JPH052096B2 - - Google Patents
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- JPH052096B2 JPH052096B2 JP59258890A JP25889084A JPH052096B2 JP H052096 B2 JPH052096 B2 JP H052096B2 JP 59258890 A JP59258890 A JP 59258890A JP 25889084 A JP25889084 A JP 25889084A JP H052096 B2 JPH052096 B2 JP H052096B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
この発明はλセンサの改良に関するもので、自
動車エンジン等の内燃機関の制御や、ストーブや
ボイラー等の燃焼機器の制御に適したもので有
る。 〔従来技術〕 発明者は、BaSnO3−δ,RaSnO3−δ,
CaSnO3−δ,SrSnO3−δ等の化合物がλセンサ
として優れた特性を示すことを発見した(特願昭
59−63900号、特願昭59−63901号)。これらの化
合物はペロブスカイト型の結晶構造を示し、λセ
ンサの材料としては新規なもので有る。これらの
化合物の特長は、高温の環元雰囲気への耐久性に
優れ、かつ酸素分圧の変化への感度が大きい点に
有る。次の特長は、可燃性ガスへの感度と酸素と
の感度が比較的良くバランスしていることで有
る。一般に金属酸化物半導体を用いたλセンサで
は、可燃性ガスへの感度が高すぎるため、可燃性
ガス濃度の変化が検出誤差を与える。なおペロブ
スカイト化合物の可燃性ガスへの感度について
は、二宮らの詳細な研究が有る(ナシヨナルテク
ニカルレポート29巻3号P475〜483 1983年)。さ
てBaSnO3−δやCaSnO3−δ等の化合物におい
ても、排ガス中の可燃性ガスへの感度は酸素への
感度よりも高く、可燃性ガス濃度の変動によりλ
への検出に誤差が生ずる。 ところでTiO2にPt等の触媒を添加したλセン
サは周知で有る。例えば特開昭55−136941号は、
TiO2に2.5wt%のPt−Rh触媒を添加すると雰囲
気変化への応答性を改善し得るとしている。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、可燃性ガスへの感度と酸素
への感度をバランスさせ、空燃比λへの検出の誤
差要因を除くことに有る。 〔発明の構成〕 この発明に関する基本的知見は、少量の触媒の
添加により可燃性ガスへの感度が抑制され、酸素
への感度とバランスする点に有る。次の知見は、
触媒を多量に添加すると、雰囲気変化への応答性
が低下し、λセンサとして用い得なくなることで
有る。 ここで触媒として優れたものは、貴金属で有
り、遷移金属酸化物がこれにつぐ。触媒の効果
は、酸化還元触媒としての活性に対応し、特異性
を示す触媒は発見出来なかつた。 触媒の効果は、化合物ASnO3−δへの添加重
量比により定まり、1g当り20μgの添加でも大
きな効果が有る。添加量を100μg以上とすると
既に充分な効果が得られ、1000μg以上では完全
に飽和する。化合物ASnO3−δ1g当り100mgを添
加すると、いずれの触媒でも雰囲気変化への応答
性が低下し、雰囲気変化へのヒステリシスが生じ
て、使用できない。 これらの知見を総合して、触媒の作用は排ガス
中の未反応の可燃性ガスの除去に有ると、発見者
は推定した。 化合物ASnO3−δについては、触媒は雰囲気
変化への応答性の改善といつた作用を持たず、従
来技術と対照的な結果が得られ、また有効な添加
量の範囲は、比較的少量側に限られる。 この発明は、化合物ASnO3−δ、(ここにAは
Ra,Ba,Sr,Caからなる群の少くとも一員を、
δは非化学量論的にパラメータを現わす。)に、
その1g当り10μg〜5mgの貴金属および遷移金
属酸化物からなる群の少くとも一員の触媒を添加
したλセンサに有る。 高温排ガス中での触媒の存在状態は一義的には
定めにくいが、ここでは添加量の基準として、貴
金属については金属換算での添加量、遷移金属酸
化物については酸化物換算での添加量、を用いる
ものとする。これらの酸化物のうちで安定な酸化
物が二種以上有るものについては、バナジウムに
ついてVO2、クロムについてCr2O3、マンガンに
ついてMn2O3、コバルトについてCo3O4、銅につ
いてCuOに換算して、添加量を定める。 化合物ASnO3−δの酸素感度は、平均結晶子
径を大きくする程、すなわち結晶成長を充分に進
める程、改善される。この点からは化合物
ASnO3−δの平均結晶子径を0.04〜50μとするこ
とが好ましく、さらに好ましくは平均結晶子径を
0.3〜50μとする。 なおこの明細書にいう平均結晶子径とは、結晶
子径の平均値を意味するものとし、各結晶の結晶
子径は電子顕微鏡写真から、各結晶の長軸と短軸
との長さを求め、その相加平均により定めるもの
とする。 〔実施例〕 (試料の調整) BaCO3,RaCO3,SrCO3,CaCO3を等モル量
のSnO2と混合し、1100℃で4時間仮焼してペロ
ブスカイト化合物BaSnO3−δ,RaSnO3−δ,
SrSnO3−δ,CaSnO3−δを得る。得られた化合
物を粉砕し、第10図の形状に成型して、1200〜
1800℃で4時間本焼成する。 なおマグネシウム化合物やベリリウム化合物を
SnO2と反応させても、MgSnO3−δやBeSnO3−
δは生成しない。 得られた試料を、触媒の塩化物等の水溶液中に
含浸させ、乾燥後950℃で1時間加熱し、λセン
サを得る。触媒の添加方法は、λセンサやガスセ
ンサの分野で周知で有り、他の周知方法に置き換
えても良い。 また本焼成温度を1000℃や1100℃とした試料に
ついては、仮焼温度を900℃とした。 (BaSnO3−δとSnO2) 公知のλセンサ材料としてSnO2を用い、
BaSnO3−δと対比した(表1)。高温の環元性
雰囲気への耐久性と可燃性ガスへの感度の抑制と
について、BaSnO3−δはSnO2よりも優れてい
る。特に耐久性の向上はドラスチツクで有る。な
お酸素への感度について、BaSnO3−δはSnO2と
ほぼ同等で有る。特性の改善はBaSnO3−δに限
られるものでなく、RaSnO3−δやCaSnO3−δ,
SrSnO3−δでも同等で有る。
動車エンジン等の内燃機関の制御や、ストーブや
ボイラー等の燃焼機器の制御に適したもので有
る。 〔従来技術〕 発明者は、BaSnO3−δ,RaSnO3−δ,
CaSnO3−δ,SrSnO3−δ等の化合物がλセンサ
として優れた特性を示すことを発見した(特願昭
59−63900号、特願昭59−63901号)。これらの化
合物はペロブスカイト型の結晶構造を示し、λセ
ンサの材料としては新規なもので有る。これらの
化合物の特長は、高温の環元雰囲気への耐久性に
優れ、かつ酸素分圧の変化への感度が大きい点に
有る。次の特長は、可燃性ガスへの感度と酸素と
の感度が比較的良くバランスしていることで有
る。一般に金属酸化物半導体を用いたλセンサで
は、可燃性ガスへの感度が高すぎるため、可燃性
ガス濃度の変化が検出誤差を与える。なおペロブ
スカイト化合物の可燃性ガスへの感度について
は、二宮らの詳細な研究が有る(ナシヨナルテク
ニカルレポート29巻3号P475〜483 1983年)。さ
てBaSnO3−δやCaSnO3−δ等の化合物におい
ても、排ガス中の可燃性ガスへの感度は酸素への
感度よりも高く、可燃性ガス濃度の変動によりλ
への検出に誤差が生ずる。 ところでTiO2にPt等の触媒を添加したλセン
サは周知で有る。例えば特開昭55−136941号は、
TiO2に2.5wt%のPt−Rh触媒を添加すると雰囲
気変化への応答性を改善し得るとしている。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、可燃性ガスへの感度と酸素
への感度をバランスさせ、空燃比λへの検出の誤
差要因を除くことに有る。 〔発明の構成〕 この発明に関する基本的知見は、少量の触媒の
添加により可燃性ガスへの感度が抑制され、酸素
への感度とバランスする点に有る。次の知見は、
触媒を多量に添加すると、雰囲気変化への応答性
が低下し、λセンサとして用い得なくなることで
有る。 ここで触媒として優れたものは、貴金属で有
り、遷移金属酸化物がこれにつぐ。触媒の効果
は、酸化還元触媒としての活性に対応し、特異性
を示す触媒は発見出来なかつた。 触媒の効果は、化合物ASnO3−δへの添加重
量比により定まり、1g当り20μgの添加でも大
きな効果が有る。添加量を100μg以上とすると
既に充分な効果が得られ、1000μg以上では完全
に飽和する。化合物ASnO3−δ1g当り100mgを添
加すると、いずれの触媒でも雰囲気変化への応答
性が低下し、雰囲気変化へのヒステリシスが生じ
て、使用できない。 これらの知見を総合して、触媒の作用は排ガス
中の未反応の可燃性ガスの除去に有ると、発見者
は推定した。 化合物ASnO3−δについては、触媒は雰囲気
変化への応答性の改善といつた作用を持たず、従
来技術と対照的な結果が得られ、また有効な添加
量の範囲は、比較的少量側に限られる。 この発明は、化合物ASnO3−δ、(ここにAは
Ra,Ba,Sr,Caからなる群の少くとも一員を、
δは非化学量論的にパラメータを現わす。)に、
その1g当り10μg〜5mgの貴金属および遷移金
属酸化物からなる群の少くとも一員の触媒を添加
したλセンサに有る。 高温排ガス中での触媒の存在状態は一義的には
定めにくいが、ここでは添加量の基準として、貴
金属については金属換算での添加量、遷移金属酸
化物については酸化物換算での添加量、を用いる
ものとする。これらの酸化物のうちで安定な酸化
物が二種以上有るものについては、バナジウムに
ついてVO2、クロムについてCr2O3、マンガンに
ついてMn2O3、コバルトについてCo3O4、銅につ
いてCuOに換算して、添加量を定める。 化合物ASnO3−δの酸素感度は、平均結晶子
径を大きくする程、すなわち結晶成長を充分に進
める程、改善される。この点からは化合物
ASnO3−δの平均結晶子径を0.04〜50μとするこ
とが好ましく、さらに好ましくは平均結晶子径を
0.3〜50μとする。 なおこの明細書にいう平均結晶子径とは、結晶
子径の平均値を意味するものとし、各結晶の結晶
子径は電子顕微鏡写真から、各結晶の長軸と短軸
との長さを求め、その相加平均により定めるもの
とする。 〔実施例〕 (試料の調整) BaCO3,RaCO3,SrCO3,CaCO3を等モル量
のSnO2と混合し、1100℃で4時間仮焼してペロ
ブスカイト化合物BaSnO3−δ,RaSnO3−δ,
SrSnO3−δ,CaSnO3−δを得る。得られた化合
物を粉砕し、第10図の形状に成型して、1200〜
1800℃で4時間本焼成する。 なおマグネシウム化合物やベリリウム化合物を
SnO2と反応させても、MgSnO3−δやBeSnO3−
δは生成しない。 得られた試料を、触媒の塩化物等の水溶液中に
含浸させ、乾燥後950℃で1時間加熱し、λセン
サを得る。触媒の添加方法は、λセンサやガスセ
ンサの分野で周知で有り、他の周知方法に置き換
えても良い。 また本焼成温度を1000℃や1100℃とした試料に
ついては、仮焼温度を900℃とした。 (BaSnO3−δとSnO2) 公知のλセンサ材料としてSnO2を用い、
BaSnO3−δと対比した(表1)。高温の環元性
雰囲気への耐久性と可燃性ガスへの感度の抑制と
について、BaSnO3−δはSnO2よりも優れてい
る。特に耐久性の向上はドラスチツクで有る。な
お酸素への感度について、BaSnO3−δはSnO2と
ほぼ同等で有る。特性の改善はBaSnO3−δに限
られるものでなく、RaSnO3−δやCaSnO3−δ,
SrSnO3−δでも同等で有る。
【表】
(100ppm触媒の効果)
触媒100ppmの添加、(半導体1g当り1μgの
添加を1ppmとする、以下同じ)の効果を表2と
第1図〜第3図に示す。なおこの明細書での用語
法として、Rsはλセンサの抵抗値を現わす。つ
ぎに第1図〜第4図において、曲線a,b,c
は、1400℃で本焼成したBaSnO3−δについて
の、それぞれ600℃、700℃、800℃での実施例の
特性を、曲線d,e,fはそれぞれ触媒無添加の
センサについての600℃,700℃,800℃、での特
性を示す。また第1図〜第3図は、4.6%のO2と
N2とでバランスさせた系での可燃性ガス濃度の
変化の効果を示す。 COの濃度を1000ppmから10000ppmに増加させ
ることは、COとO2との平衡が達成された場合、
O2分圧を約10%低下させることに相当する。各
センサの酸素感度から逆算すると、BaSnO3−
δ,RaSnO3−δではこの変化により抵抗値が2
%減少した際に、CO感度とO2感度とがバランス
したと言える。SrSnO3−δ,CaSnO3−δでは、
抵抗値が1〜2%増加した際にCO感度とO2感度
とがバランスしたと言える。 同様にC3H6濃度を500ppmから5000ppmに増す
と、平衡酸素濃度は約1/2に低下する。この変
化によりBaSnO3−δの抵抗値が15%減少した際
に、C3H6感度とO2感度とがバランスしたと言え
る。同様にCaSnO3−δでは10%の抵抗値の増
加、SrSnO3−δでは9%の抵抗値の増加で、
C3H6感度とO2感度のバランスが成立する。 表から明らかなように、100ppmの触媒の添加
により著しい効果が得られ、かつ効果は貴金属で
特に著しい。
添加を1ppmとする、以下同じ)の効果を表2と
第1図〜第3図に示す。なおこの明細書での用語
法として、Rsはλセンサの抵抗値を現わす。つ
ぎに第1図〜第4図において、曲線a,b,c
は、1400℃で本焼成したBaSnO3−δについて
の、それぞれ600℃、700℃、800℃での実施例の
特性を、曲線d,e,fはそれぞれ触媒無添加の
センサについての600℃,700℃,800℃、での特
性を示す。また第1図〜第3図は、4.6%のO2と
N2とでバランスさせた系での可燃性ガス濃度の
変化の効果を示す。 COの濃度を1000ppmから10000ppmに増加させ
ることは、COとO2との平衡が達成された場合、
O2分圧を約10%低下させることに相当する。各
センサの酸素感度から逆算すると、BaSnO3−
δ,RaSnO3−δではこの変化により抵抗値が2
%減少した際に、CO感度とO2感度とがバランス
したと言える。SrSnO3−δ,CaSnO3−δでは、
抵抗値が1〜2%増加した際にCO感度とO2感度
とがバランスしたと言える。 同様にC3H6濃度を500ppmから5000ppmに増す
と、平衡酸素濃度は約1/2に低下する。この変
化によりBaSnO3−δの抵抗値が15%減少した際
に、C3H6感度とO2感度とがバランスしたと言え
る。同様にCaSnO3−δでは10%の抵抗値の増
加、SrSnO3−δでは9%の抵抗値の増加で、
C3H6感度とO2感度のバランスが成立する。 表から明らかなように、100ppmの触媒の添加
により著しい効果が得られ、かつ効果は貴金属で
特に著しい。
【表】
【表】
(触媒添加量の効果)
表3に、BaSnO3−δへのPt触媒の添加につい
て、添加量の効果を示す。わずかに20ppmの添加
によりCO感度やC3H6感度が抑制される。このこ
とは半導体をCaSnO3−δに代えても同様で有つ
た。ところでPtは最も少量で可燃性ガス感度を
抑制し得る触媒で、PdやRhではPtの1.5〜2倍
で、CuOやCr2O3,Co3O4ではPtの5〜10倍の添
加で同等の効果が得られた。
て、添加量の効果を示す。わずかに20ppmの添加
によりCO感度やC3H6感度が抑制される。このこ
とは半導体をCaSnO3−δに代えても同様で有つ
た。ところでPtは最も少量で可燃性ガス感度を
抑制し得る触媒で、PdやRhではPtの1.5〜2倍
で、CuOやCr2O3,Co3O4ではPtの5〜10倍の添
加で同等の効果が得られた。
【表】
【表】
(酸素感度)
第4図に、1400℃で本焼成したBaSnO3−δに
ついての触媒による酸素感度の変化を示す。図
中、曲線a,dは600℃の特性、曲線b,eは700
℃の特性、曲線c,fは800℃の特性を示す。Pt
の添加は酸素感度にはほとんど影響しない。 (応答性の低下) 触媒の大量添加は、応答特性を低下させる。第
5図〜第7図に、1400℃で本焼成したBaSnO3−
δについてのPt添加効果を示す。Ptの添加量は
第5図について100ppm、第6図で1000ppm、第
7図で10000ppmで有る。測定結果は、λ=0.99
と1.01とに各1秒ずつ2秒周期で切り替えた際の
センサの抵抗値(図の実線)と、各3秒ずつ6秒
周期で切り替えた際の抵抗値(図の点線部の頂
点)とにより示す。 10000ppmのPt添加は応答性を著しく低下させ
る。 つぎに900℃での結果を、各種の半導体や触媒
について表4に示す。
ついての触媒による酸素感度の変化を示す。図
中、曲線a,dは600℃の特性、曲線b,eは700
℃の特性、曲線c,fは800℃の特性を示す。Pt
の添加は酸素感度にはほとんど影響しない。 (応答性の低下) 触媒の大量添加は、応答特性を低下させる。第
5図〜第7図に、1400℃で本焼成したBaSnO3−
δについてのPt添加効果を示す。Ptの添加量は
第5図について100ppm、第6図で1000ppm、第
7図で10000ppmで有る。測定結果は、λ=0.99
と1.01とに各1秒ずつ2秒周期で切り替えた際の
センサの抵抗値(図の実線)と、各3秒ずつ6秒
周期で切り替えた際の抵抗値(図の点線部の頂
点)とにより示す。 10000ppmのPt添加は応答性を著しく低下させ
る。 つぎに900℃での結果を、各種の半導体や触媒
について表4に示す。
【表】
(結晶成長の効果)
表5に結晶成長の効果を示す。いずれのセンサ
も、結晶を成長させる程、大きな酸素感度が得ら
れる。特にクリテイカルな変化は、平均結晶子径
を0.3μ以上とすることにより生ずる。結晶成長の
上限は、高温焼成の困難性により定まり、製作し
たセンサ中で最も結晶成長を進めたセンサは
BaSnO3−δを1800℃で焼成した、平均結晶子径
40μのもので有つた。 SrSnO3−δ,CaSnO3−δについての興味深い
特徴は、λ<1からλ>1への変化に対してこれ
らの化合物n形性を示すが、λ>1での変化には
P形性を示す点に有る。即ちλを1未満から1以
上とすると、抵抗値は激増しn形性を示す。リー
ンバーン領域でλを増すと抵抗値はO2分圧の増
加により徐減しp形性を示す。従つて酸素分圧を
1から10%に変化させた際の酸素勾配は負とな
る。なおBaSnO3−δ,RaSnO3−δは一貫して
n形性を示し、このような特異性はない。
も、結晶を成長させる程、大きな酸素感度が得ら
れる。特にクリテイカルな変化は、平均結晶子径
を0.3μ以上とすることにより生ずる。結晶成長の
上限は、高温焼成の困難性により定まり、製作し
たセンサ中で最も結晶成長を進めたセンサは
BaSnO3−δを1800℃で焼成した、平均結晶子径
40μのもので有つた。 SrSnO3−δ,CaSnO3−δについての興味深い
特徴は、λ<1からλ>1への変化に対してこれ
らの化合物n形性を示すが、λ>1での変化には
P形性を示す点に有る。即ちλを1未満から1以
上とすると、抵抗値は激増しn形性を示す。リー
ンバーン領域でλを増すと抵抗値はO2分圧の増
加により徐減しp形性を示す。従つて酸素分圧を
1から10%に変化させた際の酸素勾配は負とな
る。なおBaSnO3−δ,RaSnO3−δは一貫して
n形性を示し、このような特異性はない。
【表】
この発明では、可燃性ガスへの感度と酸素への
感度とをほぼバランスさせることにより、可燃性
ガスによる検出誤差を除くことができる。 また触媒添加量を限定することにより、応答性
の低下を防止することもできる。
感度とをほぼバランスさせることにより、可燃性
ガスによる検出誤差を除くことができる。 また触媒添加量を限定することにより、応答性
の低下を防止することもできる。
第1図〜第7図はλセンサの特性図、第8図は
実施例のλセンサの部分切り欠き部付き斜視図、
第9図はその長手方向断面図、第10図は実施例
に用いるガス検出片の断面図である。 2……基体、4……セラミツクス管、6……膜
ヒータ、8……ガス検出片、10……温度検出
片、20……ムライト膜。
実施例のλセンサの部分切り欠き部付き斜視図、
第9図はその長手方向断面図、第10図は実施例
に用いるガス検出片の断面図である。 2……基体、4……セラミツクス管、6……膜
ヒータ、8……ガス検出片、10……温度検出
片、20……ムライト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導
体を用いたλセンサにおいて、 前記金属酸化物半導体は化合物ASnO3−δ、
(ここにAはRa,Ba,Sr,Caからなる群の少く
とも一員を、δは非化学量論的パラメータを現わ
す。)で有り、 かつ化合物ASnO3−δには貴金属および遷移
金属酸化物からなる群の少くとも一員の触媒を添
加し、その添加量は化合物ASnO3−δ1g当り10μ
g〜5mgで有ることを特徴とするλセンサ。 2 特許請求の範囲第1項記載のλセンサにおい
て、化合物ASnO3−δの平均結晶子径は0.04〜
50μであることを特徴とするλセンサ。 3 特許請求の範囲第2項記載のλセンサにおい
て、化合物ASnO3−δの平均結晶子径は0.3〜50μ
であることを特徴とするλセンサ。 4 特許請求の範囲第3項記載のλセンサにおい
て、化合物ASnO3−δはBaSnO3−δであること
を特徴とするλセンサ。 5 特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれかに
記載のλセンサにおいて、触媒は貴金属で有り、
かつその添加量は化合物ASnO3−δ1g当り10μg
〜2mgで有ることを特徴とするλセンサ。 6 特許請求の範囲第5項記載のλセンサにおい
て、触媒はPtであることを特徴とするλセンサ。 7 特許請求の範囲第6項記載のλセンサにおい
て、Ptの添加量は化合物ASnO3−δ1g当り10〜
500μgで有ることを特徴とするλセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25889084A JPS61137053A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | λセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25889084A JPS61137053A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | λセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61137053A JPS61137053A (ja) | 1986-06-24 |
JPH052096B2 true JPH052096B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=17326448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25889084A Granted JPS61137053A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | λセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61137053A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141699A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Densitometer of oxidizing and reducing gas |
JPS5311226A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Air fuel ratio sensor for exhaust gas |
JPS5518956A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oxygen concentration detecting element |
JPS55166030A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas sensor |
JPS5643548A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Toshiba Corp | Gas detecting element |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25889084A patent/JPS61137053A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141699A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Densitometer of oxidizing and reducing gas |
JPS5311226A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Air fuel ratio sensor for exhaust gas |
JPS5518956A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oxygen concentration detecting element |
JPS55166030A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas sensor |
JPS5643548A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Toshiba Corp | Gas detecting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61137053A (ja) | 1986-06-24 |
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