JPS63102052A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光照射による情報の記録を行う光磁気ディスク
のうちＣＡＶ方式の光磁気ディスクに関するものでおる
。

（従来の技術） 高密度、大容量あるいはヘッドと媒体との非接触性等多
くの特長を有する光記録媒体の中でも消去、再記録か容
易ということから光磁気ディスクか注目されている。

この光磁気ディスクは、一般に、カラスまたはＰＣ，Ｐ
ＭＭＡ、エポキシ樹脂等の透明プラスチック等からなる
厚さ１．２ｍ程度のドーナツ板状の透明な円形基板上に
光磁気記録層か形成されて成るものである。該記録層は
、記録材わ１として磁性体が用いられ、この磁性体の磁
化の変化により情報か記録される。この磁性体としては
Ｇ（１、Ｔｂ　。

ＤＶ等の希土類金属とＦｅ、ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属と
を組合せ主成分とする非晶質（アモルファス〉希土類遷
移金属か用いられ、この金属を層状にして前記記録層か
形成される。

このような記録層を有する光磁気ディスクへ情報を記録
する際は、例えば配録層に光ビームを照射し、光エネル
ギを受けてキュリ一点に達した配録層部分の磁化の方向
を適宜反転ざぜることにより情報の書込みを行うもので
あるか、このようなディスクに情報を記録する場合ディ
スクの回転数に関して角速度一定（ＣＡＶ）方式と線速
喰一定（ＣＬＶ）方式の２つの方式かある。

（発明か解決しようとする問題点） 前記ＣＡＶ方式で回転する光磁気ディスクに光ビームを
照射した場合は、記録層のうける単位面積当りの光エネ
ルギは照射された光の線速度に反比例する。従って、円
形の光磁気ディスクにおいては、ディスク外周側は内周
側に比へて線速度か太さいため、外周側の記録層部分は
内周側の配録一部分に比へて受ける単位面積あたりの光
エネルギの量か少ない。該配録層は、一般に外周側、内
周側が同一の厚さに形成されているため、単位体積当り
の受ける光エネルギの量も外周側の記録層部分か内周側
の記録層部分より少なくなり、その結果外周側の記録層
部分の温庶（ま内周側の記録層部分より上昇しにくく、
内周側と外周側の記録スフ１能に差異か生じ外周側の記
録す）１能か低１”Ｊる。これを解消する方法の１つと
して、例えば照射する光のパワーを内周側から外周側へ
向けて大きく覆る方法か考えられるか、このように内周
側から外周側に向けて照射する光のパワーを変化させる
のは面倒である。

なお、ＣＬＶ方式は外周側を内周側より早く回転させて
線速度を常に一定に保つ方式であり、この方式の場合に
は上述の様な記録性能の差という問題は生じない。しか
しながら、このように回転速度を操作するのは面倒であ
り、従ってＣＡＶ方式の光磁気ディスクであって、同一
パワーの光ビームを用いてもディスク全面にわたって同
一記録能力か得られるものか望まれている。

本発明は、ＣＡＶ方式の光磁気ディスクであって、ディ
スク内周側も外周側も同一パワーの光ビームにより略同
−の記録能力か１３１られる光磁気ディスクの提供を目
的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明による光磁気ディスクは、円形の光磁気記録層に
、該記録層の外周側層厚か内周側層厚より薄くなる層厚
勾配か付与されていることを特徴とする。

（実　施　例） 以下、本発明の光磁気ディスクの実施例を図面を用いて
説明する。

第１図は本発明に係る光磁気ディスクの一実施例の断面
図である。この光磁気ディスク１はドーナツ板状の透明
プラスチックから成る円形基板２上に光磁気記録層３か
形成されてなる。該記録層３は、非晶質希土類遷移金属
からなり、外周側層厚ｄｏｌｔが内周側層厚ｄｉｎより
薄くなる層厚勾配か付与されている。なお、図示の光磁
気ディスク１は基板２と光磁気記録層３のみから成って
いるか、例えば該記録層３の両面に設けられる誘電体保
護層（図示せず〉等の各種の層を必要に応じて有してい
ても良いことはいうまでもない。また、図中の配録層３
は基板２に対してその層厚か拡大して示されているもの
である。

前）ホしたように、ＣＡＶ方式におりる光磁気ディスク
の受ける照射光の光土ネルキ（，１線速磨に反比例する
ものである。したがって、層厚か線速度に反比例するよ
うに形成することにより、単位体積当りの受ける光エネ
ルギか記録層全域にわたって一定となる。例えば、光磁
気ディスクの平面概念図である第２図に示すように、今
中心Ｏから記録層の最外周３ａまでの距離ｒｏｕｔに対
して同じく中心Ｏから記録層の最内周３ｂまての距離ｒ
　ｉ　ｎか半分（ｒｏｕｔ＝２ｒ団）である場合、所定
角度θに対応する最外周３ａの長さと最内周３ｂの長さ
とは２：１となるので、ＣＡＶ方式の場合最外周３８に
おける光ビームの線速度と最内周３ｂに（１３（〕る光
ドビーの線速度とは２：１となり、その結果記録層３０
単位面積当りの受ける光エネルギの早ｔ３１最外周３ａ
か１受けるとすると最内周３ｂは２受（プることになる
。この場合において、第１図に示づように最外周の層厚
ｄｏｕ↑か最内周の層ｑｃｉｉｎよりし幼くなるように
記録層３に層厚勾配を設け、かつその勾ｆｉＥ：カｄｉ
ｎ：　ｄｏｌＪｔ　＝２　：　１であるならば記録層の
単位面積当りの休＠は最外周か１に対して最内周は２と
なり、その結果単位体積当りの受ける光エネルギの量は
最外周と最内周とて等しくなり、このため外周側と内周
側の記録性能（温度上昇）が等しくなるものである。第
１表は上記関係をまとめて示すものである。

しかしながら、上記は熱拡散等を無視した推論であって
、実際の実験結果においては、勾配のない光磁気記録層
の場合において光エネルキを線速度そのものではなく線
速度の１７２乗に比例させると記録性能か略一定となる
傾向にある。従って、上２層厚は線速度の１，７２乗に
反ｔヒ例させるのか良く、この関係を数式で表わすと、 とすれば良い。従って、今ｒｏｕｔ　＝　２　ｒ　ｉｎ
であるときには、ｄｉｎ＝　１．４ｄＯｕｔとなる層厚
勾配にすれば良いことになるか、これに少し余裕をもた
せてｄｉｎ＝　１．４〜２．０ｄＯｕｔとなる層厚勾配
ｆ、：　Ｔ　ルのが良い。なあ、この層厚勾配は外側に
向けて薄くなるものであれば良く、直線的であるのかデ
ィスク製作上好ましいが、曲線的でめっでも良い。

また、記録書込を正確に行うため内周側層厚ｄｉｎは９
００人〜４０００人、外周側層厚ｄｏｌｔは７００Ａ〜
２０００Ａの範囲で形成するのかよい。なお、上記記録
層３に付与する層厚勾配は記録層３のうち少なくとも有
効記録領域に付与すれば良いものである。

また層厚制御方法としては例えばマスクを使用する方法
かある。

第３図はこの方法を実施する装置の断面概略図でめる。

図示の如く、基板２は基板ホルダ５に保持され、中心ｉ
！［１１６を中心に回転せしめられる。一方、基板２上
に光磁気記録層をスパッタリングにより形成するための
希土類遷移金属ターゲラ１へ７かこの基板２に対向して
配設され、このターゲット７と基板２どの間に記録層の
層厚制御用マスク手段８か配設されている。このマスク
手段８は第３図および第３図中の矢印六方向から見た図
である第４図に示す様に、遮蔽板８ａと、該遮蔽板８ａ
に形成された開口部８ｂと、該開口部８ｂに設りられた
可動遮閉マスク８Ｃとから成り、スパッタリング中この
マスク８Ｃを矢印Ｂ方向に移動させることにより記録層
のり厚を制御するものである。

他の実施例として、前実施例のように層厚勾配（感度勾
配）か形成された光磁気記録層の光照射側表面に光吸収
層を形成し、この光吸収層にも内周側層厚が外周側層厚
よりも厚くなるような層厚勾西已を付与し、両層の層厚
勾配によって光磁気記録層の外周側と内周側の記録性能
を一定にするようにしても良い。もちろん、本発明とは
異なるか、光磁気配録層の層厚は均一であって上記の様
な光吸収層の層厚勾配のみによっても記録能力か一定に
なるようにすることか可能でおる。

（発明の効果） 本発明による光磁気ディスクは円形基板上の光磁気記録
層に外周側層厚が内周側層厚より薄くなる層厚勾配が付
与されているため、配録書込の際、ＣＡＶ方式において
も、ディスクの外周側の記録１部分と内周側の記録層部
分とか単位体積当り略同量の光エネルキを受けることに
なる。

このため、本発明に係る光磁気ディスクは、外周側の記
録一部分に内周側の記録層部分より多くの熱量を照射ぜ
ずとも等しくキュリ一点に到達させることかでき、内周
側と外周側とか均一な記録性能を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光磁気ディスクの一実施例の断面
図、 第２図は第１図に示す実施例の平面概略図、第３図は層
厚制御装置の一例を示す断面図、第４図は第３図の矢印
六方向から見た矢視図である。 １・・・光磁気ディスク　　　２・・・円形基板３・・
・光磁気記録層　　　　ｄｏｌｔ・・・外周側層厚ｄｉ
ｎ・・・内周側層厚 ■　　の

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 円形基板上に光磁気記録層を設けてなる光磁気ディスク
   において、 前記光磁気記録層に、該記録層の外周側層厚が内周側層
   厚より薄くなる層厚勾配が付与されていることを特徴と
   する光磁気ディスク。