JPH05242517A - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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- JPH05242517A JPH05242517A JP4041595A JP4159592A JPH05242517A JP H05242517 A JPH05242517 A JP H05242517A JP 4041595 A JP4041595 A JP 4041595A JP 4159592 A JP4159592 A JP 4159592A JP H05242517 A JPH05242517 A JP H05242517A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光ディスクの保護膜側から光を照射
して再生を行う光ディスク装置に関し、再生信号のレベ
ル変動を抑えることを目的とする。 【構成】 光ディスクの保護膜面６で反射した光を受光
する再生信号用検出器１０を、対物レンズ２２から反射
した光の光路に沿う距離が、対物レンズの焦点距離Ｆの
Ａ倍の１．０倍以上となる位置（ここで、Ａは対物レン
ズの焦点距離／保護膜の厚さである）に配設して構成す
る。
して再生を行う光ディスク装置に関し、再生信号のレベ
ル変動を抑えることを目的とする。 【構成】 光ディスクの保護膜面６で反射した光を受光
する再生信号用検出器１０を、対物レンズ２２から反射
した光の光路に沿う距離が、対物レンズの焦点距離Ｆの
Ａ倍の１．０倍以上となる位置（ここで、Ａは対物レン
ズの焦点距離／保護膜の厚さである）に配設して構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置に係り、
特に光ディスクの保護膜側から光を照射して再生を行う
光ディスク装置に関する。
特に光ディスクの保護膜側から光を照射して再生を行う
光ディスク装置に関する。
【０００２】光ディスクは、基板上に記録膜を有し、更
に、記録膜を覆う保護膜を有する構造である。この光デ
ィスクを使用する光ディスク装置は、現在、薄型化が望
まれている。
に、記録膜を覆う保護膜を有する構造である。この光デ
ィスクを使用する光ディスク装置は、現在、薄型化が望
まれている。
【０００３】薄型化のためには、まず、対物レンズ等の
光学部品を小型にする必要がある。なお、薄型化が図ら
れても、信号は安定に再生される必要がある。
光学部品を小型にする必要がある。なお、薄型化が図ら
れても、信号は安定に再生される必要がある。
【０００４】光ディスク装置は、一般には、光を光ディ
スクの基板側から照射する構成である。
スクの基板側から照射する構成である。
【０００５】
【従来の技術】光ディスク装置１は、一般には、図９に
示すように、レーザビーム２を、光ディスク３の基板４
側から照射する構成である。
示すように、レーザビーム２を、光ディスク３の基板４
側から照射する構成である。
【０００６】５は記録膜、６は保護膜である。
【０００７】７は半導体レーザ、８はビームスプリッ
タ、９は対物レンズである。
タ、９は対物レンズである。
【０００８】１０は再生信号用検出器であり、光ディス
ク３に照射し、ビームスプリッタ８で分岐された反射レ
ーザビーム１１を受光して、再生信号を出力する。
ク３に照射し、ビームスプリッタ８で分岐された反射レ
ーザビーム１１を受光して、再生信号を出力する。
【０００９】レーザビーム２が屈折して入射する基板４
の厚さｔ1 は１．２ｍｍと厚いため、基板４の表面のス
ポット径ｄ1 が大きくなる。
の厚さｔ1 は１．２ｍｍと厚いため、基板４の表面のス
ポット径ｄ1 が大きくなる。
【００１０】これにより、対物レンズ９は径が大きいも
のとなり、ビームスプリッタ８も大きいサイズのものと
なる。従って、光学部品の小型化が困難となり、光ディ
スク装置１の薄型化は困難となる。
のとなり、ビームスプリッタ８も大きいサイズのものと
なる。従って、光学部品の小型化が困難となり、光ディ
スク装置１の薄型化は困難となる。
【００１１】この問題点を解決するために、図１０に示
すようにレーザビーム２１を光ディスク３の保護膜６側
から照射するようにした構成の光ディスク装置２０が提
案されている。
すようにレーザビーム２１を光ディスク３の保護膜６側
から照射するようにした構成の光ディスク装置２０が提
案されている。
【００１２】光ディスク３は、図９とは表裏逆の向きで
セットしてあり、保護膜６が下側を向いている。
セットしてあり、保護膜６が下側を向いている。
【００１３】２２は対物レンズ、２３はビームスプリッ
タである。
タである。
【００１４】再生信号用検出器１０には、光ディスク３
の記録膜５で反射し、ビームスプリッタ２３で分岐され
た反射レーザビーム２４が向かう。
の記録膜５で反射し、ビームスプリッタ２３で分岐され
た反射レーザビーム２４が向かう。
【００１５】レーザビーム２１が屈折して入射する保護
膜６の厚さｔ2 は約３０μｍであり、基板４に比べて格
段に薄い。このため、保護膜６の表面のスポット径ｄ2
は、前記のスポット径ｄ1 に比べて格段に小さい。
膜６の厚さｔ2 は約３０μｍであり、基板４に比べて格
段に薄い。このため、保護膜６の表面のスポット径ｄ2
は、前記のスポット径ｄ1 に比べて格段に小さい。
【００１６】このため、対物レンズ２２は、図９の対物
レンズ９よりもサイズが小さくてよく、ビームスプリッ
タ２３も、図９のビームスプリッタ８よりサイズが小さ
くてよい。
レンズ９よりもサイズが小さくてよく、ビームスプリッ
タ２３も、図９のビームスプリッタ８よりサイズが小さ
くてよい。
【００１７】このように光学部品の小型化が図られ、光
ディスク２０はより薄型となる。
ディスク２０はより薄型となる。
【００１８】また、上記の光ディスク２０は、レーザビ
ーム２１が屈折して入射する部分の厚さが薄いことによ
って、光ディスク３の傾きに対するマージンが広くな
り、光ディスク３の傾きに対して強いという利点も有す
る。
ーム２１が屈折して入射する部分の厚さが薄いことによ
って、光ディスク３の傾きに対するマージンが広くな
り、光ディスク３の傾きに対して強いという利点も有す
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、先の提案によ
る図１０に示す構成の光ディスク装置２０においては、
再生信号用検出器１０の配設位置については明確に定め
られていない。一般的には、光ディスク装置の小型化を
図る上から、対物レンズに近い位置に配設されている。
る図１０に示す構成の光ディスク装置２０においては、
再生信号用検出器１０の配設位置については明確に定め
られていない。一般的には、光ディスク装置の小型化を
図る上から、対物レンズに近い位置に配設されている。
【００２０】この検出器の配設位置との関係で（これ
は、後述するように本発明者の実験により分かったこと
である）、再生信号の波形が、本来は図１１（Ｂ）に示
すようにエンベロープ３０が安定になるべきところを、
図１１（Ａ）に示すように乱れれて、エンベロープ３１
が変動してしまうことがあり、良質の再生信号を得るこ
とが困難となる。
は、後述するように本発明者の実験により分かったこと
である）、再生信号の波形が、本来は図１１（Ｂ）に示
すようにエンベロープ３０が安定になるべきところを、
図１１（Ａ）に示すように乱れれて、エンベロープ３１
が変動してしまうことがあり、良質の再生信号を得るこ
とが困難となる。
【００２１】そこで、本発明は、薄型化を図ってしかも
乱れのない再生信号をうるようにした光ディスク装置を
提供することを目的とする。
乱れのない再生信号をうるようにした光ディスク装置を
提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の光ディス
ク装置４０の原理構成を示す。
ク装置４０の原理構成を示す。
【００２３】同図中、図１０に示す構成部分と対応する
構成部分には、同一符号を付す。
構成部分には、同一符号を付す。
【００２４】発明の要部は、再生信号用検出器１０の配
設位置Ｐにある。
設位置Ｐにある。
【００２５】以下、検出器１０の配設位置Ｐの特定につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２６】対物レンズ２２の焦点距離をＦ、保護膜６
の厚さをｔ2 、反射レーザビーム２４の光路４１に沿っ
て測ったときの対物レンズ２２から検出器１０までの距
離をＬとする。
の厚さをｔ2 、反射レーザビーム２４の光路４１に沿っ
て測ったときの対物レンズ２２から検出器１０までの距
離をＬとする。
【００２７】
【数１】
【００２８】
【作用】検出器１０を上記のように対物レンズ２２から
離して配設した構成は、記録膜５で反射したレーザビー
ムと保護膜６の表面で反射したレーザビームとが検出器
１０の表面で干渉しにくくするように作用する。
離して配設した構成は、記録膜５で反射したレーザビー
ムと保護膜６の表面で反射したレーザビームとが検出器
１０の表面で干渉しにくくするように作用する。
【００２９】
【実施例】図２は本発明の一実施例の光磁気ディスク装
置５０を示す。
置５０を示す。
【００３０】５１は光磁気ディスクである。
【００３１】５２は光学ヘッド装置であり、光磁気ディ
スク５１の下側に位置している。
スク５１の下側に位置している。
【００３２】光磁気ディスク５１は，ポリカーボネート
製基板５３が上面、保護膜５４が下面となる向きでモー
タ軸（図示せず）に固定してある。
製基板５３が上面、保護膜５４が下面となる向きでモー
タ軸（図示せず）に固定してある。
【００３３】５５は厚さが５０ｎｍのＡｌ反射膜、５６
は厚さが２３５ｎｍのＴｂ−ＳｉＯ 2 の複合保護膜であ
る。
は厚さが２３５ｎｍのＴｂ−ＳｉＯ 2 の複合保護膜であ
る。
【００３４】５７は厚さが３０ｎｍのＴｂＦｅＣ0 磁性
膜であり、記録膜を構成する。
膜であり、記録膜を構成する。
【００３５】５８は厚さが８０ｎｍのＴｂ−ＳｉＯ2 複
合保護膜である。
合保護膜である。
【００３６】上記の保護膜５４は、フォトポリマ（２
Ｐ）樹脂をスピンコード法により塗布して形成したもの
であり、厚さｔ2 は、ディスクの内周部で２０μｍ、外
周部で４０μｍ程度であり、平均厚さは３０μｍであ
る。
Ｐ）樹脂をスピンコード法により塗布して形成したもの
であり、厚さｔ2 は、ディスクの内周部で２０μｍ、外
周部で４０μｍ程度であり、平均厚さは３０μｍであ
る。
【００３７】次に、光学ヘッド装置５２について説明す
る。
る。
【００３８】６０はキャリッジであり、全部の光学部品
が搭載されており、ステッピングモータ６１により矢印
６２で示すように、光磁気ディスク５１の半径方向に移
動される。
が搭載されており、ステッピングモータ６１により矢印
６２で示すように、光磁気ディスク５１の半径方向に移
動される。
【００３９】６３は対物レンズ、６４は立上げミラー、
６５は半導体レーザ、６６，６７は夫々ビームスプリッ
タ、６８は偏光ビームスプリッタである。
６５は半導体レーザ、６６，６７は夫々ビームスプリッ
タ、６８は偏光ビームスプリッタである。
【００４０】６９はコリメートレンズ、７０は真円補正
プリズム、７１，７２，７３は集光レンズ、７４は１／
２波長板、７５はシリンドリカルレンズ、７６はサーボ
信号検出用４分割ディテクタである。
プリズム、７１，７２，７３は集光レンズ、７４は１／
２波長板、７５はシリンドリカルレンズ、７６はサーボ
信号検出用４分割ディテクタである。
【００４１】７７，７８は夫々本発明の要部を示す再生
信号用検出器であり、偏光ビームスプリッタ６８に対向
して、位置Ｐ1 及びＰ2 に設けてある。
信号用検出器であり、偏光ビームスプリッタ６８に対向
して、位置Ｐ1 及びＰ2 に設けてある。
【００４２】半導体レーザ６５より出射してレーザビー
ムはレンズ６９、プリズム７０、ビームスプリッタ６６
を通って、立上げミラー６４に向かい、ここで立上げら
れ、対物レンズ６３を通して集光され、保護膜５４を通
って磁性層５７を照射する。磁性膜５７で反射したレー
ザビーム７９は、対物レンズ６３、立上げミラー６４、
ビームスプリッタ６６、ビームスプリッタ６７を通し
て、ディテクタ７６に到る。
ムはレンズ６９、プリズム７０、ビームスプリッタ６６
を通って、立上げミラー６４に向かい、ここで立上げら
れ、対物レンズ６３を通して集光され、保護膜５４を通
って磁性層５７を照射する。磁性膜５７で反射したレー
ザビーム７９は、対物レンズ６３、立上げミラー６４、
ビームスプリッタ６６、ビームスプリッタ６７を通し
て、ディテクタ７６に到る。
【００４３】また、レーザビーム７９の一部は、ビーム
スプリッタ６７で分岐されて偏光ビームスプリッタ６８
に向かい、ここで分岐されて、検出器７７，７８に到
る。
スプリッタ６７で分岐されて偏光ビームスプリッタ６８
に向かい、ここで分岐されて、検出器７７，７８に到
る。
【００４４】検出器７７，７８の出力信号を処理して、
再生信号が出力される。
再生信号が出力される。
【００４５】保護膜５４の厚さｔ2 は３０μｍ、対物レ
ンズ６３の焦点距離Ｆが３ｍｍである。
ンズ６３の焦点距離Ｆが３ｍｍである。
【００４６】反射レーザビーム７９の光路８０に沿って
測った、対物レンズ６３の位置ＡからＢ→Ｃ→Ｄ→Ｅを
通ってＰ1 （Ｐ2 ）までの距離Ｌが約４５０ｍｍとして
ある。
測った、対物レンズ６３の位置ＡからＢ→Ｃ→Ｄ→Ｅを
通ってＰ1 （Ｐ2 ）までの距離Ｌが約４５０ｍｍとして
ある。
【００４７】即ち、検出器７７及び７８は、反射レーザ
ビーム７９の光路８０に沿って測ったときの対物レンズ
６３からの距離Ｌが４５０ｍｍである位置に設けてな
る。
ビーム７９の光路８０に沿って測ったときの対物レンズ
６３からの距離Ｌが４５０ｍｍである位置に設けてな
る。
【００４８】ここで、前記のＡ（≡Ｆ／ｔ2 ）は１００
である。
である。
【００４９】４５０は、Ａ×Ｆ（＝３００）の１．５倍
である。
である。
【００５０】
【数２】
【００５１】検出器７７，７８の位置を上記のように定
めた光磁気ディスク装置５０によって上記の光磁気ディ
スク５１を再生すると、図３に示すように、エンベロー
プ８１に変動のない良質の信号が再生された。
めた光磁気ディスク装置５０によって上記の光磁気ディ
スク５１を再生すると、図３に示すように、エンベロー
プ８１に変動のない良質の信号が再生された。
【００５２】次に、検出器７７，７８を上記の位置に配
設することの根拠について説明する。
設することの根拠について説明する。
【００５３】図４は再生信号の乱れと上記距離Ｌとの関
係を調べるために使用した実験装置９０を示す。
係を調べるために使用した実験装置９０を示す。
【００５４】図４中、図２に示す構成部分と対応する部
分には同一符号を付す。
分には同一符号を付す。
【００５５】この装置９０は、図２中、ビームスプリッ
タ６６，６７、偏光ビームスプリッタ６８、検出器７
７，７８等が搭載されているテーブル９１を、ガイドロ
ッド９２，９３に案内されて、キャリッジ本体９４上を
矢印９５，９６方向に移動可能とした構成である。
タ６６，６７、偏光ビームスプリッタ６８、検出器７
７，７８等が搭載されているテーブル９１を、ガイドロ
ッド９２，９３に案内されて、キャリッジ本体９４上を
矢印９５，９６方向に移動可能とした構成である。
【００５６】テーブル９１を矢印９５方向に移動させる
と、上記の距離Ｌが減り、矢印９６方向に移動させる
と、距離Ｌが増える。
と、上記の距離Ｌが減り、矢印９６方向に移動させる
と、距離Ｌが増える。
【００５７】前記の光磁気ディスク５１をセットし、最
初にテーブル９１を立上げミラー６４に近づけ、上記距
離Ｌが１５０ｍｍとなる位置に固定して再生を行った。
初にテーブル９１を立上げミラー６４に近づけ、上記距
離Ｌが１５０ｍｍとなる位置に固定して再生を行った。
【００５８】図５（Ａ）に示す波形１００の信号が再生
された。１０１はこのエンベロープである。
された。１０１はこのエンベロープである。
【００５９】次いで、テーブル９１を立上げミラー６４
より離し、距離Ｌが２４０ｍｍとなる位置に再固定し
た。
より離し、距離Ｌが２４０ｍｍとなる位置に再固定し
た。
【００６０】すると、再生信号の波形１００-1及びエン
ベロープ１０１-1は、図５（Ｂ）に示す如くになった。
ベロープ１０１-1は、図５（Ｂ）に示す如くになった。
【００６１】次いで、テーブル９１を更に矢印９６方向
に移動させ、距離Ｌが３００ｍｍとなる位置で再固定し
た。
に移動させ、距離Ｌが３００ｍｍとなる位置で再固定し
た。
【００６２】再生信号の波形１００-1及びエンベロープ
１０１-2は、図５（Ｃ）に示す如くになった。
１０１-2は、図５（Ｃ）に示す如くになった。
【００６３】次いで、テーブル９１を移動させ、距離Ｌ
が３６０ｍｍとなる位置で再固定した。
が３６０ｍｍとなる位置で再固定した。
【００６４】再生信号の波形１００-3及びエンベロープ
１０１-3は、図５（Ｄ）に示す如くになった。
１０１-3は、図５（Ｄ）に示す如くになった。
【００６５】次いで、テーブル９１を移動させ、距離Ｌ
が４５０ｍｍとなる位置で再固定した。
が４５０ｍｍとなる位置で再固定した。
【００６６】再生信号の波形１００-4及びエンベロープ
１０１-4は、図５（Ｅ）に示す如くになった。
１０１-4は、図５（Ｅ）に示す如くになった。
【００６７】更には、テーブル９１を移動させ、距離Ｌ
が６００ｍｍとなる位置で再固定した。
が６００ｍｍとなる位置で再固定した。
【００６８】再生信号の波形１００-5及びエンベロープ
１０１-5は、図５（Ｆ）に示す如くになった。
１０１-5は、図５（Ｆ）に示す如くになった。
【００６９】ここで、エンベロープの乱れの程度を求め
てみる。
てみる。
【００７０】このエンベロープの乱れＢは最小振幅
（Ｖ）／最大振幅（Ｖ0 ）で表わすとする。
（Ｖ）／最大振幅（Ｖ0 ）で表わすとする。
【００７１】エンベロープの乱れＢと距離Ｌとの関係
は、図６中、線Ｉで示すように表わされる。
は、図６中、線Ｉで示すように表わされる。
【００７２】この線Ｉから、距離Ｌが短いとエンベロー
プの乱れが大きく、距離Ｌが増えるとエンベロープの乱
れが小さくなっていることが分かる。
プの乱れが大きく、距離Ｌが増えるとエンベロープの乱
れが小さくなっていることが分かる。
【００７３】エンベロープの乱れの許容値を０．９とす
ると、距離Ｌを３００ｍｍ以上に定める必要があること
が分かる。
ると、距離Ｌを３００ｍｍ以上に定める必要があること
が分かる。
【００７４】換言すれば、検出器７７，７８を上記の距
離Ｌが３００ｍｍ以上の位置に配設すれば、エンベロー
プの乱れが許容値内とされた信号が再生されることが分
かる。
離Ｌが３００ｍｍ以上の位置に配設すれば、エンベロー
プの乱れが許容値内とされた信号が再生されることが分
かる。
【００７５】図２の実施例では、Ｌ＝４５０ｍｍと定め
てあり、図３に示すようにエンベロープの乱れが少ない
再生信号を得ることが出来る。
てあり、図３に示すようにエンベロープの乱れが少ない
再生信号を得ることが出来る。
【００７６】上記距離Ｌの数値は、対物レンズ３６の焦
点距離Ｆ及び光磁気ディスク５１の保護膜５４の厚さｔ
2 等と関連して定まったものである。
点距離Ｆ及び光磁気ディスク５１の保護膜５４の厚さｔ
2 等と関連して定まったものである。
【００７７】そこで、Ｆ，ｔ2 が上記の値とは異なる光
磁気ディスク装置にも本発明を容易に応用できるように
するために、上記の距離Ｌを一般的な式で表わすことと
する。
磁気ディスク装置にも本発明を容易に応用できるように
するために、上記の距離Ｌを一般的な式で表わすことと
する。
【００７８】次に、距離Ｌの一般式化することについて
説明する。
説明する。
【００７９】図７は、光ディスクの保護膜の表面で反射
したレーザビームの光路を、記録膜で反射したレーザビ
ームの光路と併せて示す。
したレーザビームの光路を、記録膜で反射したレーザビ
ームの光路と併せて示す。
【００８０】同図（Ａ）は、厚い保護膜１１０-1の場合
を示す。同図（Ｂ）は、中程度の厚さの保護膜１１０-2
の場合を示す。同図（Ｃ）は、薄い保護膜１１０-3の場
合を示す。ｔ10＞ｔ11＞ｔ12である。
を示す。同図（Ｂ）は、中程度の厚さの保護膜１１０-2
の場合を示す。同図（Ｃ）は、薄い保護膜１１０-3の場
合を示す。ｔ10＞ｔ11＞ｔ12である。
【００８１】１１１は対物レンズ、１１２は記録膜であ
る。
る。
【００８２】記録膜１１２で反射したレーザは、符号１
１３で示すように共に平行光となる。
１３で示すように共に平行光となる。
【００８３】保護膜１１０-1，１１０-2，１１０-3の表
面で反射したレーザは符号１１４-1，１１４-2，１１４
-3で示すように拡散光となる。
面で反射したレーザは符号１１４-1，１１４-2，１１４
-3で示すように拡散光となる。
【００８４】拡散の程度は、保護膜１１０-1，１１
０-2，１１０-3の厚さが厚いと大きく、薄くなると小さ
くなる。
０-2，１１０-3の厚さが厚いと大きく、薄くなると小さ
くなる。
【００８５】保護膜の厚さが３０μｍ程度に薄くなる
と、保護膜の表面で反射したレーザの拡散の程度は相当
に小となり、平行光に近くなり、記録膜で反射したレー
ザと略一致する。
と、保護膜の表面で反射したレーザの拡散の程度は相当
に小となり、平行光に近くなり、記録膜で反射したレー
ザと略一致する。
【００８６】そこで、本発明者は両方のレーザが検出器
で干渉し、これが再生信号の乱れとなっていると考え
た。
で干渉し、これが再生信号の乱れとなっていると考え
た。
【００８７】この干渉は上記の拡散が大きい程起きにく
いものであり、拡散の程度と関連する。
いものであり、拡散の程度と関連する。
【００８８】そこで、検出器７７，７８上における拡散
の程度について着目してみると、以下のようになる。
の程度について着目してみると、以下のようになる。
【００８９】保護膜の厚さｔ2 と対物レンズの焦点距
離Ｆ Ｆを一定とした場合、ｔ2 が小さい程、拡散は小さい。
離Ｆ Ｆを一定とした場合、ｔ2 が小さい程、拡散は小さい。
【００９０】対物レンズの焦点距離Ｆと距離Ｌ Ｆを一定とした場合、Ｌが長い程、拡散の程度は大き
い。
い。
【００９１】そこで、
【００９２】
【数３】
【００９３】が１．０、好ましくは１．５以上となる位
置に配設することが必要であることが分かる。
置に配設することが必要であることが分かる。
【００９４】ここで、Ｆ／ｔ2 ≡Ａとおいて、
【００９５】
【数４】
【００９６】従って、Ｌ＝Ｆ×Ａ×１．５となる。
【００９７】装置の小型化のため上記Ｌを小さくしたい
時は保護膜の厚みｔ2 を厚くすればよいことになる。
時は保護膜の厚みｔ2 を厚くすればよいことになる。
【００９８】なお、本発明は光磁気ディスク装置に限ら
ず、他の光ディスク装置にも適用することが出来る。
ず、他の光ディスク装置にも適用することが出来る。
【００９９】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、保護膜側から再生して、出力レベルの変動が良好
に押さえられた再生信号を得ることが出来る。
れば、保護膜側から再生して、出力レベルの変動が良好
に押さえられた再生信号を得ることが出来る。
【０１００】請求項２の発明によれば、保護膜側から再
生して、出力レベルの変動が良好に押さえられた再生信
号を得ることが出来る。
生して、出力レベルの変動が良好に押さえられた再生信
号を得ることが出来る。
【図１】本発明の光ディスク装置の原理構成図である。
【図２】本発明の一実施例になる光磁気ディスク装置を
示す図である。
示す図である。
【図３】図３の装置の再生信号の波形図である。
【図４】再生信号の乱れを調べるために使用した実験装
置を示す図である。
置を示す図である。
【図５】再生信号用検出器の配設位置を種々変えたとき
の再生信号の波形図である。
の再生信号の波形図である。
【図６】距離Ｌと再生信号のエンベロープの乱れの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図７】保護膜の朝と保護膜表面における反射光の拡散
の手ほどとの関係を説明する図である。
の手ほどとの関係を説明する図である。
【図８】
【数５】 とエンベロープ乱れとの関係を示す図である。
【図９】一般的な光ディスク装置の概略構成図である。
【図１０】従来の光ディスク装置の概略構成図である。
【図１１】図１０の装置の再生信号を正常な再生信号と
併せて示す図である。
併せて示す図である。
３ 光ディスク ４ 基板 ５ 記録膜 ６ 保護膜 ７ 半導体レーザ １０ 再生信号用検出器 ２０ 光ディスク装置 ２１ レーザビーム ２２ 対物レンズ ２３ ビームスプリッタ ２４ 反射レーザビーム ５０ 光磁気ディスク装置 ５１ 光磁気ディスク ５２ 光学ヘッド装置 ５３ ポリカーボネート製基板 ５４ ２Ｐ保護膜 ５５ Ａｌ反射膜 ５６ Ｔｂ−ＳｉＯ2 複合保護膜 ５７ ＴｂＦｅＣ0 磁性膜 ５８ Ｔｂ−ＳｉＯ2 複合保護膜 ６０ キャリッジ ６１ ステッピングモータ ６３ 対物レンズ ６４ 立上げミラー ６５ 半導体レーザ ６６，６７ ビームスプリッタ ６８ 偏光ビームスプリッタ ６９ コリメートレンズ ７０ 真円補正プリズム ７１，７２，７３ 集光レンズ ７４ １／２波長板 ７５ シリンドリカルレンズ ７６ サーボ信号検出用４分割ディテクタ ７７，７８ 再生信号用検出器 ７９ 反射レーザビーム ８０ 反射レーザビームの光路 ８１ エンベロープ ９０ 実験装置 ９１ テーブル ９２，９３ ガイドロッド ９４ キャリッジ本体 １００，１００-1〜１００-5 再生信号波形 １０１，１０１-1〜１０１-5 エンベロープ １１０-1〜１１０-3 保護膜 １１１ 対物レンズ １１２ 記録膜 １１３，１１４-1〜１１４-3 反射レーザ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（４）上に記録膜（５）を有し、該
記録膜上に保護膜（６）を有するディスク（３）を、上
記保護膜（６）側から光を照射して再生を行う光ディス
ク装置において、 上記ディスクで反射した光を受光する再生信号用検出器
（１０）を、上記対物レンズから上記反射した光の光路
に沿う距離（Ｌ）が、対物レンズ（２２）の焦点距離
（Ｆ）のＡ倍の１．０倍以上となる位置（ここでＡは対
物レンズの焦点距離（Ｆ）／保護膜の厚さ（ｔ2 ）であ
る）に配設した構成としたことを特徴とする光ディスク
装置。 - 【請求項２】 基板（４）上に記録膜（５）を有し、該
記録膜上に保護膜（６）を有するディスク（３）を、上
記保護膜（６）側から光を照射して再生を行う光ディス
ク装置において、 上記ディスクで反射した光を受光する再生信号用検出器
（１０）を、上記対物レンズから上記反射した光の光路
に沿う距離（Ｌ）が、対物レンズ（２２）の焦点距離
（Ｆ）のＡ倍の１．５倍以上となる位置（ここでＡは対
物レンズの焦点距離（Ｆ）／保護膜の厚さ（ｔ2 ）であ
る）に配設した構成としたことを特徴とする光ディスク
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04159592A JP3329342B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光ディスク装置 |
| US08/019,837 US5337303A (en) | 1992-02-27 | 1993-02-19 | Disk storage device having light receiving device located at improved position |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04159592A JP3329342B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242517A true JPH05242517A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3329342B2 JP3329342B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=12612758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04159592A Expired - Lifetime JP3329342B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光ディスク装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5337303A (ja) |
| JP (1) | JP3329342B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69020024T2 (de) * | 1989-03-31 | 1995-09-21 | Toshiba Kawasaki Kk | Optisches Informationsverarbeitungssystem. |
| US5001333A (en) * | 1989-10-24 | 1991-03-19 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for focus error compensation having path length independence |
| JPH0417125A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光記録再生装置 |
| US5235581A (en) * | 1990-08-09 | 1993-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording/reproducing apparatus for optical disks with various disk substrate thicknesses |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP04159592A patent/JP3329342B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-19 US US08/019,837 patent/US5337303A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3329342B2 (ja) | 2002-09-30 |
| US5337303A (en) | 1994-08-09 |
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