JPH03252930A - 再生専用光ディスク - Google Patents
再生専用光ディスクInfo
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- JPH03252930A JPH03252930A JP4894990A JP4894990A JPH03252930A JP H03252930 A JPH03252930 A JP H03252930A JP 4894990 A JP4894990 A JP 4894990A JP 4894990 A JP4894990 A JP 4894990A JP H03252930 A JPH03252930 A JP H03252930A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、反射膜を備えた再生専用光ディスクに関し、
さらに詳しくは、耐腐食性あるいは耐湿性に優れ、高反
射率を有する反射膜を備えた再生専用光ディスクに関す
る。
さらに詳しくは、耐腐食性あるいは耐湿性に優れ、高反
射率を有する反射膜を備えた再生専用光ディスクに関す
る。
発明の技術的背景
コンパクトディスク、レーザーディスクなどの再生専用
光ディスク、あるいは追記型ディスクなどの光ディスク
、さらには書換え可能な光磁気ディスクなどの光を用い
た情報記録媒体では、再生感度を高めるなどの目的で、
反射膜が設けられる場合が多い。
光ディスク、あるいは追記型ディスクなどの光ディスク
、さらには書換え可能な光磁気ディスクなどの光を用い
た情報記録媒体では、再生感度を高めるなどの目的で、
反射膜が設けられる場合が多い。
たとえばコンパクトディスクなどの再生専用光ディスク
では、情報パターンが表面に記録されている基板、反射
膜および保護膜とがこの順序で設けられている。
では、情報パターンが表面に記録されている基板、反射
膜および保護膜とがこの順序で設けられている。
このような情報記録媒体における反射膜としては、従来
、アルミニウム金属からなる反射膜が広く用いられてき
た。ところがアルミニウム金属からなる反射膜は、耐腐
食性に劣り、このためアルミニウムが結晶化して平面平
滑性が低下し、反射膜の反射率が低下してしまうという
問題点があった。
、アルミニウム金属からなる反射膜が広く用いられてき
た。ところがアルミニウム金属からなる反射膜は、耐腐
食性に劣り、このためアルミニウムが結晶化して平面平
滑性が低下し、反射膜の反射率が低下してしまうという
問題点があった。
このような問題点を解決するため、たとえば、特開昭5
7−186244号公報には、クロムを含むアルミニウ
ム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示され
ている。ところがクロムを含むアルミニウム合金からな
る反射膜は、充分に満足しうる程度には耐腐食性に優れ
ておらず、反射膜にピンホールが発生したり、あるいは
反射率が低下したりしてしまうことがあった。
7−186244号公報には、クロムを含むアルミニウ
ム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示され
ている。ところがクロムを含むアルミニウム合金からな
る反射膜は、充分に満足しうる程度には耐腐食性に優れ
ておらず、反射膜にピンホールが発生したり、あるいは
反射率が低下したりしてしまうことがあった。
また、たとえば特開昭62−137743号公報には、
0.1〜10重量%のチタンを少なくとも含むアルミニ
ウム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示さ
れている。しかし、チタンのみを含むアルミニウム合金
からなる反射膜は、なお耐腐食性は充分に満足すべきも
のではなく、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射率が低下したりしてしまうことがあった。
0.1〜10重量%のチタンを少なくとも含むアルミニ
ウム合金からなる反射膜を有する情報記録媒体が開示さ
れている。しかし、チタンのみを含むアルミニウム合金
からなる反射膜は、なお耐腐食性は充分に満足すべきも
のではなく、反射膜にピンホールが発生したり、あるい
は反射率が低下したりしてしまうことがあった。
このように耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、反射率
が低下することがないような反射膜を有する再生専用光
ディスクの出現が望まれている。
が低下することがないような反射膜を有する再生専用光
ディスクの出現が望まれている。
本発明者らは、上記のような従来技術に鑑みて再生専用
光ディスクにおける反射膜を鋭意検討したところ、ハフ
ニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の元素
と、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜は
、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは耐湿性に優れ
て長期間使用しても反射率がほとんど低下することがな
いことを見いだして、本発明を完成するに至った。
光ディスクにおける反射膜を鋭意検討したところ、ハフ
ニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の元素
と、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜は
、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは耐湿性に優れ
て長期間使用しても反射率がほとんど低下することがな
いことを見いだして、本発明を完成するに至った。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、反射率が大きく、また耐腐食
性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低
下することがないような反射膜を有する再生専用光ディ
スクを提供することを目的としている。
ようとするものであって、反射率が大きく、また耐腐食
性あるいは耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低
下することがないような反射膜を有する再生専用光ディ
スクを提供することを目的としている。
発明の概要
このような目的を達成するために、本発明に係る再生専
用光ディスクは、反射膜を備えた再生専用光ディスクに
おいて、該反射膜が、ハフニウムおよびニオブから選ば
れた少なくとも1種の元素と、チタンとを含むアルミニ
ウム合金からなることを特徴としている。
用光ディスクは、反射膜を備えた再生専用光ディスクに
おいて、該反射膜が、ハフニウムおよびニオブから選ば
れた少なくとも1種の元素と、チタンとを含むアルミニ
ウム合金からなることを特徴としている。
このような本発明に係る再生専用光ディスクは、ハフニ
ウムおよびニオブから選ばれた少な(とも1種の元素と
、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜を備
えているため、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは
耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低下すること
がない。
ウムおよびニオブから選ばれた少な(とも1種の元素と
、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜を備
えているため、反射率が大きく、また耐腐食性あるいは
耐湿性に優れて長期間使用しても反射率が低下すること
がない。
発明の詳細な説明
以下、本発明に係る再生専用光ディスクについて具体的
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係る再生専用光ディスク1の概略断面
図である。
図である。
本発明に係る再生専用光ディスク1では、基板2上に形
成されているピットの有無により情報パターンが記録さ
れている。記録されている情報の再生は、レーザ光など
の光によって、ピットの有無を識別し、これを「0」、
「1」信号に対応させることにより行なわれている。
成されているピットの有無により情報パターンが記録さ
れている。記録されている情報の再生は、レーザ光など
の光によって、ピットの有無を識別し、これを「0」、
「1」信号に対応させることにより行なわれている。
このような再生専用光ディスク1としては、具体的には
、コンパクトディスク、レーザーディスク、再生専用デ
ィジタルメモリなどが挙げられる。
、コンパクトディスク、レーザーディスク、再生専用デ
ィジタルメモリなどが挙げられる。
本発明に係る再生専用光ディスク1は、たとえば、第1
図に示すように、情報パターンが記録されている基板2
、反射膜3および保護膜4とがこの順序で積層して設け
られている。
図に示すように、情報パターンが記録されている基板2
、反射膜3および保護膜4とがこの順序で積層して設け
られている。
本発明では、上記のような基板2の材質は特に限定はさ
れないが、基板2側(矢印A)からレーザ光を入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラス等の無機材料のほかに、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第4614778号明
細書に示されるような環状オレフィンポリマーたとえば
エチレンと1.4.5.8−ジメタノ−1,2,3,4
,4g、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン(テ
トラシクロドデセン)との共重合体、エチレンと2−メ
チル−1458−ジメタン−1,2,3,4,4a、
5.8.8a−オクタヒドロナフタレン(メチルテトラ
シクロドデセン)との共重合体、エチレンと2−エチル
−1,4,5,8−ジメタノ1、2.3.4.4a、
5.8.8a−オクタヒドロナフタレンとの共重合体な
ど、ポリ−4−メチル−1−ペンテン、エポキシ樹脂、
ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテ
ルイミド等の有機材料等を使用できる。
れないが、基板2側(矢印A)からレーザ光を入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラス等の無機材料のほかに、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第4614778号明
細書に示されるような環状オレフィンポリマーたとえば
エチレンと1.4.5.8−ジメタノ−1,2,3,4
,4g、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン(テ
トラシクロドデセン)との共重合体、エチレンと2−メ
チル−1458−ジメタン−1,2,3,4,4a、
5.8.8a−オクタヒドロナフタレン(メチルテトラ
シクロドデセン)との共重合体、エチレンと2−エチル
−1,4,5,8−ジメタノ1、2.3.4.4a、
5.8.8a−オクタヒドロナフタレンとの共重合体な
ど、ポリ−4−メチル−1−ペンテン、エポキシ樹脂、
ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテ
ルイミド等の有機材料等を使用できる。
本発明では、このような基板2上にピットの有無により
情報パターンが記録されており、このピットの有無を「
0」、「1」信号として読みとることにより、記録情報
の再生が行なわれる。再生の際にはレーザ光などの光を
用いてピットの有無を識別するが、このとき反射率の高
い反射膜3を設けることにより再生感度の向上がはかれ
る。
情報パターンが記録されており、このピットの有無を「
0」、「1」信号として読みとることにより、記録情報
の再生が行なわれる。再生の際にはレーザ光などの光を
用いてピットの有無を識別するが、このとき反射率の高
い反射膜3を設けることにより再生感度の向上がはかれ
る。
本発明では、このような反射膜3は、ハフニウムおよび
ニオブから選ばれた少なくとも1種の元素と、チタンと
を含むアルミニウム合金から形成されている。
ニオブから選ばれた少なくとも1種の元素と、チタンと
を含むアルミニウム合金から形成されている。
アルミニウム合金に含まれるハフニウムおよびニオブか
ら選ばれた少なくとも1種の元素は、合計で、0.1〜
9.5原子%、好ましくは0.5〜5原子%の割合で含
まれていることが望ましい。
ら選ばれた少なくとも1種の元素は、合計で、0.1〜
9.5原子%、好ましくは0.5〜5原子%の割合で含
まれていることが望ましい。
ハフニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の
元素の含有率が、上記範囲(0,1〜9.5原子%、好
ましくは0.5〜5原子%)にあることにより、 ■反射膜に発生するピンホールが特に少なく、腐食しに
くく、また ■反射膜の反射率にも優れている。
元素の含有率が、上記範囲(0,1〜9.5原子%、好
ましくは0.5〜5原子%)にあることにより、 ■反射膜に発生するピンホールが特に少なく、腐食しに
くく、また ■反射膜の反射率にも優れている。
またアルミニウム合金に含まれるチタンは、0.1〜9
.5原子%、好ましくは0.5〜5原子%の割合で含ま
れていることが望ましい。チタンの含有率が上記範囲(
0,1〜9.5原子%、好ましくは0,5〜5原子%)
にあることにより、反射膜に発生するピンホールが特に
少なく、腐食しにく く な る。
.5原子%、好ましくは0.5〜5原子%の割合で含ま
れていることが望ましい。チタンの含有率が上記範囲(
0,1〜9.5原子%、好ましくは0,5〜5原子%)
にあることにより、反射膜に発生するピンホールが特に
少なく、腐食しにく く な る。
さらにアルミニウム合金に含まれるハフニウムおよびニ
オブから選ばれた少なくとも1種の元素およびチタンは
、合計で、10原子%以下、好ましくは1〜10原子%
の割合で含まれていることが望ましい。ハフニウムおよ
びニオブから選ばれた少なくとも1種の元素およびチタ
ンとの合計含有率が上記範囲(10原子%以下、好まし
くは1〜10原子%)の範囲にあることにより、反射膜
に発生するピンホールが特に少なく、腐食しにくくなり
、また反射膜の反射率にも優れているという効果を有す
る。
オブから選ばれた少なくとも1種の元素およびチタンは
、合計で、10原子%以下、好ましくは1〜10原子%
の割合で含まれていることが望ましい。ハフニウムおよ
びニオブから選ばれた少なくとも1種の元素およびチタ
ンとの合計含有率が上記範囲(10原子%以下、好まし
くは1〜10原子%)の範囲にあることにより、反射膜
に発生するピンホールが特に少なく、腐食しにくくなり
、また反射膜の反射率にも優れているという効果を有す
る。
また上記のような反射膜3は、ハフニウムおよびニオブ
から選ばれた少なくとも1種の元素およびチタンおよび
アルミニウムに加えて、少量の他の金属(元素)を1種
以上含むこともできる。このような金属としては、たと
えば、クロム(C+)、シリコン(Sl)、銅(Cu)
、タングステン(W)、マンガン(Mn)、マグネシー
ラム(Mg)、バナジウム(V)タンタル(Ta)、ジ
ルコニウム(Xt)などが挙げられ、このような他の金
属は通常2原子%以下、好ましくはl原子%以下の割合
で含まれていてもよい。
から選ばれた少なくとも1種の元素およびチタンおよび
アルミニウムに加えて、少量の他の金属(元素)を1種
以上含むこともできる。このような金属としては、たと
えば、クロム(C+)、シリコン(Sl)、銅(Cu)
、タングステン(W)、マンガン(Mn)、マグネシー
ラム(Mg)、バナジウム(V)タンタル(Ta)、ジ
ルコニウム(Xt)などが挙げられ、このような他の金
属は通常2原子%以下、好ましくはl原子%以下の割合
で含まれていてもよい。
上述したような反射膜3の膜厚は、100〜5000λ
特に好ましくは200〜2000ムである。
特に好ましくは200〜2000ムである。
本発明に係る再生専用光ディスクは、反射膜3上に、さ
らに保護膜4が設けられて構成されている。このような
保護膜4としては、S I 3. N t、、S i
Nx (0<x<4/3) 、AI N、Zn5e
、Z n S % S lまたはCdS等の無機化合物
膜あるいは、エチレンビニルアセテート、アクリル系樹
脂等の有機化合物膜が例示されるが、これらに限定され
ない。このような保護膜4の膜厚は、0.1〜100.
czm、好ましくは1〜20μm程度である。
らに保護膜4が設けられて構成されている。このような
保護膜4としては、S I 3. N t、、S i
Nx (0<x<4/3) 、AI N、Zn5e
、Z n S % S lまたはCdS等の無機化合物
膜あるいは、エチレンビニルアセテート、アクリル系樹
脂等の有機化合物膜が例示されるが、これらに限定され
ない。このような保護膜4の膜厚は、0.1〜100.
czm、好ましくは1〜20μm程度である。
発明の効果
このような本発明に係る再生専用光ディスクは、ハフニ
ウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の元素と
、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜を備
えているため、耐腐食性あるいは耐湿性に優れて長期間
使用しても反射率が低下することがない。
ウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の元素と
、チタンとを含むアルミニウム合金からなる反射膜を備
えているため、耐腐食性あるいは耐湿性に優れて長期間
使用しても反射率が低下することがない。
[実施例コ
以下、本発明をさらに具体的な実施例により説明するが
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1
ポリカーボネート製再生専用光デイスク基板上に、アル
ミニウム(AA)−チタン(Ti)−ニオブ(Nb)の
複合ターゲットを用いてスパッタリングによって、厚さ
1000λのアルミニウムーチタン−ニオブ合金よりな
る反射膜を作製した。各元素の含有量はTiが1.5原
子%、Nbが1.5原子%とした。
ミニウム(AA)−チタン(Ti)−ニオブ(Nb)の
複合ターゲットを用いてスパッタリングによって、厚さ
1000λのアルミニウムーチタン−ニオブ合金よりな
る反射膜を作製した。各元素の含有量はTiが1.5原
子%、Nbが1.5原子%とした。
この反射膜をNaC1濃度が10重量%、温度が60℃
の食塩水に浸漬し、4時間後の工)反射率の変化と■)
膜状態の変化を調べた。この結果、■)反射率は浸漬の
前後で変化しなかった。
の食塩水に浸漬し、4時間後の工)反射率の変化と■)
膜状態の変化を調べた。この結果、■)反射率は浸漬の
前後で変化しなかった。
II)5cmX5an当りに発生したピンホール数は4
0個以下であった。
0個以下であった。
実施例2
実施例1において、Nbの代わりにHfを用いた以外は
同様の操作を行なった。
同様の操作を行なった。
この反射膜をNaC7!濃度が10重量%、温度が60
℃の食塩水に浸漬し、4時間後のI)反射率の変化と■
)膜状態の変化を調べた。この結果、■)反射率は浸漬
の前後で変化しなかった。
℃の食塩水に浸漬し、4時間後のI)反射率の変化と■
)膜状態の変化を調べた。この結果、■)反射率は浸漬
の前後で変化しなかった。
II)5anX5an当りに発生したピンホール数は4
0個以下であった。
0個以下であった。
比較例1
ポリカーボネート基板上にAl−Tiの複合ターゲット
を用いて、スパッタリングによって厚さ1000λのA
A’−Ti合金よりなる反射膜を作製した。Tiの含有
量は4原子%とじた。
を用いて、スパッタリングによって厚さ1000λのA
A’−Ti合金よりなる反射膜を作製した。Tiの含有
量は4原子%とじた。
この反射膜をNaC1濃度が10重量%、温度が60℃
の食塩水に浸漬し、4時間後のI)反射率の変化と■)
膜状態の変化を調べた。この結果、I)反射率は浸漬の
前後では約2%低下した。
の食塩水に浸漬し、4時間後のI)反射率の変化と■)
膜状態の変化を調べた。この結果、I)反射率は浸漬の
前後では約2%低下した。
■)5alI×5a11当りに発生したピンホール数は
無数であった。
無数であった。
第1図は本発明に係る再生専用光ディスクの゛概略断面
図である。 1・・・再生専用光ディスク 3・・・反射膜 A・・・レーザ光 2・・・基板 4・・・保護膜 第1 図
図である。 1・・・再生専用光ディスク 3・・・反射膜 A・・・レーザ光 2・・・基板 4・・・保護膜 第1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)反射膜を備えた再生専用光ディスクにおいて、該反
射膜が、ハフニウムおよびニオブから選ばれた少なくと
も1種の元素と、チタンとを含むアルミニウム合金から
なることを特徴とする再生専用光ディスク。 2)前記反射膜が、 ハフニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の
元素を、合計で、0.1〜9.5原子%の割合で含み、 チタンを0.1〜9.5原子%の割合で含み、かつハフ
ニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも1種の元素
とチタンとの合計含有率が、10原子%以下の範囲にあ
るアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項第
1項に記載の再生専用光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4894990A JPH03252930A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4894990A JPH03252930A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252930A true JPH03252930A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12817530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4894990A Pending JPH03252930A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 再生専用光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03252930A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及び溶製Al合金スパッタリングターゲット |
US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4894990A patent/JPH03252930A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及び溶製Al合金スパッタリングターゲット |
US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
US6206985B1 (en) | 1991-03-07 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
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