JPH05206765A - 増幅回路構成 - Google Patents

増幅回路構成

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JPH05206765A
JPH05206765A JP4171315A JP17131592A JPH05206765A JP H05206765 A JPH05206765 A JP H05206765A JP 4171315 A JP4171315 A JP 4171315A JP 17131592 A JP17131592 A JP 17131592A JP H05206765 A JPH05206765 A JP H05206765A
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JP
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circuit
amplifier
optical receiver
signal source
low resistance
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JP4171315A
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Inventor
Rolf Heidemann
ロルフ・ハイデマン
Klaus Braun
クラウス・ブラウン
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Alcatel Lucent NV
Original Assignee
Alcatel NV
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
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    • H03F2200/372Noise reduction and elimination in amplifier

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】広帯域増幅回路、例えばケーブルテレビ施設に
使用されるような光受信器において、広帯域光アナログ
信号を電気信号に、歪みなく変換する受動的受信器モジ
ュール(PM)を含む光受信器を提供する。更に、この
受信器は周波数選択性を有し、従来の光受信器に要した
経費を大幅に軽減する。 【構成】例えば、高い出力抵抗を有する光検知要素(P
D)を具備する光受信器に使用される増幅回路におい
て、対応する選択タップを有する調整済みのλ/4回路
を介して、受信器はローノイズ・低抵抗アンプに整合さ
れる。この光受信器は比較的狭い周波数帯域に高い感度
を有する。受動的受信器モジュール(PM)は、光検知
要素のインピーダンスを、その出力に接続される広帯域
アンプ(BK)の入力インピーダンスに整合させるため
に、伝送器(UE)を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は請求項1の前文に記載さ
れる増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】このような回路構成は、例えば光信号を
電気信号に変換し、これら電気信号の予備増幅を行う光
受信器として機能する。
【0003】比較的狭い周波数範囲に高い感度を有し、
光検知要素(フォトダイオード)と、出力にアンプが接
続されている光受信器とを具備する光送信システムにお
いて、光受信器によって処理される光受信信号の性能レ
ベルは非常に高い。従って受信器は、高い強度の光ばか
りでなく、非常に低い強度の光を正確に検出できなけれ
ばならない。最低限界は受信器の感度と呼ばれる。これ
は光検知要素として構成される検出要素のノイズ特性に
本質的に関係している。更に受信器の感度は、光受信器
内に使用されるアンプの回路に依存している。
【0004】1986年のJ.A.ゲイスラによる出版
物”光ファイバー”(J.A.Geisl er,ent
itled”Optical Fibres”(EPO
Applied Technology Serie
s;Volume 5)、1986、Part II
I,Chapter III、pages 437〜5
26)では、多数の光受信器が開示されている。ここで
開示される光受信器は光検知要素の出力に接続されるア
ンプの複雑な回路が示されており、そのアンプは高イン
ピーダンスアンプ、又はトランスインピーダンスアンプ
として実施されている。大きなダイナミックレンジが必
要とされる場合、トランスインピーダンスアンプを含む
光受信器を使用するのが望ましい。トランスインピーダ
ンスアンプを含むこのような光受信器は、例えばDE−
A1 3,938,097に開示されている。トランス
インピーダンスアンプは、入力インピーダンスが現在最
も高く、広い周波数範囲に使用できる。それらは電流/
電圧変換器の機能を有しており、光検知要素で得られた
電流を電圧に変換する。このような種類のアンプの欠点
は信号・ノイズ比の劣化であり、これにより受信器の限
界性能が決定される。従来の広帯域アンプの回路構成
は、例えば光CATV及びデジタル通信システムの広帯
域光受信器に使用されている。50MHzから550M
Hzの帯域幅を有する振幅変調されたアナログ信号に使
用する比較的安価の光帯域受信器は、ヨーロッパ特許、
EP 0,372,742 A2に開示されている。こ
の受信器はインピーダンスを整合するために、伝送器を
介して広帯域、低抵抗アンプに接続される光検知要素を
具備している。この受信器の欠点は、光検知要素がイン
ピーダンスの整合にもよらず、弱い出力反射因数を示
し、これによってアンプには高次の混調波歪みが生じ
る。従って本発明の目的は、広帯域信号を増幅するとき
に、2次混調波のような非線形歪みを大幅に減少でき、
高い感度を有する増幅回路を提供することである。この
目的は請求項1に示す特徴により達成される。優れた特
徴が従属請求項に示されている。
【0005】
【実施例】第1の実施例による回路構成を狭帯域光受信
器内の回路として示す。フォトダイオードは光受信器内
の光検知要素として機能する。フォトダイオードの容量
Cは、例えば1pFで、出力インピーダンスはKΩの範
囲である。λ/4回路によって、フォトダイオードから
得られる信号は、例えばZe =50Ωのアンプに整合さ
れる。
【0006】本発明の第1実施例による光受信器は、例
えばDECT:1800〜1900MHzのラジオシス
テムのように、比較的狭帯域の周波数範囲での使用に特
に適している。更に、光受信器も選択性を有している。
従って、検出周波数範囲を越える有害信号は抑制され
る。この受信器の優れた改良点は、周波数範囲が追加の
調整容量によって変化することである。n・λ/4回路
(n=1,3,5,… 即ち奇数)が使用されると、光
受信器は複数の混調波周波数に調整される。
【0007】図1の(1A)はλ/4回路を長さ10の
平行ワイヤとして示している。λ/4回路の他の実施例
を図1の(1B)に示す。同図はλ/4回路の線状実施
例を示し、ここでλ/4は一本の線12により構成され
ている。
【0008】図1の(1C)は、λ/4回路の線の長さ
14に対するインピーダンス13の曲線を示す。図1の
全体(1A、1B、1C)は参照線A、B、及びCを共
通に有している。
【0009】参照線Aはλ/4回路の開始点を構成す
る。この点で、λ/4回路のインピーダンスは高い。参
照線Bはλ/4回路が50Ωの特定インピーダンスを有
する点を示す。この点で、50Ωのインピーダンスを有
するアンプが接続される。参照線Cはλ/4回路が短絡
されたときのλ/4回路内の点を示す。参照線A及びC
により示される点の間の距離は、λ/4回路の長さと呼
ばれる。
【0010】参照線A、B、C、及び他の参照番号が複
数の図面に示されている。同一の参照番号、又は参照線
は、本発明による光受信器内の同一構成要素又は同一点
を示す。
【0011】図2において、フォトダイオード(等価回
路を回路21に示す)は高出力インピーダンス(参照線
A)を有し、等価回路として、並列に接続されたコンデ
ンサ24を有する電流源23として考えられる。λ/4
回路はフォトダイオード21の出力に接続される。
【0012】λ/4回路の長さ20の決定において、コ
ンデンサ24によりλ/4回路は容量的に短絡されるこ
とを考慮しなければならない。従って長さ20は、理論
的に決定された無負荷のλ/4回路の長さ10より短
い。
【0013】長さ20を有する線は、参照線Bの位置で
分岐される(tapped)。即ち、λ/4回路のイン
ピーダンスがアンプの入力インピーダンスに等しいイン
ピーダンス(例えば50Ω)を有する点で分岐される。
この点でアンプは損失なく整合する。
【0014】図3は本発明による光受信器の基本的回路
図である。フォトダイオード31は、光送信システムの
一部である光導波管(図示されず)を介して光信号を受
信する。
【0015】フォトダイオード31のアノードはチョー
クコイル33を介して電圧電源32のマイナス極に接続
される。チョークコイル33は高周波数信号成分を減結
合し(decouple)、高周波数交流電流に対する
障壁を形成する一方で、低周波又は直流は容易に通過す
る。
【0016】フォトダイオードのアノードは又、コンデ
ンサ34に接続され、このコンデンサ34は接地されて
いる。従って、このアノードは高周波に対しては接地さ
れ、直流に対しては電圧電源32のマイナス側に接続さ
れる。この機能により、コンデンサ34は障壁容量とし
て定義される。
【0017】フォトダイオード31のカソードは、長さ
30のλ/4回路に直接接続されている。λ/4回路
は、λ/4回路の特性インピーダンスが50Ωのところ
で分岐される。この位置は図3の参照線Bに対応する。
ここで、50Ωの入力インピーダンスを有するローノイ
ズアンプ36が接続される。フォトダイオード31によ
って発生した光電流に比例する電圧は、アンプ36の出
力37に発生する。
【0018】光受信器の周波数範囲は追加回路の変更に
より変化する。接地されている調整コンデンサ38がフ
ォトダイオード31のカソードに接続されると、この変
化が現れる。この(無損失、無ノイズ)調整コンデンサ
38によって、λ/4回路の電気的有効長及び共振周波
数が設定される。コンデンサはフォトダイオードに並列
に接続される。λ/4回路がn・λ/4回路(n=1,
3,5 …)であれば、受信器は一連の混調波周波数に
同調される。調整コンデンサ38を接続することにより
(フォトダイオード31に追加して)、ほとんど全ての
所望受信周波数(例えばCT1については900MH
z、DECTについては1900MHz)を設定でき
る。
【0019】第2実施例は、高抵抗複素成分出力インピ
ーダンスを有する信号源のインピーダンスを、広帯域増
幅回路構成の低抵抗アンプに整合させるための優れた特
徴に関係する。
【0020】第2の実施例において、広帯域光受信器
は、図4の増幅回路構成とし示される。広帯域受信器E
は、PINモジュールPM、λ/4回路K及び低抵抗広
帯域アンプBKを具備している。PINモジュールにお
いて、PINフォトダイオードは光信号を電気信号に変
換する光検知要素PDとして設けられている。光検知要
素PDはインダクタンスLを介して伝送器UEに接続さ
れる。インダクタンスLは変換された信号の周波数応答
を高周波数に向かって上昇させる機能がある。伝送器U
Eにおいて、最初のインピーダンス整合は、PINフォ
トダイオードPDと低抵抗アンプBKの間で、この分野
の当業者に一般的な方法で行われる。この方法は例えば
ヨーロッパ特許 EP 0,372,742 A2に開
示されている。
【0021】この送信比は、受信される各周波数帯域に
おける低抵抗アンプBKの入力インピーダンス、及びP
INフォトダイオードPDの複素成分内部抵抗の間で決
定される。下限周波数fG1=40MHz及び上限周波数
G2=550MHzの送信帯域でのインピーダンス整合
では、この帯域に仮定されるダイナミックインピーダン
スZD =1KΩのPINフォトダイオード、及び入力イ
ンピーダンスZE =75Ωの低抵抗アンプが得られ、例
えば送信比は1〜3.6である。伝送器UEはオートト
ランス(autotransformer)として構成
されている。PINモジュールPMの出力信号はその分
岐点に供給される。PINフォトダイオードの動作点は
コンデンサC1 を介してこの分野で一般的な方法で調整
される。低抵抗アンプBKとして、モジュール形式の対
称プッシュプルアンプが設けられ、ケーブルTV施設に
おける広帯域アナログ信号を増幅できる。このようなア
ンプは、ケーブルテレビ施設に使用する広帯域アンプ・
モジュールのプッシュプル・アンプとして、例えばVa
lvo 社によって、製品名BGY 584 A、BG
Y 585 Aとして販売されている。仕様書6.88
によれば、入力インピーダンスZE =75Ωである。
【0022】このようなプッシュプル・アンプには2つ
の対称の増幅岐路が設けられ、各岐路では同一であるが
180°位相シフトされた信号が増幅される。増幅の次
に、2つの位相シフトされた信号は再び位相シフトが行
われる。増幅分岐経路内の180°の位相シフトによ
り、及び次に同相になることにより、第2及び高次混調
波歪みのような非線形混調波歪みが減少される。混調波
歪みが最も減少するのは、両方の増幅分岐経路が等しい
ときである。従って、プッシュプル・アンプの入力に不
整合があると、信号振幅は2つの増幅経路内で異なり、
これにより更に大きな混調波歪みが発生する。
【0023】λ/4回路では、アンプBKの入力に対す
るPINモジュールPMの出力インピーダンスの複素数
成分の整合が達成されるである。従って、λ/4回路の
波形抵抗(wave resistance)ZW と低
抵抗アンプの入力インピーダンスZE はできるだけ近い
値が良い。例えば5Ωの偏倚は、この場合実質的な劣化
を生じない。
【0024】PINモジュールPM及び低抵抗アンプB
Kが各々モジュールとして構成される場合、λ/4回路
は、着脱可能コンタクトを有するマイクロ波同軸ライン
の形式でλ/4ラインとして好適に構成できる。
【0025】他の変形例では、λ/4回路は対称、反転
可能ネットワークとして実施できる。PINモジュール
PMの構成要素及び低抵抗アンプBKが共通集積回路内
に構成される場合に、前述の変形例は特に有効である。
【0026】アンプBKは独立したモジュールとして更
に変形できる。PINフォトダイオード及び伝送器に加
えて、この場合の伝送器UE及びλ/4回路は、PIN
モジュールPM内の四極回路(quadripole
circuit)の形式で構成される。この変形例で、
PINモジュールPMとアンプモジュールBKの結合に
はマイクロ波導波管が必要となるので、完全なλ/4回
路が四極とラインの一部分の組み合わせにより構成され
るように、マイクロ波導波管のラインの長さをλ/4回
路の寸法に含めるのが望ましい。この場合、四極ネット
ワークは伝送器UEの前部に配置でき、コイルLの機能
も仮定できる。λ/4回路を集積した変形例として、四
極回路の変わりに、ストリップ線路(striplin
e)技術を用いて構成されるλ/4ラインを配置でき
る。
【0027】図5において、λ/4回路によって広帯域
アンプ内に生じた混調波歪みの減少が、周波数に沿って
プロットされている。帯域幅は2つの限界周波数により
示される。即ち、下限周波数fG1=40MHz及び上限
周波数fG2=550MHzである。混調波歪みの最大減
少量は1として示され、その最も大きな値は周波数f0
のときである。この周波数は波長λ0に一致し、この周
波数にλ/4回路が調整される。
【0028】この実施例で、λ/4ラインは、混調波歪
みが周波数f0 =375MHzで最も抑制されるように
調整される。この場合のλ/4ラインの機械的長さLm
は次式より得られる。 Lm =L0 ・V (1) ここでL0 は電気的長さで、λ/4ラインの短縮因数V
における誘電体定数の値である。この値は本実施例では
V=0.7である。設定値
【0029】
【数1】
【0030】は式(1)と組み合わせて、周波数f0
375MHzに対して機械的長さLm=140mmとな
り、短縮因数V=0.7及びC=3×108 m/sであ
る。
【0031】この種の回路構成では、周波数が増加する
とき、混調波歪みの最大減少量が図2に示すようにその
調整された周波数のみに発生し、混調波歪みの抑制が増
加した距離での周波数に対する調整された周波数f0
のみ減少するので、λ/4回路はその帯域の中間周波数
に調整されたいが、高周波数帯域の半分の周波数に調整
される。これにより、上限周波数fG2内の混調波歪みの
選択的最小の減少と、中間周波数に調整したときの混調
波歪みの集積した最大の減少の間の構成を可能となる。
λ/4回路は要求事項及び受信器Eの構成に依存して有
益な値に調整される。
【0032】信号源の光検知PINフォトダイオードと
して構成される要素に加えて、例えばアバランチェ(a
valanche)フォトダイオードのような他のフォ
トダイオード、又はマイクロ波アンテナの受信器接続を
使用できる。著しい利点は全くの受動光受信モジュー
ル、即ち能動的に増幅される半導体要素を全く含んでい
ないことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】λ/4回路の基本、及び波長に対する特性イン
ピーダンスの変化を示す。
【図2】フォトダイオードの等価回路を含むλ/4回路
を示す。
【図3】第1実施例の基本回路構成。
【図4】本発明の第2実施例。
【図5】λ/4回路による混調波歪みの減少を周波数に
ついてプロットした図。
【符号の説明】
21…フォトダイオード等価回路、23…電流源、24
・34…コンデンサ、31…フォトダイオード、33…
チョークコイル、36…ローノイズアンプ、38…調整
コンデンサ、PM…PINモジュール、PD…光検知要
素、UE…伝送器、BK…アンプモジュール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03F 3/08 7436−5J H04B 10/16 // H01L 31/10 (72)発明者 クラウス・ブラウン ドイツ連邦共和国、ベー − 7408 クン ステルディンゲン、チュービンガーシュト ラーセ 1

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高抵抗複素成分出力インピーダンスを有
    する信号源(31、PD)と、低抵抗アンプ(36、B
    K)を有する回路構成であって、前記信号源(31、P
    D)は、λ/4回路(35、K)を介して前記低抵抗ア
    ンプ(36、BK)に整合されることを特徴とする回路
    構成。
  2. 【請求項2】 前記信号源(31)は光受信器内に設け
    られる光検知要素であることを特徴とする請求項1記載
    の回路構成。
  3. 【請求項3】 前記光検知要素(31)は前記λ/4回
    路(35)の解放端に接続されることを特徴とする請求
    項1記載の光受信器。
  4. 【請求項4】 前記λ/4回路(35)の一端は短絡さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の光受信器。
  5. 【請求項5】 前記アンプ(36)は、前記λ/4回路
    の波形抵抗が50Ωとなる点で、前記λ/4回路(3
    5)に接続されることを特徴とする請求項1記載の光受
    信器。
  6. 【請求項6】 前記アンプ(36)の入力インピーダン
    スは50Ωであることを特徴とする請求項1記載の光受
    信器。
  7. 【請求項7】 前記光受信器の周波数検知範囲は、前記
    λ/4回路(35)の解放端に接続される調整コンデン
    サ(38)を使用して調整できることを特徴とする請求
    項1記載の光受信器。
  8. 【請求項8】 前記アンプはn・λ/4回路(n=奇
    数)を用いて整合されることを特徴とする請求項1記載
    の光受信器。
  9. 【請求項9】 前記構成には伝送器(UE)が設けら
    れ、この伝送器により前記信号源(PD)は前記低抵抗
    アンプ(BK)に整合され、更に、前記伝送器(UE)
    は前記λ/4回路を介して前記低抵抗伝送器(UE)に
    接続される(ここでλは処理される帯域内の波長を示
    す)ことを特徴とする請求項1記載の回路構成。
  10. 【請求項10】 前記波長λは短波長帯域の半分の帯域
    内の波長であることを特徴とする請求項9記載の回路構
    成。
  11. 【請求項11】 前記λ/4回路は、λ/4マイクロ波
    ラインのλ/4回路を示すことを特徴とする請求項9記
    載の回路構成。
  12. 【請求項12】 前記信号源(PD)及び前記伝送器
    (UE)はモジュール(PN)内に設けられ、前記モジ
    ュールはλ/4マイクロ波ライン(これも又モジュール
    内に設けられる)を介して低抵抗アンプ(BK)に着脱
    可能に接続されることを特徴とする請求項11記載の回
    路構成。
  13. 【請求項13】 前記低抵抗アンプ(BK)の入力イン
    ピーダンス及び前記λ/4回路の導波管抵抗は同一であ
    ることを特徴とする請求項9記載の回路構成。
  14. 【請求項14】 前記λ/4回路(K)の波形抵抗は、
    W =750Ωであることを特徴とする請求項9記載の
    回路構成。
  15. 【請求項15】 前記受信帯域の上限周波数(fG2)は
    500MHzであることを特徴とする請求項9記載の回
    路構成。
  16. 【請求項16】 前記信号源(PD)はアナログ信号用
    の信号源であることを特徴とする請求項9記載の回路構
    成。
  17. 【請求項17】 前記構成は広帯域光受信器(E)内に
    設けられ、及び前記信号源(PD)は光検知要素(P
    D)として構成されることを特徴とする請求項9記載の
    回路構成。
JP4171315A 1991-06-27 1992-06-29 増幅回路構成 Pending JPH05206765A (ja)

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