JPH05206620A - 金属ベース回路基板 - Google Patents

金属ベース回路基板

Info

Publication number
JPH05206620A
JPH05206620A JP3281892A JP3281892A JPH05206620A JP H05206620 A JPH05206620 A JP H05206620A JP 3281892 A JP3281892 A JP 3281892A JP 3281892 A JP3281892 A JP 3281892A JP H05206620 A JPH05206620 A JP H05206620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
copper
circuit board
wire bonding
soldering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3281892A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3349166B2 (ja
Inventor
Munemasa Jinbo
宗正 神保
Kiyohisa Hashimoto
季世久 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12369417&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH05206620(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP3281892A priority Critical patent/JP3349166B2/ja
Publication of JPH05206620A publication Critical patent/JPH05206620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3349166B2 publication Critical patent/JP3349166B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ベース金属板11上に絶縁層13を介して銅回路
パターン15が形成され、銅回路パターン15に半田付け用
パッド部15aとワイヤーボンディング用パッド部15bと
が設けられている。半田付け用パッド部15aとワイヤー
ボンディング用パッド部15bの両方にニッケルメッキ17
を施し、その上に厚さ0.01〜0.2 μmの薄い金メッキ21
を施した。 【効果】 半田付け用パッド部とワイヤーボンディング
用パッド部に同じメッキを施して、半田付け性およびワ
イヤーボンディング性が共に良好な金属ベース回路基板
が得られる。半田付け用パッド部とワイヤーボンディン
グ用パッド部の両方を有する金属ベース回路基板の製造
が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路等に使用
される金属ベース回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】金属ベース回路基板は、ベース金属板上
に絶縁層を介して銅回路パターンを形成したものである
が、特に混成集積回路等に使用される金属ベース回路基
板の場合は、銅回路パターンに、電子部品を半田付けす
るためのパッド部と、ボンディングワイヤー(アルミニ
ウム細線)を超音波接続するためのパッド部の両方を設
ける必要がある。
【0003】しかし銅表面は、半田付けを行うことは容
易であるが、ワイヤーボンディングを行うことが難しい
ので、従来、この種の金属ベース回路基板においては、
半田付け用のパッド部は銅をそのまま露出させ、ワイヤ
ーボンディング用のパッド部はニッケルメッキを施した
構造としてある(特公昭52-3461 号公報)。
【0004】その基本構造を図3に示す。この金属ベー
ス回路基板は、アルミニウム板等からなるベース金属板
11上に、エポキシ樹脂等からなる絶縁層13を介して、銅
回路パターン15を形成したものである。銅回路パターン
15は通常、銅箔のパターンエッチングにより形成され
る。銅回路パターン15には半田付け用のパッド部15aと
ワイヤーボンディング用のパッド部15bとが設けられて
いるが、半田付け用パッド部15aはそのまま銅表面を露
出させ、ワイヤーボンディング用のパッド部15bはその
表面にニッケルメッキ17が施されている。なお19はパッ
ド部以外の面に印刷されたソルダーレジストである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属ベース回路
基板は、同一基板上に銅表面の半田付け用パッド部とニ
ッケルメッキしたワイヤーボンディング用パッド部を形
成する必要があるため、半田付け用パッド部にニッケル
メッキがのらないようにしてワイヤーボンディング用パ
ッド部のみにニッケルメッキを施すか、あるいは全ての
パッド部にニッケルメッキを施した後、半田付け用パッ
ド部のニッケルメッキを除去することが必要であり、製
造がきわめて面倒であった。このため同じ表面で半田付
けもワイヤーボンディングもできる金属ベース回路基板
の開発が望まれていた。
【0006】上記の課題を解決するための一つの手段と
しては、すべてのパッド部にニッケルメッキを施すこと
が考えられるが、ニッケルメッキ面は半田付け性がわる
いという問題がある。また他の手段としては、すべての
パッド部に金メッキを施すことも考えられる。しかし金
メッキ面は、ニッケルメッキ面よりワイヤーボンディン
グ性がわるいという問題がある(前記公報)。このよう
に単一金属のメッキでは半田付け性とワイヤーボンディ
ング性の両方を満足することは困難である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
課題を解決した金属ベース回路基板を提供するもので、
その構成は、ベース金属板上に絶縁層を介して銅回路パ
ターンが形成され、銅回路パターンに半田付け用のパッ
ド部とワイヤーボンディング用のパッド部とが設けられ
た金属ベース回路基板において、前記銅回路パターンの
半田付け用パッド部およびワイヤーボンディング用パッ
ド部の両方にニッケルメッキを施し、その上に厚さ0.2
μm 以下の金メッキを施したことを特徴とするものであ
る。
【0008】
【作用】この金属ベース回路基板は、半田付け用パッド
部の表面にもニッケルメッキが施されているが、その上
に金メッキが施されているため、ニッケルメッキの半田
濡れ性のわるさは改善され、半田付け性は良好である。
また金メッキは従来、ワイヤーボンディング性がわるい
とされてきたが、ニッケルメッキの上に厚さ0.2μm 以
下のきわめて薄い金メッキを設けた場合には、良好なワ
イヤーボンディング特性が得られることが確認された。
ただし金メッキの厚さは、あまり薄過ぎるとニッケルメ
ッキ面の半田濡れ性改善の効果が低下するため、0.01μ
m 以上にすることが望ましい。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図1は本発明の一実施例を示す。この金属
ベース回路基板は、アルミニウム板等のベース金属板11
上に絶縁層13を介して銅回路パターン15を形成し、銅回
路パターン15に半田付け用のパッド部15aとワイヤーボ
ンディング用のパッド部15bとを設けた点では図3に示
した従来の金属ベース回路基板と同じであるが、銅回路
パターン15の半田付け用パッド部15aおよびワイヤーボ
ンディング用パッド部15bの両方にニッケルメッキ17を
施し、その上に厚さ0.2 μm 以下の金メッキ21を施した
点に特徴を有するものである。
【0010】この金属ベース回路基板は、半田付け用パ
ッド部15aの表面が金メッキ21となっているため、半田
付け性は良好である。またワイヤーボンディング用パッ
ド部15bの表面が、従来ワイヤーボンディング性がわる
いとされていた金メッキ21となっているが、ニッケルメ
ッキ17の上に厚さ0.2 μm 以下のきわめて薄い金メッキ
21を設けた場合には、後述するように良好なワイヤーボ
ンディング特性が得られる。
【0011】金メッキ21の厚さは、ワイヤーボンディン
グ特性の面からは出来るだけ薄いことが好ましいが、あ
まり薄過ぎるとニッケルメッキ17面の半田濡れ性を改善
する効果が低下するため、0.01μm 以上にすることが望
ましい。
【0012】ニッケルメッキ17および金メッキ21は無電
解メッキにより形成することが望ましい。無電解メッキ
によりニッケルメッキ17および金メッキ21を形成する場
合には、パッド部15a、15b以外の面をソルダーレジス
ト19で覆った後に、ソルダーレジスト19をメッキレジス
トと兼用させて無電解メッキを行い、ソルダーレジスト
19に覆われていない銅回路パターン15の表面(すなわち
パッド部)全面にニッケルメッキ17および金メッキ21を
形成すれば、製造工程を少なくでき、生産性が向上す
る。
【0013】またベース金属板としては一般にアルミニ
ウム板が使用されるが、銅、鉄、銅−インバー等の金属
板を使用することもできる。
【0014】図2はベース金属板として銅板11Cを使用
した本発明の他の実施例を示す。銅板は、アルミニウム
板に比べ伝熱性、放熱性が優れているが、耐食性が劣る
という理由でベース金属板として使用される例は少なか
ったが、図2のようにベース金属板として銅板11Cを使
用し、銅回路パターン15のパッド部15a、15bにニッケ
ルメッキ17および金メッキ21を施すときに、銅板11Cの
表面にも同時にニッケルメッキ17および金メッキ21を施
せば、銅板11Cの耐食性を大幅に改善することができ、
ベース金属板にアルミニウム板を使用したものより放熱
性の良好な金属ベース回路基板が得られる。
【0015】次に、半田付け性とワイヤーボンディング
性の実験結果を説明する。実験では、ベース金属板とし
て厚さ2mmのアルミニウム板を使用し、これに厚さ100
μm のエポキシ系絶縁層を介して厚さ35μm の銅箔を張
り付けた金属ベース銅張り板を出発材料とした。
【0016】比較例1は金属ベース銅張り板そのままの
ものである。比較例2は銅箔上に厚さ5μm のニッケル
メッキを施したものである。比較例3は銅箔上に厚さ5
μm のニッケルメッキを施し、その上に厚さ2μmの金
メッキを施したものである。
【0017】実施例1は銅箔上に厚さ5μm のニッケル
メッキを施し、その上に厚さ 0.02μm の金メッキを施
したものである。実施例2は銅箔上に厚さ5μm のニッ
ケルメッキを施し、その上に厚さ 0.05μm の金メッキ
を施したものである。実施例3は銅箔上に厚さ5μm の
ニッケルメッキを施し、その上に厚さ 0.1μm の金メッ
キを施したものである。実施例4は銅箔上に厚さ5μm
のニッケルメッキを施し、その上に厚さ 0.15μm の金
メッキを施したものである。
【0018】いずれもニッケルメッキおよび金メッキは
電気メッキにより施した。これらの各サンプルにつき、
半田濡れ性試験、ワイヤーボンディング性試験を行っ
た。その結果を表1に示す。
【0019】なお半田濡れ性試験は、原サンプルと、26
0 ℃半田バス上に1分間浮かべた後の半田耐熱サンプル
の各々について、JISC5012.8.4に準じて試験を行い、半
田濡れ面積が、原サンプル、半田耐熱サンプルとも95%
以上のものを○、原サンプルのみ95%以上のものを△、
ともに95%未満のものを×とした。またワイヤーボンデ
ィング性試験は、直径200 μm のアルミニウムワイヤー
をボンディングした後、加熱前と 200℃×1000時間加熱
後にプル試験を行い、強度が加熱前に比べ70%以上のも
のを○、70%未満のものを△、加熱前の段階で強度がで
ないものを×とした。
【0020】
【表1】 ※:原サンプルの半田濡れ性は比較例2より優れてい
る。
【0021】以上の結果より、実施例は比較例に比べ両
特性とも優れていることが明らかである。
【0022】次に、前記金属ベース銅張り板を使用し、
銅箔をパターンエッチングして回路を形成した後、パッ
ド部を残してソルダーレジストを印刷し、その後、パッ
ド部に無電解メッキにより厚さ5μm のニッケルメッキ
を施し、さらに無電解メッキにより厚さ0.05μm の金メ
ッキを施したサンプルについて、半田濡れ性試験および
ワイヤーボンディング性試験を行った。その結果はいず
れも良好であった。
【0023】ここで前記無電解メッキは、無電解メッキ
法の一つとして工業的に一般的に行われている置換メッ
キ法を適用している。この置換メッキ法ではメッキ厚が
せいぜい0.2 μm が限界であるが、この点本発明のメッ
キ厚の上限と一致しており、この点からも有効な手段と
いえる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
田付け用パッド部とワイヤーボンディング用パッド部に
同じメッキを施して、半田付け性およびワイヤーボンデ
ィング性が共に良好な金属ベース回路基板を得ることが
できる。したがって半田付け用パッド部とワイヤーボン
ディング用パッド部の両方を有する金属ベース回路基板
の製造がきわめて容易になり、コストダウンを図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る金属ベース回路基板
の断面図。
【図2】 本発明の他の実施例に係る金属ベース回路基
板の断面図。
【図3】 従来の金属ベース回路基板の断面図。
【符号の説明】
11:ベース金属板 11C:銅板(ベー
ス金属板) 13:絶縁層 15:銅回路パター
ン 15a:半田付け用パッド部 15b:ワイヤーボ
ンディング用パッド部 17:ニッケルメッキ 19:ソルダーレジ
スト 21:金メッキ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベース金属板上に絶縁層を介して銅回路パ
    ターンが形成され、銅回路パターンに半田付け用のパッ
    ド部とワイヤーボンディング用のパッド部とが設けられ
    た金属ベース回路基板において、前記銅回路パターンの
    半田付け用パッド部およびワイヤーボンディング用パッ
    ド部の両方にニッケルメッキを施し、その上に、厚さ0.
    2 μm 以下の金メッキを施したことを特徴とする金属ベ
    ース回路基板。
  2. 【請求項2】請求項1記載の金属ベース回路基板で、金
    メッキの厚さが0.01μm 以上であるもの。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の金属ベース回路
    基板で、ソルダーレジストに覆われていない銅回路パタ
    ーンの全表面に無電解メッキによるニッケルメッキおよ
    び金メッキが施されていることを特徴とするもの。
  4. 【請求項4】請求項1、2または3記載の金属ベース回
    路基板で、ベース金属板が銅板であり、この銅板の表面
    にもニッケルメッキおよび金メッキが施されていること
    を特徴とするもの。
JP3281892A 1992-01-24 1992-01-24 回路基板 Ceased JP3349166B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3281892A JP3349166B2 (ja) 1992-01-24 1992-01-24 回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3281892A JP3349166B2 (ja) 1992-01-24 1992-01-24 回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05206620A true JPH05206620A (ja) 1993-08-13
JP3349166B2 JP3349166B2 (ja) 2002-11-20

Family

ID=12369417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3281892A Ceased JP3349166B2 (ja) 1992-01-24 1992-01-24 回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3349166B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998056217A1 (fr) * 1997-06-04 1998-12-10 Ibiden Co., Ltd. Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime
US6198052B1 (en) 1998-02-19 2001-03-06 Nitto Denko Corporation Circuit board with terminal accommodating level differences
JP2002327279A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品の接合方法
US6740352B2 (en) * 2001-11-13 2004-05-25 Lg Electronics Inc. Method for forming bonding pads
CN100449752C (zh) * 2005-01-31 2009-01-07 三洋电机株式会社 电路装置及其制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197887B2 (ja) 2002-04-26 2008-12-17 サラヤ株式会社 液体希釈装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998056217A1 (fr) * 1997-06-04 1998-12-10 Ibiden Co., Ltd. Element de brasage tendre pour cartes a circuit imprime
US6358630B1 (en) 1997-06-04 2002-03-19 Ibiden Co., Ltd. Soldering member for printed wiring boards
US6198052B1 (en) 1998-02-19 2001-03-06 Nitto Denko Corporation Circuit board with terminal accommodating level differences
JP2002327279A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品の接合方法
JP4667637B2 (ja) * 2001-05-02 2011-04-13 古河電気工業株式会社 電子部品の接合方法
US6740352B2 (en) * 2001-11-13 2004-05-25 Lg Electronics Inc. Method for forming bonding pads
CN100449752C (zh) * 2005-01-31 2009-01-07 三洋电机株式会社 电路装置及其制造方法
US7936569B2 (en) 2005-01-31 2011-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3349166B2 (ja) 2002-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3760075B2 (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
JP2003031914A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP2003031914A5 (ja)
RU2159482C2 (ru) Соединительные выводы электронного компонента (варианты), электронный компонент (варианты) и способ его изготовления (варианты)
JP3349166B2 (ja) 回路基板
JP2000269398A (ja) 半導体デバイスのアルミニウム製リードフレームおよび製造方法
JPH1022434A (ja) 集積回路用リードフレーム及びその製造方法
JPS61244057A (ja) 端子接続構造およびその接続方法
US6791818B1 (en) Electronic device
JP2501174B2 (ja) 表面実装用端子の製造方法
US6323544B1 (en) Plated leadframes with cantilevered leads
US6376054B1 (en) Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in
JP4663975B2 (ja) 電子部品用パッケージ
JPH0613723A (ja) 混成集積回路
JP2606905B2 (ja) Icリード用部材
KR950008697B1 (ko) Tab 테이프
KR100231832B1 (ko) 다중 도금층을 가진 반도체 리드프레임
KR100294911B1 (ko) 반도체리드프레임
JP3167360B2 (ja) 混成集積回路用基板の製造方法
JP3308650B2 (ja) Icパッケージ
JPH04212443A (ja) リードフレーム
JPH03206633A (ja) 半導体装置
JP2002334960A (ja) 印字良好な放熱材
JPH04174546A (ja) 銅合金製半導体リードフレームの製造方法
JPS6041867B2 (ja) 多金属層を有する電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
RVOP Cancellation by post-grant opposition