JPH0315590A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの照射に
より基板上の記録層の一部の光学定数を変化させて情報
を記録するようにした、いわゆる相変化型の光記録媒体
に関する。

発明の技術的背景 現在知られている代表的な光記録媒体として、次の三つ
のタイプの光記録媒体がある。第１のタイブの光記録媒
体は、ピット形成タイプの光記録媒体であり、記録層に
情報に対応してエネルギービームを照射して穴（ピット
）を配列することにより、情報の記録および再生が可能
になっている。

第２のタイプの光記録媒体は、光磁気記録媒体で２ あり、膜面に垂直な方向に磁化されることが可能な記録
層の磁化方向を情報に対応して変化させることにより、
情報の記録および再生が可能になっている。第３のタイ
プの光記録媒体は、相変化タイプの光記録媒体であり、
記録層の一部の材質を結晶状態から非品質状態もしくは
その逆に変化させて、その部分の光学定数を他の部分と
変えることにより、情報の記録および再生が可能になっ
ている。

しかしながら、このような３タイプの光記録媒体にあっ
ては、それぞれ一長一短がある。たとえば、ピット形成
タイプの光記録媒体にあっては、書き換えが不可能であ
る。また、情報の書き込みのために比較的大きなエネル
ギー出力を要すると共に、ピット形状の制御が困難であ
り、雑音が生じ易いという問題点を有する。また、ピッ
ト形成タイプの光記録媒体にあっては、エネルギービー
ムを照射して記録層の一部を蒸散させてピットを形成す
る都合上、記録層を保護層で覆うことができないことか
ら、単板仕様で用いることができないと共に、２枚の記
録媒体を記録層相互を対向させて貼り合せる場合にもエ
アーサンドイッチ構造にせざるを得ず、衝撃に弱く、構
造的に弱いという問題点を有している。

また、光磁気タイプの光記録媒体にあっては、組成の変
化による品質の変動が大きく、一定の品質の記録媒体を
製造することが困難であるという問題点を有する。また
、このタイプでは、情報の記録再生方式が複雑であり、
記録再生装置のコストが高くなるという不都合を有して
いる。

相変化タイプの光記録媒体にあっては、上述したような
ピット形成タイプおよび光磁気タイプの光記録媒体が有
する不都合を有さない。しかしながら、従来の相変化タ
イプの光記録媒体にあっては、ピット形威タイプの光記
録媒体に比べて、情報再生時における検出信号の強度が
小さいという不都合を有していた。また、光記録媒体に
おける結晶部分と非結晶部分とを比較した場合に、結晶
部分の方が安定であるため、非結品部分が徐々に結晶化
され、そのことが光記録媒体のＣ／Ｎ　（情＼ 報再生時における雑音に対する検出信号の割合）を低下
させる要因となっていた。

なお、特開昭６２−３００８６号公報に示すように、Ｔ
ｅ，ＧｅＸＳｎを主成分として含み、Ｃｒを選択的に含
有する記録層を有する相変化タイプの光記録媒体は従来
から知られている。しかしながら、この公報に開示され
た光記録媒体にあっては、Ｓｎを含むため結晶化温度が
低くなり耐久性にやや難点があった。また、より一層の
Ｃ／Ｎの向上が望まれていた。

発明の目的 本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり
、情報読み出し時におけるＣ／Ｎが高く、しかも耐久性
に優れた光記録媒体を提供することを目的としている。

発明の概要 本発明は、基板と、この基板上に形威された記録層とか
らなり、この記録層にエネルギービームを照射すること
により、この記録層の一部の光学定数を変化させて情報
を記録するようにした光記５ 録媒体において、 前記記録層は、Ｔｅ，ＧｅおよびＣｒを含む薄膜であり
、 前記記録層に含まれるＣｒの含有割合が、記録層を構成
する全原子数に対して、１〜３０原子％の範囲にあるこ
とを特徴としている。

また別の観点から本発明は、基板と、この基板上に形成
された記録層とからなり、この記録層にエネルギービー
ムを照射することにより、この記録層の一部の光学定数
を変化させて情報を記録するようにした光記録媒体にお
いて、 前記記録層は、Ｔｅ，ＧｅおよびＣｒ・を含む薄膜であ
り、 前記記録層に含まれるＴｅ，ＧｅおよびＣｒの原子数比
を、（Ｔｅ　ＧｅｌＯＯ−ｘ）ｌ００−ｙＣｒｙＸ のＸ％Ｖで表わした場合に、３０≦ｘ≦９０および１≦
ｙ≦３０であることを特徴としている。

なお、本発明で光学定数（Ａ）とは、次の式で表わされ
る。

光学定数（Ａ）＝ｎ−ｉｋ ６ ただしｎは反射率、ｋは消衰係数、ｉは虚数である。

このような光記録媒体によれば、Ｔｅ以外にＧｅおよび
特定量のＣｒを含有させた記録層を有しているため、記
録用レーザ光照射前後のコントラスト比（再生用レーザ
光の反射率差）が大幅に改善され、情報再生時における
Ｃ／Ｎが向上する。

また、本発明によれば記録層の結晶化温度が高くなるこ
とから、記録媒体としての耐久性も向上する。

発明の具体的説明 以下、本発明を図面に示す実施例を参照しつつ詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の断面図で
ある。

第１図に示すように、本発明の一実施例に係る光記録媒
体１０は、基板３と、この基板３の表面に形威された記
録層２と、この記録層２の表面に形威された保護層１と
から構成されている。なお、本発明では保護層１は必ず
しも設けなくとも良い。

７ 基板３としては、たとえばガラスあるいはアルミニウム
等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ボリ
カーボネート、ポリヵーボネートとボリスチレンのボリ
マーアロイ、米国特許第４．　６１４，　７７８号明細
書に開示してあるような環状オレフィンランダム共重合
体、下記の環状オレフィンランダム共重合体（Ａ）、ボ
リ４−メチル−１−ペンテン、エボキシ樹脂、ポリエー
テルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド
等の有機材料を用いることができる。この中では、ポリ
メチルメタクリレート、ボリカーボネート、米国特許第
４．６１４，．７７８号明細書に記載のような共重合体
および下記の環状オレフィンランダム共重合体（Ａ）が
好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に記録膜との密着性が良く、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記一般式［Ｉ］で表わされ
る環状オレフィンとの共重合体からなる環状オレフィン
ランダム共重合体（Ａ）が挙げられる。

８ 式［Ｉ］で表わされる他、以下に記載する式［■ａ］で
表わすこともできる。

（式［Ｉ］において、ｎは０もしくは正の整数でｔｉ＜
あり、Ｒ１ないしＲ１２はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子または炭化水素基を示し、Ｒ９〜Ｒｌ２は、互いに
結合して単環または多環の基を形成していでもよく、か
つ該単環または多環の基が二重結合を有していてもよく
、 またＲ　とＲ１０とで、またはＲｌ１とＲ１２とで、９ アルキリデン基を形成していてもよい）。

以下この環状オレフィン共重合体（Ａ）について、さら
に詳し《説明する。

まず、上記一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンに
ついてさらに詳しく説明すると、上記一般式［Ｉ］で表
わされる環状オレフィンは、上記９ ただし、上記［　Ｉ−ａ］において、ｎは０または１で
あり、ｍは０または正の整数であり、Ｒ１〜Ｒ１８は、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水
素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表わす。

そして、Ｒ１５〜Ｒ１８は、互いに結合して単環または
多環の基を形成していてもよく、かっ該単環または多環
の基が二重結合を有していてもよい。

１５１６ また、Ｒ　とＲ　とで、またはＲ１７とＲ１８とで１０ アルキリデン基を形威していてもよい。

一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンとして、具体
的には、 ２．５　　７．１０ テトラシクロ［４．４．０．１　　　　１　　　］−３
−ドデセン（１４．５．８−ジメタノ−１．　２．　３
，　４，　４ａ，５，　８．　８ａ−オクタヒドロナフ
タレン）のほかに、２−メチル−１　４　５　８−ジメ
タノ−１　２　３　４　４ａ　５　８　８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン、２−エチル−１．　４，　５．　８−
ジメタノ１，　２，　３．　４，　４ａ，　５，　８．
　８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−プロビル−１．
４５１１−ジメタノ−１　２　３　４　４ａ　５，８，
８ａ−オクタヒド口ナフタレン、２−へキシル１４５８
−ジメタノ−１　２　３．４．４ａ　５．８．８ａ−オ
クタヒド口ナフタレン、２．３−ジメチル−１．　４．
　５．　８−ジメタノ−１　２　３　４　４ａ　５　８
　８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−メチル−３−エ
チル−１．　４，　５．　８−ジメタノ−Ｉ，　２，　
３．　４．　４ａ，　５，　８．　８＋＋−オクタヒド
ロナフタレン、２−クロロ−］，　４，　５．　８−ジ
メタノ−１．　２，　３．　４．　４ａ，　５，　８，
　８ａオクタヒドロナフタレン、２−プロモー１．　４
，　５．　８−ジメタノ−１．　２．　３．　４．　４
ａ，　５．　８．　８ａ−オクタヒド口ナフタレン、２
−フルオロ−１．　４，　５．　８−ジメタノ−１２３
１１ ４．　４ａ，　５，　８．　８ｇ−オクタヒド口ナフタ
レン、２３−ジクロ口川，　４，　５．　８−ジメタノ
−１．２，３．４．４ａ　５　８　８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン、２−シクロヘキシル−１４５，８−ジメタ
ノ−１．２，３．４　４ａ　５．８　８ｇ−オクタヒド
口ナフタレン、２−ｎ−ブチルー１．４５．８−ジメタ
ノ１，　２．　３，　４，　４ａ．　５，　８．　８ａ
−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチルー１，　４
，　５．　８−ジメタノ−１　２　３　４　４ａ　５８
．８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド口ナ
フタレン類などを例示することができる。

さらに、式で表わされる環状オレフィン［Ｉ］の例とし
ては、以下に記載する化合物を挙げることができる。

（以下余白） １２ ２１，ｌ１３．２９，ＱＩ４．１！ＩＪ＋５．１１１１
，５−ペンタコセン セン など（１）ヘン９　シクロ［４，７，０，１２１５，Ｑ
ｉ’３．１’・１２］−３−ペンタデセン誘導体 コセン １２＠．Ｑ１１１９．１１１５．１１１］−５−ペンタ
コセン など（７）　／　ナシクロ［９，　１０，　１．　１”
．０３−’，０２Ｉｅ．０１２，＋，ｌ１３．２＠，０
１４．Ｉ９，１１６．１１１］　−５−ペンタコセン誘
導体を挙げることができる。

（以下余白） ２・１５コー４−エイコセン などのへプタシクロ［　７，　８，　０．　１３・６．
０２・ｖ．ｌ＋ｅ．＋？，Ｑ１１．１６．１１！．１５
コー４−エイコセン誘導体；このような環状オレフィン
系ランダム共重合体は、上記のようにエチレンおよび前
記環状オレフィンを必須成分とするものであるが、該必
須の二成分の他に本発明の目的を損なわない範囲で、必
要に応じて他の共重合可能な不飽和単量体成分を含有し
ていてもよい。任意に共重合されていてもよい該不飽和
単量体として、具体的には、たとえば生成するランダム
共重合体中のエチレン成分単位と等モル未満の範囲のプ
ロピレン、１−プテン、４−メチル−１−ペンテン、１
−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン
、１−テトラデセン、ｌ−へキサデセン、１−オクタデ
セン、１−エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα
−オレフィンなどを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体におい
て、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０〜
８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存在
しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単
位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０モ
ル％の範囲１５ で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ
）および該環状オレフインに由来する繰り返し単位（ｂ
）は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エ
チレン組成および環状オレフィン組成は”Ｃ−ＮＭＲに
よって測定した。この環状オレフィン系ランダム共重合
体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していない
ことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶
解することによって確認できる。

このような環状オレフイン系ランダム共重合体の１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０．０５
〜ｌ　Ｑ　ｄｉ　／ｇ，好ましくは０．０８〜５ｄｌ／
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体のサーマル・メ
タニカル・アナライザーで測定した軟化温度（ＴＭＡ）
は、７０℃以上が好ましく、特に好ましくは９０〜２５
０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある
。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅ＋ｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌＡｎａｌｙｓｅ＋を用いて１　
ｍｍ厚さシートの熱変形挙動に１６ より測定した。すなわちシート上に石英製針をのせ、荷
重４９ｇをかけ、５°Ｃ／分で昇温しでいき、針が０．
６３５ｍｍ侵入した温度をＴＭＡとした。

また、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃、好まし
くは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体のＸ線回
折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、好まし
くは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板と、この基板上に形成された記録層とからなり
   、この記録層にエネルギービームを照射することにより
   、この記録層の一部の光学定数を変化させて情報を記録
   するようにした光記録媒体において、 前記記録層は、Ｔｅ、ＧｅおよびＣｒを含む薄膜であり
   、 前記記録層に含まれるＣｒの含有割合が、記録層を構成
   する全原子数に対して、１〜３０原子％の範囲にあるこ
   とを特徴とする光記録媒体。 ２）基板と、この基板上に形成された記録層とからなり
   、この記録層にエネルギービームを照射することにより
   、この記録層の一部の光学定数を変化させて情報を記録
   するようにした光記録媒体において、 前記記録層は、Ｔｅ、ＧｅおよびＣｒを含む薄膜であり
   、 前記記録層に含まれるＴｅ、ＧｅおよびＣｒの原子数比
   を、（Ｔｅ＿ｘＧｅ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿
   ０＿−＿ｙＣｒ＿ｙのｘ、ｙで表わした場合に、３０≦
   ｘ≦９０および１≦ｙ≦３０である光記録媒体。