JPH0443233B2 - - Google Patents
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- JPH0443233B2 JPH0443233B2 JP59270252A JP27025284A JPH0443233B2 JP H0443233 B2 JPH0443233 B2 JP H0443233B2 JP 59270252 A JP59270252 A JP 59270252A JP 27025284 A JP27025284 A JP 27025284A JP H0443233 B2 JPH0443233 B2 JP H0443233B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明はλセンサの改良に関するもので、自
動車エンジン等の内燃機関の制御や、ストーブや
ボイラー等の燃焼機器の制御に適したもので有
る。 〔従来技術〕 発明者は、BaSnO3-〓、RaSnO3-〓、CaSnO3-〓、
SrSnO3-〓等の化合物がλセンサとして優れた特
性を示すことを発見した（特願昭59−63900号、
特願昭59−63901号）。これらの化合物はプロブス
カイト型の結晶構造を示し、λセンサの材料とし
ては新規なもので有る。これらの化合物の特長
は、高温の還元雰囲気への耐久性に優れ、かつ酸
素分圧の変化への感度が大きい点に有る。次の特
長は、可燃性ガスへの感度と酸素との感度が比較
的良くバランスしていることで有る。 なお他の関連する先行技術を挙げると、特公昭
50−23317号は、SnO2へのシリカバインダの添加
により、通気性を損ねずにガスセンサの機械的強
度を向上し得ることを開示している。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、λセンサの酸素感度を増す
とともに、酸素感度の温度依存性を小さくするこ
とに有る。 〔発明の構成〕 この発明のλセンサは、化合物ASnO3-〓、ここ
にＡはRa、Ba、Sr、Caの少くとも一員を、δは
非化学量論的パラメータを現わす、の抵抗値の変
化により、空燃比λを検出するとともに、化合物
ASnO3-〓にはその1mol当り５〜300ｍmolの
SiO2、GeO2、ZrO2、HfO2、からなる群の少く
とも一員の物質を添加したもので有る。 酸素勾配という概念を考える。これは、センサ
の抵抗値RsをRs＝Ｋ・Pom 2とした際のｍの値に
より示される。酸素勾配の理論的上限はｎ形半導
体については1/4、または1/6、Ｐ形半導体につい
ては−1/4、または−1/6で有る。ｎ形半導体につ
いてそのモデルを示すと、格子のO2-イオンが、
電子１個をトラツプした欠陥と１つの自由電子と
１／２個の気相酸素分子とに変化するとのモデルか
ら、1/4の値が得られる。電子をトラツプしない
欠陥と２つの自由電子と1/2個の気相酸素分子へ
の平衡模型からは、1/6の値が得られる。 化合物ASnO3-〓の場合、酸素勾配の値は最良の
もので0.18程度で有り、SiO2等の添加により0.03
〜0.04程度酸素勾配を改善し得る。この変化はわ
ずかで有るとも言えるが、酸素勾配の値が理論的
上限付近に有ることを考えると極めて大きいとも
評価し得る。いずれにせよ酸素勾配の改善は、λ
センサの特性を大きく向上させる。 酸素勾配の改善には、SiO2の他にGeO2、
ZrO2、HfO2が有効で、これらは相互に均等物と
言える。添加効果は比較的多量の添加で生じ、少
くとも1mol当り５ｍmolの添加が、より好まし
くは20ｍmol以上の添加が必要で有る。添加効果
は50ｍmol程度の添加で飽和する。添加量の上限
には本質的意味がなく、大量に添加するとセンサ
が高抵抗化し扱いにくいという事実により定ま
る。 SiO2やGeO2等の添加の他の効果は、酸素感度
の温度依存性を小さくする点に有る。BaSnO3-〓
やRaSnO3-〓の場合、酸素感度は温度とともに減
少する。CaSnO3-〓やSrSnO3-〓の場合、酸素温度
は温度とともに増大する。SiO2やGeO2、HfO2あ
るいはZrO2を添加すると、酸素感度の温度依存
性が減少する。このことは温度による誤差要因が
小さくなることを意味する。 化合物ASnO3-〓の酸素勾配は、結晶成長と共に
改善される。そこで特に限定するものではない
が、化合物ASnO3-〓の平均結晶子径を0.02〜25μ
とするのが好ましく、さらに好ましくは平均結晶
子径を0.15〜8μとする。なお結晶成長による酸素
勾配の改善と、SiO2等の添加による酸素勾配の
改善とは、独立した現象で有る。 化合物ASnO3-〓のうち、BaSnO3-〓とRaSnO3-〓
とは完全なｎ形半導体で、酸素勾配の絶対値は、
CaSnO3-〓やSrSnO3-〓よりも大きい。従つて最も
好ましい化合物は、BaSnO3-〓やRaSnO3-〓、ある
いはBa0.5Ra0.5−SnO3-〓等のBaの１部をRaで置
換したものやこの逆のもので有る。 これに対してCaSnO3-〓やSrSnO3-〓は特異な化
合物で、λ＜１からλ＞１への当量点付近の変化
にはｎ形性を示すが、λ＞１のリーンバーン領域
の変化ではＰ形性を示し酸素勾配は負となる。 なお限定の意味でなく実施上の注意として、可
燃性ガスの感度と酸素への感度とをバランスさせ
ることが有る。化合物ASnO3-〓は可燃性ガスへの
感度が比較的小さな物質では有るが、酸素感度に
くらべて可燃性ガスへの感度が高い。このため未
燃焼の可燃性ガスの存在により、λは実際よりも
低く評価されることになる。このためには、Pt
等の貴金属を化合物ASnO3-〓１ｇ当り、20μｇ〜
３mg添加することが好ましい。大量の添加、例え
ば10mgの添加は、雰囲気変化への応答性を損ね
る。なお貴金属の添加効果は、SiO2等の効果や、
結晶成長の効果とも独立した現象で、酸素への感
度にほとんど影響しない。 〔実施例〕 （材料の調整） BaCO3、RaCO3、SrCO3、CaCO3を等モル量
のSnO2と混合し、空気中で900℃または1100℃で
４時間仮焼する。生成物はペロブスカイト型の化
合物、BaSnO3-〓、RaSnO3-〓、CaSnO3-〓、
SrSnO3-〓で有る。なおマグネシウム化合物やベ
リリウム化合物は、SnO2と反応させても、
MgSnO3-〓やBeSnO3-〓には転化しない。 仮焼生成物の粉砕後、１〜20モル％のシリカコ
ロイド、水酸化ゲルマニウム、水酸化ハフニウ
ム、水酸化ジルコニウムと混合する。なお用語法
としてモル％という時は、化合物ASnO3-〓100モ
ル％への添加量を意味する。混合物を第８図の形
状に成型し、空気中で４時間本焼成する。本焼成
温度は900℃で仮焼したものについては1000℃ま
たは1100℃、1100℃で仮焼したものについては
1200℃から1800℃とする。比較のためシリカコロ
イド等に代えて、スズ酸コロイドや水酸化チタニ
ウムを混合した試料を得る。 貴金属、例えばPtやRh、Ir、Os、Ru、Pd、を
加えた試料を作る場合、紛焼成後の試料に貴金属
塩の化合物を含浸させ、950℃で２時間焼成し、
貴金属を化合物ASnO3-〓やSiO2等に担持させる。
用いた添加量は、化合物ASnO3-〓１ｇ当り、金属
換算で30μｇ〜10mgで有る。なお以下では化合物
ASnO3-〓１ｇ当り1μｇの添加を1ppmとして表記
する。 （ASnO3-〓とSnO2） 公知のλセンサ材料としてSnO2を用い、化合
物ASnO3-〓と対比する。SnO2は1100℃で仮焼後、
1400℃で本焼成したもので有る。 BaSnO3-〓とSnO2とを対比すると、高温の還元
性雰囲気への耐久性が飛躍的に改善され、可燃性
ガス感度もO2感度とのバランスに近ずく。耐久
性の向上や可燃性ガス感度の抑制の効果は、
RaSnO3-〓や、SrSnO3-〓、CaSnO3-〓でも共通で
有る。
動車エンジン等の内燃機関の制御や、ストーブや
ボイラー等の燃焼機器の制御に適したもので有
る。 〔従来技術〕 発明者は、BaSnO3-〓、RaSnO3-〓、CaSnO3-〓、
SrSnO3-〓等の化合物がλセンサとして優れた特
性を示すことを発見した（特願昭59−63900号、
特願昭59−63901号）。これらの化合物はプロブス
カイト型の結晶構造を示し、λセンサの材料とし
ては新規なもので有る。これらの化合物の特長
は、高温の還元雰囲気への耐久性に優れ、かつ酸
素分圧の変化への感度が大きい点に有る。次の特
長は、可燃性ガスへの感度と酸素との感度が比較
的良くバランスしていることで有る。 なお他の関連する先行技術を挙げると、特公昭
50−23317号は、SnO2へのシリカバインダの添加
により、通気性を損ねずにガスセンサの機械的強
度を向上し得ることを開示している。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、λセンサの酸素感度を増す
とともに、酸素感度の温度依存性を小さくするこ
とに有る。 〔発明の構成〕 この発明のλセンサは、化合物ASnO3-〓、ここ
にＡはRa、Ba、Sr、Caの少くとも一員を、δは
非化学量論的パラメータを現わす、の抵抗値の変
化により、空燃比λを検出するとともに、化合物
ASnO3-〓にはその1mol当り５〜300ｍmolの
SiO2、GeO2、ZrO2、HfO2、からなる群の少く
とも一員の物質を添加したもので有る。 酸素勾配という概念を考える。これは、センサ
の抵抗値RsをRs＝Ｋ・Pom 2とした際のｍの値に
より示される。酸素勾配の理論的上限はｎ形半導
体については1/4、または1/6、Ｐ形半導体につい
ては−1/4、または−1/6で有る。ｎ形半導体につ
いてそのモデルを示すと、格子のO2-イオンが、
電子１個をトラツプした欠陥と１つの自由電子と
１／２個の気相酸素分子とに変化するとのモデルか
ら、1/4の値が得られる。電子をトラツプしない
欠陥と２つの自由電子と1/2個の気相酸素分子へ
の平衡模型からは、1/6の値が得られる。 化合物ASnO3-〓の場合、酸素勾配の値は最良の
もので0.18程度で有り、SiO2等の添加により0.03
〜0.04程度酸素勾配を改善し得る。この変化はわ
ずかで有るとも言えるが、酸素勾配の値が理論的
上限付近に有ることを考えると極めて大きいとも
評価し得る。いずれにせよ酸素勾配の改善は、λ
センサの特性を大きく向上させる。 酸素勾配の改善には、SiO2の他にGeO2、
ZrO2、HfO2が有効で、これらは相互に均等物と
言える。添加効果は比較的多量の添加で生じ、少
くとも1mol当り５ｍmolの添加が、より好まし
くは20ｍmol以上の添加が必要で有る。添加効果
は50ｍmol程度の添加で飽和する。添加量の上限
には本質的意味がなく、大量に添加するとセンサ
が高抵抗化し扱いにくいという事実により定ま
る。 SiO2やGeO2等の添加の他の効果は、酸素感度
の温度依存性を小さくする点に有る。BaSnO3-〓
やRaSnO3-〓の場合、酸素感度は温度とともに減
少する。CaSnO3-〓やSrSnO3-〓の場合、酸素温度
は温度とともに増大する。SiO2やGeO2、HfO2あ
るいはZrO2を添加すると、酸素感度の温度依存
性が減少する。このことは温度による誤差要因が
小さくなることを意味する。 化合物ASnO3-〓の酸素勾配は、結晶成長と共に
改善される。そこで特に限定するものではない
が、化合物ASnO3-〓の平均結晶子径を0.02〜25μ
とするのが好ましく、さらに好ましくは平均結晶
子径を0.15〜8μとする。なお結晶成長による酸素
勾配の改善と、SiO2等の添加による酸素勾配の
改善とは、独立した現象で有る。 化合物ASnO3-〓のうち、BaSnO3-〓とRaSnO3-〓
とは完全なｎ形半導体で、酸素勾配の絶対値は、
CaSnO3-〓やSrSnO3-〓よりも大きい。従つて最も
好ましい化合物は、BaSnO3-〓やRaSnO3-〓、ある
いはBa0.5Ra0.5−SnO3-〓等のBaの１部をRaで置
換したものやこの逆のもので有る。 これに対してCaSnO3-〓やSrSnO3-〓は特異な化
合物で、λ＜１からλ＞１への当量点付近の変化
にはｎ形性を示すが、λ＞１のリーンバーン領域
の変化ではＰ形性を示し酸素勾配は負となる。 なお限定の意味でなく実施上の注意として、可
燃性ガスの感度と酸素への感度とをバランスさせ
ることが有る。化合物ASnO3-〓は可燃性ガスへの
感度が比較的小さな物質では有るが、酸素感度に
くらべて可燃性ガスへの感度が高い。このため未
燃焼の可燃性ガスの存在により、λは実際よりも
低く評価されることになる。このためには、Pt
等の貴金属を化合物ASnO3-〓１ｇ当り、20μｇ〜
３mg添加することが好ましい。大量の添加、例え
ば10mgの添加は、雰囲気変化への応答性を損ね
る。なお貴金属の添加効果は、SiO2等の効果や、
結晶成長の効果とも独立した現象で、酸素への感
度にほとんど影響しない。 〔実施例〕 （材料の調整） BaCO3、RaCO3、SrCO3、CaCO3を等モル量
のSnO2と混合し、空気中で900℃または1100℃で
４時間仮焼する。生成物はペロブスカイト型の化
合物、BaSnO3-〓、RaSnO3-〓、CaSnO3-〓、
SrSnO3-〓で有る。なおマグネシウム化合物やベ
リリウム化合物は、SnO2と反応させても、
MgSnO3-〓やBeSnO3-〓には転化しない。 仮焼生成物の粉砕後、１〜20モル％のシリカコ
ロイド、水酸化ゲルマニウム、水酸化ハフニウ
ム、水酸化ジルコニウムと混合する。なお用語法
としてモル％という時は、化合物ASnO3-〓100モ
ル％への添加量を意味する。混合物を第８図の形
状に成型し、空気中で４時間本焼成する。本焼成
温度は900℃で仮焼したものについては1000℃ま
たは1100℃、1100℃で仮焼したものについては
1200℃から1800℃とする。比較のためシリカコロ
イド等に代えて、スズ酸コロイドや水酸化チタニ
ウムを混合した試料を得る。 貴金属、例えばPtやRh、Ir、Os、Ru、Pd、を
加えた試料を作る場合、紛焼成後の試料に貴金属
塩の化合物を含浸させ、950℃で２時間焼成し、
貴金属を化合物ASnO3-〓やSiO2等に担持させる。
用いた添加量は、化合物ASnO3-〓１ｇ当り、金属
換算で30μｇ〜10mgで有る。なお以下では化合物
ASnO3-〓１ｇ当り1μｇの添加を1ppmとして表記
する。 （ASnO3-〓とSnO2） 公知のλセンサ材料としてSnO2を用い、化合
物ASnO3-〓と対比する。SnO2は1100℃で仮焼後、
1400℃で本焼成したもので有る。 BaSnO3-〓とSnO2とを対比すると、高温の還元
性雰囲気への耐久性が飛躍的に改善され、可燃性
ガス感度もO2感度とのバランスに近ずく。耐久
性の向上や可燃性ガス感度の抑制の効果は、
RaSnO3-〓や、SrSnO3-〓、CaSnO3-〓でも共通で
有る。
【表】
（SiO2等の効果）
SiO2の添加による700℃での酸素勾配の変化
を、1400℃で本焼成したBaSnO3-〓を例に、第１
図に示す。５モル％のSiO2の添加により、酸素
勾配は0.18から0.22へ向上する。また添加したPt
は酸素勾配に無関係で有る。 SiO2の添加量を変えた際の結果、SiO2に代え
てGeO2やZrO2、HfO2を用いた際の結果を表２に
示す。なおSiO2とGeO2の混合物等を用いても同
種の結果が得られる。
を、1400℃で本焼成したBaSnO3-〓を例に、第１
図に示す。５モル％のSiO2の添加により、酸素
勾配は0.18から0.22へ向上する。また添加したPt
は酸素勾配に無関係で有る。 SiO2の添加量を変えた際の結果、SiO2に代え
てGeO2やZrO2、HfO2を用いた際の結果を表２に
示す。なおSiO2とGeO2の混合物等を用いても同
種の結果が得られる。
【表】
【表】
いずれの化合物においても、SiO2の添加によ
り酸素勾配の絶対値が増大する。添加効果は１モ
ル％の添加でもかなり大きく、５モル％以上の添
加ではほぼ飽和している。実験の範囲では、添加
量の増大による欠点は、センサの高抵抗化で有
り、この点から30モル％以下の添加が良いことが
わかつた。 添加物を代えると、GeO2やZrO2、HfO2は
SiO2と同効で有るが、SnO2やTiO2では効果が得
られなかつた。 SiO2等の添加の第２の効果は、酸素勾配の温
度依存性が小さくなる点に有る。このことは温度
変動による誤差要因の１つが小さくなることを意
味する。 （結晶成長の効果） ５モル％のSiO2を添加した化合物ASnO3-〓を
例に、酸素勾配への結晶成長の効果を表３に示
す。いずれの化合物でも、酸素勾配の絶対値は結
晶成長とともに増し、特に平均結晶子径を0.15μ
以上にすることにより、クリテイカルな改善が見
られる。 なおここに言う平均結晶子径は、化合物
ASnO3-〓についての値とし、以下の測定法による
ものとする。電子顕微鏡写真から化合物ASnO3-〓
の像を求め、各結晶の長軸方向の長さと短軸方向
の長さの相加平均を結晶子径とする。これを結晶
粒子について平均したものを、平均結晶子径とす
る。
り酸素勾配の絶対値が増大する。添加効果は１モ
ル％の添加でもかなり大きく、５モル％以上の添
加ではほぼ飽和している。実験の範囲では、添加
量の増大による欠点は、センサの高抵抗化で有
り、この点から30モル％以下の添加が良いことが
わかつた。 添加物を代えると、GeO2やZrO2、HfO2は
SiO2と同効で有るが、SnO2やTiO2では効果が得
られなかつた。 SiO2等の添加の第２の効果は、酸素勾配の温
度依存性が小さくなる点に有る。このことは温度
変動による誤差要因の１つが小さくなることを意
味する。 （結晶成長の効果） ５モル％のSiO2を添加した化合物ASnO3-〓を
例に、酸素勾配への結晶成長の効果を表３に示
す。いずれの化合物でも、酸素勾配の絶対値は結
晶成長とともに増し、特に平均結晶子径を0.15μ
以上にすることにより、クリテイカルな改善が見
られる。 なおここに言う平均結晶子径は、化合物
ASnO3-〓についての値とし、以下の測定法による
ものとする。電子顕微鏡写真から化合物ASnO3-〓
の像を求め、各結晶の長軸方向の長さと短軸方向
の長さの相加平均を結晶子径とする。これを結晶
粒子について平均したものを、平均結晶子径とす
る。
【表】
【表】
（貴金属の添加効果）
第１図や表２に示したように、貴金属の添加は
酸素勾配にほとんど影響しない。貴金属は、化合
物ASnO3-〓１ｇ当り金属換算で30μｇ〜100μｇ程
度の小量の添加から、可燃性ガスへの感度を抑制
し酸素感度とのバランスを達成するという効果を
持つ。しかし大量の添加、例えば１ｇ当り10mgの
添加は、雰囲気変化への応答性を損う。 第２図に、５モル％のSiO2を添加し1400℃で
焼成したBaSnO3-〓の可燃性ガス感度を示す。
100ppmのPtを加えると、COやC3H6への感度が
抑制され、O2感度とのバランスが得られる。こ
の図での実験条件は、雰囲気温度を700℃とし、
4.6％のO2とN2とでバランスした雰囲気中で、
CO濃度とC3H6濃度とを変えた際のもので有る。 第３図から第５図は、それぞれPt100ppm、
1000ppm、10000ppmを加えた試料の、雰囲気変
化への応答特性を示すもので有る。試料は５モル
％のSiO2を加えて1400℃で焼成したBaSnO3-〓を
用いた。 雰囲気をλ＝0.99と1.01との間で各１秒ずつ２
秒周期で切り替えた際の抵抗値を、図の折線で示
す。一方雰囲気変化を、３秒ずつの６秒周期とし
た際の抵抗値を、図の破線の頂点で示す。なお高
抵抗側がλ＝1.01、低抵抗側がλ＝0.99で有る。
Ptの大量添加は雰囲気への応答を損ね、添加量
は１ｇ当り３mg以下とするのが好ましい。 表４に貴金属の添加効果を示す。表から明らか
なように、可燃性ガス感度の抑制に最も有効なの
はPtで、Rhがこれに次ぎ、Pdではやや劣つてい
る。これ以外の貴金属、例えばRu、Ir、Os、や、
PtとRhとの混合物等を用いても良いことは言う
までもない。また添加効果はRaSnO3-〓にSiO2を
加えた系や、BaSnO3-〓にGeO2を加えた系などで
も得られる。
酸素勾配にほとんど影響しない。貴金属は、化合
物ASnO3-〓１ｇ当り金属換算で30μｇ〜100μｇ程
度の小量の添加から、可燃性ガスへの感度を抑制
し酸素感度とのバランスを達成するという効果を
持つ。しかし大量の添加、例えば１ｇ当り10mgの
添加は、雰囲気変化への応答性を損う。 第２図に、５モル％のSiO2を添加し1400℃で
焼成したBaSnO3-〓の可燃性ガス感度を示す。
100ppmのPtを加えると、COやC3H6への感度が
抑制され、O2感度とのバランスが得られる。こ
の図での実験条件は、雰囲気温度を700℃とし、
4.6％のO2とN2とでバランスした雰囲気中で、
CO濃度とC3H6濃度とを変えた際のもので有る。 第３図から第５図は、それぞれPt100ppm、
1000ppm、10000ppmを加えた試料の、雰囲気変
化への応答特性を示すもので有る。試料は５モル
％のSiO2を加えて1400℃で焼成したBaSnO3-〓を
用いた。 雰囲気をλ＝0.99と1.01との間で各１秒ずつ２
秒周期で切り替えた際の抵抗値を、図の折線で示
す。一方雰囲気変化を、３秒ずつの６秒周期とし
た際の抵抗値を、図の破線の頂点で示す。なお高
抵抗側がλ＝1.01、低抵抗側がλ＝0.99で有る。
Ptの大量添加は雰囲気への応答を損ね、添加量
は１ｇ当り３mg以下とするのが好ましい。 表４に貴金属の添加効果を示す。表から明らか
なように、可燃性ガス感度の抑制に最も有効なの
はPtで、Rhがこれに次ぎ、Pdではやや劣つてい
る。これ以外の貴金属、例えばRu、Ir、Os、や、
PtとRhとの混合物等を用いても良いことは言う
までもない。また添加効果はRaSnO3-〓にSiO2を
加えた系や、BaSnO3-〓にGeO2を加えた系などで
も得られる。
この発明では、化合物ASnO3-〓の酸素感度を向
上させるとともに、酸素感度の温度依存性を小さ
くし、検出確度を向上させている。
上させるとともに、酸素感度の温度依存性を小さ
くし、検出確度を向上させている。
第１図〜第５図はそれぞれ実施例の特性図、第
６図は実施例のλセンサの斜視図で、第７図はそ
の長手方向断面図、第８図はガス検出片の断面図
で有る。 図において、８……ガス検出片、１０……温度
検出片、１６，１８……電極、２０……ムライト
膜。
６図は実施例のλセンサの斜視図で、第７図はそ
の長手方向断面図、第８図はガス検出片の断面図
で有る。 図において、８……ガス検出片、１０……温度
検出片、１６，１８……電極、２０……ムライト
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導
体を用いたλセンサにおいて、 前記金属酸化物半導体は化合物ASnO3-〓、（こ
こにＡはRa、Ba、Sr、Caからなる群の少くとも
一員を、δは非化学量論的パラメータを現わす。）
で有り、 かつ化合物ASnO3-〓には、SiO2、GeO2、
ZrO2、HfO2からなる群の少くとも一員を添加
し、その添加量は化合物ASnO3-〓1mol当り５〜
300ｍmolで有る、 ことを特徴とするλセンサ。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のλセンサにおい
て、 前記添加物SiO2で有り、かつその添加量は化
合物ASnO3-〓1mol当り20〜300ｍmolで有ること
を特徴とするλセンサ。 ３ 特許請求の範囲第２項記載のλセンサにおい
て、 前記添加量は化合物ASnO3-〓1mol当り20〜200
ｍmolで有ることを特徴とするλセンサ。 ４ 特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに
記載のλセンサにおいて、 化合物ASnO3-〓の平均結晶子径は0.02〜〜25μ
であることを特徴とするλセンサ。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載のλセンサにお
いて、 化合物ASnO3-〓の平均結晶子径は0.15〜8μであ
ることを特徴とするλセンサ。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載のλセンサにお
いて、 化合物ASnO3-〓のＡ元素は、Ba元素およびRa
元素からなる群の少くとも一員であることを特徴
とするλセンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270252A JPS61147146A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | λセンサ |
| US06/807,257 US4658632A (en) | 1984-12-20 | 1985-12-10 | Sensor |
| DE19853545372 DE3545372A1 (de) | 1984-12-20 | 1985-12-20 | (lambda)-fuehler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270252A JPS61147146A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | λセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147146A JPS61147146A (ja) | 1986-07-04 |
| JPH0443233B2 true JPH0443233B2 (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=17483654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270252A Granted JPS61147146A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | λセンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4658632A (ja) |
| JP (1) | JPS61147146A (ja) |
| DE (1) | DE3545372A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07104310B2 (ja) * | 1986-09-29 | 1995-11-13 | フイガロ技研株式会社 | 排気ガスセンサおよびその製造方法 |
| JP2632537B2 (ja) * | 1988-03-15 | 1997-07-23 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサ |
| JPH02193053A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-07-30 | Figaro Eng Inc | 排ガスセンサ及びその製造方法 |
| CH682340A5 (ja) * | 1990-04-27 | 1993-08-31 | Klaus Leistritz | |
| JPH0833327B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1996-03-29 | 株式会社村田製作所 | 温度センサ |
| US5242225A (en) * | 1990-06-11 | 1993-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature sensor |
| TW338795B (en) * | 1996-02-21 | 1998-08-21 | Osaka Gas Co Ltd | Method of manufacturing nitrogen oxide sensor and nitrogen oxide sensor manufactured by the method and material therefor |
| US20040009605A1 (en) * | 1999-06-30 | 2004-01-15 | U.S. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics & Space Administration | Method for the detection of volatile organic compounds using a catalytic oxidation sensor |
| US6468682B1 (en) | 2000-05-17 | 2002-10-22 | Avista Laboratories, Inc. | Ion exchange membrane fuel cell |
| US6532792B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-03-18 | Avista Laboratories, Inc. | Method of compensating a MOS gas sensor, method of manufacturing a MOS gas sensor, MOS gas sensor, and fuel cell system |
| US20040084308A1 (en) * | 2002-11-01 | 2004-05-06 | Cole Barrett E. | Gas sensor |
| US8827930B2 (en) | 2011-01-10 | 2014-09-09 | Bioguidance Llc | System and method for patient monitoring |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023317B1 (ja) * | 1969-12-19 | 1975-08-06 | ||
| US4314996A (en) * | 1979-04-04 | 1982-02-09 | Matsushita Electric Industrial Company, Limited | Oxygen sensor |
| EP0055104B1 (en) * | 1980-12-19 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sensor element and method for fabricating same |
| JPS5927253A (ja) * | 1982-08-06 | 1984-02-13 | Shinei Kk | ガスセンサおよびその製造法 |
| US4701739A (en) * | 1984-03-30 | 1987-10-20 | Figaro Engineering Inc. | Exhaust gas sensor and process for producing same |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP59270252A patent/JPS61147146A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-10 US US06/807,257 patent/US4658632A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-20 DE DE19853545372 patent/DE3545372A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61147146A (ja) | 1986-07-04 |
| US4658632A (en) | 1987-04-21 |
| DE3545372A1 (de) | 1986-07-03 |
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