JPH0191512A - 振幅等化器 - Google Patents
振幅等化器Info
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- JPH0191512A JPH0191512A JP24797487A JP24797487A JPH0191512A JP H0191512 A JPH0191512 A JP H0191512A JP 24797487 A JP24797487 A JP 24797487A JP 24797487 A JP24797487 A JP 24797487A JP H0191512 A JPH0191512 A JP H0191512A
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- variable resistor
- circuit
- voltage
- variable
- resistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は伝送路などでの歪みを除去する目的で使用さ
れる振幅等化器に関するものである。
れる振幅等化器に関するものである。
[従来の技術]
第4図は従来の振幅等化器の等価回路を示す接続図であ
り、第4図(a)は高域強調、T形定インピーダンス形
−次振幅等化器の接続を示し、同図(b)はピンダイオ
ードCDI、CD2のバイアス電圧を示し、同図(c)
は低域強調、T形定インピーダンス形−次振幅等化器の
接続を示す。
り、第4図(a)は高域強調、T形定インピーダンス形
−次振幅等化器の接続を示し、同図(b)はピンダイオ
ードCDI、CD2のバイアス電圧を示し、同図(c)
は低域強調、T形定インピーダンス形−次振幅等化器の
接続を示す。
図において、C1は容量性の第1のリアクタンス、R2
は誘導性の第2のリアクタンス、R3は誘導性の第3の
リアクタンス、C4は容量性の第4のリアクタンスであ
る。CDI、CD2.CD3、CD4はそれぞれ第1.
第2.第3.第4の可変抵抗を構成するピンダイオード
で、CDIはC1に並列に接続され、CD2はR2に直
列に接続され、CD3はR3に並列に接続され、CD4
はC4に直列に接続される9抵抗R1,R2,R3、R
4はリアクタンスC1,R3の中点電位のMl、M2を
得る為に設けられる。図のA点に電圧VEを、B点とM
l点に電圧VAを加える。ブロッキングコンデンサBC
I、BC2,BC3゜BC4は、Ml、M2点を直流的
にA点、B点から分離する為に設けられている。CD1
にはVE−VAのバイアスが、CD2にはVAのバイア
スが加えられる。バイアスが大きくなるほど、ピンダイ
オードの等価抵抗が減少する。CDIの等価抵抗が減少
するときCD2の等価抵抗が増加するような連動制御が
行われ、第5図に示す減衰特性を得ることができる。な
お第4図に示す従来の等止器はよく知られているので、
ここでは詳細な説明については省略する。
は誘導性の第2のリアクタンス、R3は誘導性の第3の
リアクタンス、C4は容量性の第4のリアクタンスであ
る。CDI、CD2.CD3、CD4はそれぞれ第1.
第2.第3.第4の可変抵抗を構成するピンダイオード
で、CDIはC1に並列に接続され、CD2はR2に直
列に接続され、CD3はR3に並列に接続され、CD4
はC4に直列に接続される9抵抗R1,R2,R3、R
4はリアクタンスC1,R3の中点電位のMl、M2を
得る為に設けられる。図のA点に電圧VEを、B点とM
l点に電圧VAを加える。ブロッキングコンデンサBC
I、BC2,BC3゜BC4は、Ml、M2点を直流的
にA点、B点から分離する為に設けられている。CD1
にはVE−VAのバイアスが、CD2にはVAのバイア
スが加えられる。バイアスが大きくなるほど、ピンダイ
オードの等価抵抗が減少する。CDIの等価抵抗が減少
するときCD2の等価抵抗が増加するような連動制御が
行われ、第5図に示す減衰特性を得ることができる。な
お第4図に示す従来の等止器はよく知られているので、
ここでは詳細な説明については省略する。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来の振幅等化器では、第4図の回路に示
すように定インピーダンスとする為に電圧VEを所望の
インピーダンスが得られるバイアスに設定し、ピンダイ
オードの中点電圧VAを可変にして第5図に示すように
減衰対周波数特性の傾斜を可変にしているが、この傾斜
を変えると挿入損失も変化するので、伝達特性を変化す
るごとに挿入損失に対する補償をも変化させねばならな
いという問題点があり、また減衰対周波数特性の傾斜を
正から負にまたは負から正に変えるには、第4図(a)
の回路と(c)の回路の入れ替えをしなければならない
等の問題があった。
すように定インピーダンスとする為に電圧VEを所望の
インピーダンスが得られるバイアスに設定し、ピンダイ
オードの中点電圧VAを可変にして第5図に示すように
減衰対周波数特性の傾斜を可変にしているが、この傾斜
を変えると挿入損失も変化するので、伝達特性を変化す
るごとに挿入損失に対する補償をも変化させねばならな
いという問題点があり、また減衰対周波数特性の傾斜を
正から負にまたは負から正に変えるには、第4図(a)
の回路と(c)の回路の入れ替えをしなければならない
等の問題があった。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、減衰対周波数特性の傾斜を正負いずれの値にでも連
続調整することが出来、かつ伝達特性の調整によって挿
入損失が変化することのない振幅等化器を提供すること
を目的としている。
で、減衰対周波数特性の傾斜を正負いずれの値にでも連
続調整することが出来、かつ伝達特性の調整によって挿
入損失が変化することのない振幅等化器を提供すること
を目的としている。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係る振幅等化器は、第4図(a)。
(c)に示す2種類のフィルター回路「この明細書では
第4図(a)に示す回路を第1のフィルター回路、(C
)に示す回路を第2のフィルター回路というJを縦続し
、この縦続回路を制御回路によって連動して制御するこ
とにしたものである。
第4図(a)に示す回路を第1のフィルター回路、(C
)に示す回路を第2のフィルター回路というJを縦続し
、この縦続回路を制御回路によって連動して制御するこ
とにしたものである。
[作用]
この発明においてはピンダイオードによる可変抵抗の抵
抗値を、CDIとCD4.CD2とCD5が互いに等し
く保たれるように制御するので、挿入損をほぼ一定に保
ちながら第5図(a)、<b)に示す特性全域にわたっ
てスムースに調整することが出来る。
抗値を、CDIとCD4.CD2とCD5が互いに等し
く保たれるように制御するので、挿入損をほぼ一定に保
ちながら第5図(a)、<b)に示す特性全域にわたっ
てスムースに調整することが出来る。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第1
図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第4図と同一
符号は同一または相当部分を示し、10は制御回路、C
H,PCはそれぞれ信号電圧を阻止し直流バイアス電圧
だけを通過させるためのチョークとバイパスコンデンサ
、CCはカップリングコンデンサである。
図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第4図と同一
符号は同一または相当部分を示し、10は制御回路、C
H,PCはそれぞれ信号電圧を阻止し直流バイアス電圧
だけを通過させるためのチョークとバイパスコンデンサ
、CCはカップリングコンデンサである。
また、第2図は制御回路10の構成例を示す接続図で、
図において、第1図と同一符号は同一部分を示し、11
.12はそれぞれ演算増幅器、13は分圧抵抗である。
図において、第1図と同一符号は同一部分を示し、11
.12はそれぞれ演算増幅器、13は分圧抵抗である。
演算増幅器11.12の利得は1であり、分圧抵抗13
の出力電圧をVRとすれば、VB=VR,VA=VE−
VRとなる。
の出力電圧をVRとすれば、VB=VR,VA=VE−
VRとなる。
(但し、演算増幅器11の非反転入力へは、約VE/2
の電圧を印加しておく) CD1とCD4にはVE−VAのバイアスが、CD2と
CD3にはVAのバイアスが加えられるので、VAを変
化しても、CDIとCD4の抵抗値、CD2とCD3の
抵抗値が同一に保たれるので、挿入損失は一定に保たれ
る。
の電圧を印加しておく) CD1とCD4にはVE−VAのバイアスが、CD2と
CD3にはVAのバイアスが加えられるので、VAを変
化しても、CDIとCD4の抵抗値、CD2とCD3の
抵抗値が同一に保たれるので、挿入損失は一定に保たれ
る。
また、第1図の回路の総合伝達特性は第4図(a)、(
C)の回路の伝達特性の積(減衰をデシベルで表せば和
)であるから、電圧VAを連続変化すれば、第5図(a
)、(b)に示す全域にわたってその特性を変化させる
ことができる。
C)の回路の伝達特性の積(減衰をデシベルで表せば和
)であるから、電圧VAを連続変化すれば、第5図(a
)、(b)に示す全域にわたってその特性を変化させる
ことができる。
さらに、第1図の回路は第4図(a)、(b)の回路の
縦続であるので定インピーダンス特性はそのまま保たれ
る。
縦続であるので定インピーダンス特性はそのまま保たれ
る。
すなわちこの発明によれば、定インピーダンス性で、挿
入損失が一定で、単一の制御機構で高域強調から低域強
調まで連続的にその特性を変化することができる振幅等
化器が得られる。
入損失が一定で、単一の制御機構で高域強調から低域強
調まで連続的にその特性を変化することができる振幅等
化器が得られる。
第3図は第1図に示す回路の特性を実測した特性図であ
る。
る。
なお、以上の実施例ではT形フィルタ回路について説明
したが、π形フィルタ回路にもこの発明を応用できるこ
とは明らかである。また、可変抵抗をピンダイオードで
構成する例を示したが、FETなとバイアス電圧により
その等価抵抗値を制御することが出来る半導体素子であ
れば、どのような半導体素子を用いてもよい。
したが、π形フィルタ回路にもこの発明を応用できるこ
とは明らかである。また、可変抵抗をピンダイオードで
構成する例を示したが、FETなとバイアス電圧により
その等価抵抗値を制御することが出来る半導体素子であ
れば、どのような半導体素子を用いてもよい。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、挿入損失が一定で高域
強調から低域強調まで連続的に特性を変化することがで
きる振幅等化器を得ることができるという効果がある。
強調から低域強調まで連続的に特性を変化することがで
きる振幅等化器を得ることができるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す接続図、第2図は第
1図の制御回路の一例を示す接続図、第3図はこの発明
の効果を示す実測図、第4図は従来の回路を示す接続図
、第5図は第4図の回路の特性を示す特性図。 C1・・・容量性の第1のリアクタンス、L2・・・誘
導性の第2のリアクタンス、L3・・・誘導性の第3の
リアクタンス、C4・・・容量性の第4のリアクタンス
、CDI、CD2.CD3.CD4・・・第1.第2.
第3.第4の可変抵抗、 10・・・制御回路。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
1図の制御回路の一例を示す接続図、第3図はこの発明
の効果を示す実測図、第4図は従来の回路を示す接続図
、第5図は第4図の回路の特性を示す特性図。 C1・・・容量性の第1のリアクタンス、L2・・・誘
導性の第2のリアクタンス、L3・・・誘導性の第3の
リアクタンス、C4・・・容量性の第4のリアクタンス
、CDI、CD2.CD3.CD4・・・第1.第2.
第3.第4の可変抵抗、 10・・・制御回路。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)第1のフィルター回路と、第2のフィルター回路
と、上記第1及び第2のフィルター回路の伝達特性を連
動して制御する制御回路とを備え、上記第1のフィルタ
ー回路は、容量性の第1のリアクタンスと第1の可変抵
抗の並列接続により構成され信号電流に対するインピー
ダンスとなる回路と、誘導性の第2のリアクタンスと第
2の可変抵抗の直列接続により構成され信号電圧に対す
るアドミッタンスとなる回路とを有し、 上記第2のフィルター回路は、誘導性の第3のリアクタ
ンスと第3の可変抵抗の並列接続により構成され信号電
流に対するインピーダンスとなる回路と、容量性の第4
のリアクタンスと第4の可変抵抗の直列接続により構成
され信号電圧に対するアドミッタンスとなる回路とを有
し、 上記第1、第2、第3、第4の可変抵抗はそれぞれ半導
体素子から構成され、 上記制御回路は、上記第1の可変抵抗と上記第4の可変
抵抗の抵抗値が互いに同一に保たれ、上記第2の可変抵
抗と上記第3の可変抵抗の抵抗値が互いに同一に保たれ
、かつ上記第1の可変抵抗と上記第2の可変抵抗の抵抗
値の積が一定に保たれるよう上記第1のフィルター回路
と上記第2のフィルター回路を連動して制御することを
特徴とする振幅等化器。 - (2)可変抵抗を構成する半導体素子はピンダイオード
であり、制御回路は、第1及び第3の可変抵抗となる各
ピンダイオードの各アノードに電圧VE(VE>0)を
、第1の可変抵抗となるピンダイオードのカソードと第
2の可変抵抗となるピンダイオードのアノードとに電圧
VA(VA<VE)を、第3の可変抵抗となるピンダイ
オードのカソードと第4の可変抵抗となるピンダイオー
ドのアノードとに電圧VB(VB=VE−VA)を加え
、VEを一定に保ちながら要求される伝達特性に応じて
VAを変化することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の振幅等化器。 - (3)制御回路は、第1の演算増幅器、第2の演算増幅
器、電圧VEの電源、及び分圧抵抗を備え、上記第1の
演算増幅器の反転入力端子及び上記第2の演算増幅器の
非反転入力端子に上記分圧抵抗からの可変電圧を接続し
、上記第1の演算増幅器からは反転出力を、上記第2の
演算増幅器からは非反転出力を取り出すことを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載の可変等化器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24797487A JPH082012B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 振幅等化器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24797487A JPH082012B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 振幅等化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0191512A true JPH0191512A (ja) | 1989-04-11 |
JPH082012B2 JPH082012B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17171320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24797487A Expired - Fee Related JPH082012B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 振幅等化器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH082012B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5548242A (en) * | 1993-04-12 | 1996-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveform shaping circuit |
US5789993A (en) * | 1995-06-14 | 1998-08-04 | Alcatel N.V. | Amplitude/frequency correcting device and corresponding frequency equalizer |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP24797487A patent/JPH082012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5548242A (en) * | 1993-04-12 | 1996-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveform shaping circuit |
US5789993A (en) * | 1995-06-14 | 1998-08-04 | Alcatel N.V. | Amplitude/frequency correcting device and corresponding frequency equalizer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH082012B2 (ja) | 1996-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |