JPH0521636A - リードレスチツプキヤリア - Google Patents
リードレスチツプキヤリアInfo
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- JPH0521636A JPH0521636A JP3170784A JP17078491A JPH0521636A JP H0521636 A JPH0521636 A JP H0521636A JP 3170784 A JP3170784 A JP 3170784A JP 17078491 A JP17078491 A JP 17078491A JP H0521636 A JPH0521636 A JP H0521636A
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- Japan
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- wiring pattern
- plating
- chip
- substrate
- chip carrier
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】
【構成】マルチチップ構成のリードレスチップキャリア
において、基板1を多層化し、内層にめっき用導体パタ
ーン7を設け、基板1側面の側面スルーホール3の間か
ら外部に引き出す。このめっき用導体パターン7および
スルーホール8を介して、内部クローズ配線パターン6
を外部から電解めっきする。 【効果】基板1上面には、めっき用配線パターンを設け
る必要がないので、基板1の面積利用率が高くなり、全
体の形状を小型化することができる。めっき用導体パタ
ーンを後から取り除くための工程が不要になるので、製
造コストを低減することができる。内部クローズ配線パ
ターン6は、表面状態が平滑性に富みワイヤボンディン
グの接続強度に優れているので、従来のものよりも接続
の信頼性に優れたリードレスチップキャリアを提供する
ことができる。
において、基板1を多層化し、内層にめっき用導体パタ
ーン7を設け、基板1側面の側面スルーホール3の間か
ら外部に引き出す。このめっき用導体パターン7および
スルーホール8を介して、内部クローズ配線パターン6
を外部から電解めっきする。 【効果】基板1上面には、めっき用配線パターンを設け
る必要がないので、基板1の面積利用率が高くなり、全
体の形状を小型化することができる。めっき用導体パタ
ーンを後から取り除くための工程が不要になるので、製
造コストを低減することができる。内部クローズ配線パ
ターン6は、表面状態が平滑性に富みワイヤボンディン
グの接続強度に優れているので、従来のものよりも接続
の信頼性に優れたリードレスチップキャリアを提供する
ことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードレスチップキャ
リアに関し、特に、絶縁樹脂製基板上に複数のチップ部
品が搭載されたマルチチップ構成のリードレスチップキ
ャリアに関する。
リアに関し、特に、絶縁樹脂製基板上に複数のチップ部
品が搭載されたマルチチップ構成のリードレスチップキ
ャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】リードレスチップキャリアは、シングル
チップ構成のものでも或いはマルチチップ構成のもので
も、基本的には、絶縁樹脂製の基板上に配線パターンが
形成されおり、チップ部品がマウントされている構造と
なっている。そして、配線パターンの電極部分とチップ
部品の電極部分とが、金線などをワイヤボンディングし
て接続されている。
チップ構成のものでも或いはマルチチップ構成のもので
も、基本的には、絶縁樹脂製の基板上に配線パターンが
形成されおり、チップ部品がマウントされている構造と
なっている。そして、配線パターンの電極部分とチップ
部品の電極部分とが、金線などをワイヤボンディングし
て接続されている。
【0003】ここで、マルチチップ構成のリードレスチ
ップキャリア(以下マルチチップLCCと記す)を考え
ると、上記の配線パターンとしては下記の2種類のもの
がある。すなわち、基板の側面に設けられている側面
スルーホールを介して外部の導体とチップ部 品とを接
続するための配線パターンと、外部の導体からは独立
して、例えばチップ部品とチップ部品とを接続するため
の配線パターンとである。
ップキャリア(以下マルチチップLCCと記す)を考え
ると、上記の配線パターンとしては下記の2種類のもの
がある。すなわち、基板の側面に設けられている側面
スルーホールを介して外部の導体とチップ部 品とを接
続するための配線パターンと、外部の導体からは独立
して、例えばチップ部品とチップ部品とを接続するため
の配線パターンとである。
【0004】本発明の対象となるのは、上記の配線パタ
ーンのうち、のもの(以後、内部クローズ配線パター
ンと記す)であって、特に、そのパターン形成に関する
ことである。
ーンのうち、のもの(以後、内部クローズ配線パター
ンと記す)であって、特に、そのパターン形成に関する
ことである。
【0005】マルチチップLCCにおける2つの配線パ
ターンの形成方法についてみてみると、基板側面の側面
スルーホールとつながっている配線パターン(上記の
配線パターン)は、外部の電源と導通させることができ
るので、このことを利用して電解めっきによってパター
ンを形成することができる。一方、内部クローズ配線パ
ターンは、前述のように、外部の導体からは独立してい
るので、このままでは電解めっきを行なうことができな
い。このため、従来、内部クローズ配線パターンのパタ
ーン形成方法としては、下記の2つが用いられていた。
外部パッドから内部クローズ配線パターンまでのめっ
き用の導体パターンを予 め設けておき、めっき作業終
了後、このめっき用導体パターンを、その付近の 基板
ごとドリルなどで取り除く。内部クローズ配線パター
ンのみ無電解めっきにより形成する。
ターンの形成方法についてみてみると、基板側面の側面
スルーホールとつながっている配線パターン(上記の
配線パターン)は、外部の電源と導通させることができ
るので、このことを利用して電解めっきによってパター
ンを形成することができる。一方、内部クローズ配線パ
ターンは、前述のように、外部の導体からは独立してい
るので、このままでは電解めっきを行なうことができな
い。このため、従来、内部クローズ配線パターンのパタ
ーン形成方法としては、下記の2つが用いられていた。
外部パッドから内部クローズ配線パターンまでのめっ
き用の導体パターンを予 め設けておき、めっき作業終
了後、このめっき用導体パターンを、その付近の 基板
ごとドリルなどで取り除く。内部クローズ配線パター
ンのみ無電解めっきにより形成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した、従来の内部
クローズ配線パターンのうち、の方法(めっき用導体
パターンを設けておき、後でこれをドリルで取り除く方
法)では、ドリルの穴の部分は配線パターンとしては利
用することができないので、基板の寸法をその分大きく
しければならず、基板の面積利用率が悪くなってしま
う。
クローズ配線パターンのうち、の方法(めっき用導体
パターンを設けておき、後でこれをドリルで取り除く方
法)では、ドリルの穴の部分は配線パターンとしては利
用することができないので、基板の寸法をその分大きく
しければならず、基板の面積利用率が悪くなってしま
う。
【0007】そこで、この欠点を改善するために、ドリ
ルを基板を貫通させず、基板の表面だけをめっき用導体
パターンと一緒に除去する方法が行なわれている。しか
しながら、この方法では、作業工数の増加,歩留りの低
下あるいは材料費の上昇というような問題が起る。
ルを基板を貫通させず、基板の表面だけをめっき用導体
パターンと一緒に除去する方法が行なわれている。しか
しながら、この方法では、作業工数の増加,歩留りの低
下あるいは材料費の上昇というような問題が起る。
【0008】一方、の方法(無電解めっきによる方
法)では、めっき後の表面の粗さが電解めっきによるよ
りも大きい。このため、金線と内部クローズ配線パター
ンとの間のボンディングの接続強度が十分でなく、接続
の信頼性を確保することが難しい。
法)では、めっき後の表面の粗さが電解めっきによるよ
りも大きい。このため、金線と内部クローズ配線パター
ンとの間のボンディングの接続強度が十分でなく、接続
の信頼性を確保することが難しい。
【0009】本発明は上述のような従来のマルチチップ
LCCの問題点に鑑みてなされたものであって、内部ク
ローズ配線パターンが電解めっきで形成されており、チ
ップ部品とのワイヤボンディングの接続の信頼性に優
れ、しかも、従来のものに比べて、基板の面積利用率が
高く製造コストの低いマルチチップLCCを提供するこ
とを目的とする。
LCCの問題点に鑑みてなされたものであって、内部ク
ローズ配線パターンが電解めっきで形成されており、チ
ップ部品とのワイヤボンディングの接続の信頼性に優
れ、しかも、従来のものに比べて、基板の面積利用率が
高く製造コストの低いマルチチップLCCを提供するこ
とを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のリードレスチッ
プキャリアは、一方の面に配線パターンが設けられた絶
縁樹脂製基板上に複数のチップ部品が搭載されているリ
ードレスチップキャリアであって、前述の絶縁樹脂製基
板は、多層構造をなしており、内部の層には、隣り合う
側面スルーホールの間に、この基板上の配線パターンの
うち内部クローズ配線パターンのめっき用導体パターン
が設けられていることを特徴としている。
プキャリアは、一方の面に配線パターンが設けられた絶
縁樹脂製基板上に複数のチップ部品が搭載されているリ
ードレスチップキャリアであって、前述の絶縁樹脂製基
板は、多層構造をなしており、内部の層には、隣り合う
側面スルーホールの間に、この基板上の配線パターンの
うち内部クローズ配線パターンのめっき用導体パターン
が設けられていることを特徴としている。
【0011】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図を
用いて説明する。図1は、本発明の一実施例のマルチチ
ップLCCの、外装樹脂をポッティングする前の状態を
示す上面図である。図2は、フレームから切断された後
のマルチチップLCCにおける側面スルーホールの近辺
の部分拡大斜視図である。
用いて説明する。図1は、本発明の一実施例のマルチチ
ップLCCの、外装樹脂をポッティングする前の状態を
示す上面図である。図2は、フレームから切断された後
のマルチチップLCCにおける側面スルーホールの近辺
の部分拡大斜視図である。
【0012】図1および図2を参照すると、本実施例の
マルチチップLCCにおいては、ガラスエポキシを材料
とする絶縁樹脂製の基板1上に、2個のチップ部品21
および22がマウントされている。基板1は2層構造に
なっており、側面には側面スルーホール3が設けられて
いる。上の層には、側面スルーホール3からチップ部品
2の方向に伸びた配線パターン4が形成されている。そ
して、チップ部品21または22と配線パターン4とが
金線5で接続されている。金線5は、チップ部品21お
よび22の電極部分と配線パターン4の電極部分にワイ
ヤボンディングされている。
マルチチップLCCにおいては、ガラスエポキシを材料
とする絶縁樹脂製の基板1上に、2個のチップ部品21
および22がマウントされている。基板1は2層構造に
なっており、側面には側面スルーホール3が設けられて
いる。上の層には、側面スルーホール3からチップ部品
2の方向に伸びた配線パターン4が形成されている。そ
して、チップ部品21または22と配線パターン4とが
金線5で接続されている。金線5は、チップ部品21お
よび22の電極部分と配線パターン4の電極部分にワイ
ヤボンディングされている。
【0013】又、基板1上面には、チップ部品21と2
2との間に、3つの内部クローズ配線パターン6が形成
されている。それぞれの内部クローズ配線パターン6
は、一端がチップ部品21とワイヤボンディングによっ
て接続されており、他端はチップ部品22と接続されて
いる。この3つの内部クローズ配線パターン6は、基板
1の下の層に設けられた3つのめっき用導体パターン7
にスルーホール8を介して接続されている。そして、3
つのめっき用導体パターン7は、隣り合う側面スルーホ
ール3の間を通って基板1の外部へ引き出されている。
2との間に、3つの内部クローズ配線パターン6が形成
されている。それぞれの内部クローズ配線パターン6
は、一端がチップ部品21とワイヤボンディングによっ
て接続されており、他端はチップ部品22と接続されて
いる。この3つの内部クローズ配線パターン6は、基板
1の下の層に設けられた3つのめっき用導体パターン7
にスルーホール8を介して接続されている。そして、3
つのめっき用導体パターン7は、隣り合う側面スルーホ
ール3の間を通って基板1の外部へ引き出されている。
【0014】本実施例においては、このめっき用導体パ
ターン7が、基板1のフレーム(図示せず)またはシー
トの余白部分で(図示せず)、基板1の外部パッド(図
示せず)からの導体パターン(図示せず)とスルーホー
ル(図示せず)を介して接続されている。このため、内
部クローズ配線パターン6を電解めっきで形成すること
が可能である。このめっき用導体パターン7は、マルチ
チップLCCが組立て用のフレームあるいはシートから
個片に切断される時に、外部パッドの余白部分と共に切
り落される。
ターン7が、基板1のフレーム(図示せず)またはシー
トの余白部分で(図示せず)、基板1の外部パッド(図
示せず)からの導体パターン(図示せず)とスルーホー
ル(図示せず)を介して接続されている。このため、内
部クローズ配線パターン6を電解めっきで形成すること
が可能である。このめっき用導体パターン7は、マルチ
チップLCCが組立て用のフレームあるいはシートから
個片に切断される時に、外部パッドの余白部分と共に切
り落される。
【0015】本実施例では、80ピンのマルチチップL
CCを作った。この場合、側面スルーホール3の部分で
の配線パターンの寸法は、幅が350μmであり、間隔
が300μmであるのに対して、図2に示すように、隣
り合う側面スルーホール3の間の中心位置に幅75μm
のめっき用導体パターン7を引き出した。そして、この
めっき用導体パターンを、基板の端部で各々接続してめ
っき用電極とし、従来通り厚さ0.3μm以上の金めっ
きを行なって、内部クローズ配線パターン6を形成し
た。
CCを作った。この場合、側面スルーホール3の部分で
の配線パターンの寸法は、幅が350μmであり、間隔
が300μmであるのに対して、図2に示すように、隣
り合う側面スルーホール3の間の中心位置に幅75μm
のめっき用導体パターン7を引き出した。そして、この
めっき用導体パターンを、基板の端部で各々接続してめ
っき用電極とし、従来通り厚さ0.3μm以上の金めっ
きを行なって、内部クローズ配線パターン6を形成し
た。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチチ
ップ構成のリードレスチップキャリアは、基板が多層化
され、その内層には、内部クローズ配線パターンを電解
めっきするためのめっき用導体パターンが設けられ、こ
れが基板側面の側面スルーホールの間から外部に引き出
される構造になっている。従って、このめっき用導体パ
ターンを用いて、内部クローズ配線パターンを電解めっ
きすることができる。このため、本発明によれば、基板
上面にはめっき用配線パターンを設ける必要がなく、基
板の面積利用率を高め、全体の形状を小型化することが
できる。このことは、電子機器の小型化、実装密度の高
密度化を推し進める上で非常に大きな効果をもたらす。
ップ構成のリードレスチップキャリアは、基板が多層化
され、その内層には、内部クローズ配線パターンを電解
めっきするためのめっき用導体パターンが設けられ、こ
れが基板側面の側面スルーホールの間から外部に引き出
される構造になっている。従って、このめっき用導体パ
ターンを用いて、内部クローズ配線パターンを電解めっ
きすることができる。このため、本発明によれば、基板
上面にはめっき用配線パターンを設ける必要がなく、基
板の面積利用率を高め、全体の形状を小型化することが
できる。このことは、電子機器の小型化、実装密度の高
密度化を推し進める上で非常に大きな効果をもたらす。
【0017】更に、従来のリードレスチップキャリアの
ように基板上面にめっき用導体パターンを設けた場合に
は、このめっき用導体パターンを後からドリルなどによ
って取り除くための工程が必要であるが、本発明によれ
ば、この工程が不要になるので、製造コストを低減する
ことができる。
ように基板上面にめっき用導体パターンを設けた場合に
は、このめっき用導体パターンを後からドリルなどによ
って取り除くための工程が必要であるが、本発明によれ
ば、この工程が不要になるので、製造コストを低減する
ことができる。
【0018】しかも、電解めっきによって形成された内
部クローズ配線パターンの表面状態は無電解めっきによ
るものよりも平滑であるので、ワイヤボンディングの接
続強度を向上させるための特別な方法を用いなくても従
来のリードレスチップキャリアにおけるよりも接続の信
頼性に優れたリードレスチップキャリアを提供すること
ができる。
部クローズ配線パターンの表面状態は無電解めっきによ
るものよりも平滑であるので、ワイヤボンディングの接
続強度を向上させるための特別な方法を用いなくても従
来のリードレスチップキャリアにおけるよりも接続の信
頼性に優れたリードレスチップキャリアを提供すること
ができる。
【図1】本発明の一実施例によるマルチチップLCC
の、外装樹脂ポッティング前の状態を示す上面図であ
る。
の、外装樹脂ポッティング前の状態を示す上面図であ
る。
【図2】図1に示すリードレスチップキャリアの、フレ
ームから切り離された後の側面スルーホール近辺の状態
を示す部分拡大斜視図である。
ームから切り離された後の側面スルーホール近辺の状態
を示す部分拡大斜視図である。
1 基板 21,22 チップ部品 3 側面スルーホール 4 配線パターン 5 金線 6 内部クローズ配線パターン 7 めっき用導体パターン 8 スルーホール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 一方の面に配線パターンが設けられた絶
縁樹脂製基板上に複数のチップ部品が搭載されてなるリ
ードレスチップキャリアにおいて、 前記基板は、多層構造をなし、内部の層には、隣り合う
側面スルーホールの間に、前記基板上の配線パターンの
うち内部クローズ配線パターンのめっき用導体パターン
が設けられていることを特徴とするリードレスチップキ
ャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170784A JPH0521636A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | リードレスチツプキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170784A JPH0521636A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | リードレスチツプキヤリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521636A true JPH0521636A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15911309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3170784A Pending JPH0521636A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | リードレスチツプキヤリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521636A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009194000A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多数個取り配線基板 |
CN112400211A (zh) * | 2018-07-13 | 2021-02-23 | 株式会社村田制作所 | 层叠电子部件以及层叠电子部件的制造方法 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3170784A patent/JPH0521636A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009194000A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多数個取り配線基板 |
CN112400211A (zh) * | 2018-07-13 | 2021-02-23 | 株式会社村田制作所 | 层叠电子部件以及层叠电子部件的制造方法 |
CN112400211B (zh) * | 2018-07-13 | 2022-06-14 | 株式会社村田制作所 | 层叠电子部件以及层叠电子部件的制造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990824 |