JPH05226765A - 半導体レーザアレイ装置 - Google Patents
半導体レーザアレイ装置Info
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- JPH05226765A JPH05226765A JP2490292A JP2490292A JPH05226765A JP H05226765 A JPH05226765 A JP H05226765A JP 2490292 A JP2490292 A JP 2490292A JP 2490292 A JP2490292 A JP 2490292A JP H05226765 A JPH05226765 A JP H05226765A
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- semiconductor
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- laser array
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも屈折率が
小さいかまたは禁制帯幅が大きい半導体層を用い、かつ
活性層に量子井戸構造を用いて半導体レーザレーザアレ
イを構成することにより、低動作電流で位相同期発振さ
せ、大出力化を実現する。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層からなるクラッド層３と、量子井戸活性層４と、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層５が形成されてお
り、その上にクラッド層５よりＡｌＡｓ混晶比が大きく
ストライプ状の溝を有するブロック層７が形成されてお
り、かつその溝の中にはブロック層７よりＡｌＡｓ混晶
比の小さなＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層６が形成
された構成を有する。この構成により、隣合うストライ
プ間のレーザ光の位相を同期させ、ストライプ間でのレ
ーザ光の損失をなくして高効率発振を可能にする。
小さいかまたは禁制帯幅が大きい半導体層を用い、かつ
活性層に量子井戸構造を用いて半導体レーザレーザアレ
イを構成することにより、低動作電流で位相同期発振さ
せ、大出力化を実現する。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層からなるクラッド層３と、量子井戸活性層４と、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層５が形成されてお
り、その上にクラッド層５よりＡｌＡｓ混晶比が大きく
ストライプ状の溝を有するブロック層７が形成されてお
り、かつその溝の中にはブロック層７よりＡｌＡｓ混晶
比の小さなＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層６が形成
された構成を有する。この構成により、隣合うストライ
プ間のレーザ光の位相を同期させ、ストライプ間でのレ
ーザ光の損失をなくして高効率発振を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録、固体レーザ励
起、光通信、加工等に用いられる超高出力の半導体レー
ザアレイ装置に関する。
起、光通信、加工等に用いられる超高出力の半導体レー
ザアレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の半導体レーザアレイ装置に
ついて説明する。図５（ａ）は従来の半導体レーザアレ
イ装置の要部断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ部の
拡大図である。これらの図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ層２
と、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層３
と、Ｇａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ層（バリア層；厚さ５ｎｍ）３
層とＧａ 0.95Ａｌ0.05Ａｓ層（活性層；厚さ１０ｎｍ）
２層からなる量子井戸活性層４と、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5
Ａｓ層からなるクラッド層５と、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓ層からなるクラッド層６とが形成されており、このク
ラッド層６の中にｎ型ＧａＡｓ層からなる電流ブロック
層１４が形成されている。なお８はｐ型ＧａＡｓ層から
なるコンタクト層、９はｐ側オーミック電極、１０はｎ
側オーミック電極、１１はストライプ状の電流チャネル
である。
ついて説明する。図５（ａ）は従来の半導体レーザアレ
イ装置の要部断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ部の
拡大図である。これらの図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ層２
と、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層３
と、Ｇａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ層（バリア層；厚さ５ｎｍ）３
層とＧａ 0.95Ａｌ0.05Ａｓ層（活性層；厚さ１０ｎｍ）
２層からなる量子井戸活性層４と、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5
Ａｓ層からなるクラッド層５と、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａ
ｓ層からなるクラッド層６とが形成されており、このク
ラッド層６の中にｎ型ＧａＡｓ層からなる電流ブロック
層１４が形成されている。なお８はｐ型ＧａＡｓ層から
なるコンタクト層、９はｐ側オーミック電極、１０はｎ
側オーミック電極、１１はストライプ状の電流チャネル
である。
【０００３】以上の構造において、電流がコンタクト層
８から電流チャネル１１を流れ、その下の量子井戸活性
層４においてレーザ発振が起こる。この量子井戸活性層
４内で発生したレーザ光は両側のクラッド層３、５へと
広がるが、電流ブロック層１４がレーザ光を吸収するの
で、電流チャネル１１の下の量子井戸活性層４内にレー
ザ光は閉じ込められる。クラッド層５の厚さを厚くする
と、電流ブロック層１４の吸収効果が小さくなり、レー
ザ光が横方向に広がる。その結果、隣合うストライプの
レーザ光が重なり合うようになり、ある位相差を持って
発振するようになる。このような発振状態は位相同期発
振と呼ばれ、半導体レーザアレイ装置からの出射ビーム
パターンは隣合うストライプのレーザ光の位相差によっ
て大きく変化することになる。
８から電流チャネル１１を流れ、その下の量子井戸活性
層４においてレーザ発振が起こる。この量子井戸活性層
４内で発生したレーザ光は両側のクラッド層３、５へと
広がるが、電流ブロック層１４がレーザ光を吸収するの
で、電流チャネル１１の下の量子井戸活性層４内にレー
ザ光は閉じ込められる。クラッド層５の厚さを厚くする
と、電流ブロック層１４の吸収効果が小さくなり、レー
ザ光が横方向に広がる。その結果、隣合うストライプの
レーザ光が重なり合うようになり、ある位相差を持って
発振するようになる。このような発振状態は位相同期発
振と呼ばれ、半導体レーザアレイ装置からの出射ビーム
パターンは隣合うストライプのレーザ光の位相差によっ
て大きく変化することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、図５に示す電流ブロック層１４がレーザ
光を吸収し、ストライプ間の電流ブロック層１４の下の
領域ではレーザ光の損失が大きくなるため、損失が最も
小さくなる光分布（モード）で発振が起こるが、そのよ
うなモードは隣合うストライプのレーザ光の位相差が１
８０゜となり、出射されるレーザビームのパターンは２
つの山を持った強度分布を示すことになり、１点にレー
ザ光を集光することが難しくなるという課題を有してい
た。
来の構成では、図５に示す電流ブロック層１４がレーザ
光を吸収し、ストライプ間の電流ブロック層１４の下の
領域ではレーザ光の損失が大きくなるため、損失が最も
小さくなる光分布（モード）で発振が起こるが、そのよ
うなモードは隣合うストライプのレーザ光の位相差が１
８０゜となり、出射されるレーザビームのパターンは２
つの山を持った強度分布を示すことになり、１点にレー
ザ光を集光することが難しくなるという課題を有してい
た。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、隣合うリッジ間でレーザ光の位相差が０゜となるモ
ードで発振させ、出射されるビームパターンが山が１つ
の強度分布となり、１点に集光することができる半導体
レーザアレイ装置を提供することを目的とする。
で、隣合うリッジ間でレーザ光の位相差が０゜となるモ
ードで発振させ、出射されるビームパターンが山が１つ
の強度分布となり、１点に集光することができる半導体
レーザアレイ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体レーザアレイ装置は、電流経路を制限
する電流ブロック層のＡｌ／Ａｓ混晶比をこの電流ブロ
ック層を上下から挟んでいるクラッド層よりも大きくし
た構成を有している。
に本発明の半導体レーザアレイ装置は、電流経路を制限
する電流ブロック層のＡｌ／Ａｓ混晶比をこの電流ブロ
ック層を上下から挟んでいるクラッド層よりも大きくし
た構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、電流チャネルのレーザ光に
対する屈折率が大きくなり、レーザ光はこの部分に閉じ
込められる。また電流ブロック層の禁制帯幅がクラッド
層よりも大きいので、レーザ光は電流ブロック層に吸収
されなくなる。すなわち、電流ブロック層の下の領域で
のレーザ光の損失がなくなるため、隣合うリッジのレー
ザ光の位相差が０゜となるモードで発振させることがで
きる。その結果、出射されるビームパターンは山が１つ
の強度分布となり、１点に集光することが可能となる。
対する屈折率が大きくなり、レーザ光はこの部分に閉じ
込められる。また電流ブロック層の禁制帯幅がクラッド
層よりも大きいので、レーザ光は電流ブロック層に吸収
されなくなる。すなわち、電流ブロック層の下の領域で
のレーザ光の損失がなくなるため、隣合うリッジのレー
ザ光の位相差が０゜となるモードで発振させることがで
きる。その結果、出射されるビームパターンは山が１つ
の強度分布となり、１点に集光することが可能となる。
【０００８】さらに、レーザ光の損失がないためしきい
電流が低く、微分効率が高くなり、電気から光への変換
効率の優れたレーザ装置を実現することができる。
電流が低く、微分効率が高くなり、電気から光への変換
効率の優れたレーザ装置を実現することができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例にお
ける半導体レーザアレイ装置の断面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ部の拡大図である。これらの図に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓ層からな
るバッファ層２と、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0 .5Ａｓ層からなる
クラッド層３と、Ｇａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ層（バリア層；厚
さ５ｎｍ）３層とＧａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ層（活性層；厚
さ１０ｎｍ）２層からなる量子井戸活性層４と、ｐ型Ｇ
ａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５，６とが形成
されており、電流狭窄のための後述の電流チャネル１１
以外の領域にはｎ型Ｇａ 0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流
ブロック層７が形成されている。なお８はｐ型ＧａＡｓ
層からなるコンタクト層、９はｐ側のオーミック電極、
１０はｎ側のオーミック電極、１１はストライプ状の電
流チャネル、１２はｐ型ＧａＡｓ層からなる保護層であ
る。
しながら説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例にお
ける半導体レーザアレイ装置の断面図、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ部の拡大図である。これらの図に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓ層からな
るバッファ層２と、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0 .5Ａｓ層からなる
クラッド層３と、Ｇａ0.7Ａｌ0.3Ａｓ層（バリア層；厚
さ５ｎｍ）３層とＧａ0.95Ａｌ0.05Ａｓ層（活性層；厚
さ１０ｎｍ）２層からなる量子井戸活性層４と、ｐ型Ｇ
ａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５，６とが形成
されており、電流狭窄のための後述の電流チャネル１１
以外の領域にはｎ型Ｇａ 0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流
ブロック層７が形成されている。なお８はｐ型ＧａＡｓ
層からなるコンタクト層、９はｐ側のオーミック電極、
１０はｎ側のオーミック電極、１１はストライプ状の電
流チャネル、１２はｐ型ＧａＡｓ層からなる保護層であ
る。
【００１０】以上の構造において、コンタクト層８から
注入される電流は電流チャネル１１内に閉じ込められ、
電流チャネル１１の下部の量子井戸活性層４でレーザ発
振が生じる。ここで、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からな
る電流ブロック層７の屈折率は、電流チャネル１１の内
部のｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５の
屈折率より小さいので、レーザ光はこの屈折率差により
電流チャネル１１内に閉じ込められる。またｎ型Ｇａ
0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流ブロック層７の禁制帯幅
は量子井戸活性層４の発振波長のエネルギーよりも大き
いので、従来の構造のような電流ブロック層による光吸
収がなく、大幅にレーザ光の損失を低減することができ
る。さらに、光吸収がないためレーザ光がｎ型Ｇａ0.4
Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流ブロック層７の下部にも広
がり、隣合うストライプ間のレーザ光の位相差が０゜に
なるモードで発振させることができる。また光出力を増
大させるとレーザ光の強度の大きい電流チャネル１１の
電子密度が減少するが、量子井戸活性層４を用いている
ために電子密度に対する屈折率の変化が小さく、安定な
モードを高出力まで維持することができる。また一般に
レーザ発振する活性層内での自由電子による光の吸収が
小さいのが量子井戸の特徴であり、低しきい値・高効率
発振が可能となる。なお保護層１２はクラッド層５上の
結晶成長を容易にするための薄いＧａＡｓ層である。
注入される電流は電流チャネル１１内に閉じ込められ、
電流チャネル１１の下部の量子井戸活性層４でレーザ発
振が生じる。ここで、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からな
る電流ブロック層７の屈折率は、電流チャネル１１の内
部のｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５の
屈折率より小さいので、レーザ光はこの屈折率差により
電流チャネル１１内に閉じ込められる。またｎ型Ｇａ
0.4Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流ブロック層７の禁制帯幅
は量子井戸活性層４の発振波長のエネルギーよりも大き
いので、従来の構造のような電流ブロック層による光吸
収がなく、大幅にレーザ光の損失を低減することができ
る。さらに、光吸収がないためレーザ光がｎ型Ｇａ0.4
Ａｌ0.6Ａｓ層からなる電流ブロック層７の下部にも広
がり、隣合うストライプ間のレーザ光の位相差が０゜に
なるモードで発振させることができる。また光出力を増
大させるとレーザ光の強度の大きい電流チャネル１１の
電子密度が減少するが、量子井戸活性層４を用いている
ために電子密度に対する屈折率の変化が小さく、安定な
モードを高出力まで維持することができる。また一般に
レーザ発振する活性層内での自由電子による光の吸収が
小さいのが量子井戸の特徴であり、低しきい値・高効率
発振が可能となる。なお保護層１２はクラッド層５上の
結晶成長を容易にするための薄いＧａＡｓ層である。
【００１１】次に本発明の一実施例における半導体レー
ザアレイ装置の製造方法について、説明する。図２
（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における半導体レー
ザアレイ装置の製造工程図である。まず図２（ａ）に示
すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にＭＯＣＶＤまたは
ＭＢＥ成長法により、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ
層２（厚さ０.５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層か
らなるクラッド層３（厚さ１μｍ）、量子井戸活性層
４、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５
（厚さ０.１５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層からなる保護層
１２（厚さ０.０５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ層
からなる電流ブロック層７（１μｍ）を形成する。次に
図２（ｂ）に示すように、レジスト１３をマスクとし
て、ストライプ状に溝エッチングを行う。この時、選択
エッチング液を用い、保護層１２でエッチングをストッ
プさせる。次に図２（ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ反
応管内でガスエッチングを行い、溝内の保護層１２を除
去する。次に図２（ｄ）に示すように、ＭＯＣＶＤ成長
法によりｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層
６とｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層８とを形成す
る。最終的に、コンタクト層８側にｐ側オーミック電極
９を、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ側オーミック電極１０
をそれぞれ形成することによって図１に示す断面構造を
有する半導体レーザアレイ装置となる。 図３は本発明
の一実施例における半導体レーザアレイ装置の電流−光
出力特性図である。比較のために、従来の半導体レーザ
アレイ装置の特性も併せて示した。本発明の半導体レー
ザアレイ装置では、レーザ光のリッジ間での損失が小さ
いためしきい電流が低く、微分効率が高くなり、大幅に
動作電流値が小さくなっている。すなわち、室温で０.
６Ｗのレーザ光を放出するのに必要な動作電流値を従来
の０.８５Ａから０.５Ａに低減できた。
ザアレイ装置の製造方法について、説明する。図２
（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における半導体レー
ザアレイ装置の製造工程図である。まず図２（ａ）に示
すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にＭＯＣＶＤまたは
ＭＢＥ成長法により、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ
層２（厚さ０.５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層か
らなるクラッド層３（厚さ１μｍ）、量子井戸活性層
４、ｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層５
（厚さ０.１５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層からなる保護層
１２（厚さ０.０５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ層
からなる電流ブロック層７（１μｍ）を形成する。次に
図２（ｂ）に示すように、レジスト１３をマスクとし
て、ストライプ状に溝エッチングを行う。この時、選択
エッチング液を用い、保護層１２でエッチングをストッ
プさせる。次に図２（ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ反
応管内でガスエッチングを行い、溝内の保護層１２を除
去する。次に図２（ｄ）に示すように、ＭＯＣＶＤ成長
法によりｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層からなるクラッド層
６とｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層８とを形成す
る。最終的に、コンタクト層８側にｐ側オーミック電極
９を、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ側オーミック電極１０
をそれぞれ形成することによって図１に示す断面構造を
有する半導体レーザアレイ装置となる。 図３は本発明
の一実施例における半導体レーザアレイ装置の電流−光
出力特性図である。比較のために、従来の半導体レーザ
アレイ装置の特性も併せて示した。本発明の半導体レー
ザアレイ装置では、レーザ光のリッジ間での損失が小さ
いためしきい電流が低く、微分効率が高くなり、大幅に
動作電流値が小さくなっている。すなわち、室温で０.
６Ｗのレーザ光を放出するのに必要な動作電流値を従来
の０.８５Ａから０.５Ａに低減できた。
【００１２】また図４（ａ）に本発明の一実施例におけ
る半導体レーザアレイ装置の出射レーザビームの強度パ
ターンを、図４（ｂ）に従来の半導体レーザアレイ装置
の出射レーザビームの強度パターンをそれぞれ示す。図
４（ａ）に示すように、本発明による構造では、強度パ
ターンは山が１つであり位相差が０゜の位相同期発振に
なっている。一方、図４（ｂ）に示すように、従来例の
場合の強度パターンは山が２つあり、位相が０゜の同期
発振が得られていない。
る半導体レーザアレイ装置の出射レーザビームの強度パ
ターンを、図４（ｂ）に従来の半導体レーザアレイ装置
の出射レーザビームの強度パターンをそれぞれ示す。図
４（ａ）に示すように、本発明による構造では、強度パ
ターンは山が１つであり位相差が０゜の位相同期発振に
なっている。一方、図４（ｂ）に示すように、従来例の
場合の強度パターンは山が２つあり、位相が０゜の同期
発振が得られていない。
【００１３】なお、半導体層の導電型が本実施例とは逆
となる構造においても同様の性能を有する半導体レーザ
アレイ装置を実現することができる。この場合は、半導
体基板がｐ型ＧａＡｓ基板になり、電流ブロック層はｐ
型となるが、ＡｌＡｓ混晶比が高いので電子の拡散長が
短くなり、電流を狭窄することができる。
となる構造においても同様の性能を有する半導体レーザ
アレイ装置を実現することができる。この場合は、半導
体基板がｐ型ＧａＡｓ基板になり、電流ブロック層はｐ
型となるが、ＡｌＡｓ混晶比が高いので電子の拡散長が
短くなり、電流を狭窄することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザアレ
イ装置は、電流から光への変換効率が高く、アレイ間の
各レーザ光の位相が揃った位相同期発振が得られ、高出
力で集光性の良いレーザ光を得ることができ、光記録や
固体レーザ励起の光源等の応用において、大なる効果を
有するものである。
イ装置は、電流から光への変換効率が高く、アレイ間の
各レーザ光の位相が揃った位相同期発振が得られ、高出
力で集光性の良いレーザ光を得ることができ、光記録や
固体レーザ励起の光源等の応用において、大なる効果を
有するものである。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における半導体レー
ザアレイ装置の断面図 （ｂ）は図１（ａ）のＡ部の要部拡大図
ザアレイ装置の断面図 （ｂ）は図１（ａ）のＡ部の要部拡大図
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における半
導体レーザアレイ装置の製造工程図
導体レーザアレイ装置の製造工程図
【図３】本発明の一実施例における半導体レーザアレイ
装置の電流−光出力特性図
装置の電流−光出力特性図
【図４】（ａ）は本発明の一実施例における半導体レー
ザアレイ装置の出射レーザビームの強度パターン図 （ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出射レーザビ
ームの強度パターン図
ザアレイ装置の出射レーザビームの強度パターン図 （ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出射レーザビ
ームの強度パターン図
【図５】（ａ）は従来の半導体レーザアレイ装置の要部
断面図 （ｂ）は図５（ａ）のＡ部の拡大図
断面図 （ｂ）は図５（ａ）のＡ部の拡大図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板（半導体基板） ３ クラッド層（第１の半導体層） ４ 量子井戸活性層（第２の半導体層） ５ クラッド層（第３の半導体層） ６ クラッド層（第４の半導体層） ７ 電流ブロック層（第５の半導体層）
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板の上に、前記半導体基板と同
じ導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層より禁制
帯幅が小さく厚さが２０ｎｍ以下で組成比の異なる２つ
の半導体層を交互に複数層積層した第２の半導体層と、
第１の半導体層とは反対の導電型で第２の半導体層より
禁制帯幅が大きい第３の半導体層と、第３の半導体層と
同じ導電型の第４の半導体層と、第４の半導体層の中に
２本以上ストライプ状に形成された導電型が前記半導体
基板と同じかまたは高抵抗であってかつメサ形状の第５
の半導体層とを有し、第５の半導体層の屈折率が第３の
半導体層の屈折率より小さいかまたは第５の半導体層の
禁制帯幅が第３の半導体層の禁制体幅より大きいかのど
ちらかであることを特徴とする半導体レーザアレイ装
置。 - 【請求項２】 半導体基板の上に、前記半導体基板と同
じ導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層より禁制
帯幅が小さく厚さが２０ｎｍ以下で組成比の異なる２つ
の半導体層を交互に複数層積層した第２の半導体層と、
第１の半導体層とは反対の導電型で第２の半導体層より
禁制帯幅が大きい第３の半導体層と、第３の半導体層と
同じ導電型の第４の半導体層と、第４の半導体層の中に
２本以上ストライプ状に形成された導電型が前記半導体
基板と同じかまたは高抵抗であってかつメサ形状の第５
の半導体層とを有し、第５の半導体層の屈折率が第３の
半導体層の屈折率より小さく、かつ第５の半導体層の禁
制帯幅が第３の半導体層の禁制体幅より大きいことを特
徴とする半導体レーザアレイ装置。 - 【請求項３】 第３の半導体層と第５の半導体層との間
に保護層が挿入されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体レーザアレイ装置。 - 【請求項４】 半導体基板がｎ型ＧａＡｓ基板であり、
第１の半導体層がｎ型Ｇａ1-yＡｌyＡｓ層であり、第２
の半導体層がＧａ1-x1Ａｌx1Ａｓ層とＧａ1-x2Ａｌx2Ａ
ｓ層とを交互に複数個積層し、かつ各層の厚さが２０ｎ
ｍ以下であり、第３の半導体層がｐ型Ｇａ1-zＡｌzＡｓ
層であり、第４の半導体層がｐ型Ｇａ1- vＡｌvＡｓ層で
あり、第５の半導体層がｎ型Ｇａ1-wＡｌwＡｓであり、
かつy>x1,x2、z>x1,x2、v>x1,x2かつw>z,vであることを
特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザアレイ
装置。 - 【請求項５】 半導体基板およびその上に形成されてい
る各半導体層のｎ型とｐ型を全て逆にした構成を特徴と
する請求項４記載の半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2490292A JPH05226765A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 半導体レーザアレイ装置 |
| US07/871,913 US5297158A (en) | 1991-04-22 | 1992-04-21 | Semiconductor laser device including a gallium-aluminum arsenic compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2490292A JPH05226765A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 半導体レーザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226765A true JPH05226765A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12151113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2490292A Pending JPH05226765A (ja) | 1991-04-22 | 1992-02-12 | 半導体レーザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
| JP2005531135A (ja) * | 2002-05-22 | 2005-10-13 | カビタル オイ | 高光学出力密度を生成するための方法およびレーザ装置 |
| JP2022520738A (ja) * | 2019-01-31 | 2022-04-01 | フェルディナント－ブラウン－インスティツット ゲーゲーエムベーハー， ライプニッツ－インスティツット フュー ヘーヒストフレクエンツテヒニク | レーザ照射生成装置 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP2490292A patent/JPH05226765A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
| JP2005531135A (ja) * | 2002-05-22 | 2005-10-13 | カビタル オイ | 高光学出力密度を生成するための方法およびレーザ装置 |
| US7817693B2 (en) | 2002-05-22 | 2010-10-19 | Cavitar Oy | Method and a laser device for producing high optical power density |
| JP2022520738A (ja) * | 2019-01-31 | 2022-04-01 | フェルディナント－ブラウン－インスティツット ゲーゲーエムベーハー， ライプニッツ－インスティツット フュー ヘーヒストフレクエンツテヒニク | レーザ照射生成装置 |
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