JPH05238896A - カリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶及びその製造方法 - Google Patents
カリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶及びその製造方法Info
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- JPH05238896A JPH05238896A JP4258223A JP25822392A JPH05238896A JP H05238896 A JPH05238896 A JP H05238896A JP 4258223 A JP4258223 A JP 4258223A JP 25822392 A JP25822392 A JP 25822392A JP H05238896 A JPH05238896 A JP H05238896A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、カリウム、リチウム及びニオブ化
合物を含む溶融体から、次の一般式 (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶を製造する方法及びこの結晶を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 好ましくはV2O5の形態で、少量のバナジウム
を添加することにより、かなり大きい結晶が得られる。
更に、かか結晶の均質性は、従来の方法により得られた
結晶のものと比べてかなり良好である。
合物を含む溶融体から、次の一般式 (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶を製造する方法及びこの結晶を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 好ましくはV2O5の形態で、少量のバナジウム
を添加することにより、かなり大きい結晶が得られる。
更に、かか結晶の均質性は、従来の方法により得られた
結晶のものと比べてかなり良好である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カリウム、リチウム及
びニオブ化合物を含む溶融体から、次の一般式; (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶の製造方法に関する。更に、本発明は、当
該組成物の結晶に関する。
びニオブ化合物を含む溶融体から、次の一般式; (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶の製造方法に関する。更に、本発明は、当
該組成物の結晶に関する。
【0002】上記単結晶性結晶は、光波の振動数を倍増
する装置に使用することができる。前記装置中におい
て、いわゆる一次波は、カリウム−リチウム−ニオブ酸
塩(PLN)の非直線性光学媒質を通過し、これによ
り、いわゆる二次高調波が形成される。後者の波の振動
数は一次波のそれの二倍である。
する装置に使用することができる。前記装置中におい
て、いわゆる一次波は、カリウム−リチウム−ニオブ酸
塩(PLN)の非直線性光学媒質を通過し、これによ
り、いわゆる二次高調波が形成される。後者の波の振動
数は一次波のそれの二倍である。
【0003】
【従来の技術】前段に記載した方法は、特に、欧州特許
出願EP409339号に開示されている。ここに記載されて
いる方法は、製造されるべきタングステン青銅タイプの
非対称心正方晶系結晶構造を有する化学量論のカリウム
−リチウム−ニオブ酸塩(PLN)を可能にする。かか
る材料を用いると、790 〜920nm の振動数範囲の波長を
有する一次波の振動数を、室温で倍増することができ
る。この従来の材料は更にかかる振動数範囲中で高程度
の複屈折をも示し、従って(赤外)赤色光(一次波)及
び青色光(二次高調波)の最適な位相整合を可能にす
る。例えば (Al, Ga)Asレーザーのような電流半導体レ
ーザーから発生られる照射線の波長は、約800nm 付近に
位置するので、従来の材料は、かかるレーザーと組み合
わせて用いるのに極めて適している。発生した短波光
は、インフォメーションの高密度ストレージ用及び、前
記インフォーメーションの読み取り用(高密度データ記
録)に使用することができる。
出願EP409339号に開示されている。ここに記載されて
いる方法は、製造されるべきタングステン青銅タイプの
非対称心正方晶系結晶構造を有する化学量論のカリウム
−リチウム−ニオブ酸塩(PLN)を可能にする。かか
る材料を用いると、790 〜920nm の振動数範囲の波長を
有する一次波の振動数を、室温で倍増することができ
る。この従来の材料は更にかかる振動数範囲中で高程度
の複屈折をも示し、従って(赤外)赤色光(一次波)及
び青色光(二次高調波)の最適な位相整合を可能にす
る。例えば (Al, Ga)Asレーザーのような電流半導体レ
ーザーから発生られる照射線の波長は、約800nm 付近に
位置するので、従来の材料は、かかるレーザーと組み合
わせて用いるのに極めて適している。発生した短波光
は、インフォメーションの高密度ストレージ用及び、前
記インフォーメーションの読み取り用(高密度データ記
録)に使用することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本件出願人
は、製造される結晶が比較的小さいという従来の方法の
欠点を見い出した。例えば、現在まで、3.5mm3を超える
結晶容積を有する結晶を成長させることは不可能であっ
た。かかる結晶容積は、振動数を倍増する装置に前記結
晶を効果的に用いるには不十分である。更に、前記の比
較的小さい結晶はクラックを示し、その組成は十分に均
質なものではなかった。本発明の目的は、前記欠点を克
服することにある。本発明は、更に特に、均質な組成を
有する比較的大きいPLN 結晶を製造する方法を提供する
ことである。本発明の方法により製造した結晶は、10mm
3 を超える結晶容積を有し、好ましくは60mm3 を超え
る。
は、製造される結晶が比較的小さいという従来の方法の
欠点を見い出した。例えば、現在まで、3.5mm3を超える
結晶容積を有する結晶を成長させることは不可能であっ
た。かかる結晶容積は、振動数を倍増する装置に前記結
晶を効果的に用いるには不十分である。更に、前記の比
較的小さい結晶はクラックを示し、その組成は十分に均
質なものではなかった。本発明の目的は、前記欠点を克
服することにある。本発明は、更に特に、均質な組成を
有する比較的大きいPLN 結晶を製造する方法を提供する
ことである。本発明の方法により製造した結晶は、10mm
3 を超える結晶容積を有し、好ましくは60mm3 を超え
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、最初の
欄に記載した方法で達成され、本発明方法の特徴は、溶
融体が更にバナジウム化合物を含むことにある。
欄に記載した方法で達成され、本発明方法の特徴は、溶
融体が更にバナジウム化合物を含むことにある。
【0006】本発明の方法は、製造されるべきPLN結
晶の結晶サイズが、従来の方法により得られる結晶サイ
ズより極めて大きいPLN結晶を可能にする。例えば、
最小で10mm×4mm×1.5mm (結晶容積60mm3!) の大きさ
を有する結晶を、簡単な方法で得ることができる。更
に、このようにして製造された結晶は、極めて均質な組
成を有する。例えば、X−線分析によると、本発明の方
法により製造された結晶中には、好ましくないLi3NbO4
の位相は観察されない。更に、この結晶にはクラックを
含まない。
晶の結晶サイズが、従来の方法により得られる結晶サイ
ズより極めて大きいPLN結晶を可能にする。例えば、
最小で10mm×4mm×1.5mm (結晶容積60mm3!) の大きさ
を有する結晶を、簡単な方法で得ることができる。更
に、このようにして製造された結晶は、極めて均質な組
成を有する。例えば、X−線分析によると、本発明の方
法により製造された結晶中には、好ましくないLi3NbO4
の位相は観察されない。更に、この結晶にはクラックを
含まない。
【0007】PLNを結晶化する方法において添加する
バナジウム化合物の機能は、上記化合物が、それ自体で
安定であるLi2CO3を溶融体中でLi2Oで転化する触媒作用
を示すものである。出発化合物として他のLi化合物を用
いる場合、大気から溶融体中にCO2 を獲得することによ
り、Li2CO3が溶融体中に形成される。溶融体の全金属含
量に対してわずか0.1 原子%のバナジウムの添加は、得
られるPLN結晶のサイズ及び質に、好ましい効果を更
にもたらす。溶融体の全金属含量とは、溶融体中のLi,
P及びNbイオンの合計量を意味するものと理解された
い。添加されたバナジウムは、結晶性PLNの正方晶系
結晶構造中には組み込まれないことを見い出した。
バナジウム化合物の機能は、上記化合物が、それ自体で
安定であるLi2CO3を溶融体中でLi2Oで転化する触媒作用
を示すものである。出発化合物として他のLi化合物を用
いる場合、大気から溶融体中にCO2 を獲得することによ
り、Li2CO3が溶融体中に形成される。溶融体の全金属含
量に対してわずか0.1 原子%のバナジウムの添加は、得
られるPLN結晶のサイズ及び質に、好ましい効果を更
にもたらす。溶融体の全金属含量とは、溶融体中のLi,
P及びNbイオンの合計量を意味するものと理解された
い。添加されたバナジウムは、結晶性PLNの正方晶系
結晶構造中には組み込まれないことを見い出した。
【0008】本発明の方法の好適例は、溶融体のバナジ
ウム含量が、溶融体の全金属含量に対して換算して10原
子%以下であることに特徴がある。前記化合物を多量に
することは、意図する正方晶系PLN相以外の相を結晶
中に形成するリスクを増大させる。このことは、結晶の
均質性に悪影響を及ぼす。バナジウムを20原子%又はそ
れ以上の量で添加した場合、PLNは、もはや溶融体中
で結晶化しなくなる。全金属含量に対して、1原子%の
バナジウムをバナジウム化合物の形態で溶融体に添加し
た時に、最適の結果が得られる。
ウム含量が、溶融体の全金属含量に対して換算して10原
子%以下であることに特徴がある。前記化合物を多量に
することは、意図する正方晶系PLN相以外の相を結晶
中に形成するリスクを増大させる。このことは、結晶の
均質性に悪影響を及ぼす。バナジウムを20原子%又はそ
れ以上の量で添加した場合、PLNは、もはや溶融体中
で結晶化しなくなる。全金属含量に対して、1原子%の
バナジウムをバナジウム化合物の形態で溶融体に添加し
た時に、最適の結果が得られる。
【0009】
【発明の効果】本発明の方法に、全種類のバナジウム化
合物を使用することができることを見い出した。V2O5,
KVO3, LiVO3 及びK0.6Li0.4VO3を用いて、好ましい結果
を得る。V2O5化合物は、特定の重量のV2O5化合物を溶融
体中に導入した場合、溶融体の他の化合物の重量との適
合を考慮に入れる必要がないという実用的な効果を更に
示す。あるいは又、種々のバナジウム化合物の混合物を
溶融体に添加することも可能である。
合物を使用することができることを見い出した。V2O5,
KVO3, LiVO3 及びK0.6Li0.4VO3を用いて、好ましい結果
を得る。V2O5化合物は、特定の重量のV2O5化合物を溶融
体中に導入した場合、溶融体の他の化合物の重量との適
合を考慮に入れる必要がないという実用的な効果を更に
示す。あるいは又、種々のバナジウム化合物の混合物を
溶融体に添加することも可能である。
【0010】本発明は、更に次の一般式 (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶に関する。この結晶は、その容積が最小で
10mm3 であることに特徴がある。本発明を次の実施例に
より説明する。
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶に関する。この結晶は、その容積が最小で
10mm3 であることに特徴がある。本発明を次の実施例に
より説明する。
【0011】
【実施例】粉末形態の538.84g のK2CO3 、250.48g のLi
2CO3、1428.52gのNb2O5 及び22.72gのV2O5を完全に混合
し、Ptの溶融るつぼ中1050℃で溶融させた。その均質性
を最大に利用するために、この溶融体を当該温度で約6
時間保持した。次いで、この溶融体をPLNの結晶化温
度、すなわち975 ℃で急冷した。種結晶を溶融体中に吊
るした。次いで、この溶融体を1日当り1℃の速度で97
0 ℃まで冷却することにより、種結晶でのPLNの結晶
成長が得られる。所望する大きさの結晶が得られるま
で、溶融体をこの温度に保持した。次いで、このフラッ
クスを1時間当り5〜10℃の速度で室温まで冷却した結
晶は、60mm3 又はそれ以上の結晶容積を示した(寸法:
10mm×4mm×1.5mm)。このようにして得られた最大のP
LN結晶の寸法は、8mm×8mm×2.5mm (容積160mm3)
であった。X線実験によると、好ましくない異位相(fo
reign phase)は、この単結晶物体中には存在しなかっ
た。更にクラックも全く存在しなかった。これらの結晶
の組成はK3Li1.97Nb5.03O15. 06であった。このようにし
て製造した結晶のICP−発光分光分析によると、結晶
格子中にバナジウムは全く組み込まれていなかった(検
出限界:7ppm)。上記組成の結晶は、室温で821nm 赤色
レーザー光の直接 (direct) 位相整合に特に適合する。
この結晶の振動数倍増効果は、13.5±2pm/V であるこ
とが判明した。
2CO3、1428.52gのNb2O5 及び22.72gのV2O5を完全に混合
し、Ptの溶融るつぼ中1050℃で溶融させた。その均質性
を最大に利用するために、この溶融体を当該温度で約6
時間保持した。次いで、この溶融体をPLNの結晶化温
度、すなわち975 ℃で急冷した。種結晶を溶融体中に吊
るした。次いで、この溶融体を1日当り1℃の速度で97
0 ℃まで冷却することにより、種結晶でのPLNの結晶
成長が得られる。所望する大きさの結晶が得られるま
で、溶融体をこの温度に保持した。次いで、このフラッ
クスを1時間当り5〜10℃の速度で室温まで冷却した結
晶は、60mm3 又はそれ以上の結晶容積を示した(寸法:
10mm×4mm×1.5mm)。このようにして得られた最大のP
LN結晶の寸法は、8mm×8mm×2.5mm (容積160mm3)
であった。X線実験によると、好ましくない異位相(fo
reign phase)は、この単結晶物体中には存在しなかっ
た。更にクラックも全く存在しなかった。これらの結晶
の組成はK3Li1.97Nb5.03O15. 06であった。このようにし
て製造した結晶のICP−発光分光分析によると、結晶
格子中にバナジウムは全く組み込まれていなかった(検
出限界:7ppm)。上記組成の結晶は、室温で821nm 赤色
レーザー光の直接 (direct) 位相整合に特に適合する。
この結晶の振動数倍増効果は、13.5±2pm/V であるこ
とが判明した。
【0012】比較試験において、PLNを結晶化する
間、バナジウム化合物を溶融体中に存在させない以外
は、前段に記載した方法を、同じPLN組成を用い、同
様の条件下で繰り返した。得られた結晶は極めて小さか
った。最大の結晶の容積は3.2mm3であった(寸法:2.5m
m ×2.5mm ×0.5mm)。この結晶は、ヘテロロガスな結晶
包含物を完全に含まないものではないことが判明した。
相当な数の結晶クラックが存在した。
間、バナジウム化合物を溶融体中に存在させない以外
は、前段に記載した方法を、同じPLN組成を用い、同
様の条件下で繰り返した。得られた結晶は極めて小さか
った。最大の結晶の容積は3.2mm3であった(寸法:2.5m
m ×2.5mm ×0.5mm)。この結晶は、ヘテロロガスな結晶
包含物を完全に含まないものではないことが判明した。
相当な数の結晶クラックが存在した。
【0013】バナジウム化合物の濃度を変化させた一連
の晶析を実施して、最適な溶融体を探索した。V2O5の形
態で、20原子%のバナジウムを、溶融体に、金属イオン
(Li,P及びNb) のモル当り添加した場合は、PLNの
形成を完全に抑制した。上記条件下では、結晶成長は全
く観察されなかった。10原子%のバナジウを溶融体に添
加した場合、得られたPLN結晶の質と大きさは、バナ
ジムウを全く添加しない試験と比較して著しく増大し
た。約1原子%のバナジウムを溶融体に添加した時に、
最適な結果が得られた。
の晶析を実施して、最適な溶融体を探索した。V2O5の形
態で、20原子%のバナジウムを、溶融体に、金属イオン
(Li,P及びNb) のモル当り添加した場合は、PLNの
形成を完全に抑制した。上記条件下では、結晶成長は全
く観察されなかった。10原子%のバナジウを溶融体に添
加した場合、得られたPLN結晶の質と大きさは、バナ
ジムウを全く添加しない試験と比較して著しく増大し
た。約1原子%のバナジウムを溶融体に添加した時に、
最適な結果が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨハネス フランシスカス マリア シレ セン オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェンフルーネヴァウツウェッハ 1 (72)発明者 マルティン オウワーカーク オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェンフルーネヴァウツウェッハ 1
Claims (4)
- 【請求項1】 カリウム、リチウムおよびニオブ化合物
を含む溶融体から、次の一般式 (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされる組成を有するカリウム−リチウム−ニ
オブ酸塩結晶を製造するにあたり、溶融体が更にバナジ
ウム化合物を含むことを特徴とするカリウム−リチウム
−ニオブ酸塩結晶の製造方法。 - 【請求項2】 溶融体のバナジウム含量が、溶融体の全
金属含量に関して換算して10原子%以下であることを特
徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 V2O5をバナジウム化合物として使用する
請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 次の一般式 (K2O)0.3(Li2O)0.2+a (Nb2O5)0.5+b (式中、−0.01<a<0.01、−0.005 <b<0.005 を示
す)で表わされるカリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶
で、この結晶の容積が少なくとも10mm3 であることを特
徴とするカリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL91202551:7 | 1991-10-01 | ||
EP91202551 | 1991-10-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05238896A true JPH05238896A (ja) | 1993-09-17 |
JP3403212B2 JP3403212B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=8207917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25822392A Expired - Fee Related JP3403212B2 (ja) | 1991-10-01 | 1992-09-28 | カリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5322592A (ja) |
EP (1) | EP0535738B1 (ja) |
JP (1) | JP3403212B2 (ja) |
KR (1) | KR100218067B1 (ja) |
DE (1) | DE69207695T2 (ja) |
TW (1) | TW293038B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08339002A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-12-24 | Ngk Insulators Ltd | 第二高調波発生素子およびその製造方法 |
WO2002080225A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Technologies And Devices International Inc. | Method and apparatus for growing submicron group iii nitride structures utilizing hvpe techniques |
US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
US6613143B1 (en) | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
US6936357B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-08-30 | Technologies And Devices International, Inc. | Bulk GaN and ALGaN single crystals |
US20030205193A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-11-06 | Melnik Yuri V. | Method for achieving low defect density aigan single crystal boules |
US20070032046A1 (en) * | 2001-07-06 | 2007-02-08 | Dmitriev Vladimir A | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby |
US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
US6616757B1 (en) | 2001-07-06 | 2003-09-09 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for achieving low defect density GaN single crystal boules |
US9416464B1 (en) | 2006-10-11 | 2016-08-16 | Ostendo Technologies, Inc. | Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3423686A (en) * | 1967-07-11 | 1969-01-21 | Bell Telephone Labor Inc | Optical devices utilizing substantially tetragonal ferroelectric tungsten-bronzes |
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US4879722A (en) * | 1987-07-27 | 1989-11-07 | Amoco Corporation | Generation of coherent optical radiation by optical mixing |
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