JPH05243243A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05243243A JPH05243243A JP4183592A JP4183592A JPH05243243A JP H05243243 A JPH05243243 A JP H05243243A JP 4183592 A JP4183592 A JP 4183592A JP 4183592 A JP4183592 A JP 4183592A JP H05243243 A JPH05243243 A JP H05243243A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】この発明は、マスク合わせ工程を増やすことな
く、ベ−スプッシュアウト効果を抑止出来る半導体装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明の半導体装置は、一方導電型の第１の
拡散層３ｃと、この第１の拡散層中に形成された他方導
電型の第２の拡散層３ｄと、この第２の拡散層中に形成
された一方導電型の第３の拡散層３ｅとを具備し、且
つ、少なくとも上記第３の拡散層の基体表面に接する周
縁を一部含む領域に対向して位置する上記第１の拡散層
の不純物濃度が、少なくとも上記第３の拡散層の上記第
２の拡散層に接する主たる面を一部含む領域に対向して
位置する上記第１の拡散層の不純物濃度よりも高く設定
されてなり、上記の目的を達成することが出来る。
く、ベ−スプッシュアウト効果を抑止出来る半導体装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明の半導体装置は、一方導電型の第１の
拡散層３ｃと、この第１の拡散層中に形成された他方導
電型の第２の拡散層３ｄと、この第２の拡散層中に形成
された一方導電型の第３の拡散層３ｅとを具備し、且
つ、少なくとも上記第３の拡散層の基体表面に接する周
縁を一部含む領域に対向して位置する上記第１の拡散層
の不純物濃度が、少なくとも上記第３の拡散層の上記第
２の拡散層に接する主たる面を一部含む領域に対向して
位置する上記第１の拡散層の不純物濃度よりも高く設定
されてなり、上記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特に高電流領域の特
性を改善したバイポ−ラ型半導体装置およびその製造方
法に関する。
性を改善したバイポ−ラ型半導体装置およびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、バイポ−ラ型半導体装置は、図９
に示すように構成され、Ｐ型シリコン基板１に高濃度Ｎ
型コレクタ拡散層２と低濃度Ｎ型コレクタ拡散層３が形
成されている。そして、低濃度Ｎ型コレクタ拡散層３中
にＰ型ベ−ス拡散層４が形成され、このＰ型ベ−ス拡散
層４中に高濃度Ｎ型エミッタ拡散層５が形成されてい
る。
に示すように構成され、Ｐ型シリコン基板１に高濃度Ｎ
型コレクタ拡散層２と低濃度Ｎ型コレクタ拡散層３が形
成されている。そして、低濃度Ｎ型コレクタ拡散層３中
にＰ型ベ−ス拡散層４が形成され、このＰ型ベ−ス拡散
層４中に高濃度Ｎ型エミッタ拡散層５が形成されてい
る。
【０００３】低濃度Ｎ型コレクタ拡散層３のＮ型不純物
濃度は希望されるベ−ス・コレクタの接合耐圧Ｂ
ＶCBO 、およびベ−ス・コレクタ接合容量ＣJCにより様
々であるが、多くは１×１０16cm-3前後の値がよく用い
られる。Ｐ型ベ−ス拡散層４に接する高濃度Ｎ型エミッ
タ拡散層５の主たる底面から、これに対向する低濃度Ｎ
型コレクタ拡散層３までの距離をベ−ス幅ＷB と呼ぶ
が、コレクタ電流を多く流した時のベ−スプッシュアウ
トとして知られるＷB の増大が起きる。R.J.Whittier e
t al.,IEEE Trans.Electron.Device,ED-16,pp.39,1969
によれば、ベ−スプッシュアウトの起こるコレクタ電流
密度ＪC は、数１のように示される。
濃度は希望されるベ−ス・コレクタの接合耐圧Ｂ
ＶCBO 、およびベ−ス・コレクタ接合容量ＣJCにより様
々であるが、多くは１×１０16cm-3前後の値がよく用い
られる。Ｐ型ベ−ス拡散層４に接する高濃度Ｎ型エミッ
タ拡散層５の主たる底面から、これに対向する低濃度Ｎ
型コレクタ拡散層３までの距離をベ−ス幅ＷB と呼ぶ
が、コレクタ電流を多く流した時のベ−スプッシュアウ
トとして知られるＷB の増大が起きる。R.J.Whittier e
t al.,IEEE Trans.Electron.Device,ED-16,pp.39,1969
によれば、ベ−スプッシュアウトの起こるコレクタ電流
密度ＪC は、数１のように示される。
【０００４】
【数１】
【０００５】ここでυはベ−ス・コレクタ空乏層中の電
子のドリフト速度、ＶCBはベ−ス・コレクタ間の印加電
圧、Ｖbiはベ−ス・コレクタ間のビルトインピポテンシ
ャル、ＷC はコレクタ幅（図９中に図示）、ＮD は低濃
度Ｎ型コレクタ拡散層３の不純物濃度である。ベ−スプ
ッシュアウト効果によるベ−ス幅の伸びＷCIB は、数２
で表される。
子のドリフト速度、ＶCBはベ−ス・コレクタ間の印加電
圧、Ｖbiはベ−ス・コレクタ間のビルトインピポテンシ
ャル、ＷC はコレクタ幅（図９中に図示）、ＮD は低濃
度Ｎ型コレクタ拡散層３の不純物濃度である。ベ−スプ
ッシュアウト効果によるベ−ス幅の伸びＷCIB は、数２
で表される。
【０００６】
【数２】 ト−タルのベ−ス幅は、数３で表される。
【０００７】
【数３】 ここで、ＷBOはベ−スプッシュアウトが起きる前のベ−
ス幅である。一方、バイポ−ラ型半導体装置のカットオ
フ周波数ｆT は、数４で表される。
ス幅である。一方、バイポ−ラ型半導体装置のカットオ
フ周波数ｆT は、数４で表される。
【０００８】
【数４】
【０００９】ここで、ＣjTはベ−ス・エミッタ容量ＣjE
とＣjCの和、ηはベ−スのプロファイルに依存する定
数、ＤB はベ−ス中の電子の拡散計数、ＷX はベ−ス・
コレクタ空乏層幅、ｒc はコレクタ抵抗である。従っ
て、数２によるベ−ス幅の増大はｆT の減少をもたら
す。数４の第４項は小さいので無視すると、ｆT が最大
値ｆTmaxをとるのは大体ＪC ＝ＪO 付近の電流値である
から、
とＣjCの和、ηはベ−スのプロファイルに依存する定
数、ＤB はベ−ス中の電子の拡散計数、ＷX はベ−ス・
コレクタ空乏層幅、ｒc はコレクタ抵抗である。従っ
て、数２によるベ−ス幅の増大はｆT の減少をもたら
す。数４の第４項は小さいので無視すると、ｆT が最大
値ｆTmaxをとるのは大体ＪC ＝ＪO 付近の電流値である
から、
【００１０】
【数５】
【００１１】数５からＮD を増大させるかＷC を減少さ
せることにより、ＪO を増大させれば、ｆTmaxを増加さ
せることが出来ることが判る。これは、バイポ−ラの過
渡特製を向上させるための公知の技術である。ところ
が、ＣjCはＮD の１／２乗に比例するため、ＮD を増大
させるとＣjCが増加する。ＥＣＬ回路の遅延時間ｔpdは
非常に簡単には、
せることにより、ＪO を増大させれば、ｆTmaxを増加さ
せることが出来ることが判る。これは、バイポ−ラの過
渡特製を向上させるための公知の技術である。ところ
が、ＣjCはＮD の１／２乗に比例するため、ＮD を増大
させるとＣjCが増加する。ＥＣＬ回路の遅延時間ｔpdは
非常に簡単には、
【００１２】
【数６】 のように表されるため、ＮD を増加させることが必ずし
もＥＣＬ回路の高速化に役立たなかった。
もＥＣＬ回路の高速化に役立たなかった。
【００１３】このことを解決するため、S.Konoka et a
l.,IEEE Trans.Electron.Device,ED-36,pp.1370,1989
は、図１０に示されるように、第１のコレクタ拡散層３
ａ中のエミッタに対向する第２のコレクタ拡散層３ｂの
不純物濃度だけを増加させ、ＣjCの増加を極力少なくす
るように工夫した。第１のコレクタ拡散層３ａの不純物
濃度は１×１０16cm-3、第２のコレクタ拡散層３ｂの不
純物濃度は１×１０17cm-3に設定された。
l.,IEEE Trans.Electron.Device,ED-36,pp.1370,1989
は、図１０に示されるように、第１のコレクタ拡散層３
ａ中のエミッタに対向する第２のコレクタ拡散層３ｂの
不純物濃度だけを増加させ、ＣjCの増加を極力少なくす
るように工夫した。第１のコレクタ拡散層３ａの不純物
濃度は１×１０16cm-3、第２のコレクタ拡散層３ｂの不
純物濃度は１×１０17cm-3に設定された。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この構
造の問題点は高注入状態においては、カレントクラウデ
ィングが起こった場合には、ベ−スプッシュアウトを抑
止する効果は余り十分ではないことである。コレクタ電
流が或る程度高いとベ−ス電流もそれにつれて高くなる
が、このベ−ス電流による内部ベ−スでの電圧降下によ
り、ベ−ス電極から離れたエミッタ直下では十分高いベ
−ス電位が得られず、コレクタ電流はベ−ス電極に対向
したエミッタ周縁にのみ流れるようになる。
造の問題点は高注入状態においては、カレントクラウデ
ィングが起こった場合には、ベ−スプッシュアウトを抑
止する効果は余り十分ではないことである。コレクタ電
流が或る程度高いとベ−ス電流もそれにつれて高くなる
が、このベ−ス電流による内部ベ−スでの電圧降下によ
り、ベ−ス電極から離れたエミッタ直下では十分高いベ
−ス電位が得られず、コレクタ電流はベ−ス電極に対向
したエミッタ周縁にのみ流れるようになる。
【００１５】にも拘らず、エミッタ周縁に対向するコレ
クタ拡散層の濃度は、第１のコレクタ拡散層３ａと第２
のコレクタ拡散層３ｂの境界であるため十分高くない。
このため、ベ−スプッシュアウトを抑止する効果は余り
十分ではない。このことを改善するため、或る程度、第
２のコレクタ拡散層３ｂの不純物濃度を高くすること
で、ウェハ−に対して平行な方向への不純物の拡散を利
用して、第１のコレクタ拡散層３ａと第２のコレクタ拡
散層３ｂの境界の不純物濃度を高くすることが出来る。
しかし、このやり方では、ベ−スプッシュアウトを抑止
する効果よりＣjCやＢＶCEO の劣化が著しくなるという
欠点がある。この発明の目的は、マスク合わせ工程を増
やすことなく、ベ−スプッシュアウト効果を抑止出来る
半導体装置およびその製造方法を提供することである。
クタ拡散層の濃度は、第１のコレクタ拡散層３ａと第２
のコレクタ拡散層３ｂの境界であるため十分高くない。
このため、ベ−スプッシュアウトを抑止する効果は余り
十分ではない。このことを改善するため、或る程度、第
２のコレクタ拡散層３ｂの不純物濃度を高くすること
で、ウェハ−に対して平行な方向への不純物の拡散を利
用して、第１のコレクタ拡散層３ａと第２のコレクタ拡
散層３ｂの境界の不純物濃度を高くすることが出来る。
しかし、このやり方では、ベ−スプッシュアウトを抑止
する効果よりＣjCやＢＶCEO の劣化が著しくなるという
欠点がある。この発明の目的は、マスク合わせ工程を増
やすことなく、ベ−スプッシュアウト効果を抑止出来る
半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明は、一方導電型
の第１の拡散層と、この第１の拡散層中に形成された他
方導電型の第２の拡散層と、この第２の拡散層中に形成
された一方導電型の第３の拡散層とを具備し、且つ、少
なくとも上記第３の拡散層の基体表面に接する周縁を一
部含む領域に対向して位置する上記第１の拡散層の不純
物濃度が、少なくとも上記第３の拡散層の上記第２の拡
散層に接する主たる面を一部含む領域に対向して位置す
る上記第１の拡散層の不純物濃度よりも高く設定された
半導体装置である。
の第１の拡散層と、この第１の拡散層中に形成された他
方導電型の第２の拡散層と、この第２の拡散層中に形成
された一方導電型の第３の拡散層とを具備し、且つ、少
なくとも上記第３の拡散層の基体表面に接する周縁を一
部含む領域に対向して位置する上記第１の拡散層の不純
物濃度が、少なくとも上記第３の拡散層の上記第２の拡
散層に接する主たる面を一部含む領域に対向して位置す
る上記第１の拡散層の不純物濃度よりも高く設定された
半導体装置である。
【００１７】又、この発明は、一方導電型の第１の拡散
層中に他方導電型の第２の拡散層を形成し、この第２の
拡散層中に一方導電型の第３の拡散層を形成する工程を
具備し、且つ、上記第３の拡散層の不純物導入の際に使
用されるマスク材料をマスクとし、一方導電型不純物イ
オンビ−ムを基板の法線方向から一定角度ずれた方向か
ら照射し、上記第１の拡散層に不純物を導入する工程を
含む半導体装置の製造方法である。
層中に他方導電型の第２の拡散層を形成し、この第２の
拡散層中に一方導電型の第３の拡散層を形成する工程を
具備し、且つ、上記第３の拡散層の不純物導入の際に使
用されるマスク材料をマスクとし、一方導電型不純物イ
オンビ−ムを基板の法線方向から一定角度ずれた方向か
ら照射し、上記第１の拡散層に不純物を導入する工程を
含む半導体装置の製造方法である。
【００１８】
【作用】この発明によれば、高電流領域の特性を改善
し、ＣjCの増加を５％未満に抑えつつｆTmaxを３０％向
上させることが出来、この結果、回路の動作速度を２０
％改善出来た。
し、ＣjCの増加を５％未満に抑えつつｆTmaxを３０％向
上させることが出来、この結果、回路の動作速度を２０
％改善出来た。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の３つの実
施例について詳細に説明する。尚、従来例（図９）と同
一箇所には同一符号を付すことにする。 （第１の実施例）
施例について詳細に説明する。尚、従来例（図９）と同
一箇所には同一符号を付すことにする。 （第１の実施例）
【００２０】第１の実施例によるバイポ−ラ構造の半導
体装置は図１に示すように構成され、Ｐ型シリコン基板
１に一方導電型の高濃度埋め込み拡散層２ａが形成され
ている。この高濃度埋め込み拡散層２ａに接してその上
部に一方導電型の第１のコレクタ拡散層３ｃが設けられ
る。この第１のコレクタ拡散層３ｃ中に他方導電型の内
部ベ−ス拡散層４ａが設けられ、この内部ベ−ス拡散層
４ａ中に一方導電型のエミッタ拡散層５ａが設けられ
る。内部ベ−ス拡散層４ａ中には、又、内部ベ−ス拡散
層４ａよりも高濃度の他方導電型の外部ベ−ス拡散層４
ｂを設けても良い。更に、第１のコレクタ拡散層３ｃ中
に第１のコレクタ拡散層３ｃよりも高濃度で基体表面と
高濃度埋め込み拡散層２ａを接続する一方導電型コレク
タプラグ３ｆを設けても良い。エミッタ拡散層５ａは導
電性電極膜６に接続される。内部ベ−ス拡散層４ａは、
外部ベ−ス拡散層４ｂを介して導電性電極膜６に接続さ
れる。第１のコレクタ拡散層３ｃは、高濃度埋め込み拡
散層２ａおよびコレクタプラグ３ｆを介して導電性電極
膜６に接続される。高濃度埋め込み拡散層２ａ，コレク
タプラグ３ｆ，外部ベ−ス拡散層４ｂは寄生抵抗の低減
のため設けられるのであり、設けない場合もある。エミ
ッタ拡散層５ａ周縁が基体表面に接する領域に対向した
コレクタ領域に、一方導電型で第１のコレクタ拡散層３
ｃよりも濃度の高い第２のコレクタ拡散層３ｄが設けら
れる。エミッタに対向する主たるコレクタ領域には、第
１のコレクタ拡散層３ｃよりも濃度が高く第２のコレク
タ拡散層３ｄよりも濃度の低い一方導電型の第３のコレ
クタ拡散層３ｅが設けられる。図１では、第２のコレク
タ拡散層３ｄ又は第３のコレクタ拡散層３ｅは、高濃度
埋め込み拡散層２ａに接していないが、接していたとし
てもこの発明の請求範囲に含まれる。 （第２の実施例）
体装置は図１に示すように構成され、Ｐ型シリコン基板
１に一方導電型の高濃度埋め込み拡散層２ａが形成され
ている。この高濃度埋め込み拡散層２ａに接してその上
部に一方導電型の第１のコレクタ拡散層３ｃが設けられ
る。この第１のコレクタ拡散層３ｃ中に他方導電型の内
部ベ−ス拡散層４ａが設けられ、この内部ベ−ス拡散層
４ａ中に一方導電型のエミッタ拡散層５ａが設けられ
る。内部ベ−ス拡散層４ａ中には、又、内部ベ−ス拡散
層４ａよりも高濃度の他方導電型の外部ベ−ス拡散層４
ｂを設けても良い。更に、第１のコレクタ拡散層３ｃ中
に第１のコレクタ拡散層３ｃよりも高濃度で基体表面と
高濃度埋め込み拡散層２ａを接続する一方導電型コレク
タプラグ３ｆを設けても良い。エミッタ拡散層５ａは導
電性電極膜６に接続される。内部ベ−ス拡散層４ａは、
外部ベ−ス拡散層４ｂを介して導電性電極膜６に接続さ
れる。第１のコレクタ拡散層３ｃは、高濃度埋め込み拡
散層２ａおよびコレクタプラグ３ｆを介して導電性電極
膜６に接続される。高濃度埋め込み拡散層２ａ，コレク
タプラグ３ｆ，外部ベ−ス拡散層４ｂは寄生抵抗の低減
のため設けられるのであり、設けない場合もある。エミ
ッタ拡散層５ａ周縁が基体表面に接する領域に対向した
コレクタ領域に、一方導電型で第１のコレクタ拡散層３
ｃよりも濃度の高い第２のコレクタ拡散層３ｄが設けら
れる。エミッタに対向する主たるコレクタ領域には、第
１のコレクタ拡散層３ｃよりも濃度が高く第２のコレク
タ拡散層３ｄよりも濃度の低い一方導電型の第３のコレ
クタ拡散層３ｅが設けられる。図１では、第２のコレク
タ拡散層３ｄ又は第３のコレクタ拡散層３ｅは、高濃度
埋め込み拡散層２ａに接していないが、接していたとし
てもこの発明の請求範囲に含まれる。 （第２の実施例）
【００２１】上記第１の実施例における第２のコレクタ
拡散層３ｄ又は第３のコレクタ拡散層３ｅとエミッタ拡
散層５ａとの距離は、特に規定されるものではなく、図
２に示す第２の実施例のように広げても良い。但し、従
来例の問題点において述べたように、ベ−スプッシュア
ウト効果はベ−ス拡散層４ａに接するコレクタ領域で生
じるため、第２のコレクタ拡散層３ｄ又は第３のコレク
タ拡散層３ｅはベ−ス拡散層４ａに接しているのが望ま
しい。 （第３の実施例）
拡散層３ｄ又は第３のコレクタ拡散層３ｅとエミッタ拡
散層５ａとの距離は、特に規定されるものではなく、図
２に示す第２の実施例のように広げても良い。但し、従
来例の問題点において述べたように、ベ−スプッシュア
ウト効果はベ−ス拡散層４ａに接するコレクタ領域で生
じるため、第２のコレクタ拡散層３ｄ又は第３のコレク
タ拡散層３ｅはベ−ス拡散層４ａに接しているのが望ま
しい。 （第３の実施例）
【００２２】図３にこの発明のバイポ−ラ構造の第３の
実施例を示す。この第３の実施例では、外部ベ−ス拡散
層４ｂの反対側のエミッタ拡散層５ａの縁に対向したコ
レクタ領域には、高濃度層である第２のコレクタ拡散層
３ｄは形成されないため、Ｃjcの低減に効果がある。さ
て次に、上記の第１の実施例によるバイポ−ラ構造の半
導体装置の製造方法につき、図４〜図８を参照して説明
する。
実施例を示す。この第３の実施例では、外部ベ−ス拡散
層４ｂの反対側のエミッタ拡散層５ａの縁に対向したコ
レクタ領域には、高濃度層である第２のコレクタ拡散層
３ｄは形成されないため、Ｃjcの低減に効果がある。さ
て次に、上記の第１の実施例によるバイポ−ラ構造の半
導体装置の製造方法につき、図４〜図８を参照して説明
する。
【００２３】先ず、図４に示すように、通常のバイポ−
ラの工程にてコレクタ７、ベ−ス８を形成する。エミッ
タを予定する領域を開孔したエミッタ不純物導入用のマ
スク９を用いて、ウェハ−の法線方向から一定角度ずれ
た方向からコレクタ７に達するようにコレクタ７と同一
導電型の不純物をイオン注入する（第１のイオン注
入）。この第１のイオン注入によりマスク９の開孔部の
周縁の下にイオン注入がなされ、コレクタ７よりも不純
物濃度の高い拡散層１０ａが形成される。マスク９の開
孔部の周縁の下にのみイオン注入がなされるのは、その
他の開孔部はマスク９の側面の影になるためである。マ
スク９の材質は、通常のマスク合わせ工程による有機レ
ジストを用いるか、マスク合わせ工程によりエミッタを
予定する領域を開孔した絶縁膜ないし半導体膜乃至これ
らの複合膜を用いる。
ラの工程にてコレクタ７、ベ−ス８を形成する。エミッ
タを予定する領域を開孔したエミッタ不純物導入用のマ
スク９を用いて、ウェハ−の法線方向から一定角度ずれ
た方向からコレクタ７に達するようにコレクタ７と同一
導電型の不純物をイオン注入する（第１のイオン注
入）。この第１のイオン注入によりマスク９の開孔部の
周縁の下にイオン注入がなされ、コレクタ７よりも不純
物濃度の高い拡散層１０ａが形成される。マスク９の開
孔部の周縁の下にのみイオン注入がなされるのは、その
他の開孔部はマスク９の側面の影になるためである。マ
スク９の材質は、通常のマスク合わせ工程による有機レ
ジストを用いるか、マスク合わせ工程によりエミッタを
予定する領域を開孔した絶縁膜ないし半導体膜乃至これ
らの複合膜を用いる。
【００２４】次に、図５に示すように、上記と同様にし
て第１のイオン注入を逆の方向からイオン注入を繰り返
す（第２のイオン注入）。この第２のイオン注入により
拡散層１０ａと同様の拡散層１０ｂが拡散層１０ａの反
対側に形成される。次に、図６に示すように、ウェハ−
の法線方向からコレクタ７と同一導電型の不純物をイオ
ン注入して拡散層１１を形成する（第３のイオン注
入）。
て第１のイオン注入を逆の方向からイオン注入を繰り返
す（第２のイオン注入）。この第２のイオン注入により
拡散層１０ａと同様の拡散層１０ｂが拡散層１０ａの反
対側に形成される。次に、図６に示すように、ウェハ−
の法線方向からコレクタ７と同一導電型の不純物をイオ
ン注入して拡散層１１を形成する（第３のイオン注
入）。
【００２５】次に、図７に示すように、拡散層１１の不
純物濃度を拡散層１０ａ又は拡散層１０ｂよりも低くす
るため、第３のイオン注入のド−ズは第１乃至第２のイ
オン注入よりも低くする場合がある。又、第１乃至第２
のイオン注入により導入された不純物がウェハ−平面に
平行な方向に拡散するため、拡散層１１の領域において
十分不純物濃度が高められる場合は、第３のイオン注入
を省略しても良い。又、ウェハ−を回転させつつイオン
注入を行なえる場合には、第１のイオン注入によるだけ
で拡散層１０ａおよび拡散層１０ｂの両者が形成され
る。次に、マスク９を用いてエミッタ不純物を導入した
エミッタ１２を形成する。エミッタ不純物の導入にはイ
オン注入も用いても良いし、適当な固体ソ−スからの拡
散によっても良い。当然、エミッタ１２を拡散層１０ａ
乃至拡散層１０ｂ乃至拡散層１１の形成以前に形成する
ことも出来る。
純物濃度を拡散層１０ａ又は拡散層１０ｂよりも低くす
るため、第３のイオン注入のド−ズは第１乃至第２のイ
オン注入よりも低くする場合がある。又、第１乃至第２
のイオン注入により導入された不純物がウェハ−平面に
平行な方向に拡散するため、拡散層１１の領域において
十分不純物濃度が高められる場合は、第３のイオン注入
を省略しても良い。又、ウェハ−を回転させつつイオン
注入を行なえる場合には、第１のイオン注入によるだけ
で拡散層１０ａおよび拡散層１０ｂの両者が形成され
る。次に、マスク９を用いてエミッタ不純物を導入した
エミッタ１２を形成する。エミッタ不純物の導入にはイ
オン注入も用いても良いし、適当な固体ソ−スからの拡
散によっても良い。当然、エミッタ１２を拡散層１０ａ
乃至拡散層１０ｂ乃至拡散層１１の形成以前に形成する
ことも出来る。
【００２６】次に、図８に示すように、通常の工程によ
り外部ベ−ス拡散層１３，コレクタプラグ拡散層１４，
導電性電極膜１５を形成する。導電性電極膜１５は金属
膜であるときもあるし、エミッタ拡散層の固体ソ−スと
して半導体膜を用いた場合には、その半導体膜をエミッ
タ上に残存せしめて導電性電極膜１５に用いるときもあ
る。又、外部ベ−ス拡散層１３の不純物拡散層を半導体
の固体ソ−スを用いて行なった場合には、その半導体膜
を外部ベ−ス拡散層１３上に残存せしめて導電性電極膜
１５に用いるときもある。同様に、コレクタプラグ拡散
層１４の不純物拡散を半導体の固体ソ−スを用いて行な
った場合には、その半導体膜をコレクタプラグ拡散層１
４上に残存せしめて導電性電極膜１５に用いるときもあ
る。
り外部ベ−ス拡散層１３，コレクタプラグ拡散層１４，
導電性電極膜１５を形成する。導電性電極膜１５は金属
膜であるときもあるし、エミッタ拡散層の固体ソ−スと
して半導体膜を用いた場合には、その半導体膜をエミッ
タ上に残存せしめて導電性電極膜１５に用いるときもあ
る。又、外部ベ−ス拡散層１３の不純物拡散層を半導体
の固体ソ−スを用いて行なった場合には、その半導体膜
を外部ベ−ス拡散層１３上に残存せしめて導電性電極膜
１５に用いるときもある。同様に、コレクタプラグ拡散
層１４の不純物拡散を半導体の固体ソ−スを用いて行な
った場合には、その半導体膜をコレクタプラグ拡散層１
４上に残存せしめて導電性電極膜１５に用いるときもあ
る。
【００２７】又、外部ベ−ス拡散層１３乃至コレクタプ
ラグ拡散層１４の形成工程が、図４に示された工程の前
に来ることもある。その場合、外部ベ−ス拡散層１３の
形成を半導体の固体ソ−スからの拡散によった場合に
は、その半導体をマスク９に用いることもある。尚、こ
の発明の請求範囲に含まれるのは図４〜図６の工程であ
り、前後の工程には様々なものが有り得る。
ラグ拡散層１４の形成工程が、図４に示された工程の前
に来ることもある。その場合、外部ベ−ス拡散層１３の
形成を半導体の固体ソ−スからの拡散によった場合に
は、その半導体をマスク９に用いることもある。尚、こ
の発明の請求範囲に含まれるのは図４〜図６の工程であ
り、前後の工程には様々なものが有り得る。
【００２８】更に、上記実施例中には、バイポ−ラ型半
導体装置のみが図示されたが、図示されない部分にＭＯ
Ｓ型半導体装置が存在しても、この発明の請求範囲に含
まれる。
導体装置のみが図示されたが、図示されない部分にＭＯ
Ｓ型半導体装置が存在しても、この発明の請求範囲に含
まれる。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、ＣjCの増加を５％未
満に抑えつつｆTmaxを３０％向上させることが出来、こ
の結果、回路の動作速度を２０％改善出来た。
満に抑えつつｆTmaxを３０％向上させることが出来、こ
の結果、回路の動作速度を２０％改善出来た。
【図１】この発明の第１の実施例に係る半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
【図２】この発明の第２の実施例に係る半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
【図３】この発明の第３の実施例に係る半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
【図４】この発明の第１の実施例に係る半導体装置の製
造方法を示す工程説明図。
造方法を示す工程説明図。
【図５】この発明の第１の実施例に係る半導体装置の製
造方法を示す他の工程説明図。
造方法を示す他の工程説明図。
【図６】この発明の第１の実施例に係る半導体装置の製
造方法を示す他の工程説明図。
造方法を示す他の工程説明図。
【図７】この発明の第１の実施例に係る半導体装置の製
造方法を示す他の工程説明図。
造方法を示す他の工程説明図。
【図８】この発明の第１の実施例に係る半導体装置の製
造方法を示す他の工程説明図。
造方法を示す他の工程説明図。
【図９】従来の半導体装置を示す断面図。
【図１０】従来の他の半導体装置を示す断面図。
１…Ｐ型シリコン基板、２ａ…高濃度埋め込み拡散層、
３ｃ…第１のコレクタ拡散層、３ｄ…第２のコレクタ拡
散層、３ｅ…第３のコレクタ拡散層、３ｆ…一方導電型
コレクタプラグ、４ａ…内部ベ−ス拡散層、４ｂ…外部
ベ−ス拡散層、５ａ…エミッタ拡散層、６…導電性電極
膜。
３ｃ…第１のコレクタ拡散層、３ｄ…第２のコレクタ拡
散層、３ｅ…第３のコレクタ拡散層、３ｆ…一方導電型
コレクタプラグ、４ａ…内部ベ−ス拡散層、４ｂ…外部
ベ−ス拡散層、５ａ…エミッタ拡散層、６…導電性電極
膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 一方導電型の第１の拡散層と、この第１
の拡散層中に形成された他方導電型の第２の拡散層と、
この第２の拡散層中に形成された一方導電型の第３の拡
散層とを具備し、 且つ、少なくとも上記第３の拡散層の基体表面に接する
周縁を一部含む領域に対向して位置する上記第１の拡散
層の不純物濃度が、少なくとも上記第３の拡散層の上記
第２の拡散層に接する主たる面を一部含む領域に対向し
て位置する上記第１の拡散層の不純物濃度よりも高く設
定されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 一方導電型の第１の拡散層中に他方導電
型の第２の拡散層を形成し、この第２の拡散層中に一方
導電型の第３の拡散層を形成する工程を具備し、 且つ、上記第３の拡散層の不純物導入の際に使用される
マスク材料をマスクとし、一方導電型不純物イオンビ−
ムを基板の法線方向から一定角度ずれた方向から照射
し、上記第１の拡散層に不純物を導入する工程を含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183592A JPH05243243A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183592A JPH05243243A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243243A true JPH05243243A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12619324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183592A Pending JPH05243243A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008040632A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | International Business Machines Corporation | Local collector implant structure for heterojunction bipolar transistors and method of forming the same |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4183592A patent/JPH05243243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008040632A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | International Business Machines Corporation | Local collector implant structure for heterojunction bipolar transistors and method of forming the same |
| JP2010506390A (ja) * | 2006-10-05 | 2010-02-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのための局所コレクタ注入構造体及びその形成方法 |
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