JPH05210111A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH05210111A JPH05210111A JP31817091A JP31817091A JPH05210111A JP H05210111 A JPH05210111 A JP H05210111A JP 31817091 A JP31817091 A JP 31817091A JP 31817091 A JP31817091 A JP 31817091A JP H05210111 A JPH05210111 A JP H05210111A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アクティブマトリクス型液晶表示装置における
明欠陥を、目立たなくする。 【構成】薄膜トランジスタのゲート電極２と、ドレイン
電極５との重なり部分にレーザー光２１を照射する。ゲ
ート絶縁膜９が破壊されてゲート電極２とドレイン電極
５が溶融し電気的に接続される。ドレイン電極５に接続
された表示電極６を介して液晶１２には走査パルスが直
流電圧として印加される。この液晶１２部はノーマリオ
ープンモードでは暗表示となり目立たなくなる。
明欠陥を、目立たなくする。 【構成】薄膜トランジスタのゲート電極２と、ドレイン
電極５との重なり部分にレーザー光２１を照射する。ゲ
ート絶縁膜９が破壊されてゲート電極２とドレイン電極
５が溶融し電気的に接続される。ドレイン電極５に接続
された表示電極６を介して液晶１２には走査パルスが直
流電圧として印加される。この液晶１２部はノーマリオ
ープンモードでは暗表示となり目立たなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型液晶表示装置に関するものである。
型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置に
は、スイッチ素子として薄膜電界効果型トランジスタ等
が使用される。表示装置において下層の配線に走査線を
配置し、半導体としてアモルファスシリコンを使用した
場合の画素部分のパターンを図２に示す。図２の（ａ）
は平面図、（ｂ）は薄膜電界効果型トランジスタのＡ−
Ａ′間の断面図である。また、スイッチ素子として薄膜
電界効果型トランジスタを用いて液晶を動作させる場合
の駆動波形を図３に示す。さらに、１画素の等価回路を
図４に示す。
は、スイッチ素子として薄膜電界効果型トランジスタ等
が使用される。表示装置において下層の配線に走査線を
配置し、半導体としてアモルファスシリコンを使用した
場合の画素部分のパターンを図２に示す。図２の（ａ）
は平面図、（ｂ）は薄膜電界効果型トランジスタのＡ−
Ａ′間の断面図である。また、スイッチ素子として薄膜
電界効果型トランジスタを用いて液晶を動作させる場合
の駆動波形を図３に示す。さらに、１画素の等価回路を
図４に示す。
【０００３】図２において１は走査線、２はゲート電
極、３は信号線、４はソース電極、５はドレイン電極、
６は表示電極、７は蓄積コンデンサ用下部電極である。
走査線１とゲート電極２及び信号線３とソース電極４は
それぞれ一体で形成されている。ドレイン電極５と表示
電極６は電気的に接続されている。また、８はガラス基
板、９はゲート絶縁膜、１０はアモルファスシリコン
膜、１１は燐をドープしたアモルファスシリコン膜であ
る。なお、表示電極６は蓄積コンデンサ用上部電極を兼
ねている。さらに１２は液晶、１３は表示電極６に対し
て液晶１２を介して配置された対向電極である。図３に
おいてＶｇは走査パルス、Ｖｓｇは信号線電位、Ｖｃは
共通電位で対向電極に印加される。図４において１４は
薄膜電界効果型トランジスタである。１５は２枚の基板
間に形成される１表示セルの液晶コンデンサ、１６は蓄
積コンデンサで、配線及び薄膜電界効果型トランジスタ
等が形成された一方の基板と同一の基板上に形成されて
いる。図２の蓄積コンデンサ下部電極７は液晶表示素子
アレイの周辺部で対向電極１３に接続されている。実際
の液晶表示素子アレイでは、図４の等価回路がマトリク
ス状に配置されている。
極、３は信号線、４はソース電極、５はドレイン電極、
６は表示電極、７は蓄積コンデンサ用下部電極である。
走査線１とゲート電極２及び信号線３とソース電極４は
それぞれ一体で形成されている。ドレイン電極５と表示
電極６は電気的に接続されている。また、８はガラス基
板、９はゲート絶縁膜、１０はアモルファスシリコン
膜、１１は燐をドープしたアモルファスシリコン膜であ
る。なお、表示電極６は蓄積コンデンサ用上部電極を兼
ねている。さらに１２は液晶、１３は表示電極６に対し
て液晶１２を介して配置された対向電極である。図３に
おいてＶｇは走査パルス、Ｖｓｇは信号線電位、Ｖｃは
共通電位で対向電極に印加される。図４において１４は
薄膜電界効果型トランジスタである。１５は２枚の基板
間に形成される１表示セルの液晶コンデンサ、１６は蓄
積コンデンサで、配線及び薄膜電界効果型トランジスタ
等が形成された一方の基板と同一の基板上に形成されて
いる。図２の蓄積コンデンサ下部電極７は液晶表示素子
アレイの周辺部で対向電極１３に接続されている。実際
の液晶表示素子アレイでは、図４の等価回路がマトリク
ス状に配置されている。
【０００４】図３及び図４を用いて本表示素子アレイの
動作を説明する。まず映像信号の第１フィールドにおい
ては、各表示セルの輝度に対応する信号電圧が信号線電
位Ｖｓｇとして信号線３に供給される。薄膜トランジス
タ１４のゲートに接続された走査線１に走査パルスＶｇ
が供給されると薄膜トランジスタ１４がオンし、信号線
電位Ｖｓｇが薄膜電界効果型トランジスタを通して液晶
コンデンサ１５及び蓄積コンデンサ１６に書き込まれ
る。この場合、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃに
対して高いとする。走査パルスＶｇがオフし薄膜電界効
果型トランジスタ１４がオフすると、書き込まれた電圧
は理想的には次の第２フィールドで電圧が書き込まれる
まで保持される。蓄積コンデンサ１６は薄膜電界効果型
トランジスタトーの寄生容量による電圧変動を抑える役
目をする。薄膜電界効果型トランジスタ１４のゲート・
ソース間の寄生容量による液晶電位の変動を考慮して、
予め共通電位Ｖｃは信号線電位Ｖｓｇの振幅の中心値よ
りも下げてある。映像信号の第２フィールドでは、第１
フィールドと同様に信号線３に供給された信号線電位Ｖ
ｓｇは走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜電
界効果型トランジスタ１４を通して液晶コンデンァ１５
及び蓄積コンデンサ１６に書き込まれる。なお、第２フ
ィールドでは、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃに
対して低いとする。薄膜電界効果型トランジスタ１４が
オフすると、書き込まれた電圧は次のフィールドで電圧
が書き込まれるまで保持される。このように薄膜電界効
果型トランジスタをスイッチとして用いて、液晶セル自
身を信号電荷コンデンサとして利用して液晶に電圧を印
加、駆動することを繰り返し、透過光強度を変調して画
像を表示する。
動作を説明する。まず映像信号の第１フィールドにおい
ては、各表示セルの輝度に対応する信号電圧が信号線電
位Ｖｓｇとして信号線３に供給される。薄膜トランジス
タ１４のゲートに接続された走査線１に走査パルスＶｇ
が供給されると薄膜トランジスタ１４がオンし、信号線
電位Ｖｓｇが薄膜電界効果型トランジスタを通して液晶
コンデンサ１５及び蓄積コンデンサ１６に書き込まれ
る。この場合、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃに
対して高いとする。走査パルスＶｇがオフし薄膜電界効
果型トランジスタ１４がオフすると、書き込まれた電圧
は理想的には次の第２フィールドで電圧が書き込まれる
まで保持される。蓄積コンデンサ１６は薄膜電界効果型
トランジスタトーの寄生容量による電圧変動を抑える役
目をする。薄膜電界効果型トランジスタ１４のゲート・
ソース間の寄生容量による液晶電位の変動を考慮して、
予め共通電位Ｖｃは信号線電位Ｖｓｇの振幅の中心値よ
りも下げてある。映像信号の第２フィールドでは、第１
フィールドと同様に信号線３に供給された信号線電位Ｖ
ｓｇは走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜電
界効果型トランジスタ１４を通して液晶コンデンァ１５
及び蓄積コンデンサ１６に書き込まれる。なお、第２フ
ィールドでは、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃに
対して低いとする。薄膜電界効果型トランジスタ１４が
オフすると、書き込まれた電圧は次のフィールドで電圧
が書き込まれるまで保持される。このように薄膜電界効
果型トランジスタをスイッチとして用いて、液晶セル自
身を信号電荷コンデンサとして利用して液晶に電圧を印
加、駆動することを繰り返し、透過光強度を変調して画
像を表示する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜電界効果型トラン
ジスタ駆動液晶表示装置は、ブラウン管並の高画質を得
ることができる半面、製造工程が複雑で、製造歩留まり
が低いためにコストが高くなっている。液晶表示装置の
表示画像の品質を低下させ、製造歩留まりを下げる原因
の一つに画素の欠陥がある。薄膜電界効果型トランジス
タの動作が不良の場合や、表示画素電極とドレイン電極
との接続が不良の場合には液晶に電圧が印加されなくな
る。液晶に電圧が印加されない状態で光が透過するよう
に変更フィルムを設定した場合（ノーマリオープンモー
ド）には、前述の不良が発生した画素は信号電圧に関わ
りなく光が透過する“明”欠陥となる。この明欠陥は非
常に目立つために画質を低下させていた。
ジスタ駆動液晶表示装置は、ブラウン管並の高画質を得
ることができる半面、製造工程が複雑で、製造歩留まり
が低いためにコストが高くなっている。液晶表示装置の
表示画像の品質を低下させ、製造歩留まりを下げる原因
の一つに画素の欠陥がある。薄膜電界効果型トランジス
タの動作が不良の場合や、表示画素電極とドレイン電極
との接続が不良の場合には液晶に電圧が印加されなくな
る。液晶に電圧が印加されない状態で光が透過するよう
に変更フィルムを設定した場合（ノーマリオープンモー
ド）には、前述の不良が発生した画素は信号電圧に関わ
りなく光が透過する“明”欠陥となる。この明欠陥は非
常に目立つために画質を低下させていた。
【０００６】冗長構造として、画素を２分割して一方の
画素が欠陥となっても他方の画素により救済する方法が
ある。しかし、この場合にも明欠陥は目立つために救済
とはならず、表示画質を低下させていることにはかわり
なかった。
画素が欠陥となっても他方の画素により救済する方法が
ある。しかし、この場合にも明欠陥は目立つために救済
とはならず、表示画質を低下させていることにはかわり
なかった。
【０００７】本発明は、欠陥を目立たなくし、画質低下
を防止したアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することを目的としている。
を防止したアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の透光性
絶縁基板に液晶が充填され、その一方の基板の内面に並
列配置された複数の走査線と、並列配置された複数の信
号線とが互いに交差して形成され、前記走査線と前記信
号線とで囲まれた領域に画素電極が形成され、前記走査
線と前記信号線との各交差部付近に薄膜電界効果型トラ
ンジスタが形成され、各々の前記薄膜電界効果型トラン
ジスタのドレイン電極が前記画素電極に接続され、前記
薄膜電界効果型トランジスタのゲート電極と前記ドレイ
ン電極との重なり部分では前記ゲート電極と前記ドレイ
ン電極との層間に少なくとも絶縁膜及び半導体膜が積層
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
マトリクス状の複数の前記薄膜電界効果型トランジスタ
の一部分の前記薄膜電界効果型トランジスタについて、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との前記重なり部分
にレーザーが照射されて、前記ゲート電極と前記ドレイ
ン電極とが電気的に短絡されていることを特徴としてい
る。
絶縁基板に液晶が充填され、その一方の基板の内面に並
列配置された複数の走査線と、並列配置された複数の信
号線とが互いに交差して形成され、前記走査線と前記信
号線とで囲まれた領域に画素電極が形成され、前記走査
線と前記信号線との各交差部付近に薄膜電界効果型トラ
ンジスタが形成され、各々の前記薄膜電界効果型トラン
ジスタのドレイン電極が前記画素電極に接続され、前記
薄膜電界効果型トランジスタのゲート電極と前記ドレイ
ン電極との重なり部分では前記ゲート電極と前記ドレイ
ン電極との層間に少なくとも絶縁膜及び半導体膜が積層
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
マトリクス状の複数の前記薄膜電界効果型トランジスタ
の一部分の前記薄膜電界効果型トランジスタについて、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との前記重なり部分
にレーザーが照射されて、前記ゲート電極と前記ドレイ
ン電極とが電気的に短絡されていることを特徴としてい
る。
【０００９】
【作用】図１は、本発明による液晶表示装置の平面図及
び断面図である。レーザー光を薄膜電界効果型トランジ
スタのゲートとドレイン電極の重なり部分に照射するこ
とによりゲート絶縁膜及び半導体膜を破壊し、薄膜電界
効果型トランジスタのゲートとドレイン電極の金属を電
気的に接続している。ゲート電極とドレイン電極が短絡
した画素の表示電極にはゲート電圧（走査パルス）が加
わることになる。走査パルスはほとんどの期間オフして
いるので、液晶には対向電極の電位を基準にして負の直
流電圧が印加される。したがって、この画素の液晶はオ
ン状態となり、偏光フィルムがノーマリオープンモード
では“暗”表示（光が透過しない状態）となり、目立た
なくなる。
び断面図である。レーザー光を薄膜電界効果型トランジ
スタのゲートとドレイン電極の重なり部分に照射するこ
とによりゲート絶縁膜及び半導体膜を破壊し、薄膜電界
効果型トランジスタのゲートとドレイン電極の金属を電
気的に接続している。ゲート電極とドレイン電極が短絡
した画素の表示電極にはゲート電圧（走査パルス）が加
わることになる。走査パルスはほとんどの期間オフして
いるので、液晶には対向電極の電位を基準にして負の直
流電圧が印加される。したがって、この画素の液晶はオ
ン状態となり、偏光フィルムがノーマリオープンモード
では“暗”表示（光が透過しない状態）となり、目立た
なくなる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明による液晶表示装置の一実施
例の平面図及び断面図であって、（ａ）はパターン図、
（ｂ）はＡ−Ａ′における断面図である。スイッチ素子
としてアモルファスシリコンを使用している。
例の平面図及び断面図であって、（ａ）はパターン図、
（ｂ）はＡ−Ａ′における断面図である。スイッチ素子
としてアモルファスシリコンを使用している。
【００１１】図１において１は走査線、２はゲート電
極、３は信号線、４はソース電極、５はドレイン電極で
クロムから形成される。６は表示電極でＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎ Ｈｘｉｄｅ）から形成される。７は蓄積
コンデンサ用下部電極で、クロムから形成されている。
走査線１とゲート電極２及び信号線３とソース電極４は
それぞれ一体で形成されている。ドレイン電極５と表示
電極６は電気的に接続されている。また、８はガラス基
板、９はゲート絶縁膜、１０はアモルファスシリコン
膜、１１は燐をドープしたアモルファスシリコン膜であ
る。絶縁膜９は窒化シリコンから形成されている。な
お、表示電極は蓄積コンデンサ用上部電極を兼ねてい
る。さらに１２は液晶、１３は表示電極６に対して液晶
１２を介して配置された対向電極である。さらに、２０
はレーザー光照射によるゲート電極とドレイン電極との
短絡部分、２１はレーザ光である。
極、３は信号線、４はソース電極、５はドレイン電極で
クロムから形成される。６は表示電極でＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎ Ｈｘｉｄｅ）から形成される。７は蓄積
コンデンサ用下部電極で、クロムから形成されている。
走査線１とゲート電極２及び信号線３とソース電極４は
それぞれ一体で形成されている。ドレイン電極５と表示
電極６は電気的に接続されている。また、８はガラス基
板、９はゲート絶縁膜、１０はアモルファスシリコン
膜、１１は燐をドープしたアモルファスシリコン膜であ
る。絶縁膜９は窒化シリコンから形成されている。な
お、表示電極は蓄積コンデンサ用上部電極を兼ねてい
る。さらに１２は液晶、１３は表示電極６に対して液晶
１２を介して配置された対向電極である。さらに、２０
はレーザー光照射によるゲート電極とドレイン電極との
短絡部分、２１はレーザ光である。
【００１２】さて、明点欠陥のあるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に本発明を適用した。ここでは明欠陥
の原因は薄膜電界効果型トランジスタのオフ抵抗が十分
高くないためである。この場合には図４の液晶コンデン
サ１５及び蓄積コンデンサ１６に充電した電荷が放電さ
れるために液晶に十分な電圧が印加されず、明欠陥とな
る。ＹＡＧレーザー光（波長１．０６μｍ）による薄膜
電界効果型トランジスタのゲート・ドレイン短絡の具体
的な方法としては、まず目視により明点欠陥を検出し、
顕微鏡で明点欠陥画素部分を拡大する。次に数μｍ〜５
μｍにしぼったレーザー光スポット２１を図１（ｂ）の
下側から薄膜電界効果型トランジスタのゲート電極２と
ドレイン電極との重なり部分に照射する。照射強度はレ
ーザー光スポットと同程度の面積が黒く変質する程度と
する。強すぎると広い部分が破壊され、また液晶が沸騰
し周囲の正常画素まで欠陥となる。また、レーザー光が
弱く、照射した部分がほとんど変質しない状態では、ゲ
ート電極２とドレイン電極５とは短絡しない。適当な強
度のレーザー光２１をゲート電極・ドレイン電極重なり
部に照射することにより、ゲート絶縁膜９がアモルファ
スシリコン膜１０及び燐をドープしたアモルファスシリ
コン膜１１が破壊され、ゲート電極２とドレイン電極５
とが溶融し、短絡部２０を形成することができる。この
短絡により、表示電極６には走査パルスが印加されて、
明欠陥であった表示は暗欠陥となり、目立たなくなっ
た。
ス型液晶表示装置に本発明を適用した。ここでは明欠陥
の原因は薄膜電界効果型トランジスタのオフ抵抗が十分
高くないためである。この場合には図４の液晶コンデン
サ１５及び蓄積コンデンサ１６に充電した電荷が放電さ
れるために液晶に十分な電圧が印加されず、明欠陥とな
る。ＹＡＧレーザー光（波長１．０６μｍ）による薄膜
電界効果型トランジスタのゲート・ドレイン短絡の具体
的な方法としては、まず目視により明点欠陥を検出し、
顕微鏡で明点欠陥画素部分を拡大する。次に数μｍ〜５
μｍにしぼったレーザー光スポット２１を図１（ｂ）の
下側から薄膜電界効果型トランジスタのゲート電極２と
ドレイン電極との重なり部分に照射する。照射強度はレ
ーザー光スポットと同程度の面積が黒く変質する程度と
する。強すぎると広い部分が破壊され、また液晶が沸騰
し周囲の正常画素まで欠陥となる。また、レーザー光が
弱く、照射した部分がほとんど変質しない状態では、ゲ
ート電極２とドレイン電極５とは短絡しない。適当な強
度のレーザー光２１をゲート電極・ドレイン電極重なり
部に照射することにより、ゲート絶縁膜９がアモルファ
スシリコン膜１０及び燐をドープしたアモルファスシリ
コン膜１１が破壊され、ゲート電極２とドレイン電極５
とが溶融し、短絡部２０を形成することができる。この
短絡により、表示電極６には走査パルスが印加されて、
明欠陥であった表示は暗欠陥となり、目立たなくなっ
た。
【００１３】本実施例においては、ＹＡＧレーザーを用
いたが、アルゴンレーザー等他のレーザー光も応用でき
る。短絡部分は１ケ所としたが、短絡を確実にするた
め、複数ケ所を短絡してもよい。また、レーザー光は下
のガラス基板側から照射したが、上のガラス基板側から
照射してもよい。金属材料はクロムとしたが、タンタ
ル、アルミニウム、チタン等の他の金属でもよい。ゲー
ト絶縁膜としては、窒化シリコンだけではなく、二酸化
シリコン、酸化タンタル、酸化アルミ等他の絶縁膜でも
良いし、これらの積層膜でも短絡が可能である。さら
に、薄膜電界効果型トランジスタの半導体材料としてア
モルファスシリコンを使用したが、多結晶シリコン等の
他の半導体を使用した薄膜電界効果型トランジスタから
構成された液晶表示装置についても、本発明が応用でき
る。
いたが、アルゴンレーザー等他のレーザー光も応用でき
る。短絡部分は１ケ所としたが、短絡を確実にするた
め、複数ケ所を短絡してもよい。また、レーザー光は下
のガラス基板側から照射したが、上のガラス基板側から
照射してもよい。金属材料はクロムとしたが、タンタ
ル、アルミニウム、チタン等の他の金属でもよい。ゲー
ト絶縁膜としては、窒化シリコンだけではなく、二酸化
シリコン、酸化タンタル、酸化アルミ等他の絶縁膜でも
良いし、これらの積層膜でも短絡が可能である。さら
に、薄膜電界効果型トランジスタの半導体材料としてア
モルファスシリコンを使用したが、多結晶シリコン等の
他の半導体を使用した薄膜電界効果型トランジスタから
構成された液晶表示装置についても、本発明が応用でき
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装
置は、表示品質を低下させていた明欠陥を目立たない暗
欠陥に変換できるので、実用上有効である。
置は、表示品質を低下させていた明欠陥を目立たない暗
欠陥に変換できるので、実用上有効である。
【図１】本発明による液晶表示装置を示す図。
【図２】従来の液晶表示装置を示す図。
【図３】駆動波形図。
【図４】１画素の等価回路図。
１ 走査線 ２ ゲート電極 ３ 信号線 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ 表示電極 ７ 蓄積コンデンサ下部電極 ８ ガラス基板 ９ ゲート絶縁膜 １０ アモルファスシリコン膜 １１ 燐をドープしたアモルファスシリコン膜 １２ 液晶 １３ 対向電極 １４ 薄膜電界効果型トランジスタ １５ 液晶コンデンサ １６ 蓄積コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 ２枚の透光性絶縁基板に液晶が充填さ
れ、その一方の基板の内面に並列配置された複数の走査
線と、並列配置された複数の信号線とが互いに交差して
形成され、前記走査線と前記信号線とで囲まれた領域に
画素電極が形成され、前記走査線と前記信号線との各交
差部付近に薄膜電界効果型トランジスタが形成され、各
々の前記薄膜電界効果型トランジスタのドレイン電極が
前記画素電極に接続され、前記薄膜電界効果型トランジ
スタのゲート電極と前記ドレイン電極との重なり部分で
は前記ゲート電極と前記ドレイン電極との層間に少なく
とも絶縁膜及び半導体膜が積層されたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、マトリクス状の前記薄膜
電界効果型トランジスタのうちの一部分の前記薄膜電界
効果型トランジスタについて、前記ゲート電極と前記ド
レイン電極とが電気的に短絡していることを特徴とする
アクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31817091A JPH05210111A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31817091A JPH05210111A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210111A true JPH05210111A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=18096257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31817091A Withdrawn JPH05210111A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05210111A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002303881A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法 |
| KR100510419B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2005-08-26 | 레이저프론트 테크놀로지스 가부시키가이샤 | 액정표시장치용 래스터 결함 수정 방법 및 이를 위한래스터 결함 수정 장치 |
| JP2007310180A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその欠陥画素修復方法 |
| US8390654B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP31817091A patent/JPH05210111A/ja not_active Withdrawn
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