JPH05119742A - 液晶パネル駆動方法 - Google Patents
液晶パネル駆動方法Info
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- JPH05119742A JPH05119742A JP27936491A JP27936491A JPH05119742A JP H05119742 A JPH05119742 A JP H05119742A JP 27936491 A JP27936491 A JP 27936491A JP 27936491 A JP27936491 A JP 27936491A JP H05119742 A JPH05119742 A JP H05119742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】蓄積コンデンサ部の短絡による欠陥画素の表示
を目立たなくする。 【構成】共通電位Ｖｃに対して、液晶のしきい値電圧以
上のオフセット電圧を加えて蓄積コンデンサ電極にＶｓ
ｃとして印加する。蓄積コンテンサ部で短絡が発生した
画素にはオフセット電圧が直流電圧として常時印加され
る。オフセット電圧を変化させることで、短絡欠陥画素
の明るさを制御する。
を目立たなくする。 【構成】共通電位Ｖｃに対して、液晶のしきい値電圧以
上のオフセット電圧を加えて蓄積コンデンサ電極にＶｓ
ｃとして印加する。蓄積コンテンサ部で短絡が発生した
画素にはオフセット電圧が直流電圧として常時印加され
る。オフセット電圧を変化させることで、短絡欠陥画素
の明るさを制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型液晶パネルの駆動方法に関するものである。
型液晶パネルの駆動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリックス型液晶パネルに
はマトリクス状に配置するスイッチ素子として薄膜電界
効果型トランジスタ、薄膜ダイオード等が使用される。
スイッチ素子として薄膜電界効果型トランジスタを用い
て液晶を動作させる場合の従来の駆動波形を図３に示
す。また、液晶パネルにおいて、下層の配線に走査線を
配置した場合の表示セル部分のパターンを図４に示す。
図４の（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ′間の断面図で
ある。さらに、１表示セルの等価回路を図５に示す。
はマトリクス状に配置するスイッチ素子として薄膜電界
効果型トランジスタ、薄膜ダイオード等が使用される。
スイッチ素子として薄膜電界効果型トランジスタを用い
て液晶を動作させる場合の従来の駆動波形を図３に示
す。また、液晶パネルにおいて、下層の配線に走査線を
配置した場合の表示セル部分のパターンを図４に示す。
図４の（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ′間の断面図で
ある。さらに、１表示セルの等価回路を図５に示す。
【０００３】図３においてＶｇは走査パルス、Ｖｓｇは
信号線電位、Ｖｃは共通電位、Ｖｓｃは蓄積コンデンサ
電極電位で、Ｖｃ及びＶｓｃは同一電位である。図４に
おいては走査線、２は信号線、３は表示電極、４は薄膜
電界効果型トランジスタ（形成部）、５は蓄積コンデン
サ用下部電極、７はガラス基板、８は蓄積コンデンサ用
絶縁膜である。なお、表示電極３は蓄積コンデンサ用上
部電極を兼ねている。また、９は液晶、１０は表示電極
３に対して液晶９を介して配置された対向電極である。
信号線電位、Ｖｃは共通電位、Ｖｓｃは蓄積コンデンサ
電極電位で、Ｖｃ及びＶｓｃは同一電位である。図４に
おいては走査線、２は信号線、３は表示電極、４は薄膜
電界効果型トランジスタ（形成部）、５は蓄積コンデン
サ用下部電極、７はガラス基板、８は蓄積コンデンサ用
絶縁膜である。なお、表示電極３は蓄積コンデンサ用上
部電極を兼ねている。また、９は液晶、１０は表示電極
３に対して液晶９を介して配置された対向電極である。
【０００４】図５において１１は２枚の基板間に形成さ
れる１表示セルの液晶コンデンサ、１２は１表示セルの
液晶の内部抵抗、１３は蓄積コンデンサで、配線及び薄
膜電界効果型トランジスタ等が形成された一方の基板と
同一の基板状に形成されている。４は薄膜電界効果型ト
ランジスタである。実際の液晶パネルでは、図５の等価
回路がマトリックス状に配置されている。
れる１表示セルの液晶コンデンサ、１２は１表示セルの
液晶の内部抵抗、１３は蓄積コンデンサで、配線及び薄
膜電界効果型トランジスタ等が形成された一方の基板と
同一の基板状に形成されている。４は薄膜電界効果型ト
ランジスタである。実際の液晶パネルでは、図５の等価
回路がマトリックス状に配置されている。
【０００５】図３及び図５を用いて液晶パネルの動作を
説明する。まず映像信号の第１フィールドにおいては、
各表示セルの輝度に対応する信号電圧が信号線電位Ｖｓ
ｇとして信号線２より供給され、薄膜トランジスタ４の
ゲートに接続された走査線１に走査パルスＶｇが入力さ
れると薄膜トランジスタ４がオンし、信号線電位Ｖｓｇ
が液晶コンデンサ１１に書き込まれる。この場合、液晶
に印加される電位は共通電位Ｖｃに対して高いとする。
走査パルスＶｇがオフし薄膜電界効果型トランジスタ４
がオフすると、書き込まれた電圧は理想的には次の第２
フィールドで電圧が書き込まれるまで保持される。薄膜
電界効果型トランジスタ４のゲート・ソース間の寄生容
量による液晶電位の変動を考慮して、予め共通電位Ｖｃ
は信号線電位Ｖｓｇの振幅の中心値よりも下げてある。
映像信号の第２フィールドでは、第１フィールドと同様
に信号線２に供給された信号線電位Ｖｓｇは走査線１に
走査パルスＶｇが入力されると薄膜電界効果型トランジ
スタ４を通して液晶コンデンサ１１に書き込まれる。な
お、第２フィールドでは、液晶に印加される電位は共通
電位Ｖｃに対して低いとする。薄膜電界効果型トランジ
スタ４がオフすると、書き込まれた電圧は次のフィール
ドで電圧が書き込まれるまで保持される。このように液
晶セル自身をコンデンサとして利用して表示セルに電圧
を印加、駆動し、透過光強度を変調して画像を表示す
る。図６に表示セルに印加される電圧Ｖｌｃを示す。１
５は書き込んだ電圧が次に書き込まれるまで保持され理
想的な状態である。
説明する。まず映像信号の第１フィールドにおいては、
各表示セルの輝度に対応する信号電圧が信号線電位Ｖｓ
ｇとして信号線２より供給され、薄膜トランジスタ４の
ゲートに接続された走査線１に走査パルスＶｇが入力さ
れると薄膜トランジスタ４がオンし、信号線電位Ｖｓｇ
が液晶コンデンサ１１に書き込まれる。この場合、液晶
に印加される電位は共通電位Ｖｃに対して高いとする。
走査パルスＶｇがオフし薄膜電界効果型トランジスタ４
がオフすると、書き込まれた電圧は理想的には次の第２
フィールドで電圧が書き込まれるまで保持される。薄膜
電界効果型トランジスタ４のゲート・ソース間の寄生容
量による液晶電位の変動を考慮して、予め共通電位Ｖｃ
は信号線電位Ｖｓｇの振幅の中心値よりも下げてある。
映像信号の第２フィールドでは、第１フィールドと同様
に信号線２に供給された信号線電位Ｖｓｇは走査線１に
走査パルスＶｇが入力されると薄膜電界効果型トランジ
スタ４を通して液晶コンデンサ１１に書き込まれる。な
お、第２フィールドでは、液晶に印加される電位は共通
電位Ｖｃに対して低いとする。薄膜電界効果型トランジ
スタ４がオフすると、書き込まれた電圧は次のフィール
ドで電圧が書き込まれるまで保持される。このように液
晶セル自身をコンデンサとして利用して表示セルに電圧
を印加、駆動し、透過光強度を変調して画像を表示す
る。図６に表示セルに印加される電圧Ｖｌｃを示す。１
５は書き込んだ電圧が次に書き込まれるまで保持され理
想的な状態である。
【０００６】しかしながら、液晶の比抵抗は無限大では
なく、ある有限の値を示す。したがって、表示セルに印
加される電圧Ｖｌｃは理想的な状態からずれて、図６中
の１７で示すように、書き込まれた電圧は液晶の内部抵
抗１２（図５）を通して放電し、低下する。その放電は
薄膜トランジスタ４のオフ抵抗が十分高いとすると、液
晶コンデンサ１１の容量Ｃｌｃと液晶の抵抗Ｒｌｃとの
積で決まる。この問題を解決するために、図５に示すよ
うに表示セルの液晶コンデンサ１１に並列に蓄積コンデ
ンサ１３を付加することにより、放電時定数を大きくす
る。この場合には図６の１６に示すように自己放電によ
る表示セル印加電圧Ｖｌｃの低下の割合を少なくするこ
とができる。蓄積コンデンサは、具体的には図４に示す
ように透明金属で形成された表示電極３に対して絶縁膜
８を介して蓄積コンデンサ下部電極５を配置することに
より構成される。なお、透明金属の材料としては一般的
にはインジウム、錫の酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が用いられる。
なく、ある有限の値を示す。したがって、表示セルに印
加される電圧Ｖｌｃは理想的な状態からずれて、図６中
の１７で示すように、書き込まれた電圧は液晶の内部抵
抗１２（図５）を通して放電し、低下する。その放電は
薄膜トランジスタ４のオフ抵抗が十分高いとすると、液
晶コンデンサ１１の容量Ｃｌｃと液晶の抵抗Ｒｌｃとの
積で決まる。この問題を解決するために、図５に示すよ
うに表示セルの液晶コンデンサ１１に並列に蓄積コンデ
ンサ１３を付加することにより、放電時定数を大きくす
る。この場合には図６の１６に示すように自己放電によ
る表示セル印加電圧Ｖｌｃの低下の割合を少なくするこ
とができる。蓄積コンデンサは、具体的には図４に示す
ように透明金属で形成された表示電極３に対して絶縁膜
８を介して蓄積コンデンサ下部電極５を配置することに
より構成される。なお、透明金属の材料としては一般的
にはインジウム、錫の酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す１表示セル
の回路の放電時定数を増加させるためには、より大きな
蓄積コンデンサを付加するすることが望ましい。より大
きな容量の蓄積コンデンサ形成するためには、図４にお
いて蓄積コンデンサ下部電極の面積を広くする必要があ
る。さて、薄膜電界効果型トランジスタの形成プロセス
の中で、特に絶縁膜８にゴミがある場合やピンホールが
発生した場合などには表示電極３と蓄積コンデンサ下部
電極５とが短絡する。短絡の割合は、表示電極３と蓄積
コンデンサ下部電極５の重なり面積が大きいほど、すな
わち蓄積コンデンサの容量値が大きいほど発生しやす
い。短絡した場合には表示電極３、蓄積コンデンサ下部
電極５及び共通電極の電位Ｖｃがすべて同一電位となる
ために、液晶に印加される電圧Ｖｌｃは０となる。した
がって、蓄積コンデンサ部で短絡が発生した表示セル
は、偏光フィルムをノーマリオープンモードで使用した
場合は常時明表示となり、ノーマリクローズモードで使
用した場合は常時暗表示となり、表示画像の品質を著し
く低下させていた。
の回路の放電時定数を増加させるためには、より大きな
蓄積コンデンサを付加するすることが望ましい。より大
きな容量の蓄積コンデンサ形成するためには、図４にお
いて蓄積コンデンサ下部電極の面積を広くする必要があ
る。さて、薄膜電界効果型トランジスタの形成プロセス
の中で、特に絶縁膜８にゴミがある場合やピンホールが
発生した場合などには表示電極３と蓄積コンデンサ下部
電極５とが短絡する。短絡の割合は、表示電極３と蓄積
コンデンサ下部電極５の重なり面積が大きいほど、すな
わち蓄積コンデンサの容量値が大きいほど発生しやす
い。短絡した場合には表示電極３、蓄積コンデンサ下部
電極５及び共通電極の電位Ｖｃがすべて同一電位となる
ために、液晶に印加される電圧Ｖｌｃは０となる。した
がって、蓄積コンデンサ部で短絡が発生した表示セル
は、偏光フィルムをノーマリオープンモードで使用した
場合は常時明表示となり、ノーマリクローズモードで使
用した場合は常時暗表示となり、表示画像の品質を著し
く低下させていた。
【０００８】本発明は、常時明またはオン表示の欠陥画
素を目だたなくする駆動方法を提供することを目的とし
ている。
素を目だたなくする駆動方法を提供することを目的とし
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の基板間
に液晶材が充填され、その一方の基板の内面に走査線と
信号線とが直交して形成され、これら走査線と信号線と
の各交叉点近傍にそれぞれスイッチ素子が形成され、各
々の前記スイッチ素子には表示電極が接続され、前記表
示電極に対して絶縁膜を介して蓄積コンデンサ電極を配
置し前記表示電極と前記蓄積コンデンサ電極とで電荷蓄
積コンデンサが形成され、他方の基板には全面に対向電
極が形成されたアクティブマトリクス型液晶パネルにお
いて、前記対向電極に印加する共通電位に対して前記液
晶材の閾値電圧以上の正または負のオフセット電圧を加
えて前記蓄積コンデンサ電極に印加する駆動方法を特徴
としている。
に液晶材が充填され、その一方の基板の内面に走査線と
信号線とが直交して形成され、これら走査線と信号線と
の各交叉点近傍にそれぞれスイッチ素子が形成され、各
々の前記スイッチ素子には表示電極が接続され、前記表
示電極に対して絶縁膜を介して蓄積コンデンサ電極を配
置し前記表示電極と前記蓄積コンデンサ電極とで電荷蓄
積コンデンサが形成され、他方の基板には全面に対向電
極が形成されたアクティブマトリクス型液晶パネルにお
いて、前記対向電極に印加する共通電位に対して前記液
晶材の閾値電圧以上の正または負のオフセット電圧を加
えて前記蓄積コンデンサ電極に印加する駆動方法を特徴
としている。
【００１０】
【作用】図１は、本発明によるアクディブマトリクス型
液晶パネルの駆動方法である。図４（ｂ）に示す蓄積コ
ンデンサ部において表示電極３と蓄積コンデンサ下部電
極５とが短絡した場合、表示電極３には蓄積コンデンサ
下部電極５に印加される電圧Ｖｓｃとするので、液晶に
印加される電圧Ｖｌｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） となる。したがって、オフセット電圧を制御することに
より、蓄積コンデンサ部で短絡した欠陥画素の透明光強
度を任意に制御できる。
液晶パネルの駆動方法である。図４（ｂ）に示す蓄積コ
ンデンサ部において表示電極３と蓄積コンデンサ下部電
極５とが短絡した場合、表示電極３には蓄積コンデンサ
下部電極５に印加される電圧Ｖｓｃとするので、液晶に
印加される電圧Ｖｌｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） となる。したがって、オフセット電圧を制御することに
より、蓄積コンデンサ部で短絡した欠陥画素の透明光強
度を任意に制御できる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明によるアクディブマトリクス
型液晶パネルの駆動方法の一実施例を示す波形図であっ
て、Ｖｇは走査パルス、Ｖｓｇは信号線電位、Ｖｃは共
通電位、Ｖｓｃは蓄積コンデンサ電極電位である。液晶
パネルに印加する電圧の極性を映像信号の１フィールド
毎に変化させる、フィールド反転駆動の例であり、共通
電位Ｖｃは直流電位としている。また、１表示セルの等
価回路を図５に示す。図５において、１は走査線、２は
信号線、４は薄膜電界効果型トランジスタ、１１は２枚
の基板間に形成される１表示セルの液晶コンデンサ、１
２は１表示セルの液晶の内部抵抗、１３は蓄積コンデン
サである。実際の液晶パネルでは、図５の等価回路がマ
トリックス状に配置されている。
型液晶パネルの駆動方法の一実施例を示す波形図であっ
て、Ｖｇは走査パルス、Ｖｓｇは信号線電位、Ｖｃは共
通電位、Ｖｓｃは蓄積コンデンサ電極電位である。液晶
パネルに印加する電圧の極性を映像信号の１フィールド
毎に変化させる、フィールド反転駆動の例であり、共通
電位Ｖｃは直流電位としている。また、１表示セルの等
価回路を図５に示す。図５において、１は走査線、２は
信号線、４は薄膜電界効果型トランジスタ、１１は２枚
の基板間に形成される１表示セルの液晶コンデンサ、１
２は１表示セルの液晶の内部抵抗、１３は蓄積コンデン
サである。実際の液晶パネルでは、図５の等価回路がマ
トリックス状に配置されている。
【００１２】図１及ぶ図５を用いて本発明による液晶パ
ネルの動作を説明する。本実施例においてはＶｃ＞Ｖｓ
ｃ、すなわち負のオフセット電圧とする。まず蓄積コン
デンサ１３での短絡の無い正常な表示セルにおいては、
映像信号の第１フィールド期間で、各表示セルの輝度に
対応する信号電圧が信号線電位Ｖｓｇとして信号線２よ
り供給され、薄膜トランジスタ４のゲートに接続された
走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜トランジ
スタ４がオンし、信号線電位Ｖｓｇが液晶コンデンサ１
１に書き込まれる。第１フィールドでは、液晶に印加さ
れる電位は共通電位Ｖｃに対して高いとする。Ｖｃ＞Ｖ
ｓｃであるので、蓄積コンデンサ１３にはＶｃ−Ｖｓｃ
分の電圧に対する余分の電荷が蓄積されるが、液晶コン
デンサ１１に蓄積される電荷量は従来と同一であり、ま
た回路の時定数も同一なので液晶に印加される電圧の過
渡応答特性も同一となり、正常な表示セルにおいては従
来の駆動方法と全く同様な表示となる。
ネルの動作を説明する。本実施例においてはＶｃ＞Ｖｓ
ｃ、すなわち負のオフセット電圧とする。まず蓄積コン
デンサ１３での短絡の無い正常な表示セルにおいては、
映像信号の第１フィールド期間で、各表示セルの輝度に
対応する信号電圧が信号線電位Ｖｓｇとして信号線２よ
り供給され、薄膜トランジスタ４のゲートに接続された
走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜トランジ
スタ４がオンし、信号線電位Ｖｓｇが液晶コンデンサ１
１に書き込まれる。第１フィールドでは、液晶に印加さ
れる電位は共通電位Ｖｃに対して高いとする。Ｖｃ＞Ｖ
ｓｃであるので、蓄積コンデンサ１３にはＶｃ−Ｖｓｃ
分の電圧に対する余分の電荷が蓄積されるが、液晶コン
デンサ１１に蓄積される電荷量は従来と同一であり、ま
た回路の時定数も同一なので液晶に印加される電圧の過
渡応答特性も同一となり、正常な表示セルにおいては従
来の駆動方法と全く同様な表示となる。
【００１３】走査パルスＶｇがオフし薄膜電界効果型ト
ランジスタ４がオフすると、書き込まれた電圧は次の第
２フィールドで電圧が書き込まれるまで保持される。薄
膜電界効果型トランジスタ４のゲート・ソース間の寄生
容量による液晶電位の変動を考慮して、予め共通電位Ｖ
ｃは信号線電位Ｖｓｇの振幅中心値よりも下げてある。
ランジスタ４がオフすると、書き込まれた電圧は次の第
２フィールドで電圧が書き込まれるまで保持される。薄
膜電界効果型トランジスタ４のゲート・ソース間の寄生
容量による液晶電位の変動を考慮して、予め共通電位Ｖ
ｃは信号線電位Ｖｓｇの振幅中心値よりも下げてある。
【００１４】映像信号の第２フィールドでは、第１フィ
ールドと同様に信号線２に供給された信号線電位Ｖｓｇ
ほ走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜電界効
果型トランジスタ４をを通して液晶コンデンサ１１に書
き込まれる（実際には放電）。なお、第２フィルドで
は、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃには対して低
いとする。第２フィールドにおいてはＶｃ＞Ｖｓｃであ
るので、蓄積コンデンサ１３にはＶｃ−Ｖｓｃの分だけ
少ない電荷が蓄積されるが、第１フィールドと同様に液
晶コンデンサ１１に蓄積される電荷量は従来と同一であ
り、また回路の時定数も同一なので液晶に印加される電
圧の過渡応答特性も同一となり、正常な表示セルにおい
ては従来の駆動方法と全く同様な動作をする。
ールドと同様に信号線２に供給された信号線電位Ｖｓｇ
ほ走査線１に走査パルスＶｇが入力されると薄膜電界効
果型トランジスタ４をを通して液晶コンデンサ１１に書
き込まれる（実際には放電）。なお、第２フィルドで
は、液晶に印加される電位は共通電位Ｖｃには対して低
いとする。第２フィールドにおいてはＶｃ＞Ｖｓｃであ
るので、蓄積コンデンサ１３にはＶｃ−Ｖｓｃの分だけ
少ない電荷が蓄積されるが、第１フィールドと同様に液
晶コンデンサ１１に蓄積される電荷量は従来と同一であ
り、また回路の時定数も同一なので液晶に印加される電
圧の過渡応答特性も同一となり、正常な表示セルにおい
ては従来の駆動方法と全く同様な動作をする。
【００１５】薄膜電界効果型トランジスタ４がオフする
と、書き込まれた電圧は次のフィールドで電圧が書き込
まれるまで保持される。このように正常な画素において
は従来と同様の表示ができる。
と、書き込まれた電圧は次のフィールドで電圧が書き込
まれるまで保持される。このように正常な画素において
は従来と同様の表示ができる。
【００１６】一方、蓄積コンデンサ部１３において短絡
が発生した場合には、液晶には共通電位Ｖｃに対する蓄
積コンデンサ電極電位Ｖｓｃのオフセット電圧分が直流
電圧として常時印加される。液晶に印加される電圧Ｖｌ
ｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） である。薄膜電界効果型トランジスタ４がオンした状態
でも、オン抵抗は約１ＭΩ以上なので、液晶には常時
（１）式で示される直流電圧が印加される。したがっ
て、このＶｌｃを制御することにより、蓄積コンデンサ
１３において短絡が発生した表示セルの透過光強度を変
化させることがでいる。
が発生した場合には、液晶には共通電位Ｖｃに対する蓄
積コンデンサ電極電位Ｖｓｃのオフセット電圧分が直流
電圧として常時印加される。液晶に印加される電圧Ｖｌ
ｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） である。薄膜電界効果型トランジスタ４がオンした状態
でも、オン抵抗は約１ＭΩ以上なので、液晶には常時
（１）式で示される直流電圧が印加される。したがっ
て、このＶｌｃを制御することにより、蓄積コンデンサ
１３において短絡が発生した表示セルの透過光強度を変
化させることがでいる。
【００１７】実際の液晶パネルにノーマリオープンモー
ドで偏光フィルムをセットして、本発明による駆動方法
を実施した。蓄積コンデンサ部で短絡が発生した表示セ
ルは従来の駆動方法によれば、明欠陥表示となって非常
に目立ち、画像の表示品質を著しく低下していた。しか
し、本発明の駆動方法によれば欠陥セルの明るさを任意
に制御できるので、目立たなくすることができた。具体
的には、閾値電圧が約１．５Ｖの液晶に対して、Ｖｌｃ
として約２．５Ｖ以上印加すると欠陥セルの明るさが２
０〜３０％以下になり目立たなくなった。完全に暗表示
とする場合にはさらに高い電圧を加えればよい。
ドで偏光フィルムをセットして、本発明による駆動方法
を実施した。蓄積コンデンサ部で短絡が発生した表示セ
ルは従来の駆動方法によれば、明欠陥表示となって非常
に目立ち、画像の表示品質を著しく低下していた。しか
し、本発明の駆動方法によれば欠陥セルの明るさを任意
に制御できるので、目立たなくすることができた。具体
的には、閾値電圧が約１．５Ｖの液晶に対して、Ｖｌｃ
として約２．５Ｖ以上印加すると欠陥セルの明るさが２
０〜３０％以下になり目立たなくなった。完全に暗表示
とする場合にはさらに高い電圧を加えればよい。
【００１８】図２に、本発明による他の実施例を示す。
液晶パネルに印加する電圧の極性を１フィールド毎に反
転するフィールド反転駆動であるが、信号線電位Ｖｓｇ
の振幅を抑えるために共通電位Ｖｃを信号線電位Ｖｓｇ
とは逆位相で振幅させている。この場合にも、共通電位
Ｖｃに対してオフセットを加えた電圧を蓄積コンデンサ
電極電位Ｖｓｃとすると、蓄積コンデンサ部で短絡が発
生した表示セルの液晶に印加される電圧Ｖｌｃは、同様
に、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） で示され、同様の効果が得られる。
液晶パネルに印加する電圧の極性を１フィールド毎に反
転するフィールド反転駆動であるが、信号線電位Ｖｓｇ
の振幅を抑えるために共通電位Ｖｃを信号線電位Ｖｓｇ
とは逆位相で振幅させている。この場合にも、共通電位
Ｖｃに対してオフセットを加えた電圧を蓄積コンデンサ
電極電位Ｖｓｃとすると、蓄積コンデンサ部で短絡が発
生した表示セルの液晶に印加される電圧Ｖｌｃは、同様
に、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） で示され、同様の効果が得られる。
【００１９】また、本発明の実施例では、液晶パネルに
印加する電圧の極性を１フィールド毎に反転するフィー
ルド反転駆動の例を述べたが、液晶パネルに印加する電
圧の極性を１走査線毎に反転する１Ｈライン反転駆動
や、１信号線毎に反転する１Ｖライン反転駆動、さらに
１Ｈ反転駆動と１Ｖライン反転駆動とを組み合わせた駆
動方法など他の駆動方法においても、共通電位Ｖｃに対
してオフセットを加えた電圧を蓄積コンデンサ電極電位
Ｖｓｃとして駆動する方法により、明欠陥セルを目立た
なくすることができる。
印加する電圧の極性を１フィールド毎に反転するフィー
ルド反転駆動の例を述べたが、液晶パネルに印加する電
圧の極性を１走査線毎に反転する１Ｈライン反転駆動
や、１信号線毎に反転する１Ｖライン反転駆動、さらに
１Ｈ反転駆動と１Ｖライン反転駆動とを組み合わせた駆
動方法など他の駆動方法においても、共通電位Ｖｃに対
してオフセットを加えた電圧を蓄積コンデンサ電極電位
Ｖｓｃとして駆動する方法により、明欠陥セルを目立た
なくすることができる。
【００２０】本実施例では、共通電位Ｖｃと蓄積コンデ
ンサ電位Ｖｓｃとの関係をＶｃ＞Ｖｓｃすなわち負のオ
フセット電圧として説明したが、Ｖｃ＜Ｖｓｃすなわち
正のオフセット電圧としても液晶に印加される電圧Ｖｌ
ｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） で示され、液晶に印加される電圧の絶対値は同じなの
で、欠陥セルの明るさを制御できて同様の効果が得られ
る。
ンサ電位Ｖｓｃとの関係をＶｃ＞Ｖｓｃすなわち負のオ
フセット電圧として説明したが、Ｖｃ＜Ｖｓｃすなわち
正のオフセット電圧としても液晶に印加される電圧Ｖｌ
ｃは、 Ｖｌｃ＝Ｖｃ−Ｖｓｃ …（１） で示され、液晶に印加される電圧の絶対値は同じなの
で、欠陥セルの明るさを制御できて同様の効果が得られ
る。
【００２１】さらに、表示画面の明るさによって欠陥セ
ルの明るさを変化させる方法もある。すなわち、明るい
画面ではオフセット電圧を低くして欠陥セルを比較的明
るくして、暗い画面ではオフセット電圧を高くして欠陥
セルを暗くする駆動方法である。
ルの明るさを変化させる方法もある。すなわち、明るい
画面ではオフセット電圧を低くして欠陥セルを比較的明
るくして、暗い画面ではオフセット電圧を高くして欠陥
セルを暗くする駆動方法である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の駆動方法に
よれば、蓄積コンデンサ部で短絡が発生した欠陥セルの
明るさを任意に制御することにより表示上目立たなくす
ることができるので、実用上有効である。
よれば、蓄積コンデンサ部で短絡が発生した欠陥セルの
明るさを任意に制御することにより表示上目立たなくす
ることができるので、実用上有効である。
【図１】本発明によるアクティブマトリクス型液晶パネ
ルの駆動波形図。
ルの駆動波形図。
【図２】本発明によるアクティブマトリクス型液晶パネ
ルの他の駆動波形図。
ルの他の駆動波形図。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶パネルの駆
動波形図。
動波形図。
【図４】（ａ）１表示セルの平面図。 （ｂ）１表示セルの断面図。
【図５】１表示セルの等価回路図。
【図６】液晶印加電圧を示す図。
１ 走査線 ２ 信号線 ３ 表示電極 ４ 薄膜電界効果型トランジスタ ５ 蓄積コンデンサ下部電極 １１ 液晶コンデンサ １３ 蓄積コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 ２枚の基板間に液晶材が充填され、その
一方の基板の内面に走査線と信号線とスイッチ素子が形
成され、マトリクス状に配置された各々の前記スイッチ
素子にはそれぞれ表示電極が接続され、前記表示電極に
対して絶縁膜を介して蓄積コンデンサ電極を配置し、前
記表示電極と前記蓄積コンデンサ電極とで電荷蓄積コン
デンサが形成され、他方の基板には対向電極が形成され
たアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、前記対
向電極に印加する共通電位に対して前記液晶材の閾値電
圧以上の正または負のオフセット電圧を加えて前記蓄積
コンデンサ電極に印加することを特徴とする液晶パネル
の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27936491A JPH05119742A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 液晶パネル駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27936491A JPH05119742A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 液晶パネル駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119742A true JPH05119742A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17610134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27936491A Pending JPH05119742A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 液晶パネル駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119742A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002303881A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法 |
| US6864871B1 (en) | 1999-10-20 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix liquid crystal display apparatus and method for driving the same and for manufacturing the same |
| WO2007125738A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| JPWO2007029381A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2009-03-12 | シャープ株式会社 | 表示装置ならびにその駆動回路および駆動方法 |
| WO2018159120A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27936491A patent/JPH05119742A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864871B1 (en) | 1999-10-20 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix liquid crystal display apparatus and method for driving the same and for manufacturing the same |
| JP2002303881A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法 |
| JPWO2007029381A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2009-03-12 | シャープ株式会社 | 表示装置ならびにその駆動回路および駆動方法 |
| JP4633121B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | 表示装置ならびにその駆動回路および駆動方法 |
| US8390552B2 (en) | 2005-09-01 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, and circuit and method for driving the same |
| WO2007125738A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| US8174474B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and method for driving the same |
| WO2018159120A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
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