JPH0524965A - 半導体結晶の製造方法およびその装置 - Google Patents
半導体結晶の製造方法およびその装置Info
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- JPH0524965A JPH0524965A JP17835291A JP17835291A JPH0524965A JP H0524965 A JPH0524965 A JP H0524965A JP 17835291 A JP17835291 A JP 17835291A JP 17835291 A JP17835291 A JP 17835291A JP H0524965 A JPH0524965 A JP H0524965A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型にし
多結晶化を防止して高品質の単結晶を再現性よく製造す
る一方、種結晶の融解を防止する。 【構成】下方から上方に向けて徐々に固化させるＶＧＦ
法による単結晶製造装置である。装置は、下端に種結晶
配置部３ａを有し、その上部に半導体融液７を収容する
ルツボ３と、ルツボ３の外側に下方が上方よりも低温と
なるような温度勾配を形成する融液加熱用ヒータ５とを
備える。ルツボ３の下端に設けた種結晶配置部３ａの周
囲を取り巻くように、ルツボ支持台４の内部に冷却水路
１１を設ける。この水路に冷却水を流しながら成長を行
う。結晶は種結晶から結晶終端部に亘って完全な単結晶
が得られる。この結晶の固液界面形状１５を調べると、
結晶全域に亘って凸型になっていることが確認できる。
多結晶化を防止して高品質の単結晶を再現性よく製造す
る一方、種結晶の融解を防止する。 【構成】下方から上方に向けて徐々に固化させるＶＧＦ
法による単結晶製造装置である。装置は、下端に種結晶
配置部３ａを有し、その上部に半導体融液７を収容する
ルツボ３と、ルツボ３の外側に下方が上方よりも低温と
なるような温度勾配を形成する融液加熱用ヒータ５とを
備える。ルツボ３の下端に設けた種結晶配置部３ａの周
囲を取り巻くように、ルツボ支持台４の内部に冷却水路
１１を設ける。この水路に冷却水を流しながら成長を行
う。結晶は種結晶から結晶終端部に亘って完全な単結晶
が得られる。この結晶の固液界面形状１５を調べると、
結晶全域に亘って凸型になっていることが確認できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体融液をルツボ内で
下方から上方に向けて徐々に固化させて結晶を成長する
半導体結晶の製造方法およびその装置に関するものであ
る。
下方から上方に向けて徐々に固化させて結晶を成長する
半導体結晶の製造方法およびその装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体融液をルツボ内で下部から上方に
向けて徐々に固化させることにより単結晶を成長する縦
型成長法、すなわち縦型徐冷法（ＶＧＦ法）あるいは縦
型ブリッジマン法（ＶＢ法）等では、比較的大口径で、
かつ結晶中の転位密度の低い単結晶を作成できることか
ら、半導体結晶、特にIII −Ｖ族化合物半導体結晶の成
長法として注目されている。
向けて徐々に固化させることにより単結晶を成長する縦
型成長法、すなわち縦型徐冷法（ＶＧＦ法）あるいは縦
型ブリッジマン法（ＶＢ法）等では、比較的大口径で、
かつ結晶中の転位密度の低い単結晶を作成できることか
ら、半導体結晶、特にIII −Ｖ族化合物半導体結晶の成
長法として注目されている。
【０００３】以下に従来のＶＧＦ法によるIII −Ｖ族化
合物半導体結晶成長を図３に示したＶＧＦ炉を例にとっ
て説明する。
合物半導体結晶成長を図３に示したＶＧＦ炉を例にとっ
て説明する。
【０００４】ｐＢＮ製のルツボ３の下端に種結晶９を配
置し、さらにルツボ３内にIII −Ｖ族化合物の多結晶を
収容する。そして、このルツボ３を成長容器２内のルツ
ボ支持台４上に設置する。ルツボ支持台４の下方には、
成長容器２内をＶ族元素雰囲気に保つ目的で、Ｖ族元素
１０を設ける。成長容器２の上部開口は、容器内圧が外
圧と同じになるように隙間１ａを設けた蓋１で閉じる。
成長容器２の外側には、下方が上方よりも低温となるよ
うな温度勾配をもつ融液加熱用ヒータ５と、Ｖ族元素を
気化、蒸発させるためのＶ族元素加熱用ヒータ６が設置
されている。
置し、さらにルツボ３内にIII −Ｖ族化合物の多結晶を
収容する。そして、このルツボ３を成長容器２内のルツ
ボ支持台４上に設置する。ルツボ支持台４の下方には、
成長容器２内をＶ族元素雰囲気に保つ目的で、Ｖ族元素
１０を設ける。成長容器２の上部開口は、容器内圧が外
圧と同じになるように隙間１ａを設けた蓋１で閉じる。
成長容器２の外側には、下方が上方よりも低温となるよ
うな温度勾配をもつ融液加熱用ヒータ５と、Ｖ族元素を
気化、蒸発させるためのＶ族元素加熱用ヒータ６が設置
されている。
【０００５】結晶成長は、まずヒータ５でルツボ３内の
多結晶を融解してIII −Ｖ族化合物の融液７を作り、そ
の後ヒータ５を徐々に冷却することにより、ルツボ３内
で種結晶９と同じ方位をもったIII −Ｖ族化合物の単結
晶８を下方から上方に向けて固化成長させていくことに
より行われる。
多結晶を融解してIII −Ｖ族化合物の融液７を作り、そ
の後ヒータ５を徐々に冷却することにより、ルツボ３内
で種結晶９と同じ方位をもったIII −Ｖ族化合物の単結
晶８を下方から上方に向けて固化成長させていくことに
より行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＶＧＦ法やＶＢ法等の
縦型成長法で結晶成長を行う場合、結晶が成長中に多結
晶化することが最大の問題である。縦型成長法の場合、
他の成長法例えば液体封止引上法（ＬＥＣ法）や横形ボ
ート法（ＨＢ法）に比較して結晶からの熱拡散が少ない
ため、融液温度を下げることで、結晶を成長させなけれ
ばならない。このため結晶の固液界面に近い位置での融
液内径方向温度勾配は、図４に示すようなルツボ壁で温
度が低い分布を示す。この傾向は、成長初期のシード付
けや、肩部形成時に特に甚だしい。結晶は、融液の温度
が低いほど早く成長するため、図４の様な温度分布の融
液内では、結晶の固液界面形状が融液に向って凹型にな
ってしまう。すなわち、融液温度が周辺から早く下がる
ため、熱の流れは図５の矢印で示すようになる。固液界
面は熱の流れに対して垂直になろうとするため、必然的
に固液界面形状は凹型となる。固液界面形状が凹型をし
ていると、成長とともに結晶中を伝播する転位が結晶の
中心部に集積しやすく、高密度に集積した場合はその位
置から結晶が多結晶化してしまう。単結晶を得るために
は、固液界面形状が平坦であるか、又は融液に向ってや
や凸であることが望ましいが、そのようにすることは上
記の理由から従来の縦型成長法やその装置では難しい。
縦型成長法で結晶成長を行う場合、結晶が成長中に多結
晶化することが最大の問題である。縦型成長法の場合、
他の成長法例えば液体封止引上法（ＬＥＣ法）や横形ボ
ート法（ＨＢ法）に比較して結晶からの熱拡散が少ない
ため、融液温度を下げることで、結晶を成長させなけれ
ばならない。このため結晶の固液界面に近い位置での融
液内径方向温度勾配は、図４に示すようなルツボ壁で温
度が低い分布を示す。この傾向は、成長初期のシード付
けや、肩部形成時に特に甚だしい。結晶は、融液の温度
が低いほど早く成長するため、図４の様な温度分布の融
液内では、結晶の固液界面形状が融液に向って凹型にな
ってしまう。すなわち、融液温度が周辺から早く下がる
ため、熱の流れは図５の矢印で示すようになる。固液界
面は熱の流れに対して垂直になろうとするため、必然的
に固液界面形状は凹型となる。固液界面形状が凹型をし
ていると、成長とともに結晶中を伝播する転位が結晶の
中心部に集積しやすく、高密度に集積した場合はその位
置から結晶が多結晶化してしまう。単結晶を得るために
は、固液界面形状が平坦であるか、又は融液に向ってや
や凸であることが望ましいが、そのようにすることは上
記の理由から従来の縦型成長法やその装置では難しい。
【０００７】また、縦型成長装置ではその構造上、原料
多結晶を融解する際に加熱により種結晶が融解してしま
って成長が不能になることがあった。
多結晶を融解する際に加熱により種結晶が融解してしま
って成長が不能になることがあった。
【０００８】本発明の目的は、前記した従来技術におけ
る固液界面形状の凹面化を防止し、高品質の結晶を再現
性よく製造することのできる新規な半導体結晶の製造方
法およびその装置を提供することにある。
る固液界面形状の凹面化を防止し、高品質の結晶を再現
性よく製造することのできる新規な半導体結晶の製造方
法およびその装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体結晶の製
造方法は、ルツボ底部に種結晶を配置し、ルツボ内に収
容した半導体融液を種結晶に接触させて、下方から上方
に向けて徐々に固化させることにより単結晶を製造する
半導体結晶の製造方法において、結晶と半導体融液との
固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型になるように
種結晶部分を強制的に冷却するようにしたものである。
造方法は、ルツボ底部に種結晶を配置し、ルツボ内に収
容した半導体融液を種結晶に接触させて、下方から上方
に向けて徐々に固化させることにより単結晶を製造する
半導体結晶の製造方法において、結晶と半導体融液との
固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型になるように
種結晶部分を強制的に冷却するようにしたものである。
【００１０】また、本発明の半導体結晶の製造装置は、
底部に種結晶を配置する種結晶配置部を有し、その上部
に半導体融液を収容するルツボと、このルツボの外側に
下方が上方よりも低温となるような温度勾配を形成する
融液加熱手段とを備え、種結晶に接触した半導体融液を
下方から上方に向けて固化させることにより結晶を製造
する半導体結晶の製造装置において、上記ルツボ底部の
種結晶配置部の外周部に冷媒通路を有して、これに液体
を流すことにより種結晶配置部を冷却する冷却手段を設
けたものである。
底部に種結晶を配置する種結晶配置部を有し、その上部
に半導体融液を収容するルツボと、このルツボの外側に
下方が上方よりも低温となるような温度勾配を形成する
融液加熱手段とを備え、種結晶に接触した半導体融液を
下方から上方に向けて固化させることにより結晶を製造
する半導体結晶の製造装置において、上記ルツボ底部の
種結晶配置部の外周部に冷媒通路を有して、これに液体
を流すことにより種結晶配置部を冷却する冷却手段を設
けたものである。
【００１１】さらに、本発明の半導体結晶の製造装置
は、上記ルツボ底部の種結晶配置部の外周部に、放熱フ
ィンを有する冷媒通路を有して、これに気体を流すこと
により種結晶配置部を冷却する冷却手段を設けたもので
ある。
は、上記ルツボ底部の種結晶配置部の外周部に、放熱フ
ィンを有する冷媒通路を有して、これに気体を流すこと
により種結晶配置部を冷却する冷却手段を設けたもので
ある。
【００１２】半導体結晶の製造方法としてはＶＧＦ法の
他に、ＶＢ法や、縦型に配したヒータ中を原料を収容し
たルツボを降下させることによって結晶の固化を行う炉
体移動法（Traveling Furnace （ＴＦ）法）にも適用が
可能である。
他に、ＶＢ法や、縦型に配したヒータ中を原料を収容し
たルツボを降下させることによって結晶の固化を行う炉
体移動法（Traveling Furnace （ＴＦ）法）にも適用が
可能である。
【００１３】また、種結晶の冷却に使用する冷媒として
は、液体であれば水、気体であれば空気がもっとも簡易
かつ確実であるが、これ以外であってもよく、例えばフ
ロン、フレオン等の媒質を使用することも可能である。
は、液体であれば水、気体であれば空気がもっとも簡易
かつ確実であるが、これ以外であってもよく、例えばフ
ロン、フレオン等の媒質を使用することも可能である。
【００１４】本発明に適用できる半導体材料は、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＧａＰ、ＩｎＰ等
のIII −Ｖ族化合物、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｈ
ｇＴｅ等のII−VI族化合物、またはＳｉ、ＧｅのＩＶ族
元素、さらにこれらを１種類以上含む混晶結晶である。
ｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＧａＰ、ＩｎＰ等
のIII −Ｖ族化合物、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｈ
ｇＴｅ等のII−VI族化合物、またはＳｉ、ＧｅのＩＶ族
元素、さらにこれらを１種類以上含む混晶結晶である。
【００１５】
【作用】融液温度が周辺から早く下がると、必然的に固
液界面形状は凹型となる。しかし、本発明のように種結
晶を強制的に冷却するようにすると、融液よりも結晶か
らの熱放散量が増大する。固液界面が熱の流れに対して
垂直になろうとするため、融液側から結晶側へ向って流
れる熱放散量が増加すると、固液界面は平坦化もしくは
融液に向って凸化する。これにより転位の集積が起こり
にくくなり、高品質の結晶が得られる。また、原料多結
晶を融解する際に種結晶が融解してしまうことがなくな
る。
液界面形状は凹型となる。しかし、本発明のように種結
晶を強制的に冷却するようにすると、融液よりも結晶か
らの熱放散量が増大する。固液界面が熱の流れに対して
垂直になろうとするため、融液側から結晶側へ向って流
れる熱放散量が増加すると、固液界面は平坦化もしくは
融液に向って凸化する。これにより転位の集積が起こり
にくくなり、高品質の結晶が得られる。また、原料多結
晶を融解する際に種結晶が融解してしまうことがなくな
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１７】実施例１
図１に示す、種結晶を水冷する構造を有するＶＧＦ装置
を用いてＧａＡｓ単結晶成長を行った。本装置は従来例
で説明した図３と基本的には同じ構成で、異なる点は、
ルツボ３下端に設けた種結晶配置部３ａの周囲を取り巻
くように、ルツボ支持台４の内部に冷却水路１１を設け
たことである。この水路に２２℃、１０ｌ／ｍｉｎの冷
却水を流しながら成長を行った。使用したルツボは、直
径φ５５ｍｍ、全長２５０ｍｍ、ＧａＡｓ多結晶のチャ
ージ量は１７００ｇである。結晶は種結晶から結晶終端
部まで全長１５５ｍｍに亘って完全な単結晶が得られ
た。この結晶を縦に切断し、エッチングを施して固液界
面形状１５を調べたところ、結晶全域に亘って凸型にな
っていることが確認できた。
を用いてＧａＡｓ単結晶成長を行った。本装置は従来例
で説明した図３と基本的には同じ構成で、異なる点は、
ルツボ３下端に設けた種結晶配置部３ａの周囲を取り巻
くように、ルツボ支持台４の内部に冷却水路１１を設け
たことである。この水路に２２℃、１０ｌ／ｍｉｎの冷
却水を流しながら成長を行った。使用したルツボは、直
径φ５５ｍｍ、全長２５０ｍｍ、ＧａＡｓ多結晶のチャ
ージ量は１７００ｇである。結晶は種結晶から結晶終端
部まで全長１５５ｍｍに亘って完全な単結晶が得られ
た。この結晶を縦に切断し、エッチングを施して固液界
面形状１５を調べたところ、結晶全域に亘って凸型にな
っていることが確認できた。
【００１８】実施例２
種結晶をガス冷却する方法でＧａＡｓの単結晶成長を行
った。使用した装置の横断面図を図２に示す。本装置も
従来例で説明した図３と基本的には同じ構成で、異なる
点は、ルツボ支持台４を中空にして冷媒通路１２を構成
し、その通路１２に種結晶冷却用のガス出入口１２ａを
設け、種結晶配置部３ａの周囲にガスを流すことで、種
結晶９を冷却できるようにしたことである。種結晶９の
冷却効率を高めるために、冷媒通路１２内部の種結晶配
置部３ａの周囲に放熱用フィン１３を設けた。冷却用ガ
スには乾燥空気を用い、成長中に１８℃のガスを２０ｌ
／ｍｉｎ流した。その他の成長条件は実施例１と同一で
ある。これにより得られた結晶も、実施例１と同じく完
全な単結晶であった。固液界面形状を観察した結果も、
結晶全域に亘って凸型であることが確認できた。
った。使用した装置の横断面図を図２に示す。本装置も
従来例で説明した図３と基本的には同じ構成で、異なる
点は、ルツボ支持台４を中空にして冷媒通路１２を構成
し、その通路１２に種結晶冷却用のガス出入口１２ａを
設け、種結晶配置部３ａの周囲にガスを流すことで、種
結晶９を冷却できるようにしたことである。種結晶９の
冷却効率を高めるために、冷媒通路１２内部の種結晶配
置部３ａの周囲に放熱用フィン１３を設けた。冷却用ガ
スには乾燥空気を用い、成長中に１８℃のガスを２０ｌ
／ｍｉｎ流した。その他の成長条件は実施例１と同一で
ある。これにより得られた結晶も、実施例１と同じく完
全な単結晶であった。固液界面形状を観察した結果も、
結晶全域に亘って凸型であることが確認できた。
【００１９】比較例１
図３に示す従来のＶＧＦ法による装置を使い、実施例１
と同一条件でＧａＡｓの結晶成長を行った。成長した結
晶は成長途中で多結晶化してしまった。結晶を縦に切断
し、多結晶化の起点を調べたところ、種結晶から４０ｍ
ｍの場所で、結晶の中央部から多結晶化が始っていた。
エッチング観察の結果、固液界面形状は凹型になってお
り多結晶化の起点には転位が高密度に集積していること
が確認された。
と同一条件でＧａＡｓの結晶成長を行った。成長した結
晶は成長途中で多結晶化してしまった。結晶を縦に切断
し、多結晶化の起点を調べたところ、種結晶から４０ｍ
ｍの場所で、結晶の中央部から多結晶化が始っていた。
エッチング観察の結果、固液界面形状は凹型になってお
り多結晶化の起点には転位が高密度に集積していること
が確認された。
【００２０】実施例の効果
本実施例によれば、固液界面形状を凸化させることで、
成長に伴い界面に垂直に伝播する転位が局所的に集積す
るのを防止できる。このため、成長した結晶から切り出
したウェハ面内の均一性が向上する。これは欠陥（転
位）分布の均一性のみならず、転位上に析出する不純物
の分布も均一になることから、電気特性のウェハ面内分
布の均一性向上にも効果がある。
成長に伴い界面に垂直に伝播する転位が局所的に集積す
るのを防止できる。このため、成長した結晶から切り出
したウェハ面内の均一性が向上する。これは欠陥（転
位）分布の均一性のみならず、転位上に析出する不純物
の分布も均一になることから、電気特性のウェハ面内分
布の均一性向上にも効果がある。
【００２１】また、転位が局所的に集積するのを防止で
きるため、転位が線状に連なって形成される欠陥（リネ
ージ）の低減ができ、また転位が高密度に集積するこに
よって発生する多結晶化を有効に防止できる。
きるため、転位が線状に連なって形成される欠陥（リネ
ージ）の低減ができ、また転位が高密度に集積するこに
よって発生する多結晶化を有効に防止できる。
【００２２】そして、結晶の多結晶化を防止できるた
め、生産性が大幅に向上し、特性不良や多結晶化による
不良結晶が減るため、経済性が向上するばかりでなく、
結晶成長途中での多結晶化が防止できるため、より長尺
な結晶を製造することも可能である。さらに、原料多結
晶を融解する際に加熱により種結晶が融解してしまって
成長が不能になることがあるが、種結晶を冷却すること
により、この様な事故を防止することができる。
め、生産性が大幅に向上し、特性不良や多結晶化による
不良結晶が減るため、経済性が向上するばかりでなく、
結晶成長途中での多結晶化が防止できるため、より長尺
な結晶を製造することも可能である。さらに、原料多結
晶を融解する際に加熱により種結晶が融解してしまって
成長が不能になることがあるが、種結晶を冷却すること
により、この様な事故を防止することができる。
【００２３】このように本発明によれば、種々の効果が
あるが、特に廉価で大型ＧａＡｓ結晶の製造方法として
知られるＶＧＦを採用すればその効果は大である。な
お、本発明は多結晶合成装置にも適用できる。
あるが、特に廉価で大型ＧａＡｓ結晶の製造方法として
知られるＶＧＦを採用すればその効果は大である。な
お、本発明は多結晶合成装置にも適用できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば次の効果を発揮する。
【００２５】（１）本発明方法によれば、固液界面形状
の凹面化を防止できるので、結晶の多結晶化を防止して
高品質の単結晶を再現性よく製造することができる。
の凹面化を防止できるので、結晶の多結晶化を防止して
高品質の単結晶を再現性よく製造することができる。
【００２６】（２）本装置によれば、従来装置に冷却手
段を付加するという僅かな変更を加えるだけで、高品質
の結晶を製造することができる。
段を付加するという僅かな変更を加えるだけで、高品質
の結晶を製造することができる。
【図１】本発明の半導体結晶の製造装置による一実施例
を示す水冷機構を備えたＶＧＦ炉の横断面図。
を示す水冷機構を備えたＶＧＦ炉の横断面図。
【図２】本発明の半導体結晶の製造装置による一実施例
を示すガス冷却機構を備えたＶＧＦ炉の横断面図。
を示すガス冷却機構を備えたＶＧＦ炉の横断面図。
【図３】従来のIII −Ｖ族化合物結晶に用いるＶＧＦ炉
の横断面図。
の横断面図。
【図４】ＶＧＦ法で結晶成長を行った場合の固液界面近
傍における融液内径方向の温度分布を表わした特性図。
傍における融液内径方向の温度分布を表わした特性図。
【図５】従来例を実施した場合の固液界面における熱の
流れを模式的に示した説明図。
流れを模式的に示した説明図。
【図６】本発明を実施した場合の固液界面における熱の
流れを模式的に示した説明図。
流れを模式的に示した説明図。
１ 蓋
２ 成長容器
３ ルツボ
３ａ 種結晶配置部
４ ルツボ支持台
５ 融液加熱用ヒータ
６ Ｖ族元素加熱用ヒータ
７ 融液
８ 結晶
９ 種結晶
１０ Ｖ族元素
１１ 冷却水路
１２ 冷媒通路
１２ａ ガス出入口
１３ 放熱フィン
１５ 固液界面形状
Claims (3)
- 【請求項１】ルツボ底部に種結晶を配置し、ルツボ内に
収容した半導体融液を種結晶に接触させて、下方から上
方に向けて徐々に固化させることにより結晶を製造する
半導体結晶の製造方法において、上記結晶と半導体融液
との固液界面形状を平坦又は融液に向って凸型になるよ
うに種結晶部分を強制的に冷却するようにしたことを特
徴とする半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】底部に種結晶を配置する種結晶配置部を有
し、その上部に半導体融液を収容するルツボと、このル
ツボの外側に下方が上方よりも低温となるような温度勾
配を形成する融液加熱手段とを備え、種結晶に接触した
半導体融液を下方から上方に向けて固化させることによ
り結晶を製造する半導体結晶の製造装置において、上記
ルツボ底部の種結晶配置部の外周部に冷媒通路を有し
て、これに液体を流すことにより種結晶配置部を冷却す
る冷却手段を設けたことを特徴とする半導体結晶の製造
装置。 - 【請求項３】底部に種結晶を配置する種結晶配置部を有
し、その上部に半導体融液を収容するルツボと、このル
ツボの外側に下方が上方よりも低温となるような温度勾
配を形成する融液加熱手段とを備え、種結晶に接触した
半導体融液を下方から上方に向けて固化させることによ
り結晶を製造する半導体結晶の製造装置において、上記
ルツボ底部の種結晶配置部の外周部に、放熱フィンを有
する冷媒通路を有して、これに気体を流すことにより種
結晶配置部を冷却する冷却手段を設けたことを特徴とす
る半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17835291A JP2850581B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体結晶の製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17835291A JP2850581B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体結晶の製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524965A true JPH0524965A (ja) | 1993-02-02 |
| JP2850581B2 JP2850581B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16046991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17835291A Expired - Fee Related JP2850581B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体結晶の製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850581B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-07-18 JP JP17835291A patent/JP2850581B2/ja not_active Expired - Fee Related
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