JPH05218141A - Tab式半導体装置のリードフォーミング装置 - Google Patents

Tab式半導体装置のリードフォーミング装置

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JPH05218141A
JPH05218141A JP4015819A JP1581992A JPH05218141A JP H05218141 A JPH05218141 A JP H05218141A JP 4015819 A JP4015819 A JP 4015819A JP 1581992 A JP1581992 A JP 1581992A JP H05218141 A JPH05218141 A JP H05218141A
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JP
Japan
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pressing body
hole
semiconductor pellet
pressing
tab
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Pending
Application number
JP4015819A
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English (en)
Inventor
Yuji Yamada
裕治 山田
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ペレットに接続されたTABテープの
インナリードの折曲後の変形を防止し、TAB半導体装
置の歩留まりを向上させる。 【構成】 半導体ペレット(4)のバンプ電極(5)に
熱圧着接続されたTABテープ(1)のインナリード
(3)の先端部を、上下動する弾性押圧体(6)で折曲
する装置で、弾性押圧体(6)の中央部に穴(7)を形
成する。押圧体(6)が半導体ペレット(4)を押圧し
ているときに、穴(7)に高圧エアを吹き込んで押圧体
(6)を横に膨出変形させ、この変形で押圧体(6)と
半導体半導体ペレット(4)、インナリード(3)との
密着性を低下させ、押圧体(6)が上に離脱し易いよう
にする。押圧体(6)の穴(7)は、貫通穴、閉塞穴の
いずれも可能であり、閉塞穴の場合は穴(7)を負圧に
して押圧体(6)を横に縮小変形させることも可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットの電極
に接続されたTABテープのインナリードの先端部を、
半導体ペレットから離反する方向に折曲するTAB式半
導体装置のリードフォーミング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6(イ)と(ロ)に示されるTAB式
半導体装置は、絶縁フィルム(2)上に金属箔のリード
(3')を形成したTAB〔Tape Automated Bondin
g〕テープ(1)に半導体ペレット(4)をボンディン
グしている。
【0003】図6(イ)は、TABテープ(1)のスト
レートなインナリード(3)の先端部に半導体ペレット
(4)のバンプ電極(5)を熱圧着している。この半導
体装置においては、インナリード(3)と半導体ペレッ
ト(4)のエッジが近接し過ぎて、両者間が接触するエ
ッジタッチの可能性が高い。
【0004】図6(ロ)は、リード(3')のインナリ
ード(3)の先端部を半導体ペレット(4)のバンプ電
極(5)に熱圧着した後、インナリード(3)を半導体
ペレット(4)から離反する方向に折曲している。この
場合、インナリード(3)と半導体ペレット(4)のエ
ッジとの離反距離が増大して、エッジタッチが発生する
可能性が少ない。
【0005】図6(ロ)の半導体装置のリードフォーミ
ングは、図7乃至図9に示すようなリードフォーミング
装置を使って行われている。
【0006】図7に示すように、インナリード(3)の
先端部を半導体ペレット(4)のバンプ電極(5)に熱
圧着した後、フォーミングツール(10)の真下にTAB
テープ(1)を位置決めする。フォーミングツール(1
0)の下端部には、シリコンゴムの弾性押圧体(13)が
装着されている。TABテープ(1)のインナリード
(3)の先端部下には、半導体ペレット(4)のバンプ
電極(5)が熱圧着接続されている。半導体ペレット
(4)は、リード修正型(11)の昇降ロッド(12)の上
面に支持されている。
【0007】図8に示すように、フォーミングツール
(10)を下降させて、これの押圧体()とリード修正型
(11)の昇降ロッド(12)で半導体ペレット(4)とイ
ンナリード(3)を上下から挾圧し、そのまま所定距離
降下させてインナリード(3)の先端部を下方にL形に
折曲する。押圧体(13)の下部は、半導体ペレット
(4)上の凹凸面に応じて弾性変形し、インナリード
(3)の先端部を折曲する。
【0008】次に、図9に示すようにフォーミングツー
ル(10)を上昇させて、押圧体(13)を半導体ペレット
(4)とインナリード(3)から離脱させる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図8の熱圧着時、押圧
体(13)は半導体ペレット(4)上に押圧されて密着
し、特にインナリード(3)の先端部に食い込んで強く
密着している。そのため、半導体ペレット(4)から押
圧体(13)を上昇させて離脱させるとき、押圧体(13)
と一体となってインナリード(3)の先端部と半導体ペ
レット(4)が浮き上がり、図9の鎖線に示すように、
インナリード(3)の先端部が不定形に変形して半導体
ペレット(4)のエッジに接近し、エッジタッチが発生
する不具合があった。
【0010】かかる不具合の発生は、押圧体(13)の硬
度管理でもって、ある程度は防止されている。しかし、
シリコンゴム等の押圧体(13)の硬度は時間経過と共に
変わり易くて、十分な硬度管理ができず、上記エッジタ
ッチ発生によるTAB式半導体装置の歩留まり低下が目
立っている。
【0011】本発明の目的とするところは、半導体ペレ
ットの電極に熱圧着接続されたTABテープのインナリ
ードを折曲する弾性押圧体の、半導体ペレットとインナ
リードからの離脱時のトラブル発生を防止して、TAB
式半導体装置の歩留まりを向上させるリードフォーミン
グ装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ペレッ
ト当接面が変形し易い構造にした押圧体が半導体ペレッ
トから離れる際に押圧面を変形させる手段によりTAB
テープのインナリードの先端部を半導体ペレットから離
反する方向に折曲加工する装置により、上記目的を達成
する。
【0013】押圧体を変形し易くする構造として押圧体
の半導体ペレット押圧面に開口する貫通穴か、半導体ペ
レット押圧面側で閉じた閉塞穴を設けることが適当であ
る。
【0014】この押圧体の穴には、押圧体を変形させる
ために適宜高圧エアが吹き込まれて穴内が加圧され、こ
の加圧で弾性押圧体が横に膨出変形するようにしてあ
る。あるいは、押圧体の穴が適宜真空引きされて穴内が
負圧にされ、この負圧で弾性押圧体が横に縮小変形する
ようにしてある。。
【0015】
【作用】半導体ペレットの電極に熱圧着接続されたイン
ナリードの先端部を、弾性押圧体で折曲してした後、押
圧体の穴を高圧エアで加圧、または、真空吸引系で負圧
にすると、弾性押圧体が横方向に弾性変形し、この変形
で押圧体と半導体ペレット、インナリードとの密着性、
食い付き性が低下し、押圧体が半導体ペレット、インナ
リードから離脱し易くなる。
【0016】
【実施例】実施例について、図1乃至図5を参照して説
明する。なお、同図実施例の図6乃至図9と同一または
相当部分には、同一符号を付して説明は省略する。
【0017】図1乃至図3に示される第1の実施例のリ
ードフォーミング装置は、フォーミングツール(10)の
先端部に装着された弾性押圧体(6)の中央部に穴
(7)を貫通形成したことを特徴とする。
【0018】押圧体(6)はシリコンゴムなどの弾性体
で、その外径は半導体ペレット(4)のサイズに対応さ
せてある。押圧体(6)の穴(7)は、押圧体(6)の
半導体ペレット押圧面(m)の中央で開口した貫通穴で
ある。穴(7)は、押圧体(6)とフォーミングツール
(10)の中心線を貫通して、外部の高圧エア系(8)に
連通させてある。
【0019】高圧エア系(8)から押圧体(6)の穴
(7)に、高圧エアが適宜吹き込まれる。この高圧エア
の吹き込みは、押圧体(6)が半導体ペレット(4)を
押圧している状態のときで、押圧体(6)を半導体ペレ
ット(4)から離脱させる直前に行われる。
【0020】例えば図2に示すように、フォーミングツ
ール(10)を下降させて押圧体(6)でインナリード
(3)の先端部を折曲した直後、高圧エア系(8)から
押圧体(6)の穴(7)に高圧エアが吹き込まれる。イ
ンナリード(3)の先端部は半導体ペレット(4)のバ
ンプ電極(5)に熱圧着接続されており、この先端部の
折曲は、押圧体(6)による押し下げで従来同様にして
行われる。
【0021】図2の状態で押圧体(6)の穴(7)に押
圧エアを吹き込むと、穴(7)の開口先端が半導体ペレ
ット(4)で塞がれているので、押圧体(6)が図3の
矢印で示すように、穴(7)からの高圧エアの圧力で横
に膨出変形する。この変形のタイミングに合わせて、押
圧体(6)の上昇を開始させると、次の理由で押圧体
(6)は半導体ペレット(4)とインナリード(3)か
ら簡単、確実に離脱する。
【0022】すなわち、押圧体(6)の半導体ペレット
押圧面(m)の中央部に穴(7)の開口があるため、半
導体ペレット押圧面(m)と半導体ペレット(4)の密
着面積が少なく、その分、押圧体(6)と半導体ペレッ
ト(4)の密着強度が弱くなっている。また、押圧体
(6)の横の膨出変形で、押圧体(6)と半導体ペレッ
ト(4)、インナリード(3)との密着面に面方向に若
干の相対位置ずれが生じる。この相対位置ずれでもって
押圧体(6)と半導体ペレット(4)、インナリード
(3)の密着強度が弱まり、押圧体(6)のインナリー
ド(3)への食い込み性が損なわれる。
【0023】さらに、押圧体(6)が少し上昇したとこ
ろで、押圧体(6)と半導体ペレット(4)の間に高圧
エアが流入して、押圧体(6)の離脱動作を促進する。
【0024】その結果、押圧体(6)は上昇始めの時点
で、半導体ペレット(4)とインナリード(3)から容
易に離脱する状態となっていて、押圧体(6)を上昇さ
せると、押圧体(6)は半導体ペレット(4)とインナ
リード(3)から簡単、確実に離脱する。したがって、
この離脱時に半導体ペレット(4)とインナリード
(3)が浮き上がる心配が無く、インナリード(3)の
折曲形態が正常に保持される。
【0025】図4及び図5に示される第2の実施例のリ
ードフォーミング装置は、フォーミングツール(10)の
先端部に装着された弾性押圧体(6)の中央部に形成さ
れた穴(7')を閉塞穴としたことを特徴とする。この
穴(7')は、押圧体(6)の半導体ペレット押圧面
(m)の中央部で閉塞されている。穴(7')は、フォ
ーミングツール(10)を介して外部の真空吸引系(9)
に連通される。
【0026】図5に示すように、押圧体(6)でインナ
リード(3)の先端部を折曲させた後、押圧体(6)の
穴(7')を真空吸引系(9)で真空引きし、穴(7')
内を負圧にして、押圧体(6)を上昇させる。穴
(7')の負圧で押圧体(6)が横方向に縮小変形する
ように、穴(7')の負圧が設定される。
【0027】押圧体(6)を上昇させる直前の穴
(7')の負圧で、図5の矢印に示すように押圧体
(6)が縮小変形し、この変形で押圧体(6)と半導体
ペレット(4)、インナリード(3)の密着性、食い込
み性が損なわれる。その結果、図3の場合と同様に、押
圧体(6)は半導体ペレット(4)とインナリード
(3)から容易、確実に離脱する。
【0028】図4の装置の場合、押圧体(6)の穴
(7')に高圧エアを吹き込んでもよい。つまり、穴
(7')に高圧エアを吹き込むと、押圧体(6)が横に
膨出変形して、半導体ペレット(4)とインナリード
(3)から離脱し易くなる。
【0029】尚、押圧体を変形し易くする構造として穴
だけでなく外周にフランジ様の突起を設け、この突起を
機械式挾持機構などによって変形させるようにしてもよ
い。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、TABテープのインナ
リード先端部を折曲する弾性押圧体の中央部内に穴を設
け、押圧体によるリード折曲時に押圧体の穴内を高圧エ
アで加圧、または、真空吸引系で負圧にして、弾性押圧
体を横方向に弾性変形させると、押圧体と半導体ペレッ
ト、インナリードとの密着性、食い付き性が低下し、押
圧体が半導体ペレット、インナリードから簡単、確実に
離脱して、半導体ペレットとインナリードの相対位置関
係が良好に保たれ、TAB式半導体装置の歩留まりを向
上させることが容易にできる効果がある。また、弾性押
圧体の硬度管理をする必要が無くなり、TAB式半導体
装置の製造設備の保守管理が容易になる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すリードフォーミン
グ装置の要部の断面図
【図2】図1の装置のリードフォーミング時の断面図
【図3】図2の部分拡大断面図
【図4】本発明の第2の実施例を示すリードフォーミン
グ装置の要部の断面図
【図5】図4の装置のリードフォーミング時の部分拡大
断面図
【図6】TAB式半導体装置の部分断面図で、(イ)は
リードフォーミング無し、(ロ)はリードフォーミング
有りの半導体装置例を示す。
【図7】従来のTAB式半導体装置のリードフォーミン
グ装置の要部の断面図
【図8】図7の装置のリードフォーミング時の断面図
【図9】図8の装置のリードフォーミング後の部分拡大
断面図
【符号の説明】
1 TABテープ 3 インナリード 4 半導体ペレット 5 電極 6 弾性押圧体 m 半導体ペレット押圧面 7 穴 7’ 穴 8 高圧エア系 9 真空吸引系

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ペレットの電極に接続されたTA
    Bテープのインナリード先端部と半導体ペレットを、弾
    性押圧体で押し下げてインナリードの先端部近傍を半導
    体ペレットから離反する方向に折曲加工する装置であっ
    て、 前記押圧体は、半導体ペレットを押圧面が変形し易い構
    造を有し、且つ、押圧体が半導体ペレットから離れる際
    に押圧面を変形させる変形手段を有することを特徴とす
    るTAB式半導体装置のリードフォーミング装置。
  2. 【請求項2】 押圧体内に半導体ペレット押圧面に開口
    する穴を設けたことを特徴とする請求項1記載のTAB
    式半導体装置のリードフォーミング装置。
  3. 【請求項3】 押圧面を変形させる変形手段が高圧エア
    であることを特徴とする請求項1又は2記載のTAB式
    半導体装置のリードフォーミング装置。
  4. 【請求項4】 押圧体内に半導体ペレット押圧面側で閉
    じた穴を設けたことを特徴とする請求項1記載のTAB
    式半導体装置のリードフォーミング装置。
  5. 【請求項5】 押圧面を変形させる変形手段が真空吸引
    であることを特徴とする請求項4記載のTAB式半導体
    装置のリードフォーミング装置。
  6. 【請求項6】 押圧面を変形させる変形手段が押圧体の
    外面を押圧する機構であることを特徴とする請求項1記
    載のTAB式半導体装置のリードフォーミング装置。
JP4015819A 1992-01-31 1992-01-31 Tab式半導体装置のリードフォーミング装置 Pending JPH05218141A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007015263A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Canon Inc インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法
JP2020097159A (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドとその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007015263A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Canon Inc インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法
US7732228B2 (en) 2005-07-08 2010-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing printing head
JP4743851B2 (ja) * 2005-07-08 2011-08-10 キヤノン株式会社 記録ヘッドの製造方法
JP2020097159A (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドとその製造方法

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