JPH02152050A - 光磁気デイクス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザー光を用いて記録／再生／消去を行う
光磁気記録に係り、特に記録／消去の繰返しに伴う再生
出力の劣化の抑制に有効な構造を有する光磁気ディスク
に関する。

〔従来の技術〕

近年の高度情報化社会の進展により、高密度で大容量の
ファイルメモリーへのニーズが高まっている中で、光デ
ィスクはこれに応えるものとじて注目されている。特に
光磁気記録は、書換え可能な光ディスクとして実用化の
直前にあり、各所で盛んに開発が行なわれている。現在
までに知られている層構造として、３層構造（下地膜／
記録膜／保護膜）と４層構造（下地膜／記録膜／保護膜
／金属反射膜）の２つのタイプがある。このうち４層構
造ディスクは、光磁気記録膜のＫ　ｅｒｒ効果とＦ　ａ
ｒａｄａｙ効果の両方の効果を同時に利用しているので
大きな回転角が得られ、ドライブにかけたときに再生出
力の増大が図れる等の特徴があることから、研究開発が
活性化している。その公知例として、特開昭５７−１６
９９９６号公報をあげることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は１回転角向上を中心に研究開発が行なわ
れており、ディスク特性、特に記録消去を繰返したとき
に再生出力が低下するという点についての配慮がなされ
ておらず、信頼性が低いという問題があった・ 本発明の目的は、記録／再生／消去を繰返したときの再
生出力の低下を抑制することにより、高信頼性を有する
光磁気ディスクを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

レーザー光を用いて記録／再生／消去を行う光ディスク
において、記録／再生／消去を繰返すと再生出力が低下
する場合があった。そのため、ディスクのエラーの原因
となる等、信頼性が低下するという問題があった。記録
／再生／消去を繰返したときの再生出力の低下を抑制す
ることが、急務となっていた。そのために、ディスク基
板上に第１誘電体膜、光磁気記録膜、第２誘電体膜、そ
して金属保護膜から成る４層構造の膜を設け、金属保護
膜の熱伝導率を制御することにより、熱流動をコントロ
ールして光磁気記録膜の温度分布を制御した。金属保護
膜の熱伝導率の制御法として、１）金属保護膜材料（Ａ
ｌｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ。

ＰｄおよびＣ１ｕから選ばれる少なくとも１種類の元素
を主体とする）を選択する、２）合金化する（Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄおよびＣｕの内の１種を主体とし
、これに自元素（ここに自元素とは、上記１）において
選択された主体元素をさす）以外の元素を添加するかＮ
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｔｉ、Ｚｒ、ＣｏおよびＭｎの内から選ばれる少なくと
も１種類の元素を望ましくはｌａｔ％〜３０ａｔ％添加
する）、３）金属保護膜の膜厚を！ｌ！ｌ整する（熱容
量を変える）の３つの方法がある。光磁気記録膜の温度
分布を制御するには、その他に、光磁気記録膜の膜厚を
調整する、等の手法が考えられる。このように４Ｒ構造
とすることで、光磁気記録膜は見かけ上、あたたまり易
くさめ易くなる。これに対して、金属保護膜がない三層
構造ディスでは３層目の誘電体膜に熱が蓄積して、記録
膜の最高到達温度が高くなるとともに高温領域が広いの
で、記録膜の構造緩和が生じ易い。このように熱の流れ
が重要となってくる。この効果が顕著に表われてくるの
が消去時である。消去時にはトラックオフセットを考慮
すると広い帳の磁区を形成しなければならないが、１．
３μｍの磁区幅を得ようとすると３層構造では光スポッ
トの中心部分０，５μｍが３００℃以上の温度になるの
に対し、４層構造のディスクでは３００℃以上になる領
域はない。この違いが、記録／消去の繰返しに伴う再生
出力の変化の違いとなって表われてくる。この他、ディ
スクを構成する材料として、第１誘電体層及び第２誘電
体層として窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ゲル
マニウム、酸化珪素、硫化亜鉛、酸化ジルコニウム、安
定化ジルコニアの内から選ばれる少なくとも１種類の化
合物もしくはこれらの化合物の複酸化物や酸窒化物等を
用いる。また、光磁気記録膜として、垂直磁気異方性を
有する希土類元素と鉄族元素の非晶質合金、さらに具体
的には、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＧｄの内から選ばれる
少なくとも１種類の元素或いは２種類の元素と、Ｆｅ、
Ｇｏ、Ｎｂ、Ｔｉ。

Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔの内から選ば
れる少なくとも１種類或いは２種類以上の元素で、少な
くともＦｅもしくはＣｅ或いはその両方を含む合金を用
いた。この他、先の希土類元素の一部をＮｄ、Ｐｒ、Ｃ
ｅおよびＳｍの内から選ばれる少なくとも１種類の元素
で置換した材料を用いても良い。この他、記録膜の温度
分布をコントロールする手法として、第１誘電体層及び
第２誘電体層における光の多重干渉効果によるＫ　ｅｒ
ｒエンハンス効果の大小を制御することによっても達成
できる。ただし、この場合、Ｋ　ｅｒｒエンハンス効果
を変える場合、（Ｋ　ｅｒｒ　＋　Ｆ　ａｒａｄａｙ　
）回転角が大きく変動する場合があるので、十分に注意
する必要がある。また、４ｙｓ目の金属保護膜の形成に
おいて、高反射率材料（ＡＱＩＣｕｌＲｈ、Ｐｄ、Ａｕ
およびＰｔ）と高耐食性材料（Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、　Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒ）との組合せで組成勾
配をもたせるか或いは二層とすることにより高反射率を
保持しつつ（Ｃ／Ｎ向上）、膜の耐食性も確保（高信頼
化）でき、しかも記録／再生／消去の繰返しに伴う再生
出力の変化の制御も可能となる。また、本発明の構造を
有するディスクを用いて磁界変調記録方式により記録す
ると、ａ界変調記録特有の記録磁区の″尾″を取除くこ
とができ、高密度化及び高性能化（高Ｃ／Ｎ化）を達成
することができる。

〔作用〕

上述のように、ディスク基板上に第１誘電体膜。

光磁気記録膜、第２誘電体層そして金属保護膜からなる
４層構造をとると、金属保護層が存在するために熱が逃
げやすい。しかも逃げた熱は基板と平行方向に拡散する
ので記録膜の温度をあまり上げることなく幅広い磁区を
形成することができる。

さらに、金属保護膜の熱伝導率や膜厚、さらには記録膜
の膜厚を制御することにより、熱の流れの状態を自由に
変えられるので、ディスクへの記録。

消去感度を任意に選択できる。その結果として、記録膜
の最高到達温度を任意にコントロールすることが可能と
なり、非晶質記録膜の構造緩和が抑制できるので、記録
や消去の繰返しに伴う再生出力の低下をなくすことがで
きる。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細を実施例１〜５を用いて説明する。

［実施例１コ 本発明により作製した光磁気ディスクの断面構造を示す
模式図を第１図に示す。ディスクの作製は、次に述べる
手Ｊ＠により行なった。凹凸の案内溝を有するディスク
基板（１）上に、まずスパッタ法により窒化シリコン第
１誘電体膜（２）を形成した。ターゲットにＳｉ□Ｎ４
焼結体ターゲットを、放電ガスにＡ　ｒ　／　Ｎ　２混
合ガス（混合比＝８０／２０）をそれぞれ使用した。ス
パッタ条件は、放電ガス圧：　Ｉ　Ｘ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
、投入ＲＦ　Ｍｌ力４．２Ｗ／ｃｍ”とし、膜厚は８５
０人である。つづいて、　Ｔｂ、、　Ｆ　ｅ、２Ｃｏ□
２Ｎｂ、光磁気記録膜（３）をスパッタ法により作製し
た。ターゲットには先に示した組成の合金を、放電ガス
は純Ａｒをそれぞれ用いた。スパッタ条件は、放電ガス
圧力＝５Ｘ　１０−３Ｔｏ　ｒｒ、投入ＲＦ＠力４．２
Ｗ／ｃｍ”である。形成した膜の膜厚は３００人である
。つづいて、窒化シリコン第２誘電体膜（４）をスパッ
タ法により形成した。雰囲気ガスにＡｒ、ターゲットに
は窒化シリコン焼結体ターゲットをそれぞれ使用した。

そして、ガス圧を２Ｘ１０−”Ｔｏｒｒとした以外第１
誘電体膜形成と同一の条件にてスパッタを行ない、第２
誘電体膜（４）を形成した。

そして最後に、Ａｌ、。Ｔｉ１．金層保護膜（５）をス
パッタ法により形成した。ターゲットにＡＱ−Ｔｉ合金
を、雰囲気ガスにＡｒをそれぞれ使用した。スパッタ条
件は、ガス圧カニｌＸ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電カ
ニ　４　、２　Ｗ／ａｍ２であり、形成した膜厚は５０
０人である。比較例として、第１誘電体Ｎ　（２）　、
光磁気記録層（３）、第２誘電体層（４）を先と同−条
件及び手法によりそれぞれの膜厚が８５０人、８００人
、１５００人となるように形成したディスクを用いた。

このようにして作製したディスクは、最内周ｒ＝３０ｍ
ｍφ位置に、記録周波数１ｆ＝４．９ＭＨｚ、ディスク
回転数：　２４０　Ｏｒｐｍ、記録レーザーパワー６ｍ
Ｗ、消去レーザーパワー７ｍＷ、そして再生レーザーパ
ワー１．２ｍＷに２、記録／再生／消去を繰返したとき
の繰返し回数と再生出力の変化率（初期＝１００）の関
係の検討結果を第２図に示す。本実施例のディスクでは
２　Ｘ　１０’回繰返しても再生出力の変化は全くみら
れないのに対し、比較例では、１００回から低下がはじ
まり１０Ｇ回以降急激に低下し、２Ｘ１０７回の繰返し
で初期の６５％まで減少した。ここで比較例のディスク
の記録消去の条件は、本実施例の条件にてディスクに書
込んだときに形成されるのと同一の磁区幅が得られる条
件、すなわち、記録レーザパワーニアｍＷ、／ｌ！４去
レーザーパワー９ｍＷである。この効果は、光磁気記録
膜や第１及び第２誘電体膜の材質には依存せず、ディス
クの構造のみにより得られる。

また、再生出力を本実施例のディスクと比較例のディス
クとを比べると、それぞれ６２ｄＢ。

５６ｄＢであり、約６ｄＢ大きかった。これは、本実施
例の構造のディスクは反射率：Ｒ＝２２％、カー回転角
（含ファラデー回転角）＝ＯＫ＝０．８９°と比較例Ｒ
＝２３％、θに＝０．５９°と比へて反射率をほとんど
低下させずに、カー回転角のみを大きく増大せることが
できることによる。

［実施例２］ 本発明により作製した光磁気ディスクは実施例１と同様
で、その断面構造の模式図は第１図に示すとおりである
。ディスクの作製手順は実施例１と同一であり、用いた
材料及び作製時のスパッタ条件を第１表にまとめて示す
。

第１表 このようにして作製したディスクの再生出力の記録レー
ザーパワー依存性を最初に測定し、結果を第３図に示す
、測定の条件は、ディスク回転数２４００ｒｐｎ＋、デ
ィスク位置：φ＝３０ｍｍ、外部印加磁界：　４０００
　ｅ　、レンズの開口比Ｎ＾＝０．５５、記録周波数：
　ｆ＝４．９ＭＨｚである。

その結果、ΔΩ中にＣｒがわずか５％含有させただけで
、記録可能な最小パワーが１ｍＷはど急激に低くなりそ
の後、ゆるやかに変化した。ＡＱにわずかに元素を添加
すると、熱伝導率が急激に低下し、その後ゆるやかに熱
４率が変化していることがわかる。また、最大Ｃ／Ｈの
得られる記録パワーは、Ｃｒ　ｉｆ１度の増大につれて
、高パワー側へシフトしているが、Ｃ／Ｎはほぼ一定で
５０ｄＢであった。このように金属保護膜（５）の熱伝
導率を含有Ｃｒ量を変えて制御することで、任意の記録
及び消去感度が得られ、装置との整合性を容易にとるこ
とができた。これと同様の効果は、金属保護膜（５）の
材料一定のもとで膜厚のみを変えても得られる。これは
、熱の逃げ方が異るためであることが、熱拡散方程式を
解くことで明らかとなった。

次に、記８／再生／消去（Ｗ／Ｒ／Ｅ）を繰返したとき
の再生信号出力の変化について調べ、結果を第４図に示
す。比較例は、実施例１で用いたのと同様のディスクで
ある。測定条件及び手法は、実施例１と同様である。図
よりＣｒ濃度が１０％以下では２　Ｘ　１０’回Ｗ／Ｒ
／Ｅを繰返しても再生出力の変化はみられなかったが、
濃度が２０％。

３０％の場合、２　Ｘ　１０’回の繰返しでそれぞれ３
％、６％と、わずかな減少がみられた。この変化は、光
磁気記録膜の結晶構造の安定化処理を行うことにより抑
制できる。また、高感度を有するディスクにおいては、
読出し光のレーザーパワー近くで記録できるディスクで
は、読出しとともにデーター破戒を越す可能性があるの
で注意しなければならない。

第１表において、金属保護膜（５）： Ａｌ　１−　ｘ　Ｃｒ　ｚの代わりに、Ａｌ□−ｘＣｏ
ｘ、　Ａｌ□−ｘＴｉｘ。

Ａｌ□−ｘＴａｘ、　Ａ１１−ｘＮｂｘ＋　Ａ１１−ｘ
Ｎｉｘ＋Ａ皇＞−ｘＺｒｘ＋　Ａ１１−ｘＭｎｘ＋　Ｃ
ｕ１−ＸＣＯＸＩＣｕｉ−ｘＴＬｘ、　Ｃｕ１−ｘＴａ
ｘ＋　Ｃｕ１−ｘＮｂｘ。

Ｃｕｌ−ｘｃｒｘ＋　Ｃｕ１−ｘＮｘｘＨＣｕ、−ｘＺ
ｒｘＨＣｕｌ−ｘＭｎｘ、Ｒｈ４−ｘｃＯｘｙ　Ｒｈ１
−ｘＴｉｘ＋Ｒｈ１−ｘＴａｘ＊　　Ｒｈｌ−ｘＮｂｘ
＋　　Ｒｈ４−ｘＣｒｘｒＲｈ□−ｘＮｘｘ＋　　Ｒｈ
１−ｘＺｒｘ＋　　Ｒｈ、−ｘＭｎｘ＋Ｐｂ１−ｘｃＯ
ｘ＋　　ｐｂｌ−ｘＴｉｘ、　　ＰＪ−ｘＴａｘ＋Ｐ　
ｂｌ−Ｘ　Ｎｂｘ　＋　　Ｐ　ｂｌ−ｘ　Ｃｒｘ　ｌ　
　Ｐ　Ｊ−ｘ　Ｎｘｘ　１Ｐｂｉ−ｘＺｒｘ、　　Ｐｂ
１−ｘＭｎｘ、Ａｕ１−ｘｃｏｘｔＡ　ｕｌ−ｘ　Ｔ　
ｌｘ　ＨＡ　１１−ｘ　Ｔ　ａｘ　ｇ　　Ａ　１１−ｘ
　Ｎ　ｂｘ　＋Ａ　ｕ、−Ｘ　ＣｒＸ　ｙ　　Ａ　１１
．−Ｘ　Ｎ　ｘｘ　ｇ　　Ａ　ＩＪ□−Ｘ　Ｚ　ｒｘ　
ＩＡｕｌ−ｘＭｎｘ＋　　Ｐ　ｔｌ−ｘｃＯｘ＋　　Ｐ
ｔ１−ｘＴｘｘ＋Ｐｔ１−ｘＴａｘ、Ｐ　ｔｌ−ｘＮｂ
ｘ、　　Ｐｔ１−ｘＣｒｘｙＰＪ−ｘＮｉｘ、Ｐｔ１−
ｘＺｒｘを用いた場合も第９図の本実施例と同様な結果
が得られた。

また、Ａ　ｔ＝ｘＣｒｘにおいて、ＡＱの一部をＡｕ。

Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄまたはＣｕで置換しても、あるいは、
Ｃｒの一部をＣｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ。

Ｎｉ、ＺｒまたはＭｎで置換しても同様な結果が得られ
た。

［実施例３］ 本発明により作製した光磁気ディスクは、実施例１と同
様で、その断面構造の模式図は第１図に示すとおりであ
る。ディスクの作製手順は実施例１と同一であり、用い
た材料及び作製時のスパッタ条件を第２表にまとめて示
す。

第２表 ここで、金属保護膜（５）として純Ｐｔ層２００人とし
その後１５０人はリニヤ−にＰｔ−Ｎｉ濃度を変化させ
、最終的に１５０人は純Ｎｉとした。組成勾配膜は、Ｐ
ｔとＮｉの単体ターゲットを用意して、各々のターゲッ
トに加えるＤＣ電流をコントロールすることにより作製
した。

このようにして作製したディスクの記録／再生／消去を
繰返したときの再生信号出力の変化について調べ、結果
を第５図に示す。比較例は、実施例１と同一の光磁気デ
ィスクを用い、かつ実施例１と同じ条件及び方法にて測
定した。この図から、本実施例において作製したディス
クでは、２Ｘ１０７回のＷ／Ｒ／Ｅの繰返しにおいても
再生出力の低下はみられなかった。

また、金属保護Ｍ（５）の構造：Ｐｔ／Ｐｔ−Ｎ　ｉ　
／　Ｎ　ｉにおいて、Ｐｔ及びＮｉの厚さを１００／１
００／３００，２００／１００／２００．３００／１０
０／１００と変化させると記録消去の感度を変えること
ができ、その時の再生出力の記録レーザーパワー依存性
を第６図に示す。この図から、Ｐｔの膜厚が薄くなるに
つれて（Ｎｉの膜厚が厚くなるにつれて）最小記録パワ
ーも低くなっており、ディスクの記録消去感度を向上さ
せることができる。

最後に、Ｐ　ｔ　／　Ｐ　ｔ　−Ｎ　ｉ　／　Ｎ　ｉと
Ｐｔ、。Ｎｉ２Ｏと変えたときのＫ　ｅｒｒ回転角を測
定したところ本実施例の場合θに＝０．９４°で後者が
θに＝０．８６°と約０．０８°差があり、金属保護膜
の反射率は前者がＲ＝９５％、後者がＲ＝８７％と約８
％の違いがあった。このように、組成勾配を持たせると
、高反射率を維持したまま、耐食性も確保できた。その
結果、高反射率及び高Ｋｅυ回転角を有しており、信号
対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）も５６ｄＢ、５３ｄＢと約３ｄＢ
大きかった。このように、高反射率、耐食性、及び高Ｃ
／Ｎを有するディスクが得られた。

第２表において、金属保護膜（５）： Ｐ　ｔ　／　Ｎ　ｉの代わりに、Ａ　Ｑ　／　Ｃｏ　、
　Ａ　Ｑ　／　Ｔ　ｉ　。

Ａ　Ｑ　／　Ｔ　ａ　、　Ａ　Ｑ　／　Ｎ　ｂ　、　Ａ
　Ｑ　／　Ｃｒ　、　Ａ　Ｑ　／Ｎ　ｉ　、　Ａ　Ｑ　
／　Ｚ　ｒ　、　Ａ　ｎ　／　Ｍ　ｎ　、　Ｃｕ　／　
Ｃｏ　。

Ｃｕ　／　Ｔ　ｉ　、　Ｃｕ　／　Ｔ　ａ　、　Ｃｕ　
／　Ｎ　ｂ　、　Ｃｕ　／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｎｉ、Ｃｕ／Ｚ
ｒ、Ｃｕ／Ｍｎ。

Ｒｈ／Ｃｏ、Ｒｈ／Ｔｉ、Ｒｈ／Ｔａ、Ｒｈ／Ｎ　ｂ　
、　Ｒｈ　／　Ｃｒ　、　Ｒｈ　／　Ｎ　ｉ　、　Ｒｈ
　／　Ｚ　ｒ　。

Ｒｈ／Ｍｎ、Ｐｄ／Ｇｏ、Ｐｄ／Ｔｉ、Ｐｄ／Ｔ　ａ　
、　Ｐ　ｄ　／　Ｎ　ｂ　、　Ｐ　ｄ　／　Ｃｒ　、　
Ｐ　ｄ　／　Ｎ　ｉ　。

Ｐ　ｄ　／　Ｚ　ｒ　、　Ｐ　ｄ　／　Ｍ　ｎ　、　Ａ
　ｕ　／　Ｃｏ　、　Ａ　ｕ　／Ｔｉ、Ａｕ／Ｔａ、Ａ
ｕ／Ｎｂ、Ａｕ／Ｃｒ。

Ａ　ｕ　／　Ｎ　ｉ　、　　Ａ　ｕ　／　Ｚ　ｒ　、　
　Ａ　ｕ　／　Ｍ　ｎ　、　　Ｐ　ｔ　／Ｃｏ、Ｐ　ｔ
／Ｔｉ　、Ｐ　ｔ／Ｔａ、Ｐ　ｔ／Ｎｂ。

Ｐ　ｔ　／　Ｃｒ　、　　Ｐ　ｔ　／　Ｎ　ｉ　、　　
Ｐ　ｔ　／　Ｚ　ｒ　、　　Ｐ　ｔ　／Ｍｎを用いた場
合も第５図の実施例と同様な結果が得られた。

また、Ｐ　ｔ　／　Ｎ　ｉにおいて、Ｐｔの一部をＡＱ
。

Ｃｕ、Ｒｈ、ＰｄまたはＡｕで置換しても、あるいは、
Ｎｉの一部をＧｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ。

Ｃｒ、ＺｒあるいはＭｎで置換しても同様な結果が得ら
れた。

［実施例４］ 本実施例で用いたディスクは、実施例１と同一の構造を
有する。これの表面を吸水率の低いＵＶ樹脂によりオー
バコートした。このディスクを用いて磁界変調記録方式
により、記録／再生／消去を繰返した。その結果は、第
７図に示すとおり。

Ｉ　Ｘ　１０’回繰返しても再生出力に変化はみられな
かった。比較例は、実施例１で用いたディスク表面をオ
ーバーコートしたものを用いた場合である。その時の条
件は、レーザー光：６ｍＷ（連続光）、ディスク回転数
：２４０Ｏｒｐｍ、記録周波数：　ｆ＝５．０ＭＨｚ、
スイッチング磁界±３０００ｅ、帯域幅：３０ＫＨｚで
ある。このように、Ｗ／Ｒ／Ｅの繰返しによる再生出力
の低下を抑制でき、この効果は記録方式により変るので
はなく、ディスク構造に起因している。

また、磁界変調記録方式で記録した記録磁区を偏光顕微
鏡により観察しその模式図を第８図に示す６本実施例の
構造を有するディスクでは、ドメインの“尾″′　（図
中Ｏ印）が短くなっており、高密度記録にとって有用で
ある。またＣ／Ｎも本実施例が６２ｄＢであるのに対し
、比較例では５７ｄＢと約５ｄＢ小さいことと対応して
いる。これはドメインの″尾″がなくなったために分解
能が向上したためである。

［実施例５コ 本実施例で作製したディスクの構造は、実施例１と同様
で、断面構造は第１図に示すとおりである。ディスクの
作製手順は、実施例１と同一であり、用いた材料及び作
製時のスパッタ条件を第３表にまとめて示す。

第３表 ここで、第１誘電体膜の屈折率：ｎ１＝２．０５であり
、第２誘電体膜のそれは、ｎ、＝２．１５であった。こ
のｎ工と０２は等しいかｎ　よ）ｎ□であれば良い。

このようにして作製したディスクを用いて、記録／再生
／消去（Ｗ／Ｒ／Ｅ）を繰返したときの再生信号出力の
変化について調べ、結果を第９図に示す。比較例は、実
施例１と同一の光磁気ディスクを用い、かつ実施例１と
同じ条件及び方法により測定した。この図から本実施例
において作製したディスクでは、Ｉ　Ｘ　１０７回以上
のＷ／Ｒ／Ｅの繰返してみたところ再生出力の低下は観
測されなかった。比較例は１０’回の繰返しにより、初
期の再生出力の７０％に低下した。以上説明した通り、
本発明のように４層構造とし光磁気記録膜の温度分布を
制御することで、Ｗ／Ｒ／Ｅに伴なう再生出力の低下を
大きく抑制できた。この他、θにも本実施例では０　、
７６　’（ｄｅｃ）　、比較例のそれがＯｇ＝０．５５
ｄｅｇとＫ　ｅｒｒ回転角の増大にも大きく寄与してお
り、高Ｃ／Ｎが得られる。測定結果は、このことを支持
しており、Ｃ／Ｎはそれぞれ５１ｄＢ、４５ｄＢであり
、約７ｄＢ大きかった。また、第１０図にこの時の再生
出力のレーザーパワー依存性をそれぞれ示す。また、金
属保護膜（５）のＡＱ−Ｔｉ系においてＴｉの濃度を制
御することにより記録感度の制御ができる。つまり、Ｔ
ｉの濃度が高くなるとディスクの記録感度は高くなる。

また、この膜厚を薄くしていっても同様の効果が得られ
るが、再生レーザーパワーと記録可能最小パワーが近づ
くと再生光によりデータ破壊が起る場合があるので注意
しなければならない。ここでＴｉＪ１度は先の注意を含
め、ディスクドライブとの整合性を考慮して微ｔＡ整し
た結果である。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、第４層目に金
属保護層を設けその材料や膜厚、膜の積構造をコントロ
ールして、記録膜の温度分布を制御することにより、記
録／再生／消去を繰返したときの再生出力の変動はみら
れず、高信頼性光磁気ディスクが得られる。また、本発
明の構造をとることにより、反射率をほとんど低下させ
ずに、カー回転角（含ファラデー回転角）のみを大きく
向上させることができ、大きな再生出力が得られるので
ディスクの高性能化ができる。また、高反率材料を媒体
側に、高耐食材料をその反対側に濃縮させることにより
、さらにカー回転角を向上（Ｃ／Ｎを向上）させるとと
もに金属保護膜の耐食性も確保できる。この熱伝導率の
制御によりディスクの記録消去の感度をコントロールで
き、ディスクドライブとの整合性を向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光磁気ディスクの断面構造を示す模式図、第２
図、第４図、第５図、第７図及び＠９図は記録／再生／
消去を繰返したときの再生出力の変化を示す線図、第３
図、第６図及び第１０図は再生出力の記録レーザーパワ
ー依存性を示す線図、第８図は磁界変調記録を行なった
時の磁区形状を示す図である。 １・・・ディスク基板、２・・・第１誘電体膜、３・・
・光磁気記録膜、４・・・第２誘電体膜、５・・・金属
保護膜。 弔／図 環７回 ７ネ、ダ北り１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザー光を用いて記録、再生、或いは消去を行う
   光ディスクにおいて、ディスク基板上に第１誘電体膜、
   光磁気記録膜、第２誘電体膜、そして金属保護膜から成
   る４層構造の膜を設け、金属保護膜の熱伝導率を制御す
   ることにより光磁気記録膜の温度分布を制御したことを
   特徴とする光磁気ディスク。 ２、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＰｄおよびＣｕから選ば
   れる少なくとも１種類の元素を主体とする金属保護膜材
   料を選択して熱伝導率を制御することを特徴とする請求
   項１記載の光磁気ディスク。 ３、さらに自元素以外の元素を添加もしくは、Ｎｉ、Ｎ
   ｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｍｎから選ばれる少なく
   とも１種類の元素を１〜３０ａｔ％添加し、その濃度を
   調整して金属保護膜の熱伝導率を制御することを特徴と
   する請求項１または２記載の光磁気ディスク。 ４、金属保護膜の膜厚を調整して金属保護膜の熱伝導率
   を制御することを特徴とする請求項１記載の光磁気ディ
   スク。 ５、レーザー光を用いて記録、再生、或いは消去を行う
   光ディスクにおいて、ディスク基板上に第１誘電体膜、
   光磁気記録膜、第２誘電体膜、そして金属保護膜から成
   る４層構造の膜を設け、該光磁気記録膜の膜厚を調整し
   て光磁気記録膜の温度分布を制御したことを特徴とする
   光磁気ディスク。 ６、レーザー光を用いて記録、再生、或いは消去を行う
   光ディスクにおいて、ディスク基板上に第１誘電体膜、
   光磁気記録膜、第２誘電体膜、そして金属保護膜から成
   る４層構造の膜を設け、該金属保護膜として該第２誘電
   体膜側に高反射率材料を、そしてその反対側に高耐食材
   料を用いた二層からなる金属保護膜を用いたことを特徴
   とする光磁気ディスク。 ７、高反射率材料と高耐食材料の間に両元素の組成勾配
   を設けたことを特徴とする請求項６記載の光磁気ディス
   ク。 ８、高反射率材料としてＡｌ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ
   およびＰｔから選ばれる少なくとも１種の元素を用い、
   高耐食材料としてＣｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ
   、ＺｒおよびＭｎから選ばれる少なくとも１種の元素を
   用いたことを特徴とする請求項６または７記載の光磁気
   ディスク。