JPH01260355A - 排ガスセンサ - Google Patents

排ガスセンサ

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JPH01260355A
JPH01260355A JP8851788A JP8851788A JPH01260355A JP H01260355 A JPH01260355 A JP H01260355A JP 8851788 A JP8851788 A JP 8851788A JP 8851788 A JP8851788 A JP 8851788A JP H01260355 A JPH01260355 A JP H01260355A
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JP
Japan
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exhaust gas
response time
sensor
gas sensor
air
Prior art date
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Pending
Application number
JP8851788A
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English (en)
Inventor
Makoto Egashira
誠 江頭
Yasuhiro Shimizu
康博 清水
Shuji Kusano
修二 草野
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Figaro Engineering Inc
Original Assignee
Figaro Engineering Inc
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Publication date
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] この発明は、排ガスセンサに関する。
[従来技術] 各種のスピネル化合物をガスセンサの材料とすることは
、周知である。例えば特公昭56−25゜617号公報
は、一般式A F et O<で現されるスピネル化合
物を可燃性ガスセンサの材料とすることを開示している
。また特公昭61−29,660号公報は、5nZn*
04等の化合物を可燃性ガスセンサの材料に用いること
を提案している。更に、特公昭63−7.342号公報
は、MgCrto+を酸素センサの材料とすることにふ
れている。
しかしいずれの公知技術もZ n Cr * 04に付
いては、ふれていない。そして発明者は、Z n Cr
 ! 04が空燃比の変化に鋭敏で、排ガスセンサに適
していることを見出した。
[発明の課題] この発明の課題は、新たな排ガスセンサ材料を提供する
ことに有る。
[発明の摺成] この発明では、7.ncr*o、を排ガスセンサ材料と
し、その抵抗値の変化から排ガスの空燃比を検出する。
ZnCrtO+はp形のスピネル化合物であり、空燃比
の変化に対して高感度である。
[実施例] センサの調整と測定法 等モル量のZnOとCrtO3との粉末をめのう乳鉢で
粉砕混合し、空気中10℃/minの昇温速度で120
0℃まで昇温し、その温度で5時間保ち焼成した。得ら
れた化合物はスピネル型のZ n Cr e 04で、
X線回折により結晶構造を同定した。同様にして、M 
g Cr v Oaや、ZnFetOa、MgFetO
+、N1FetOa、N i Cr t 04、Co 
Cr v O4を調整した。
調整したZnCrt04等の粉末を粉砕し、ペレット状
に成型して、白金ペーストを用いて両面に白金71X極
を焼き付けた。次いで、空気中1200℃で2時間焼結
し、排ガスセンサとした。
Z、nN0aとG r(N Os)sとをl:2のモル
比で水に溶解し、攪拌下で蒸発乾固した。これを600
℃に加熱して分解し、ZnOとCr*Osとの混合物と
した。混合物をめのう乳鉢で粉砕混合し、前記の実施例
と同様にして1000℃で5時間焼成し、ZnCrtO
aを得た。これ以外に、Z n O: Cr t Os
のモル比が1.1:IのZn過剰のものと、に1゜1の
C「過剰のものを調整した。これらの試料を粉砕し、先
の実施例と同様にしてZ n Cr v OI系排ガス
センサとした。比較例として、硝酸塩の混合と熱分解と
から、M g Cr ! 04排ガスセンサを得た。
焼成温度や焼結温度等の条件は、ZnCrtO4の場合
と同様である。
硝酸塩を用いたものと、酸化物を用いたものに付いてZ
nCrtO4の比表面積を測定すると、硝酸塩を出発材
料としたものの方が比表面積は数倍大きく、硝酸塩を用
いることにより微細なZnCrtO4の粒子が得られる
ことが判った。そこで各種スピネル化合物の基本的比較
には、酸化物から調整した試料を用いた。しかしZnC
rtO4とMgCrtOaとの比較は、酸化物を用いた
ものと硝酸塩を用いたものの双方で行い、またZnCr
tOaへの添加物の影響は硝酸塩を用いた試料で検討し
た。
得られたセンサを400〜800℃に加熱し、リッチ雰
囲気(当量比が0.89)、及びリーン雰囲気(当量比
力月、13)の2つの雰囲気での抵抗値を測定した。ま
た雰囲気をリッチ側とリーン側との間で切り替えた際の
80%応答時間から、センサの応答時間を評価した。応
答時間の測定法を第1図に示す。雰囲気を切り替えた後
、抵抗値が変化幅の10%から90%まで変化すのに要
する時間を、応答時間とした。なお雰囲気の排ガスは空
気とメタンとの燃焼で生成させ、pt触媒により反応を
完了させると共に、トラップで水を除去して用いた。
結果 酸化物を出発材料とするセンサに付いて、600℃での
、空燃比の変化に対する検出感度と応答時間とを表1に
示す。
7、ncrtoi  p形  +800    0.4
  1.8MgCrtOa  p形  1000   
 0.4  2.0ZnFet04  n形   17
0  354  16MgFetO4n形    35
  117  15NiFetO4n形    48 
 228   6N i Cr t Oa  p形  
  28414GoCr*0*  P形  感度なし 
  ・・・   ・・・* リッチ雰囲気(R)は当量
比が0.89、リーン雰囲気(L)は当量比が1.13
、感度はリーン側とリッチ側、あるいはリッチ側とリー
ン側との抵抗値の比を現す。
表Iから明らかなように、7.ncr2O4やM g 
G r t 04と、他のスピネル化合物とでは感度や
応答時間に大差が有る。従って排ガスセンサ材料には、
ZnCr、0.やMgCrtOaが好ましい。次ぎに表
2に、酸化物を出発材料とした場合に付いて、ZnCr
tOaとMgCreO<との比較を示す。
500℃感度       6000   2800〃
 応答時間(R−4L)     !、0      
1.0〃 応答時間(し→rL)     0.4  
    5600℃感度       1800   
1000〃 応答時間(R−4L)     0.4 
     0.4〃 応答時間(L−R)     1
.8      2700℃感度        23
0    150〃 応答時間(R−+L)O160,
4〃 応答時間(L→R)     0.4     
 2* 感度はリッチ側とリーン側との抵抗値の比を現
し、応答時間は80%応答の時間を秒単位で現す。
表2から明らかなように、7. n Cr 104はM
 g Cr t O4よりも検出感度や応答時間におい
て優れている。このことは特定の調整条件によるのでは
なく、硝酸塩を出発材料とするものでも同様であった。
表3に、硝酸塩系のセンサに付いて、ZnCrtOaと
MgCr、0.との比較を示す。
500℃感度       5000   1900〃
 応答時間(R→L)     0.6      0
.7〃 応答時間(L→R)     0.4    
  2.5600℃感度       2800   
 800〃 応答時間(R−L)     0.3  
    0.4〃 応答時間(L→R)     0 
、5      0 、 f3700℃感度     
   530    150〃 応答時間(1−4−L
)     0.3      0.4〃 応答時間(
L→R)     0.3      1.0* 出発
原料はいずれも硝酸塩、測定条件は表2と同じ。
硝酸塩を用いた場合も、ZnCrt04はM g Cr
 tO4よりも高感度で応答時間が短く、特に応答時間
の差が大きい。実際上意味の有る応答時間、即ちリーン
側からリッヂ側への応答時間とリッチ側からリーン側へ
の応答時間の平均は、硝酸塩系と酸化物系の雨音を考慮
し、かつ各温度を平均すると、Z n Cr t 04
でMgCr、0.のI/2程度となる。
第2図、第3図に、Z n Cr t 04の検出感度
と応答時間とを示す。図中黒抜きの記号は硝酸塩を出発
材料とするセンサの特性を示し、白抜き記号は酸化物を
出発材料とするセンサの特性を示す。また第3図のOx
の記号はリッチ側からリーン側への応答時間を現し、R
edの記号はリーン側からリッヂ側への応答時間を現す
。硝酸塩系のセンサは酸化物系のセンサよりも、わずか
に高感度であり、また応答時間も短い。
なお用いるZ n Cr t O4には、PLやRh等
の添加物を加え、あるいはZ n Cr t O4の構
成元素の一部を他の元素で置換して用いても良いことは
明らかである。このような例を第4図〜第7図に示す。
各図において、実線はZn過剰、あるいはC「過剰のZ
nCrtOaの特性を、破線はZnO:CrtOsのモ
ル比り月:lのZnCrtOaの特性を現す。なお各図
とも、出発材料は硝酸塩である。第4図はZnを10モ
ル%過剰に加えた際の検出感度を示し、第5図は同じ試
料に付いての応答時間を示す。
これらの結果からは、過剰量のZnの含有により、検出
感度が低下し、応答時間も延びることが判る。
第6図、第7図に、Orを10モル%過剰に加えたZ 
n Cr t O4の特性を示す。過剰量のCrの含有
により、800℃での検出感度が向上している。
これらは、Z n Cr x O4への添加物や格子置
換の影響の一例を示すものである。
[発明の効果] この発明では、排ガスの空燃比に高感度で、応答速度の
高い排ガスセンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第7図は、実施例の特性図である。 第1図 第2図      jl13r、!J temp、fc            temp、/
’c第411       第5図 第6図      第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)空燃比により抵抗値が変化する金属酸化物半導体
    を用いた排ガスセンサにおいて、 前記金属酸化物半導体をZnCr_2O_4としたこと
    を特徴とする、排ガスセンサ。
JP8851788A 1988-04-11 1988-04-11 排ガスセンサ Pending JPH01260355A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03118459A (ja) * 1989-09-30 1991-05-21 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 排ガスセンサ
US5561411A (en) * 1993-07-08 1996-10-01 Nippondenso Co., Ltd. Temperature sensor for high temperature and method of producing the same
JP2009175153A (ja) * 2000-10-16 2009-08-06 E I Du Pont De Nemours & Co ガスの混合物を分析する方法および装置
CN108124463A (zh) * 2015-05-04 2018-06-05 阿尔法莫斯公司 用于识别流体中的分析物的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03118459A (ja) * 1989-09-30 1991-05-21 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 排ガスセンサ
US5561411A (en) * 1993-07-08 1996-10-01 Nippondenso Co., Ltd. Temperature sensor for high temperature and method of producing the same
JP2009175153A (ja) * 2000-10-16 2009-08-06 E I Du Pont De Nemours & Co ガスの混合物を分析する方法および装置
CN108124463A (zh) * 2015-05-04 2018-06-05 阿尔法莫斯公司 用于识别流体中的分析物的方法
US10942156B2 (en) 2015-05-04 2021-03-09 Alpha M.O.S. Method for identifying an analyte in a fluid

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