JPH05167175A - 半導体レーザアレイ装置 - Google Patents
半導体レーザアレイ装置Info
- Publication number
- JPH05167175A JPH05167175A JP33019691A JP33019691A JPH05167175A JP H05167175 A JPH05167175 A JP H05167175A JP 33019691 A JP33019691 A JP 33019691A JP 33019691 A JP33019691 A JP 33019691A JP H05167175 A JPH05167175 A JP H05167175A
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- Japan
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- layer
- semiconductor layer
- semiconductor
- array device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流ブロック層にクラッド層よりも禁制帯幅
が大きく、屈折率が小さい半導体層を用いて低動作電流
で位相同期発振させ、大出力の半導体レーザアレイ装置
を実現する。 【構成】 一導電型の半導体基板１の上に一導電型の第
１の半導体層３、第１の半導体層３より禁制帯幅が小さ
い第２の半導体層４、逆導電型で第２の半導体層４より
禁制帯幅が大きい第３の半導体層５が形成されており、
第３の半導体層５にはストライプ状のリッジ５ａが２本
以上平行に並んでおり、各リッジ５ａの間の溝が一導電
型または高抵抗で、かつ第３の半導体層５より屈折率が
小さいかまたは禁制帯幅が大きいかの少なくともどちら
かである第４の半導体層７で埋められている。
が大きく、屈折率が小さい半導体層を用いて低動作電流
で位相同期発振させ、大出力の半導体レーザアレイ装置
を実現する。 【構成】 一導電型の半導体基板１の上に一導電型の第
１の半導体層３、第１の半導体層３より禁制帯幅が小さ
い第２の半導体層４、逆導電型で第２の半導体層４より
禁制帯幅が大きい第３の半導体層５が形成されており、
第３の半導体層５にはストライプ状のリッジ５ａが２本
以上平行に並んでおり、各リッジ５ａの間の溝が一導電
型または高抵抗で、かつ第３の半導体層５より屈折率が
小さいかまたは禁制帯幅が大きいかの少なくともどちら
かである第４の半導体層７で埋められている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録や固体レーザ励
起、光通信、加工等に用いられる超高出力の半導体レー
ザアレイ装置に関する。
起、光通信、加工等に用いられる超高出力の半導体レー
ザアレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の半導体レーザアレイ装置に
ついて説明する。図５は従来の半導体レーザアレイ装置
の断面図である。図５に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の上にｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層２、ｎ型Ｇａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓからなるクラッド層３およびＧａ0.85Ａ
ｌ0.15Ａｓからなる活性層４が形成されており、その上
にリッジ５ａを有するｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる
クラッド層５が形成されている。リッジ５ａの上にはｐ
型ＧａＡｓからなる保護層１１が形成されている。リッ
ジ５ａ間にはｐ型ＧａＡｓからなる界面層１３を介して
ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層１４が形成されて
おり、電流ブロック層１４からその直下の第２のクラッ
ド層５に電流が流れないようにしている。電流はｐ型Ｇ
ａＡｓからなるコンタクト層８からリッジ５ａの部分に
流れ、リッジ５ａの下の活性層４においてレーザ発振が
起こる。活性層４内で発生したレーザ光は第１および第
２のクラッド層３、５へ広がるが、電流ブロック層１４
がレーザ光を吸収するのでリッジ５ａの下の活性層４内
にレーザ光は閉じ込められる。リッジ５ａ間の第２のク
ラッド層５の厚さを厚くすると、電流ブロック層１４で
の光吸収効果が小さくなり、レーザ光が横方向に広が
る。その結果、隣合うリッジ５ａのレーザ光が重なり合
うようになり、ある位相差を持って発振するようにな
る。この様な発振状態は位相同期発振と呼ばれ、出射ビ
ームパターンは隣合うリッジ５ａのレーザ光の位相差に
よって大きく変化する。なお図５において、９はｐ側オ
ーミック電極、１０はｎ側オーミック電極である。
ついて説明する。図５は従来の半導体レーザアレイ装置
の断面図である。図５に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の上にｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層２、ｎ型Ｇａ
0.5Ａｌ0.5Ａｓからなるクラッド層３およびＧａ0.85Ａ
ｌ0.15Ａｓからなる活性層４が形成されており、その上
にリッジ５ａを有するｐ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる
クラッド層５が形成されている。リッジ５ａの上にはｐ
型ＧａＡｓからなる保護層１１が形成されている。リッ
ジ５ａ間にはｐ型ＧａＡｓからなる界面層１３を介して
ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層１４が形成されて
おり、電流ブロック層１４からその直下の第２のクラッ
ド層５に電流が流れないようにしている。電流はｐ型Ｇ
ａＡｓからなるコンタクト層８からリッジ５ａの部分に
流れ、リッジ５ａの下の活性層４においてレーザ発振が
起こる。活性層４内で発生したレーザ光は第１および第
２のクラッド層３、５へ広がるが、電流ブロック層１４
がレーザ光を吸収するのでリッジ５ａの下の活性層４内
にレーザ光は閉じ込められる。リッジ５ａ間の第２のク
ラッド層５の厚さを厚くすると、電流ブロック層１４で
の光吸収効果が小さくなり、レーザ光が横方向に広が
る。その結果、隣合うリッジ５ａのレーザ光が重なり合
うようになり、ある位相差を持って発振するようにな
る。この様な発振状態は位相同期発振と呼ばれ、出射ビ
ームパターンは隣合うリッジ５ａのレーザ光の位相差に
よって大きく変化する。なお図５において、９はｐ側オ
ーミック電極、１０はｎ側オーミック電極である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、電流ブロック層がレーザ光を吸収するた
めリッジ間の第２のクラッド層の薄い領域ではレーザ光
の損失が大きくなり、損失が最も小さくなる光分布（モ
ード）で発振が起こるが、そのようなモードは隣合うリ
ッジのレーザ光の位相差が１８０゜となるため出射され
るレーザビームのパターンは２つの山を持った強度分布
を示すことになり、一点にレーザ光を集光することが困
難であるという課題を有していた。
来の構成では、電流ブロック層がレーザ光を吸収するた
めリッジ間の第２のクラッド層の薄い領域ではレーザ光
の損失が大きくなり、損失が最も小さくなる光分布（モ
ード）で発振が起こるが、そのようなモードは隣合うリ
ッジのレーザ光の位相差が１８０゜となるため出射され
るレーザビームのパターンは２つの山を持った強度分布
を示すことになり、一点にレーザ光を集光することが困
難であるという課題を有していた。
【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、電流から光への変換効率が高く、アレイ間の各レー
ザ光の位相が揃った位相同期発振による高出力で集光性
の良いレーザ光が得られる半導体レーザアレイ装置を提
供することを目的とする。
で、電流から光への変換効率が高く、アレイ間の各レー
ザ光の位相が揃った位相同期発振による高出力で集光性
の良いレーザ光が得られる半導体レーザアレイ装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体レーザアレイ装置は、電流ブロック層
のＡｌＡｓ混晶比をクラッド層よりも大きくなるように
した構成を有しており、電流ブロック層の組成を調整し
てクラッド層よりも禁制帯幅を広げ、屈折率が小さくな
るようにしている。
に本発明の半導体レーザアレイ装置は、電流ブロック層
のＡｌＡｓ混晶比をクラッド層よりも大きくなるように
した構成を有しており、電流ブロック層の組成を調整し
てクラッド層よりも禁制帯幅を広げ、屈折率が小さくな
るようにしている。
【０００６】
【作用】電流ブロック層の屈折率をクラッド層よりも小
さくすることでレーザ光に対するリッジの屈折率が大き
くなり、レーザ光はこの部分に閉じ込められる。また電
流ブロック層の禁制帯幅がクラッド層よりも大きいの
で、レーザ光は電流ブロック層に吸収されなくなる。即
ち、リッジ間のクラッド層の薄い領域でのレーザ光の損
失がなくなるため、隣合うリッジのレーザ光の位相差が
０゜となるモードで発振させることができ、出射される
ビームパターンは山が１つの強度分布となり、一点に集
光することが可能となる。
さくすることでレーザ光に対するリッジの屈折率が大き
くなり、レーザ光はこの部分に閉じ込められる。また電
流ブロック層の禁制帯幅がクラッド層よりも大きいの
で、レーザ光は電流ブロック層に吸収されなくなる。即
ち、リッジ間のクラッド層の薄い領域でのレーザ光の損
失がなくなるため、隣合うリッジのレーザ光の位相差が
０゜となるモードで発振させることができ、出射される
ビームパターンは山が１つの強度分布となり、一点に集
光することが可能となる。
【０００７】またレーザ光の損失がないためしきい値電
流が低く、微分効率が高くなり、電気から光への変換効
率の優れたレーザアレイ装置を実現することができる。
流が低く、微分効率が高くなり、電気から光への変換効
率の優れたレーザアレイ装置を実現することができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半
導体レーザアレイ装置の断面図である。図１に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓからなる
バッファ層２が形成されており、その上にｎ型Ｇａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓからなる第１のクラッド層３、Ｇａ0.85Ａ
ｌ0.15Ａｓからなる活性層４、リッジ５ａを５本有する
ｐ型Ｇａ 0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる第２のクラッド層５が
形成されており、電流狭窄のために電流チャンネルとな
るリッジ５ａ以外の領域にはｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓか
らなる電流ブロック層７が形成されている。なお６はｐ
型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓからなる界面層、８はｐ型ＧａＡ
ｓからなるコンタクト層、１１はｐ型ＧａＡｓからなる
保護層である。この構造において、コンタクト層８から
注入される電流はリッジ５ａ内に閉じ込められ、リッジ
５ａの下部の活性層４でレーザ発振が生じる。ここで、
電流ブロック層７の屈折率は電流チャンネル内部の第２
のクラッド層５の屈折率より小さいので、レーザ光はこ
の屈折率差によりリッジ５ａ内に閉じ込められる。電流
ブロック層７の禁制帯幅は活性層４の禁制帯幅よりも大
きいので、従来の構造に比べて電流ブロック層による光
吸収がなく、大幅にレーザ光の損失を低減することがで
きる。さらに、光吸収がないためにレーザ光が電流ブロ
ック層７の下部にも広がり、隣合うリッジ５ａ間でレー
ザ光の位相差が０゜になるモードで発振させることがで
きる。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半
導体レーザアレイ装置の断面図である。図１に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型ＧａＡｓからなる
バッファ層２が形成されており、その上にｎ型Ｇａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓからなる第１のクラッド層３、Ｇａ0.85Ａ
ｌ0.15Ａｓからなる活性層４、リッジ５ａを５本有する
ｐ型Ｇａ 0.5Ａｌ0.5Ａｓからなる第２のクラッド層５が
形成されており、電流狭窄のために電流チャンネルとな
るリッジ５ａ以外の領域にはｎ型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓか
らなる電流ブロック層７が形成されている。なお６はｐ
型Ｇａ0.4Ａｌ0.6Ａｓからなる界面層、８はｐ型ＧａＡ
ｓからなるコンタクト層、１１はｐ型ＧａＡｓからなる
保護層である。この構造において、コンタクト層８から
注入される電流はリッジ５ａ内に閉じ込められ、リッジ
５ａの下部の活性層４でレーザ発振が生じる。ここで、
電流ブロック層７の屈折率は電流チャンネル内部の第２
のクラッド層５の屈折率より小さいので、レーザ光はこ
の屈折率差によりリッジ５ａ内に閉じ込められる。電流
ブロック層７の禁制帯幅は活性層４の禁制帯幅よりも大
きいので、従来の構造に比べて電流ブロック層による光
吸収がなく、大幅にレーザ光の損失を低減することがで
きる。さらに、光吸収がないためにレーザ光が電流ブロ
ック層７の下部にも広がり、隣合うリッジ５ａ間でレー
ザ光の位相差が０゜になるモードで発振させることがで
きる。
【０００９】図２は本発明の一実施例における半導体レ
ーザアレイ装置の製造工程図である。まず図２（ａ）に
示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤあるい
はＭＢＥ成長法によりｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層
２（厚さ０.５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからな
る第１のクラッド層３（厚さ１μｍ）、Ｇａ0.85Ａｌ
0.15Ａｓからなる活性層４（厚さ０.０５μｍ）、ｐ型
Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからな る第２のクラッド層５（厚
さ１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓからなる保護層１１（厚さ
０.２μｍ）を形成する。次に図２（ｂ）に示すよう
に、ストライプ状に窒化シ リコン膜（ＳｉＮ膜）等の
誘電体膜１２を形成し、この誘電体膜１２をマスクとし
てエッチングを行い、図２（ｃ）に示すように、リッジ
５ａを形成する。このとき、ストライプ幅となるリッジ
５ａの下端の幅は２.５μｍ、リッジ５ａ以外 の領域の
第２のクラッド層５の厚さは０.１５μｍ、リッジ５ａ
の間隔は５μｍ とした。次に図２（ｄ）に示すよう
に、減圧ＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ0.4Ａ ｌ0.6Ａｓ
からなる界面層６（厚さ０.１μｍ）、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ
0.6Ａｓからなる電流ブロック層７（厚さ１μｍ）を選
択的に成長する。次に図２（ｅ）に示すように、誘電体
膜１２を除去し、ＭＯＣＶＤまたはＭＢＥ成長法により
ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層８を形成する。
ーザアレイ装置の製造工程図である。まず図２（ａ）に
示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤあるい
はＭＢＥ成長法によりｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層
２（厚さ０.５μｍ）、ｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからな
る第１のクラッド層３（厚さ１μｍ）、Ｇａ0.85Ａｌ
0.15Ａｓからなる活性層４（厚さ０.０５μｍ）、ｐ型
Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ａｓからな る第２のクラッド層５（厚
さ１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓからなる保護層１１（厚さ
０.２μｍ）を形成する。次に図２（ｂ）に示すよう
に、ストライプ状に窒化シ リコン膜（ＳｉＮ膜）等の
誘電体膜１２を形成し、この誘電体膜１２をマスクとし
てエッチングを行い、図２（ｃ）に示すように、リッジ
５ａを形成する。このとき、ストライプ幅となるリッジ
５ａの下端の幅は２.５μｍ、リッジ５ａ以外 の領域の
第２のクラッド層５の厚さは０.１５μｍ、リッジ５ａ
の間隔は５μｍ とした。次に図２（ｄ）に示すよう
に、減圧ＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ0.4Ａ ｌ0.6Ａｓ
からなる界面層６（厚さ０.１μｍ）、ｎ型Ｇａ0.4Ａｌ
0.6Ａｓからなる電流ブロック層７（厚さ１μｍ）を選
択的に成長する。次に図２（ｅ）に示すように、誘電体
膜１２を除去し、ＭＯＣＶＤまたはＭＢＥ成長法により
ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層８を形成する。
【００１０】図３は本発明の一実施例における半導体レ
ーザアレイ装置の電流−光出力特性図である。比較のた
めに従来の半導体レーザ装置の特性も併せて示した。本
発明の半導体レーザ装置では、レーザ光のリッジ５ａ間
での損失が小さいためしきい電流が低く、微分効率が高
くなり、大幅に動作電流値が小さくなっている。即ち、
室温で０.６Ｗのレーザ光を放出するのに必要な動作電
流値を１.１Ａから０.６ Ａに低減できている。
ーザアレイ装置の電流−光出力特性図である。比較のた
めに従来の半導体レーザ装置の特性も併せて示した。本
発明の半導体レーザ装置では、レーザ光のリッジ５ａ間
での損失が小さいためしきい電流が低く、微分効率が高
くなり、大幅に動作電流値が小さくなっている。即ち、
室温で０.６Ｗのレーザ光を放出するのに必要な動作電
流値を１.１Ａから０.６ Ａに低減できている。
【００１１】図４（ａ）は本発明の一実施例における半
導体レーザアレイ装置の出射レーザビームの強度パター
ン図、図４（ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出
射レーザビームの強度パターン図である。図４（ａ）に
示すように、本実施例の半導体レーザアレイ装置の強度
分布は山が１つであり、位相差が０゜の位相同期発振し
ていることを示している。
導体レーザアレイ装置の出射レーザビームの強度パター
ン図、図４（ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出
射レーザビームの強度パターン図である。図４（ａ）に
示すように、本実施例の半導体レーザアレイ装置の強度
分布は山が１つであり、位相差が０゜の位相同期発振し
ていることを示している。
【００１２】以上の実施例において各層の導電型を入れ
換えた構造、すなわちｎ型をｐ型、ｐ型をｎ型と読み代
えた構造でも同様の効果を有する半導体レーザアレイ装
置を実現することができる。この場合は、基板がｐ型Ｇ
ａＡｓになり電流ブロック層はｐ型となるが、ＡｌＡｓ
混晶比が高いので電子の拡散長が短くなり、リッジ直下
への電流の流れ込みを阻止することができる。
換えた構造、すなわちｎ型をｐ型、ｐ型をｎ型と読み代
えた構造でも同様の効果を有する半導体レーザアレイ装
置を実現することができる。この場合は、基板がｐ型Ｇ
ａＡｓになり電流ブロック層はｐ型となるが、ＡｌＡｓ
混晶比が高いので電子の拡散長が短くなり、リッジ直下
への電流の流れ込みを阻止することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザアレ
イ装置では、電流から光への変換効率が高く、アレイ間
の各レーザ光の位相が揃った位相同期発振が得られ、高
出力で集光性の良いレーザ光を得ることができ、光記録
や固体レーザ励起の光源等の応用において大なる効果を
有するものである。
イ装置では、電流から光への変換効率が高く、アレイ間
の各レーザ光の位相が揃った位相同期発振が得られ、高
出力で集光性の良いレーザ光を得ることができ、光記録
や固体レーザ励起の光源等の応用において大なる効果を
有するものである。
【図１】本発明の一実施例における半導体レーザアレイ
装置の断面図
装置の断面図
【図２】同半導体レーザアレイ装置の製造工程図
【図３】同半導体レーザアレイ装置の電流−光出力特性
図
図
【図４】（ａ）は同半導体レーザアレイ装置の出射レー
ザビームの強度パターン図 （ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出射レーザビ
ームの強度パターン図
ザビームの強度パターン図 （ｂ）は従来の半導体レーザアレイ装置の出射レーザビ
ームの強度パターン図
【図５】従来の半導体レーザアレイ装置の断面図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板（一導電型の半導体基板） ３ 第１のクラッド層（第１の半導体層） ４ 活性層（第２の半導体層） ５ 第２のクラッド層（第３の半導体層） ５ａ リッジ ７ 電流ブロック層（第４の半導体層）
フロントページの続き (72)発明者 清水 裕一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板の上に一導電型の
第１の半導体層、第１の半導体層より禁制帯幅が小さい
第２の半導体層、逆導電型で第２の半導体層より禁制帯
幅が大きい第３の半導体層が形成されており、第３の半
導体層にはストライプ状のリッジが２本以上平行に並ん
でおり、各リッジの間の溝が一導電型または高抵抗で、
かつ前記第３の半導体層より屈折率が小さいかまたは禁
制帯幅が大きいかの少なくともどちらかである第４の半
導体層で埋められていることを特徴とする半導体レーザ
アレイ装置。 - 【請求項２】 半導体基板がＧａＡｓ基板、第１の半導
体層がＧａ1-yＡｌyＡｓ層、第２の半導体層がＧａ1-x
ＡｌxＡｓ層、第３の半導体層がＧａ1-zＡｌzＡｓ層、
各リッジの間を埋めている第４の半導体層がＧａ1-wＡ
ｌwＡｓであり、かつy>x、z>x、w>zであることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33019691A JPH05167175A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体レーザアレイ装置 |
| US07/871,913 US5297158A (en) | 1991-04-22 | 1992-04-21 | Semiconductor laser device including a gallium-aluminum arsenic compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33019691A JPH05167175A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体レーザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167175A true JPH05167175A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18229910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33019691A Pending JPH05167175A (ja) | 1991-04-22 | 1991-12-13 | 半導体レーザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05167175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011084201A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-07-14 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure |
| US8428093B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-04-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure for single, in-phase mode operation |
| CN113632331A (zh) * | 2019-01-31 | 2021-11-09 | 费迪南德布劳恩研究所有限公司莱布尼茨高频技术研究所 | 用于产生激光辐射的装置 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP33019691A patent/JPH05167175A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011084201A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-07-14 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure |
| US8259767B2 (en) | 2009-12-16 | 2012-09-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure |
| US8428093B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-04-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure for single, in-phase mode operation |
| CN113632331A (zh) * | 2019-01-31 | 2021-11-09 | 费迪南德布劳恩研究所有限公司莱布尼茨高频技术研究所 | 用于产生激光辐射的装置 |
| JP2022520738A (ja) * | 2019-01-31 | 2022-04-01 | フェルディナント－ブラウン－インスティツット ゲーゲーエムベーハー， ライプニッツ－インスティツット フュー ヘーヒストフレクエンツテヒニク | レーザ照射生成装置 |
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