JPH0520926B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0520926B2 JPH0520926B2 JP14916889A JP14916889A JPH0520926B2 JP H0520926 B2 JPH0520926 B2 JP H0520926B2 JP 14916889 A JP14916889 A JP 14916889A JP 14916889 A JP14916889 A JP 14916889A JP H0520926 B2 JPH0520926 B2 JP H0520926B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- diodes
- capacitor
- circuit
- bias
- Prior art date
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧等で制御される交流信号の減衰器
に関し、特に信号減衰用ダイオードを用いたπ型
可変減衰器に関する。
に関し、特に信号減衰用ダイオードを用いたπ型
可変減衰器に関する。
従来、この種のπ型電圧制御減衰器は、第3図
に示すように、4個の信号減衰用ダイオードD5
〜D8を用いて構成されている。即ち、それぞれ
同極性で直列接続した信号減衰用ダイオードD5,
D7及びD6,D8を逆極性に直列接続している。そ
して、ダイオードD5とD6の接続点に直流バイア
ス電圧Vbiasを印加し、各ダイオードD5,D7とD6,
D8の接続点にそれぞれ減衰量制御電圧Vcpotを印
加し、かつそれぞれをコンデンサC5,C6を介し
て高周波入力端子RFio、出力端子RFputに接続し
ている。
に示すように、4個の信号減衰用ダイオードD5
〜D8を用いて構成されている。即ち、それぞれ
同極性で直列接続した信号減衰用ダイオードD5,
D7及びD6,D8を逆極性に直列接続している。そ
して、ダイオードD5とD6の接続点に直流バイア
ス電圧Vbiasを印加し、各ダイオードD5,D7とD6,
D8の接続点にそれぞれ減衰量制御電圧Vcpotを印
加し、かつそれぞれをコンデンサC5,C6を介し
て高周波入力端子RFio、出力端子RFputに接続し
ている。
この構成では、減衰量制御電圧Vcpotを変化さ
せることにより、入力端子RFioから出力端子
RFputへの交流信号の減衰量を制御することがで
きる。
せることにより、入力端子RFioから出力端子
RFputへの交流信号の減衰量を制御することがで
きる。
このとき、バイアス構成は、第4図に示すよう
に、定入力インピーダンス駆動のL型電圧制御減
衰器の並列接続方式となつているため、信号減衰
用ダイオードD5及びD7に加えられる直流バイア
ス電圧V5及びV7の和と、信号減衰用ダイオード
D6及びD8に加えられる直流バイアス電圧V6及び
V8の和を一定に保てば、即ちVbiasを一定に保て
ば、いかなる減衰量の変化に対しても入出力イン
ピーダンスは一定に保たれることが知られてい
る。
に、定入力インピーダンス駆動のL型電圧制御減
衰器の並列接続方式となつているため、信号減衰
用ダイオードD5及びD7に加えられる直流バイア
ス電圧V5及びV7の和と、信号減衰用ダイオード
D6及びD8に加えられる直流バイアス電圧V6及び
V8の和を一定に保てば、即ちVbiasを一定に保て
ば、いかなる減衰量の変化に対しても入出力イン
ピーダンスは一定に保たれることが知られてい
る。
上述した従来のπ型電圧制御減衰器は、原理的
にはL型電圧制御減衰器の並列接続であるため、
回路電流I2はダイオードD5に流す電流の約2倍が
必要である。また、減衰量を制御する減衰量制御
電圧Vcpotを印加する端子が2本必要となるので、
RF的にバイアス回路を切り離すことが複雑にな
るという問題がある。
にはL型電圧制御減衰器の並列接続であるため、
回路電流I2はダイオードD5に流す電流の約2倍が
必要である。また、減衰量を制御する減衰量制御
電圧Vcpotを印加する端子が2本必要となるので、
RF的にバイアス回路を切り離すことが複雑にな
るという問題がある。
本発明は回路電流を低減し、かつRF部の簡略
化を可能とした電圧制御減衰器を提供することを
目的とする。
化を可能とした電圧制御減衰器を提供することを
目的とする。
本発明の電圧制御減衰器は、同極性で直列接続
した第1乃至第3の減衰用ダイオードと、この第
1のダイオードにコンデンサを介して逆極性で直
列接続した第4の減衰用ダイオードとを備えてい
る。
した第1乃至第3の減衰用ダイオードと、この第
1のダイオードにコンデンサを介して逆極性で直
列接続した第4の減衰用ダイオードとを備えてい
る。
そして、第3のダイオードはコンデンサを介し
て接地し、第4のダイオードは直接接地する。ま
た、第2及び第3のダイオードの接続点を減衰量
制御電圧端子として構成するとともにコンデンサ
を介してRF入力端子を接続し、第1及び第4の
ダイオードの接続点をバイアス電圧端子として構
成するとともにコンデンサを介してRF出力端子
を接続する。
て接地し、第4のダイオードは直接接地する。ま
た、第2及び第3のダイオードの接続点を減衰量
制御電圧端子として構成するとともにコンデンサ
を介してRF入力端子を接続し、第1及び第4の
ダイオードの接続点をバイアス電圧端子として構
成するとともにコンデンサを介してRF出力端子
を接続する。
更に、第3のダイオードの接地側と第4のダイ
オードの非接地側をインダクタを介して接続して
いる。
オードの非接地側をインダクタを介して接続して
いる。
この構成では、直流等価回路は第1乃至第4の
ダイオードが直列接続され、第1のダイオードの
端部にバイアス電圧が印加され、第2及び第3の
ダイオードの接続点に減衰量制御電圧が印加され
る回路となる。また、RF等価回路は3つの等価
抵抗をπ型に接続した回路となる。これにより、
回路電流を低減でき、かつ減衰量制御電圧端子が
1つで定インピーダンス動作が実現できる。
ダイオードが直列接続され、第1のダイオードの
端部にバイアス電圧が印加され、第2及び第3の
ダイオードの接続点に減衰量制御電圧が印加され
る回路となる。また、RF等価回路は3つの等価
抵抗をπ型に接続した回路となる。これにより、
回路電流を低減でき、かつ減衰量制御電圧端子が
1つで定インピーダンス動作が実現できる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。図
において、D1〜D4は信号減衰用ダイオードであ
り、ダイオードD1〜D3を同極性で直列接続し、
これにコンデンサC4を介してダイオードD4を逆
極性で直列接続する。そして、ダイオードD3は
コンデンサC3を介して接地し、ダイオードD4は
直接接地している。また、ダイオードD2とD3の
接続点を減衰量制御電圧Vcpot端子とし、かつコ
ンデンサC1を介してRF入力端子RFioを接続し、
同様にダイオードD1とD4の接続点をバイアス電
圧Vbias端子とし、コンデンサC1を介してRF出力
端子RFputを接続している。そして、ダイオード
D3とコンデンサC3の接続点と、ダイオードD4と
コンデンサC4の接続点をインダクタLで接続し
ている。
において、D1〜D4は信号減衰用ダイオードであ
り、ダイオードD1〜D3を同極性で直列接続し、
これにコンデンサC4を介してダイオードD4を逆
極性で直列接続する。そして、ダイオードD3は
コンデンサC3を介して接地し、ダイオードD4は
直接接地している。また、ダイオードD2とD3の
接続点を減衰量制御電圧Vcpot端子とし、かつコ
ンデンサC1を介してRF入力端子RFioを接続し、
同様にダイオードD1とD4の接続点をバイアス電
圧Vbias端子とし、コンデンサC1を介してRF出力
端子RFputを接続している。そして、ダイオード
D3とコンデンサC3の接続点と、ダイオードD4と
コンデンサC4の接続点をインダクタLで接続し
ている。
この構成によれば、直流等価回路は第2図aの
ようになり、全てのダイオードD1〜D4が直列接
続され、ダイオードD1の端部にバイアス電圧
Vbiasが印加され、ダイオードD2とD3の接続点に
減衰量制御電圧Vcpotが印加される回路となる。
また、RF等価回路は第2図bのようになり、抵
抗R1〜R3をπ型に接続した回路となる。
ようになり、全てのダイオードD1〜D4が直列接
続され、ダイオードD1の端部にバイアス電圧
Vbiasが印加され、ダイオードD2とD3の接続点に
減衰量制御電圧Vcpotが印加される回路となる。
また、RF等価回路は第2図bのようになり、抵
抗R1〜R3をπ型に接続した回路となる。
したがつて、ダイオードD1〜D4に同じ特性を
持つダイオードを使用すると、 V1=V2 ,V3=V4 , Vbias=V1+V2+V3+V4 と表すことができる。これにより、 V1+V4=V2+V3=Vbias/2 となるので、Vbiasを一定に保てば、V1+V4及び
V2+V3が一定に保たれ、減衰量が変化しても入
出力インピーダンスは変化しないという特性が実
現できる。
持つダイオードを使用すると、 V1=V2 ,V3=V4 , Vbias=V1+V2+V3+V4 と表すことができる。これにより、 V1+V4=V2+V3=Vbias/2 となるので、Vbiasを一定に保てば、V1+V4及び
V2+V3が一定に保たれ、減衰量が変化しても入
出力インピーダンスは変化しないという特性が実
現できる。
また、この回路においては、減衰量を変化させ
るための減衰量制御電圧Vcpot端子を一箇所のみ
設ければ、V1=V2,V3=V4の状態を実現できる
ため、回路の簡略化が可能である。更に、ダイオ
ードD1を流れる電流はそのままダイオードD2を
流れるため、第3図の従来回路と同じ減衰量を実
現するために必要な回路電流I1は従来の回路電流
I2の約1/2に低減できる。
るための減衰量制御電圧Vcpot端子を一箇所のみ
設ければ、V1=V2,V3=V4の状態を実現できる
ため、回路の簡略化が可能である。更に、ダイオ
ードD1を流れる電流はそのままダイオードD2を
流れるため、第3図の従来回路と同じ減衰量を実
現するために必要な回路電流I1は従来の回路電流
I2の約1/2に低減できる。
以上説明したように本発明は、π型電圧制御減
衰器のバイアス電圧端子と接地間のダイオード接
続を全て直列接続した等価回路とすることによ
り、回路電流を約1/2に減少することができる。
また、減衰量を変化させるための減衰量制御電圧
端子が1箇所で定インピーダンス動作が可能なた
め、複雑なRF部の簡略化が実現できる。
衰器のバイアス電圧端子と接地間のダイオード接
続を全て直列接続した等価回路とすることによ
り、回路電流を約1/2に減少することができる。
また、減衰量を変化させるための減衰量制御電圧
端子が1箇所で定インピーダンス動作が可能なた
め、複雑なRF部の簡略化が実現できる。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図a
は第1図の回路の直流等価回路図、第2図bは第
1図の回路のRF等価回路図、第3図は従来の電
圧制御減衰器の回路図、第4図は第3図の回路の
直流等価回路図である。 D1〜D4,D5〜D8……ダイオード、C1〜C6……
コンデンサ、L……インダクタ、R1〜R3……等
価抵抗、Vbias……バイアス電圧、Vcpot……減衰
量制御電圧、RFio……入力端子、RFput……出力
端子、I1,I2……回路電流。
は第1図の回路の直流等価回路図、第2図bは第
1図の回路のRF等価回路図、第3図は従来の電
圧制御減衰器の回路図、第4図は第3図の回路の
直流等価回路図である。 D1〜D4,D5〜D8……ダイオード、C1〜C6……
コンデンサ、L……インダクタ、R1〜R3……等
価抵抗、Vbias……バイアス電圧、Vcpot……減衰
量制御電圧、RFio……入力端子、RFput……出力
端子、I1,I2……回路電流。
Claims (1)
- 1 同極性で直列接続した第1乃至第3の減衰用
ダイオードと、この第1のダイオードにコンデン
サを介して逆極性で直列接続した第4の減衰用ダ
イオードとを備え、前記第3のダイオードはコン
デンサを介して接地し、前記第4のダイオードは
直接接地し、前記第2及び第3のダイオードの接
続点を減衰量制御電圧端子として構成するととも
にコンデンサを介してRF入力端子を接続し、前
記第1及び第4のダイオードの接続点をバイアス
電圧端子として構成するとともにコンデンサを介
してRF出力端子を接続し、かつ前記第3のダイ
オードの接地側と第4のダイオードの非接地側を
インダクタを介して接続したことを特徴とする電
圧制御減衰器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14916889A JPH0313111A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電圧制御減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14916889A JPH0313111A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電圧制御減衰器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0313111A JPH0313111A (ja) | 1991-01-22 |
JPH0520926B2 true JPH0520926B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=15469285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14916889A Granted JPH0313111A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電圧制御減衰器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0313111A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9419377U1 (de) * | 1994-12-06 | 1995-02-09 | Spaun-electronic GmbH, 78224 Singen | Elektronisch veränderbares Dämpfungsglied für HF-Signale oberhalb etwa 1 MHz |
JPH09214278A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Nec Corp | Pinダイオード可変減衰器 |
US6551337B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-04-22 | Omnisonics Medical Technologies, Inc. | Ultrasonic medical device operating in a transverse mode |
KR100480071B1 (ko) | 2002-11-12 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 가변 감쇠기 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14916889A patent/JPH0313111A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0313111A (ja) | 1991-01-22 |
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