JPH05217233A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPH05217233A
JPH05217233A JP4302608A JP30260892A JPH05217233A JP H05217233 A JPH05217233 A JP H05217233A JP 4302608 A JP4302608 A JP 4302608A JP 30260892 A JP30260892 A JP 30260892A JP H05217233 A JPH05217233 A JP H05217233A
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magneto
optical recording
recording medium
layer
medium according
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Michael-Joachim Dr Brekner
ミヒャエル‐ヨアヒム、ブレクナー
Egon Dr Hellstern
エゴン、ヘルシュテルン
Christoph Dr Weber
クリストフ、ウェバー
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Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱的な寸法安定性および加水分解に対する耐
性を強化し、支持体の吸湿性と複屈折を低減した光磁気
記録媒体の提供。 【構成】 支持体２上に、層が他の層の上に塗設される
ような構造で、２層の絶縁層３および５、１層の反射層
６、１層の光磁気記録層４の少なくとも４層構造を有
し、該支持体が非開環重合によるポリサイクリックオレ
フィンのポリマーからなる、光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、支持体上に、層が他の
層の上に塗設されるような構造で、２層の誘電層、１層
の反射層、１層の光磁気記録層の少なくとも４層を有す
る、光磁気記録媒体（ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ
ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉｕｍ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】既知のアモルファス光磁気記録層は一般
に、垂直の一軸異方性を有する。最も広く使われている
のは、ガドリニウムおよびジスプロシウムのような希土
類金属、および鉄ならびにコバルトのような遷移金属の
合金であり、その他の成分を加えることもある。これら
合金の磁気性能は、その組成に大きく依存している。
【０００３】ドイツ公開公報３，３０９，４８３号に
は、テルビウム、鉄およびコバルトをベースにし、コバ
ルト含有量４０％以下のアモルファス三元合金からな
り、合金のコバルト含有量とカー回転角およびキュリー
温度がほぼ一次線形関係を持っている、光磁気記録材料
が記載されている。同じことが、ドイツ公開公報３，５
３６，２１０号とジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジクス ６４巻（１９８８）２６２頁に記載の光磁気記
録材料にもいえる。例えば、ドイツ公開公報３，５３
６，２１０号には、希土類と遷移金属からできているア
モルファスフィルムからなり、補償温度が５０〜２００
℃、または０℃以下の光磁気記録材料が記載されてい
る。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系のアモルファスフィルムが使わ
れる場合、５０〜２００℃の補償温度は、２４〜３０原
子％のテルビウムと、７〜２０原子％のコバルトと、残
りが鉄からなる組成により達成され、０℃以下の補償温
度は、１８〜２１．５原子％のテルビウムと、８〜１０
原子％のコバルトと、残りが鉄からなる組成により達成
される。この関係はドイツ公開公報３，５３６，２１０
号に詳細に記載されている。
【０００４】ジャーナル・オブ・アプライド・フィジク
ス ６１巻（１９８７）２６１０頁以降、およびジャー
ナル・オブ・バキューム・サイエンス・テクノロジー
Ａ５巻（１９８７）１９４９頁以降に、たとえば、テル
ビウム含有量が１原子％増加すると補償温度が４０℃動
き得ることが指摘されている。したがって、ソリッド・
ステート・テクノロジー １９８８年３月号１０７頁に
表されているように、層の組成物をコントロールするこ
とは、スパッタープロセスとそれに付随する製造工場の
設計にとって、非常に大切である。テルビウムの濃度
は、層の体積の平均濃度からのずれが０．５％以下であ
るべきである、と一般に言われている。光磁気記録層の
深さ方向の合金成分の組成を所望の程度に均一にし、塗
膜の長手方向あるいは幅方向にわたって合金組成物を一
定に保とうとするためには、例えば、塗装されるディス
クを、塗装中にその回転軸中心に回転させるばかりでな
く、より大きな円に沿って回転させるなどの、かなりの
コントロールが必要である。
【０００５】既知の光磁気記録材料の更なる欠点は、非
常に腐食されやすいことである。この欠点を避け、ある
いは防ぐために、様々な腐食防止剤を光磁気混合物に添
加することが推奨されている（英国特許出願第２，１７
５，１６０号明細書および欧州特許出願第０，２２９，
２９２号明細書）。そのような素材を光磁気記録材料層
の全体に添加することにより、腐食耐性は改良される
が、その他の望ましい性能、例えば可能な限り大きいカ
ー角、高い保磁力、高い記録性能、大きな信号／ノイズ
比およびその他の性能、が犠牲になっている。欧州特許
出願第０，２２９，２９２号明細書に記載の光磁気記録
媒体の場合では、記録媒体の表面における腐食改良素材
の所定濃度を得るために、別の腐食改良素材が第一素材
に添加されている。この方法での欠点は、望まれる光磁
気性能が、別の素材の添加によって、非常に不利に影響
され得ることである。
【０００６】米国特許第４，７４０，４３０号明細書に
は、薄い、腐食改良素材の遮断層が記載されている。す
なわち、別々の層からなる多層構造の光磁気記録媒体が
開示されている。光磁気記録媒体の高い記録密度を達す
るために、光磁気記録層において、できるだけ小さい、
安定な磁区を形成することが可能でなければならない。
このための前提条件は、飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの積
をできるかぎり大きくすることである（クライダー他
ＳＰＩＥプロシーディング ４２０巻２３６頁（１９８
３））。既知の光磁気記録材料では、飽和磁化と保磁力
の積をできるだけ大きくすることは、補償温度Ｔcomp近
辺のごく狭い温度領域でしか達成できない。
【０００７】最近、情報の直接重ね書きに適した光磁気
記録材料が提示された（米国特許第４，６９４，３５８
号明細書、同４，６４９，５１９号明細書、欧州特許出
願第０，２２５，１４１号明細書、同０，２２７，４８
０号明細書、および同０，２１７，０９６号明細書）。
これらのいずれの場合も、光磁気記録媒体に使われた構
造は、異なった磁気性能をもつ二つに分離した層が、一
方の上にもう一方が塗設されたものである。
【０００８】欧州特許出願第０，２１７，０９６号明細
書および同０，２２７，４８０号明細書には、構造中
に、すなわち、光磁気記録層と磁気バイアス層（ｍａｇ
ｎｅｔｉｃ ｂｉａｓｓｉｎｇ ｆｉｅｌｄ）を生成す
る磁化層の間に、断熱中間層を有する光磁気記録媒体が
記載されている。前述の刊行物の他方にも、そのような
中間層が推奨されている。さもなければ、合金成分が磁
化層に拡散することが起こり得るからである。もちろ
ん、そのような合金成分の拡散は、光磁気記録媒体の性
能を変化させてしまう。
【０００９】もうひとつの光磁気記録保存の長期間の安
定性を上げるための方法が、ドイツ公開公報第３，６４
２，１６１号に従った方法で提案されている。この方法
では、支持体上に引き続いて行う誘電層の、光磁気記録
層の、また保護層の塗布中および（または）塗布後、事
実上乾燥雰囲気で、室温からちょうど光磁気層の結晶温
度までの温度で加熱を行う。
【００１０】記録情報の再生精度と光磁気記録媒体の長
期間安定性に関して、一般に使用されるプラスチック支
持体、すなわちポリカーボネート、ポリメチルメタクリ
レート、エポキシ樹脂、ポリスルフォン、ポリエーテル
スルフォン、ポリエーテルイミドおよびその様な材料か
らなるもの、が特に重要であることがわかった。何故な
らば、たとえば支持体材料の熱的寸法安定性および複屈
折が情報再生の精度に実質的に影響するからであり、ま
たこれらの材料の吸湿性が、腐食耐性に、ひいては記録
層の物理的性能の長期安定性に実質的に影響するからで
ある。
【００１１】既知のプラスチックを含む支持体材料は、
プラスチック鎖が支持体材料のある一定方向に配向する
ために、固有の複屈折性、つまり分子分極の異方性を持
っている。二つの可干渉性直線偏光の波動（その電子ベ
クトルが、相互に直交した方向に、支持体材料または支
持体シートを透過する）は分子の異なった分極のために
異なった範囲に屈折されて、波動の位相のずれを生じ
る。位相差の大きさは、波動がディスクを通って伝わる
距離と二つの異なった屈折率の差により決まる。分子分
極の異方性の測定値として与えられる複屈折自体、二つ
の屈折率の差異として与えられる。支持体材料中のその
ようなプラスチック鎖の配向状態のために、異なった方
向の複屈折は見かけ上、異なった値を示すこともある。
【００１２】欧州特許出願第０，３１０，６８０号明細
書は、アモルファスのエチレン／テトラシクロドデセン
共重合体からなり、かつ、テルビウム、鉄およびコバル
トならびに別の合金成分としての白金またはパラジウム
からなる、四元素アモルファス希土類／遷移金属合金か
らなる光磁気記録層を有する支持体を有する記録媒体を
開示している。さらにこの公報は、光磁気記録層として
の、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏ、あるいはＰ
ｄ、Ｔｂ、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏからなる、五元素合金
をも開示している。
【００１３】欧州特許出願第０，３８７，０１６号明細
書の例４には、エチレンと１，４，５，８−ジメタノ−
１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナ
フタレン（以後ＤＭＯＮと略する）のアモルファス共重
合体からなる支持体上にスパッタリングして形成され
た、Ｔｅ50Ｇｅ40Ｃｒ10からなる光磁気記録層が開示さ
れている。他に知られている支持体用の材料としては、
米国特許第４，６１４，７７８号明細書、および欧州特
許出願第０，３８７，０１８号明細書第５欄第５行から
第２４行に記載されている、ポリカーボネートおよびポ
リスチレンのポリマーアロイ、およびシクロオレフィン
ポリマーがある。
【００１４】
【問題を解決するための手段】本発明の目的は、光磁気
記録媒体の熱的な寸法安定性および加水分解耐性を増加
させ、かつ吸湿性および複屈折を減少させることで、デ
ータの記録および再生用多層記録媒体を改良することで
ある。
【００１５】上記目的は、本発明に従い、冒頭に述べた
タイプの光磁気記録媒体であって、支持体を下記一般式
［Ｉ］〜［ＶＩ］の単量体の少なくとも一種を開環させ
ずに重合させたポリサイクリックオレフィンのポリマー
で形成させること、により達成される。
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】 （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７
およびＲ８は同一または異なった、水素原子またはＣ１
〜Ｃ８アルキル基であり、同一の置換基でも、異なった
一般式では異なった意味を有する場合もある。）
【００１６】支持体のさらなる態様は、請求項２〜５の
記載から明らかになる。特に、ノルボルネン／エチレン
あるいはテトラシクロドデセン／エチレン共重合体を含
んでなるものであり、例えばこの支持体はノルボルネン
とエチレンの共重合体で、１４０〜２００℃のガラス転
移点の範囲で熱的な寸法安定性を有するものである。
【００１７】本発明の態様では、記録媒体の光磁気記録
層は、遷移金属であるＦｅおよびＣｏと、および、Ｇ
ｄ、ＴｂおよびＤｙからなる群から選ばれる少なくとも
一種の希土類金属とからなるアモルファス希土類／遷移
金属合金を含んでなり、記録層は表面に対し直交する易
磁化性の軸を持ち、１８〜３０ｎｍの間の厚さをもち、
そしてこの合金は、Ｐｔ、ＳｅおよびＣｒからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種の元素をさらに含んでなる。
光磁気記録層の厚さは２３〜２８ｎｍが有利である。
【００１８】本発明のさらなる態様は、請求項９〜２６
から明らかになる。図示の実施態様を参照しながら、本
発明を説明すれば、下記の通りである。図１は本発明に
よる記録媒体の断面を図式的に表したものである。
【００１９】記録ディスク９は、付加被覆フィルム１お
よび７を両面に付与された記録媒体８を具備している。
二つの被覆フィルムは、紫外線照射の助力により硬化す
る。記録媒体上の被覆フィルム１は、特に引っ掻き傷耐
性向上の効果があり、またディスク操作中にディスク９
の表面に埃が付着することを低減して、結果的に記録媒
体８のデータ再生の信頼性をより向上させる。被覆フィ
ルム７は、特に、記録媒体８の機械的保護に役立ってい
る。光磁気記録媒体８は、ディスク形状をしており、支
持体２上に少なくとも４層の層構造を有する。支持体２
上の４層構造は、たとえば、誘電層３、光磁気記録層
４、別の誘電層５、および反射層６、からなる。反射層
６と上側の誘電層５を入れ替えて、反射層６を直接光磁
気記録層４の上に存在させることも可能である。支持体
２は、一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］の単量体の少なくとも一
種の非開環重合によるポリサイクリックオレフィンのポ
リマーを一種以上含んでなる。
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】 （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７
およびＲ８は同一または異なった、水素原子またはＣ１
〜Ｃ８アルキル基であり、同一の置換基でも、異なった
一般式では異なった意味を有する場合もある。）支持体
２の材料は、下記一般式［ＶＩＩ］のシクロオレフィン
をも含んでもよい。
【化２９】 （ここで、ｎは２〜１０の数である。）支持体２は、さ
らなる添加成分として下記一般式［ＶＩＩＩ］の非環式
１−オレフィンを含んでもよい。
【化３０】 （ここでＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は同一また
は異なった、水素原子またはＣ１〜Ｃ８アルキル基であ
る。）
【００２０】支持体材料に好ましく使われるシクロオレ
フィン共重合体（以下ＣＯＣと略する）は、ノルボルネ
ン／エチレンあるいはテトラシクロドデセン／エチレン
共重合体のようなシクロオレフィン共重合体である。こ
れらは特に、１４０〜２００℃のガラス転移点の温度範
囲で熱的な寸法安定性を有しているノルボルネンとエチ
レンの共重合体である。基本的なＣＯＣタイプと比較す
ると、他のノルボルネン誘導体は、異なった１−オレフ
ィン類とも共重合していることもある。異なったＣＯＣ
タイプの共重合体を混合したものも使用することができ
る。
【００２１】別の態様として、支持体２は、以下の
（イ）、（ロ）および（ハ）を満たすような態様である
ことが好ましい。 （イ）一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］の単量体の少なくとも一
種を開環させずに重合させたポリサイクリックオレフィ
ンのポリマーを、単量体総量基準で０．１〜１００重量
％の割合で含んでなり、
【化３１】
【化３２】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【化３６】 （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７
およびＲ８は同一または異なった、水素原子またはＣ１
〜Ｃ８アルキル基であり、同一の置換基でも、異なった
一般式では異なった意味を有する場合もある。） （ロ）単量体総量基準で、０〜９９．９重量％の一般式
［ＶＩＩ］のシクロオレフィンを含んでなり、
【化３７】 （ここで、ｎは２〜１０の数である。） （ハ）単量体総量基準で、０〜９９．９重量％の一般式
［ＶＩＩＩ］の非環式１−オレフィンを含んでなる。
【化３８】 （ここでＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は同一また
は異なった、水素原子またはＣ１〜Ｃ８アルキル基であ
る。）
【００２２】支持体２に用いる基本的なＣＯＣタイプ共
重合体の主要性能は、以下にまとめるとおりである。 （１）この材料はアモルファスであり、ガラス転移点は
約２００℃までである。 （２）無色透明である。 （３）１４０〜２００℃のガラス転移点の範囲で熱的寸
法安定性を持っている。 （４）密度が１．０１〜１．０３ｇ／ｃｍ３である。 （５）屈折率が１．５２〜１．５４である。 （６）２３℃相対湿度８５％での吸湿は０．０４％未満
である。 （７）弾性率は３．２〜３．６ＧＰａである。 （８）破壊応力は４０〜６６ＭＰａである。 （９）この材料は、トルエン、キシレン、シクロヘキサ
ン、「エクソール」（水素化されたディーゼルフラクシ
ョン）、クロロホルムおよびジエチルエーテルに可溶で
ある。 （１０）この材料は、水、アルコール類、ケトン（アセ
トン）、エステルおよびアミド（ＤＭＦ、ＤＭＡＣおよ
びＮＭＰ）に不溶である。 （１１）この材料は、水性および高濃度の塩酸および硫
酸のような酸類、および水酸化ナトリウムならびに水酸
化カリウムのような塩基に対して、化学的な耐性を持
つ。
【００２３】別の基本的な、支持体２に用いるＣＯＣタ
イプ共重合体の主要性能は、固有の複屈折率が低く、す
なわち、分子分極の異方性が小さく、かつ加水分解耐性
があることである。
【００２４】高いガラス転移点において、ノルボルネン
／エチレン共重合体の場合のほうが、ＤＭＯＮ／エチレ
ン共重合体の場合よりも、高い分極等方性のレベルが達
成されるので、ノルボルネン／エチレン共重合体のほう
がＤＭＯＮ／エチレン共重合体よりも好ましい。
【００２５】各ＣＯＣタイプ共重合体の合成例、および
特別なメタロセン触媒を使用した塊状重合法によるＣＯ
Ｃタイプ共重合体の合成プロセスに記述はドイツ特許出
願第Ｐ４０３６２６４．７（Ｈｏｅ９０／Ｆ３３９）に
示されている。メタロセン基の触媒を使用した重合反応
は、これらの化合物の安全性から、少なからず好まし
い。バナジウムベースの触媒を使用した支持体材料の合
成法は特に危険である。バナジウムは極めて有毒であ
り、概して支持体材料中に微量のバナジウムが残るの
で、後者が再生利用される場合には特別な安全策が必要
とされる。
【００２６】光磁気記録層は、例えば以下の一般式で示
される化合物であるところの、希土類／遷移金属合金で
ある。 （Ｔｂx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-a Ｍa ここで、Ｍは、Ｐｔ、ＳｅおよびＣｒの群から選ばれる
元素に相当する。それぞれの合金成分は、原子含有率で
以下の範囲の値を取り得る。 ０．２０≦ｘ≦０．２８ ０．６４≦ｙ≦０．７２ ０ ≦ａ≦０．１０ 光磁気記録層４の特別な態様では、希土類／遷移金属合
金の組成物は（ＴｂxＦｅy Ｃｏ1-x-y ）1-b Ｃｒb で
ある。ここで、０．２２≦ｘ≦０．２８、０．５８≦ｙ
≦０．７０、および０．０３≦ｂ≦０．０８である。合
金成分であるＣｒは、例えば、テルビウム−鉄−コバル
ト合金では、含有率が６原子％であることが好ましく、
従って、それは例えばＴｂ0.22Ｆｅ0.65Ｃｏ0.07Ｃｒ
0.06の組成を有している。合金総量に対して、３．０〜
８．０原子％の範囲のクロム、０．７〜５原子％、好ま
しくは１〜３原子％の範囲の白金、あるいは１〜１０原
子％の範囲のセレンが、記録層４の希土類／遷移金属合
金に混合されるのが一般的に適当である。そのような白
金を含有する希土類／遷移金属合金は、例えば、（Ｔｂ
x Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-c Ｐｔc の組成をもつ。ここ
で、０．２２≦ｘ≦０．２８、０．６４≦ｙ≦０．７
０、および０．００７≦ｃ≦０．０５であり、好ましく
は、０．０１≦ｃ≦０．０３である。ＧｄＦｅＣｏ、Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＤｙＣ
ｏ、またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏの希土類／遷移金属合
金のうちのひとつを含む、他の光磁気記録層も、もちろ
ん記録媒体８として適当である。
【００２７】光磁気記録層４を挟む誘電層３および５
は、通常、同じ化合物で製造されるが、ふたつの誘電層
に異なる素材を使用することも可能である。適切な材料
としては、窒化物、例えば、ＳｉＮｘ（ここでｘは０．
９≦ｘ≦１．４である）、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ａ
ｌＮまたはＡｌＯＮなど、あるいは酸化物、例えば、Ｔ
ａ２Ｏ５、ＴａＯｘまたはＮｂＯｘ（ここで１≦ｘ≦２
である）など、である。誘電層の厚さは、同一でも異な
っていてもよい。支持体２と光磁気記録層４の間の第一
の誘電層３の厚さは３０〜１４０ｎｍの範囲、特に５０
〜８０ｎｍの範囲である。誘電層３の厚さが３０〜１４
０ｎｍの範囲のとき、屈折率ｎは１．９〜２．２の範囲
である。誘電層３の厚さが５０〜８０ｎｍの範囲のと
き、屈折率ｎは２．０〜２．１の範囲である。光磁気記
録層４と反射層６の間に設置される第二の誘電層５の厚
さは、一般に第一の誘電層３よりも少し薄くてよくて、
１０〜６０ｎｍの範囲である（屈折率ｎは１．９〜２．
２である）。第二の誘電層５の厚さは、２５〜４０ｎｍ
であることが好ましい（屈折率ｎが２．０〜２．１）。
第二の誘電層５として、適切な他の材料は、とりわけ厚
さが２０〜５０ｎｍである窒化アルミニウムである。反
射層６もまた、ジルコニウム、タンタル、チタンおよび
クロムからなる群より選ばれる金属を添加したアルミニ
ウムを含んでなる。アルミニウム反射層６にこのような
他の金属を合金化するときは、２種の金属が反射層６の
表面に直角の方向に濃度勾配を持つようにする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
１ 被覆フィルム ２ 支持体 ３ 第一誘電層 ４ 光磁気記録層 ５ 第二誘電層 ６ 反射層 ７ 被覆フィルム ８ 光磁気記録媒体
フロントページの続き (72)発明者 クリストフ、ウェバー ドイツ連邦共和国ドライアイヒ、ヨインビ ラー、シュトラーセ、24

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】支持体上に、層が他の層の上に塗設される
    ような構造で、２層の誘電層、１層の反射層、１層の光
    磁気記録層の少なくとも４層構造を有し、該支持体が下
    記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］の単量体の少なくとも一種の
    非開環重合によるポリサイクリックオレフィンのポリマ
    ーからなるものであることを特徴とする光磁気記録媒
    体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７
    およびＲ８は同一または異なった、水素原子またはＣ１
    〜Ｃ８アルキル基であり、同一の置換基でも、異なった
    一般式では異なった意味を有する場合もある。）
  2. 【請求項２】支持体が下記一般式［ＶＩＩ］のシクロオ
    レフィンをさらに含んでなる、請求項１に記載の光磁気
    記録媒体。 【化７】 （ここで、ｎは２〜１０の数である。）
  3. 【請求項３】支持体が、下記一般式［ＶＩＩＩ］の非環
    式１−オレフィンをさらに含んでなる、請求項１または
    ２いずれかに記載の光磁気記録媒体。 【化８】 （ここでＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は同一また
    は異なった、水素原子またはＣ１〜Ｃ８アルキル基であ
    る。）
  4. 【請求項４】支持体が請求項１〜３で述べたポリマーの
    うち異なったものを混合した混合物を含んでなる、請求
    項１〜３いずれかに記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】以下の（イ）、（ロ）、（ハ）および
    （ニ）を特徴とする、支持体を有する光磁気記録媒体。 （イ）支持体上に、層が他の層の上に塗設されるような
    構造で、２層の誘電層、１層の反射層、１層の光磁気記
    録層の少なくとも４層構造を有し、 （ロ）上記支持体が下記一般式［Ｉ］〜［ＶＩ］の単量
    体の少なくとも一種の非開環重合によるポリサイクリッ
    クオレフィンを単量体の総量基準で０．１〜１００重量
    ％の割合で含んでなり、 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 【化１４】 （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７
    およびＲ８は同一または異なった、水素原子またはＣ１
    〜Ｃ８アルキル基であり、同一の置換基でも、異なった
    一般式では異なった意味を有する場合もある。） （ハ）単量体総量基準で、０〜９９．９重量％の一般式
    ［ＶＩＩ］のシクロオレフィンを含んでなり、 【化１５】 （ここで、ｎは２〜１０の数である。） （ニ）単量体総量基準で、０〜９９．９重量％の一般式
    ［ＶＩＩＩ］の非環式１−オレフィンを含んでなる。 【化１６】 （ここでＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は同一また
    は異なった、水素原子またはＣ１〜Ｃ８アルキル基であ
    る。）
  6. 【請求項６】支持体がノルボルネン／エチレン共重合体
    またはテトラシクロドデセン／エチレン共重合体を含
    む、請求項１〜５のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】支持体２がノルボルネンとエチレンの共重
    合体を含んでなり、１４０〜２００℃のガラス転移点の
    範囲で、熱的な寸法安定性をもつ、請求項１〜６のいず
    れかに記載の光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】光磁気記録層が、遷移金属としてＦｅとＣ
    ｏを含み、Ｇｄ、Ｔｂ、およびＤｙの群から選ばれる希
    土類金属を少なくとも一種含むアモルファス希土類／遷
    移金属合金からなり、かつ、光磁気記録層が表面に対し
    直交する易磁化性の軸をもち、厚さが１８〜３０ｎｍの
    間であり、そして、Ｐｔ、ＳｅおよびＣｒからなる群よ
    り選ばれる少なくとも一種の元素を合金の一部としてさ
    らに含む、請求項１〜７のいずれかに記載の光磁気記録
    媒体。
  9. 【請求項９】光磁気記録層の厚さが２３〜２８ｎｍであ
    る、請求項１〜８のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
  10. 【請求項１０】光磁気記録層が下記の組成の希土類／遷
    移金属合金である、請求項８に記載の光磁気記録媒体。 （Ｔｂx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-a Ｍa ここで ０．２０≦ｘ≦０．２８ ０．６４≦ｙ≦０．７２ ０ ≦ａ≦０．１０ Ｍは、Ｐｔ、ＳｅおよびＣｒの群から選ばれる元素であ
    る。
  11. 【請求項１１】光磁気記録層が、下記の組成の希土類／
    遷移金属合金である、請求項１０に記載の光磁気記録媒
    体。 （Ｔｂx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-b Ｃｒb ここで ０．２２≦ｘ≦０．２８ ０．６４≦ｙ≦０．７０ ０．０３≦ｂ≦０．０８
  12. 【請求項１２】光磁気記録層が、下記の組成の希土類／
    遷移金属合金である、請求項１０に記載の光磁気記録媒
    体。 Ｔｂ0.22Ｆｅ0.65Ｃｏ0.07Ｃｒ0.06
  13. 【請求項１３】光磁気記録層が、下記の組成の希土類／
    遷移金属合金である、請求項１０に記載の光磁気記録媒
    体。 （Ｔｂx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-c Ｐｔc ここで ０．２２ ≦ｘ≦０．２８ ０．６４ ≦ｙ≦０．７０ ０．００７≦ｃ≦０．０５
  14. 【請求項１４】光磁気記録層が、下記の組成の希土類／
    遷移金属合金である、請求項１０に記載の光磁気記録媒
    体。 （Ｔｂx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ）1-d Ｓｅd ここで ０．２２≦ｘ≦０．２８ ０．６４≦ｙ≦０．７０ ０．０１≦ｄ≦０．０５
  15. 【請求項１５】光磁気記録層が、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＧ
    ｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＤｙＣｏ、お
    よびＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏの希土類／遷移金属合金のう
    ちのひとつからなる、請求項１〜９のいずれかに記載の
    光磁気記録媒体。
  16. 【請求項１６】合金総量基準で、３〜８原子％の範囲の
    クロム、０．７〜５原子％、好ましくは１〜３原子％の
    範囲の白金、あるいは１〜１０原子％の範囲のセレン
    が、光磁気記録層の希土類／遷移金属合金に合金化され
    ている、請求項１５に記載の光磁気記録媒体。
  17. 【請求項１７】光磁気記録層が、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、
    ＳｉＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＯ
    ｘおよびＮｂＯｘ（ここでＳｉＮｘについては０．９≦
    ｘ≦１．４、ＴａＯｘおよびＮｂＯｘについては１≦ｘ
    ≦２である）からなる２層の誘電層に挟まれている、請
    求項１に記載の光磁気記録媒体。
  18. 【請求項１８】支持体と光磁気記録層の間の第一誘電層
    が厚さが３０〜１４０ｎｍで、屈折率が１．９〜２．２
    である、請求項１７に記載の光磁気記録媒体。
  19. 【請求項１９】第一誘電層が厚さが５０〜８０ｎｍで、
    屈折率が２．０〜２．１である、請求項１８に記載の光
    磁気記録媒体。
  20. 【請求項２０】光磁気記録層と反射層の間に設置された
    第二誘電層が厚さが１０〜６０ｎｍで、屈折率ｎが１．
    ９〜２．２である、請求項１７に記載の光磁気記録媒
    体。
  21. 【請求項２１】第二誘電層が厚さが２５〜４０ｎｍで、
    屈折率ｎが２．０〜２．１である、請求項２０に記載の
    光磁気記録媒体。
  22. 【請求項２２】第二誘電層が、窒化アルミニウムからな
    り、厚さが２０〜５０ｎｍである、請求項８に記載の光
    磁気記録媒体。
  23. 【請求項２３】反射層６が、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡ
    ｕからなる群から選ばれる金属であり、厚さが２０〜８
    ０ｎｍの範囲である、請求項１〜８のいずれかに記載の
    光磁気記録媒体。
  24. 【請求項２４】反射層６が、Ｚｒ、Ｔａ、ＴｉおよびＣ
    ｒからなる群より選ばれる金属を添加したアルミニウム
    からなる、請求項２３に記載の光磁気記録媒体。
  25. 【請求項２５】反射層の２種の金属が、その表面に対し
    て、直角の方向に濃度勾配をもつ、請求項２４に記載の
    光磁気記録媒体。
  26. 【請求項２６】記録媒体が、その表面と裏面に保護被覆
    フィルム７および１を付与されている、請求項１〜２５
    いずれかに記載の光磁気記録媒体。
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