーザ装置全体の小型
化をはかるために、ビーム間隔は益々狭小化されつつあ
る。ビーム間隔が５０μｍ以下の例えば１０μｍピッチ
程度と非常に狭小な間隔とされた高密度のマルチビーム
レーザでは、このような機械的なチップマウンタを用い
て貼り合わせを行うことは非常に難しい。
際し、画像処理を用いた通常のチップマウンタでは、機
械的精度や、接着材料（はんだ等）の厚さなどを考慮し
て±５〜１０μｍ程度の誤差が生じる。これに対し、ビ
ーム本数の増加に伴って、半導体レーザ装置全体の小型
化をはかるために、ビーム間隔は益々狭小化されつつあ
る。ビーム間隔が５０μｍ以下の例えば１０μｍピッチ
程度と非常に狭小な間隔とされた高密度のマルチビーム
レーザでは、このような機械的なチップマウンタを用い
て貼り合わせを行うことは非常に難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな５０μｍ以下の狭小なピッチをもって多数のレーザ
発光部が配されたマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、その各ビームに対応する電極と、マウント基板の各
電極との位置合わせを行い易くして、且つこのマルチビ
ーム半導体レーザ装置を確実にマウントできる組立て方
法を提供する。
うな５０μｍ以下の狭小なピッチをもって多数のレーザ
発光部が配されたマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、その各ビームに対応する電極と、マウント基板の各
電極との位置合わせを行い易くして、且つこのマルチビ
ーム半導体レーザ装置を確実にマウントできる組立て方
法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明マルチビーム半導
体レーザ装置は、その一例の要部の略線的構成図を図１
に示すように、マウント基板１側とレーザチップ２側に
位置合せ用の凹凸３を形成して構成する。
体レーザ装置は、その一例の要部の略線的構成図を図１
に示すように、マウント基板１側とレーザチップ２側に
位置合せ用の凹凸３を形成して構成する。
【０００７】本発明の他の一においては、このマルチビ
ーム半導体レーザ装置において、マウント基板１側とレ
ーザチップ２側に設けられた凹凸３の少なくともどちら
か一方に傾斜側面７が構成される。
ーム半導体レーザ装置において、マウント基板１側とレ
ーザチップ２側に設けられた凹凸３の少なくともどちら
か一方に傾斜側面７が構成される。
【０００８】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の組
立て方法は、その一例の一工程図を図２に示すように、
マウント基板１側とレーザチップ２側に位置合せ用の凹
凸３を形成して構成し、マウント基板１とレーザチップ
２とを積層した状態で振動させて、マウント位置の位置
合わせを行う。
立て方法は、その一例の一工程図を図２に示すように、
マウント基板１側とレーザチップ２側に位置合せ用の凹
凸３を形成して構成し、マウント基板１とレーザチップ
２とを積層した状態で振動させて、マウント位置の位置
合わせを行う。
【０００９】
【作用】本発明マルチビーム半導体レーザ装置によれ
ば、上述したようにマウント基板１とレーザチップ２と
に位置合わせ用の凹凸３を設けることから、この凹凸３
を嵌合させて位置合わせを行うことによって、簡単且つ
確実にレーザチップ２を基板１上にマウントすることが
できる。
ば、上述したようにマウント基板１とレーザチップ２と
に位置合わせ用の凹凸３を設けることから、この凹凸３
を嵌合させて位置合わせを行うことによって、簡単且つ
確実にレーザチップ２を基板１上にマウントすることが
できる。
【００１０】また、この凹凸３の少なくともどちらか一
方が傾斜側面７とされることによって、凹凸３を嵌合さ
せ易くすることができ、より確実且つ簡単にその位置合
わせを行って、精度良くマウントすることができる。
方が傾斜側面７とされることによって、凹凸３を嵌合さ
せ易くすることができ、より確実且つ簡単にその位置合
わせを行って、精度良くマウントすることができる。
【００１１】更にまた、本発明マルチビーム半導体レー
ザ装置の組立て方法によれば、図２に示すように、位置
合わせ用の凹凸３を設けたマウント基板１とレーザチッ
プ２とを積層した状態で振動させることによって、凹凸
３を確実に嵌合させ、適切に各電極を位置させることが
できることとなる。
ザ装置の組立て方法によれば、図２に示すように、位置
合わせ用の凹凸３を設けたマウント基板１とレーザチッ
プ２とを積層した状態で振動させることによって、凹凸
３を確実に嵌合させ、適切に各電極を位置させることが
できることとなる。
【００１２】従って、本発明マルチビーム半導体レーザ
装置及びその組立て方法によれば、簡単且つ確実にその
マウント時の位置合わせを行うことができ、数μｍピッ
チで配された例えば１００本程度のマルチビームを出力
する半導体レーザ装置においても、その独立制御が可能
となり、且つその組立て時の不良品発生率を抑制し、歩
留りの向上をはかることができる。
装置及びその組立て方法によれば、簡単且つ確実にその
マウント時の位置合わせを行うことができ、数μｍピッ
チで配された例えば１００本程度のマルチビームを出力
する半導体レーザ装置においても、その独立制御が可能
となり、且つその組立て時の不良品発生率を抑制し、歩
留りの向上をはかることができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明マルチビーム半導体レーザ装置の
各例及びその組立て方法の一例を図面を参照して詳細に
説明する。この例においては、ＧａＡｓ等より成る基体
２１の｛１００｝結晶面より成る一主面上に、矢印ａで
示す〈０１１〉結晶軸方向に延長するストライプ状のメ
サ突起２２を形成し、これらのメサ突起２２上とメサ溝
内とに分断して形成される半導体層を利用して、横方向
の閉じ込めをも行うことができるようにしたいわゆるＳ
ＤＨ（Separated Double Hetero)型構成のマルチビーム
半導体レーザ（例えば本出願人の出願に係る特願平２−
２１６２２５号出願）を用いたマルチビーム半導体レー
ザ装置に本発明を適用した場合を示す。
各例及びその組立て方法の一例を図面を参照して詳細に
説明する。この例においては、ＧａＡｓ等より成る基体
２１の｛１００｝結晶面より成る一主面上に、矢印ａで
示す〈０１１〉結晶軸方向に延長するストライプ状のメ
サ突起２２を形成し、これらのメサ突起２２上とメサ溝
内とに分断して形成される半導体層を利用して、横方向
の閉じ込めをも行うことができるようにしたいわゆるＳ
ＤＨ（Separated Double Hetero)型構成のマルチビーム
半導体レーザ（例えば本出願人の出願に係る特願平２−
２１６２２５号出願）を用いたマルチビーム半導体レー
ザ装置に本発明を適用した場合を示す。
【００１４】このＳＤＨ型のマルチビーム半導体レーザ
は、図３に示すように、矢印ａで示す〈０１１〉結晶軸
方向に延びる複数のメサ突起２２上に、例えばｎ型の第
１のクラッド層２３、活性層２４及び例えばｐ型の第２
のクラッド層２５とが順次エピタキシャル成長され、メ
サ突起２２上に｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面２６が
成長すると、この部分においては結晶成長が生じにくい
ため、その後のエピタキシャル成長層が、この斜面２６
によってメサ突起２２上とメサ突起２２間の溝内とに分
断されて、メサ突起２２上においては斜面２６に囲まれ
て断面三角形状にエピタキシャル成長される。これによ
り、横方向端面が第２のクラッド層２５に挟まれた複数
の活性層２４が各メサ突起２２上に形成され、これによ
り〈０１１〉結晶軸方向に延長する複数のレーザ発光部
が構成される。
は、図３に示すように、矢印ａで示す〈０１１〉結晶軸
方向に延びる複数のメサ突起２２上に、例えばｎ型の第
１のクラッド層２３、活性層２４及び例えばｐ型の第２
のクラッド層２５とが順次エピタキシャル成長され、メ
サ突起２２上に｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面２６が
成長すると、この部分においては結晶成長が生じにくい
ため、その後のエピタキシャル成長層が、この斜面２６
によってメサ突起２２上とメサ突起２２間の溝内とに分
断されて、メサ突起２２上においては斜面２６に囲まれ
て断面三角形状にエピタキシャル成長される。これによ
り、横方向端面が第２のクラッド層２５に挟まれた複数
の活性層２４が各メサ突起２２上に形成され、これによ
り〈０１１〉結晶軸方向に延長する複数のレーザ発光部
が構成される。
【００１５】この場合、第２のクラッド層２５の成長を
続けると、この層２５の上面は、メサ突起２２上の｛１
１１｝Ｂ結晶面より成る斜面２６に追随して生じる｛３
１１｝結晶面より成る斜面２７により構成される。この
斜面２７の衝合する谷部に、メサ突起２２の延長方向に
沿って延びる素子分離溝２８が形成されると共に、各斜
面２７の衝合する稜線部、即ち活性層２４の上部にこの
活性層２４の延長方向に沿って延びる電極２９が形成さ
れて、各活性層２４が独立に励起発振される独立駆動型
のマルチビームを有するレーザチップ２が形成される。
即ちこの例においては、｛３１１｝結晶面より成る斜面
２８によってその電極２９に位置合わせ用の凹凸が形成
されて成るものである。
続けると、この層２５の上面は、メサ突起２２上の｛１
１１｝Ｂ結晶面より成る斜面２６に追随して生じる｛３
１１｝結晶面より成る斜面２７により構成される。この
斜面２７の衝合する谷部に、メサ突起２２の延長方向に
沿って延びる素子分離溝２８が形成されると共に、各斜
面２７の衝合する稜線部、即ち活性層２４の上部にこの
活性層２４の延長方向に沿って延びる電極２９が形成さ
れて、各活性層２４が独立に励起発振される独立駆動型
のマルチビームを有するレーザチップ２が形成される。
即ちこの例においては、｛３１１｝結晶面より成る斜面
２８によってその電極２９に位置合わせ用の凹凸が形成
されて成るものである。
【００１６】そしてこのレーザチップ２を、図４に示す
ようにその電極２９をマウント基板１側の電極１２に対
向させて、矢印ｂで示すように、マウント基板１の電極
１２上に持ち来してマウントを行う。１３は、各レーザ
発光部に対応する端子導出用のボンディングパッドを示
す。
ようにその電極２９をマウント基板１側の電極１２に対
向させて、矢印ｂで示すように、マウント基板１の電極
１２上に持ち来してマウントを行う。１３は、各レーザ
発光部に対応する端子導出用のボンディングパッドを示
す。
【００１７】このマウント基板１側の表面には、図１に
示すように、例えばこの図１の紙面と直交する方向に延
長するストライプ状の凸部４が形成される。この凸部４
は、例えばフォトリソグラフィ等の適用によって、ＲＩ
Ｅ（反応性イオンエッチング）またはウェットエッチン
グ等により形成される。そしてこの凸部４と、レーザチ
ップ２側の｛３１１｝結晶面より成る斜面によってその
谷部が凹部５とされて、位置合わせ用の凹凸３が形成さ
れる。この場合、上述の｛３１１｝結晶面より成る斜面
が傾斜側面７とされる。図１において２ａは、上述した
図３における〈０１１〉結晶軸方向に延長するストライ
プ状の電極を示し、これと同様に、図１の紙面と直交す
る方向に延長して、マウント基板１上にもまたストライ
プ状の電極１ａが形成される。８は各レーザ発光部間の
素子分離溝である。
示すように、例えばこの図１の紙面と直交する方向に延
長するストライプ状の凸部４が形成される。この凸部４
は、例えばフォトリソグラフィ等の適用によって、ＲＩ
Ｅ（反応性イオンエッチング）またはウェットエッチン
グ等により形成される。そしてこの凸部４と、レーザチ
ップ２側の｛３１１｝結晶面より成る斜面によってその
谷部が凹部５とされて、位置合わせ用の凹凸３が形成さ
れる。この場合、上述の｛３１１｝結晶面より成る斜面
が傾斜側面７とされる。図１において２ａは、上述した
図３における〈０１１〉結晶軸方向に延長するストライ
プ状の電極を示し、これと同様に、図１の紙面と直交す
る方向に延長して、マウント基板１上にもまたストライ
プ状の電極１ａが形成される。８は各レーザ発光部間の
素子分離溝である。
【００１８】そしてこのような構成において、図２に示
すように、マウント基板１とレーザチップ２とを積層し
てその位置合わせ用の凹凸３を嵌合させた状態で振動台
３０上に載置して振動させて、マウント位置の位置合わ
せを行う。この例においては、振動台３０の上面に凸部
３１が設けられ、図５に示すように、レーザチップ２側
の傾斜側面７が、実線図示或いは破線図示のようにマウ
ント基板１１側の凸部４のどちらか一方の肩部に突き当
てるようになされ、これにより各電極１ａ及び２ａの位
置合わせを行うことができる。
すように、マウント基板１とレーザチップ２とを積層し
てその位置合わせ用の凹凸３を嵌合させた状態で振動台
３０上に載置して振動させて、マウント位置の位置合わ
せを行う。この例においては、振動台３０の上面に凸部
３１が設けられ、図５に示すように、レーザチップ２側
の傾斜側面７が、実線図示或いは破線図示のようにマウ
ント基板１１側の凸部４のどちらか一方の肩部に突き当
てるようになされ、これにより各電極１ａ及び２ａの位
置合わせを行うことができる。
【００１９】そしてこのとき、図１に示すように、マウ
ント基板１の電極１ａの幅Ｗ1 、凸部４の高さｈ、幅Ｗ
2 及びピッチＰ、更にレーザチップ２側の傾斜側面７の
傾斜角度θ、凹部５の深さｄを適切に選定することによ
って、位置合わせ用の凹凸３を嵌合させた時に、確実に
各電極１ａ及び２ａを接触させることができる。ここ
で、凹部５の深さｄとは、図１に示すように、各傾斜側
面７の延長面が交叉する谷部と、傾斜側面７の頂部との
高さの差を示す。
ント基板１の電極１ａの幅Ｗ1 、凸部４の高さｈ、幅Ｗ
2 及びピッチＰ、更にレーザチップ２側の傾斜側面７の
傾斜角度θ、凹部５の深さｄを適切に選定することによ
って、位置合わせ用の凹凸３を嵌合させた時に、確実に
各電極１ａ及び２ａを接触させることができる。ここ
で、凹部５の深さｄとは、図１に示すように、各傾斜側
面７の延長面が交叉する谷部と、傾斜側面７の頂部との
高さの差を示す。
【００２０】即ちこの場合、凸部４の高さｈと凹部５の
深さｄとが ｈ＜ｄ であると共に、図６に示すように、凸部４の高さｈと、
この凸部４の頂部からレーザチップ２側の凹部５の谷部
までの間隔をｓとすると、 ｓ＋ｈ＜ｄ とすることによって、確実に電極１ａ及び２ａが接触す
るようになすことができる。ｓは（Ｗ2 ／２）・ｔａｎ
θで表されることから、凹凸３を嵌合させるための凸部
３の幅Ｗ2 の条件としては、 Ｗ2 ＜２（ｄ−ｈ）／ｔａｎθ と表される。
深さｄとが ｈ＜ｄ であると共に、図６に示すように、凸部４の高さｈと、
この凸部４の頂部からレーザチップ２側の凹部５の谷部
までの間隔をｓとすると、 ｓ＋ｈ＜ｄ とすることによって、確実に電極１ａ及び２ａが接触す
るようになすことができる。ｓは（Ｗ2 ／２）・ｔａｎ
θで表されることから、凹凸３を嵌合させるための凸部
３の幅Ｗ2 の条件としては、 Ｗ2 ＜２（ｄ−ｈ）／ｔａｎθ と表される。
【００２１】一方、レーザ電極２ａと基板側電極１ａと
を確実に接触させる条件としては、図５に示すように、
凸部４の側面と、各電極１ａ及び２ａの接触位置との間
隔をｌとすると、凸部４の両肩部のどちらに傾斜側面７
が接触する場合においても、両電極１ａ及び２ａが接触
するように、Ｗ1 ＞Ｐ−Ｗ2 −２ｌとすることが望まし
い。ｌはｈ／ｔａｎθであるから、 Ｗ1 ＞Ｐ−Ｗ2 −２ｈ／ｔａｎθ とすることによって、確実に両電極１ａ及び２ａを接触
させることができる。この場合例えばθは、｛３１１｝
結晶面と｛１１０｝結晶面との交叉する角度であること
から、下記数１により求められる。
を確実に接触させる条件としては、図５に示すように、
凸部４の側面と、各電極１ａ及び２ａの接触位置との間
隔をｌとすると、凸部４の両肩部のどちらに傾斜側面７
が接触する場合においても、両電極１ａ及び２ａが接触
するように、Ｗ1 ＞Ｐ−Ｗ2 −２ｌとすることが望まし
い。ｌはｈ／ｔａｎθであるから、 Ｗ1 ＞Ｐ−Ｗ2 −２ｈ／ｔａｎθ とすることによって、確実に両電極１ａ及び２ａを接触
させることができる。この場合例えばθは、｛３１１｝
結晶面と｛１１０｝結晶面との交叉する角度であること
から、下記数１により求められる。
【００２２】
【数１】
【００２３】このように、各部の幅、ピッチ等を選定す
ることによって、レーザチップの電極２ａと基板側の電
極１ａとを確実に精度良く位置合わせを行なうことがで
きる。特にこの場合ストライプ状の凹凸３により位置合
わせを行なうので、回転方向の位置ずれを生じることを
回避して、短絡やオープン不良を生じることなくマウン
トすることができる。この場合、自動的にマウントする
ことができるため、自動生産も可能となる。
ることによって、レーザチップの電極２ａと基板側の電
極１ａとを確実に精度良く位置合わせを行なうことがで
きる。特にこの場合ストライプ状の凹凸３により位置合
わせを行なうので、回転方向の位置ずれを生じることを
回避して、短絡やオープン不良を生じることなくマウン
トすることができる。この場合、自動的にマウントする
ことができるため、自動生産も可能となる。
【００２４】また、上述の例においては、凸部４を断面
矩形状とした場合を示したが、その他例えば図７に示す
ように、その断面を台形状としても良く、その側面とマ
ウント基板１の表面との成す角度θ2 を、レーザチップ
２側の傾斜側面７の傾斜角度θ1 に比して、 θ2 ＞θ1 とすることによって、確実に傾斜側面７の頂部の電極２
ａとマウント基板１上の電極１ａとを接触させることが
できる。
矩形状とした場合を示したが、その他例えば図７に示す
ように、その断面を台形状としても良く、その側面とマ
ウント基板１の表面との成す角度θ2 を、レーザチップ
２側の傾斜側面７の傾斜角度θ1 に比して、 θ2 ＞θ1 とすることによって、確実に傾斜側面７の頂部の電極２
ａとマウント基板１上の電極１ａとを接触させることが
できる。
【００２５】更にまた、図８に示すように、マウント基
板１側の凸部４自体を、電極１ａにより構成することも
できる。
板１側の凸部４自体を、電極１ａにより構成することも
できる。
【００２６】或いはまた、図９Ａ及びＢに示すように、
凸部４の形状をなだらかな凸状としたり、或いは断面三
角形状とすることもできる。
凸部４の形状をなだらかな凸状としたり、或いは断面三
角形状とすることもできる。
【００２７】尚、上述の実施例においては、ＳＤＨ型構
成のマルチビーム半導体レーザに本発明を適用した例に
ついて説明したが、本発明はこのＳＤＨ型半導体レーザ
に限ることなく、種々の独立駆動型マルチビーム半導体
レーザに適用することができる。また本発明マルチビー
ム半導体レーザ装置及びその組立て方法は、上述の例に
限ることなく、種々の変形変更が可能であることはいう
までもない。
成のマルチビーム半導体レーザに本発明を適用した例に
ついて説明したが、本発明はこのＳＤＨ型半導体レーザ
に限ることなく、種々の独立駆動型マルチビーム半導体
レーザに適用することができる。また本発明マルチビー
ム半導体レーザ装置及びその組立て方法は、上述の例に
限ることなく、種々の変形変更が可能であることはいう
までもない。
【００２８】
【発明の効果】上述したように本発明マルチビーム半導
体レーザ装置によれば、マウント基板１とレーザチップ
２とに位置合わせ用の凹凸３を設けることから、この凹
凸３を嵌合させて位置合わせを行うことによって、簡単
且つ確実にレーザチップ２を基板１上にマウントするこ
とができる。
体レーザ装置によれば、マウント基板１とレーザチップ
２とに位置合わせ用の凹凸３を設けることから、この凹
凸３を嵌合させて位置合わせを行うことによって、簡単
且つ確実にレーザチップ２を基板１上にマウントするこ
とができる。
【００２９】また、この凹凸３の少なくともどちらか一
方を傾斜側面７とすることによって、凹凸３を嵌合させ
易くすることができ、より確実且つ簡単にその位置合わ
せを行って、精度良くマウントすることができる。
方を傾斜側面７とすることによって、凹凸３を嵌合させ
易くすることができ、より確実且つ簡単にその位置合わ
せを行って、精度良くマウントすることができる。
【００３０】他の本発明マルチビーム半導体レーザ装置
の組立て方法によれば、位置合わせ用の凹凸３を設けた
マウント基板１とレーザチップ２とを積層した状態で振
動することによって、凹凸３を確実に嵌合させ、適切位
置に各電極を位置させることができる。
の組立て方法によれば、位置合わせ用の凹凸３を設けた
マウント基板１とレーザチップ２とを積層した状態で振
動することによって、凹凸３を確実に嵌合させ、適切位
置に各電極を位置させることができる。
【００３１】従って、本発明マルチビーム半導体レーザ
装置及びその組立て方法によれば、簡単且つ確実にその
マウント時の位置合わせを行うことができ、数μｍピッ
チで配された例えば１００本程度のマルチビームを出力
する半導体レーザ装置においても、その独立制御が可能
となり、且つその組立て時の不良品発生率を抑制し、歩
留りの向上をはかることができる。この場合、自動生産
も容易に行うことができることとなる。
装置及びその組立て方法によれば、簡単且つ確実にその
マウント時の位置合わせを行うことができ、数μｍピッ
チで配された例えば１００本程度のマルチビームを出力
する半導体レーザ装置においても、その独立制御が可能
となり、且つその組立て時の不良品発生率を抑制し、歩
留りの向上をはかることができる。この場合、自動生産
も容易に行うことができることとなる。
【図１】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の一例の
要部の略線的構成図である。
要部の略線的構成図である。
【図２】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の組立て
方法の一例の一工程図である。
方法の一例の一工程図である。
【図３】マルチビーム半導体レーザの一例の略線的拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図４】マルチビーム半導体レーザ装置の一例の略線的
構成図である。
構成図である。
【図５】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の一例の
マウント態様の各例を示す図である。
マウント態様の各例を示す図である。
【図６】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の他の例
の要部の略線的構成図である。
の要部の略線的構成図である。
【図７】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の他の例
の要部の略線的構成図である。
の要部の略線的構成図である。
【図８】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の他の例
の要部の略線的構成図である。
の要部の略線的構成図である。
【図９】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の他の例
の要部の略線的拡大断面図である。
の要部の略線的拡大断面図である。
１ マウント基板 １ａ 電極 ２ レーザチップ ２ａ 電極 ３ 凹凸 ４ 凸部 ５ 凹部 ７ 傾斜側面 ８ 素子分離溝
Claims (3)
- 【請求項１】 マウント基板側とレーザチップ側に位置
合せ用の凹凸が形成されて成ることを特徴とするマルチ
ビーム半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 マウント基板側とレーザチップ側に設け
られた凹凸の少なくともどちらか一方が傾斜側面を有し
て成ることを特徴とする上記請求項１に記載のマルチビ
ーム半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 マウント基板側とレーザチップ側に位置
合せ用の凹凸が形成され、 上記マウント基板と上記レーザチップとを積層した状態
で振動させて、マウント位置の位置合わせを行うことを
特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置の組立て方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4888092A JPH05251831A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | マルチビーム半導体レーザ装置とその組立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4888092A JPH05251831A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | マルチビーム半導体レーザ装置とその組立て方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251831A true JPH05251831A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12815602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4888092A Pending JPH05251831A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | マルチビーム半導体レーザ装置とその組立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122567A1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-08 | Corning Incorporated | Passive alignement using slanted wall pedestal |
| JP2014239152A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 電極層を分断する溝を有する半導体素子及びその溝の形成方法 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4888092A patent/JPH05251831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122567A1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-08 | Corning Incorporated | Passive alignement using slanted wall pedestal |
| JP2014239152A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 電極層を分断する溝を有する半導体素子及びその溝の形成方法 |
| US10128305B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-11-13 | Siemens Healthcare Gmbh | Semiconductor element having grooves which divide an electrode layer, and method of forming the grooves |
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