JPH05206592A - セラミック基板およびセラミック配線板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板およびセラミック配線板の製造方法Info
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- JPH05206592A JPH05206592A JP1243792A JP1243792A JPH05206592A JP H05206592 A JPH05206592 A JP H05206592A JP 1243792 A JP1243792 A JP 1243792A JP 1243792 A JP1243792 A JP 1243792A JP H05206592 A JPH05206592 A JP H05206592A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H—ELECTRICITY
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- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分断用の溝の内に残存する金属膜による回路
短絡を起こさずに多数個のセラミック配線板の同時製造
が出来るようにする。 【構成】 基板分断ラインに沿って溝２が表面に形成さ
れているセラミック基板において、前記溝には局所的に
不連続箇所６が設けられていることを特徴とするセラミ
ック基板１。
短絡を起こさずに多数個のセラミック配線板の同時製造
が出来るようにする。 【構成】 基板分断ラインに沿って溝２が表面に形成さ
れているセラミック基板において、前記溝には局所的に
不連続箇所６が設けられていることを特徴とするセラミ
ック基板１。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック基板と、
このセラミック基板を用いたセラミック配線板の製造方
法に関する。
このセラミック基板を用いたセラミック配線板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、配線板の絶縁基板にセラミック基
板が使われるようになってきている。セラミック配線板
を作る場合、１枚の大きなセラミック基板を使って一度
に多数個分の配線板（チップ）を作製する、いわゆる多
数個取りが行われている。セラミック基板の表面に金属
膜を形成しパターンニングして多数個分の導電回路を形
成して（必要に応じて部品など搭載して）から、セラミ
ック基板を分断して一挙に多数個の配線板を得るのであ
る。
板が使われるようになってきている。セラミック配線板
を作る場合、１枚の大きなセラミック基板を使って一度
に多数個分の配線板（チップ）を作製する、いわゆる多
数個取りが行われている。セラミック基板の表面に金属
膜を形成しパターンニングして多数個分の導電回路を形
成して（必要に応じて部品など搭載して）から、セラミ
ック基板を分断して一挙に多数個の配線板を得るのであ
る。
【０００３】そして、分断して切り離す際の作業性やコ
ストを考慮して、セラミック基板の表面には、基板分断
ラインに沿ってＶ溝が予め入れられている。通常、Ｖ溝
は、縦横に平行走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画
された各領域がセラミック配線板ひとつ分である。しか
しながら、上記のセラミック基板を用いる場合、以下の
ような問題がある。
ストを考慮して、セラミック基板の表面には、基板分断
ラインに沿ってＶ溝が予め入れられている。通常、Ｖ溝
は、縦横に平行走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画
された各領域がセラミック配線板ひとつ分である。しか
しながら、上記のセラミック基板を用いる場合、以下の
ような問題がある。
【０００４】配線板の製造にあたっては、図４にみるよ
うに、セラミック基板１のＶ溝２形成面にめっき法など
で金属膜を形成し、不要部分をエッチングなどで除去し
パターンニングして、導電回路３を形成するのである
が、Ｖ溝２の内の金属膜４がエッチングされず残存して
しまう。加えて、図５にみるように、部品実装等のはん
だリフロー時には、はんだ５が金属膜４の上にのってし
まう。これら金属膜４やはんだ５は、導電回路３の短絡
という問題を引き起こす。近年は、配線板自体の小型化
などの要請から、Ｖ溝２と導体回路３が近接しており、
導体回路３の短絡が起こり易い。
うに、セラミック基板１のＶ溝２形成面にめっき法など
で金属膜を形成し、不要部分をエッチングなどで除去し
パターンニングして、導電回路３を形成するのである
が、Ｖ溝２の内の金属膜４がエッチングされず残存して
しまう。加えて、図５にみるように、部品実装等のはん
だリフロー時には、はんだ５が金属膜４の上にのってし
まう。これら金属膜４やはんだ５は、導電回路３の短絡
という問題を引き起こす。近年は、配線板自体の小型化
などの要請から、Ｖ溝２と導体回路３が近接しており、
導体回路３の短絡が起こり易い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、分断用の溝の内に残存する金属膜による回路短
絡を起こさずに多数個のセラミック配線板の同時製造を
可能とすることを課題とする。
に鑑み、分断用の溝の内に残存する金属膜による回路短
絡を起こさずに多数個のセラミック配線板の同時製造を
可能とすることを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、この発明にかかるセラミック基板は、基板分断ライ
ンに沿って溝が表面に形成されているセラミック基板の
前記溝には局所的に不連続箇所を設けるようにしてい
る。分断用の溝の不連続は、例えば、溝の途中に貫通孔
が開いていて溝が途切れたり、溝の途中に０．３mm以下
の長さの溝未形成域があって溝が途切れることで簡単に
実現できる。貫通孔と溝未形成域の両方が一つのセラミ
ック基板で併用されていてもよい。貫通孔の形は特に限
定されない。丸孔や角孔など様々な形のものがある。溝
未形成域の長さを０．３mm以下とするのは、余り長くな
ると溝の分断機能が損なわれるからである。
め、この発明にかかるセラミック基板は、基板分断ライ
ンに沿って溝が表面に形成されているセラミック基板の
前記溝には局所的に不連続箇所を設けるようにしてい
る。分断用の溝の不連続は、例えば、溝の途中に貫通孔
が開いていて溝が途切れたり、溝の途中に０．３mm以下
の長さの溝未形成域があって溝が途切れることで簡単に
実現できる。貫通孔と溝未形成域の両方が一つのセラミ
ック基板で併用されていてもよい。貫通孔の形は特に限
定されない。丸孔や角孔など様々な形のものがある。溝
未形成域の長さを０．３mm以下とするのは、余り長くな
ると溝の分断機能が損なわれるからである。
【０００７】溝は、普通、基板分断ラインに沿って縦横
に平行走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画された各
領域がセラミック配線板ひとつ分である。分断用の溝の
形は、通常、Ｖ字形であるが、これに限らない。分断用
の溝の不連続箇所を設ける位置は、導体回路と溝が近接
していて回路の短絡が発生し易い位置がよく、回路パタ
ーン等に応じて適宜に選ばれる。
に平行走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画された各
領域がセラミック配線板ひとつ分である。分断用の溝の
形は、通常、Ｖ字形であるが、これに限らない。分断用
の溝の不連続箇所を設ける位置は、導体回路と溝が近接
していて回路の短絡が発生し易い位置がよく、回路パタ
ーン等に応じて適宜に選ばれる。
【０００８】分断用の溝の不連続箇所は、レーザー加工
や金型加工で溝形成と同じ工程で形成できる。金属膜を
設ける直前にレーザ加工で溝と貫通孔を形成したり、セ
ラミック基板となる前段階のグリーンシートに金型で型
付けして溝や貫通孔を同時形成したりできるのである。
この発明におけるセラミック基板の種類としては、アル
ミナ基板、窒化アルミニウム基板、ジルコニア基板、酸
化ケイ素基板、マグネシア基板、窒化ケイ素基板などが
例示される。
や金型加工で溝形成と同じ工程で形成できる。金属膜を
設ける直前にレーザ加工で溝と貫通孔を形成したり、セ
ラミック基板となる前段階のグリーンシートに金型で型
付けして溝や貫通孔を同時形成したりできるのである。
この発明におけるセラミック基板の種類としては、アル
ミナ基板、窒化アルミニウム基板、ジルコニア基板、酸
化ケイ素基板、マグネシア基板、窒化ケイ素基板などが
例示される。
【０００９】この発明のセラミック基板を用いて配線板
を作る場合は、セラミック基板の分断用の溝形成面に金
属膜を形成しパターンニングした後、前記溝に沿ってセ
ラミック基板を分断するようにする。金属膜の形成に
は、通常のめっき法やスパッタリング蒸着法が用いられ
る。金属膜の種類は、銅膜を始め様々な種類のものがあ
る。パターンニングも、通常の配線板の製造で使われて
いるエッチング加工法を用いることができる。
を作る場合は、セラミック基板の分断用の溝形成面に金
属膜を形成しパターンニングした後、前記溝に沿ってセ
ラミック基板を分断するようにする。金属膜の形成に
は、通常のめっき法やスパッタリング蒸着法が用いられ
る。金属膜の種類は、銅膜を始め様々な種類のものがあ
る。パターンニングも、通常の配線板の製造で使われて
いるエッチング加工法を用いることができる。
【００１０】パターンニングの後は（必要に応じてはん
だリフロー、部品実装などしてから）、分断用の溝に沿
って個々の配線板（チップ）に分割し、多数個のセラミ
ック配線板を同時に完成するようにすることも従来と変
わらない。
だリフロー、部品実装などしてから）、分断用の溝に沿
って個々の配線板（チップ）に分割し、多数個のセラミ
ック配線板を同時に完成するようにすることも従来と変
わらない。
【００１１】
【作用】この発明のセラミック基板の場合、分断用の溝
が設けられているためセラミック基板の分断が簡単で多
数のセラミック配線板の同時形成に適している。配線板
の製造過程で分断用の溝の内に金属膜やはんだが残存し
た場合でも、回路の短絡が起こらない。図１，２にみる
ように、金属膜４およびはんだ５は、図１，２にみるよ
うに、丸や四角の貫通孔６の所で切れたり、図３にみる
ように、溝未形成域７の所で切れていて、回路３同士が
電気的に繋がることが阻止されるからである。
が設けられているためセラミック基板の分断が簡単で多
数のセラミック配線板の同時形成に適している。配線板
の製造過程で分断用の溝の内に金属膜やはんだが残存し
た場合でも、回路の短絡が起こらない。図１，２にみる
ように、金属膜４およびはんだ５は、図１，２にみるよ
うに、丸や四角の貫通孔６の所で切れたり、図３にみる
ように、溝未形成域７の所で切れていて、回路３同士が
電気的に繋がることが阻止されるからである。
【００１２】すなわち、貫通孔６のある位置には金属膜
が始めから付かないから、金属膜４やはんだ５は貫通孔
６の位置で必ず絶たれるのである。また、溝未形成域７
は金属膜が付くけれどセラミック基板１表面と面一であ
るためパターンニングの際に必ず溝未形成域７の上の金
属膜は除去されるため、金属膜４やはんだ５が溝未形成
域７の位置で必ず絶たれる。回路の短絡が起こり易そう
な位置に溝の不連続箇所を設けておくことで回路の短絡
を起こさずに多数の配線板を同時に作ることが出来るの
である。
が始めから付かないから、金属膜４やはんだ５は貫通孔
６の位置で必ず絶たれるのである。また、溝未形成域７
は金属膜が付くけれどセラミック基板１表面と面一であ
るためパターンニングの際に必ず溝未形成域７の上の金
属膜は除去されるため、金属膜４やはんだ５が溝未形成
域７の位置で必ず絶たれる。回路の短絡が起こり易そう
な位置に溝の不連続箇所を設けておくことで回路の短絡
を起こさずに多数の配線板を同時に作ることが出来るの
である。
【００１３】それに、貫通孔６や溝未形成域７の形成
は、溝形成工程で同時に簡単に作り込めるから、この発
明のセラミック基板自体の製造は簡単である。
は、溝形成工程で同時に簡単に作り込めるから、この発
明のセラミック基板自体の製造は簡単である。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。勿論、
この発明は、下記の実施例に限らないことは言うまでも
ない。 −実施例１− セラミック基板として、分断用のＶ溝および（導体回路
用）スルホールが設けられているとともに前記Ｖ溝が導
体回路の端子に近接した箇所が円形の貫通孔で不連続と
なっているアルミナ基板（縦・横１０cm, 厚み０．５m
m）を用いた。Ｖ溝、スルホール、貫通孔はいずれもレ
ーザ加工で形成されている。
この発明は、下記の実施例に限らないことは言うまでも
ない。 −実施例１− セラミック基板として、分断用のＶ溝および（導体回路
用）スルホールが設けられているとともに前記Ｖ溝が導
体回路の端子に近接した箇所が円形の貫通孔で不連続と
なっているアルミナ基板（縦・横１０cm, 厚み０．５m
m）を用いた。Ｖ溝、スルホール、貫通孔はいずれもレ
ーザ加工で形成されている。
【００１５】アルミナ基板の表面を熱リン酸で粗面化し
た後、無電解銅めっき法により銅を１０μｍ析出させ金
属膜を形成した。この銅膜を通常の方法に従ってパター
ンニングし導体回路を形成した。Ｖ溝内には銅膜が残存
していたが、貫通孔で残存した銅膜が切れており、回路
の短絡は起きなかった。さらに、はんだリフローを行っ
たが、やはり回路の短絡は起きなかった。最終的にＶ溝
に沿ってアルミナ基板を分断し複数の配線板を得たが、
分断の際に貫通孔が支障となることは無かった。
た後、無電解銅めっき法により銅を１０μｍ析出させ金
属膜を形成した。この銅膜を通常の方法に従ってパター
ンニングし導体回路を形成した。Ｖ溝内には銅膜が残存
していたが、貫通孔で残存した銅膜が切れており、回路
の短絡は起きなかった。さらに、はんだリフローを行っ
たが、やはり回路の短絡は起きなかった。最終的にＶ溝
に沿ってアルミナ基板を分断し複数の配線板を得たが、
分断の際に貫通孔が支障となることは無かった。
【００１６】−実施例２− 粗面化を熱リン酸ではなく熱水酸化ナトリウムで行うよ
うにした他は実施例１と同様にして配線板を得たが、実
施例１の場合と同様の結果であった。 −実施例３− Ｖ溝、スルホールおよび貫通孔が金型加工で形成されて
おり、貫通孔の形が角形である他は、実施例１と同様に
して配線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡
などの問題は起こらなかった。金型加工の方がレーザ加
工の場合よりも生産性やコスト面で有利である。
うにした他は実施例１と同様にして配線板を得たが、実
施例１の場合と同様の結果であった。 −実施例３− Ｖ溝、スルホールおよび貫通孔が金型加工で形成されて
おり、貫通孔の形が角形である他は、実施例１と同様に
して配線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡
などの問題は起こらなかった。金型加工の方がレーザ加
工の場合よりも生産性やコスト面で有利である。
【００１７】−実施例４− Ｖ溝、スルホールが金型加工で形成されているととも
に、貫通孔を設ける代わりに、その位置に０．３mmのＶ
溝未形成とするようにした他は実施例１と同様にして配
線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡の問題
は起こらなかったし、Ｖ溝の未形成域があっても０．３
mm以下であるため基板分断も何ら問題なく行えた。
に、貫通孔を設ける代わりに、その位置に０．３mmのＶ
溝未形成とするようにした他は実施例１と同様にして配
線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡の問題
は起こらなかったし、Ｖ溝の未形成域があっても０．３
mm以下であるため基板分断も何ら問題なく行えた。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べたように、この発明のセラミ
ック基板およびこれを用いるセラミック配線板の製造方
法の場合、分断用の溝が設けられているためセラミック
基板の分断が簡単で多数のセラミック配線板の同時形成
に適しており、配線板の製造過程で分断用の溝の内に金
属膜やはんだが残存した場合でも、溝の不連続箇所では
断線しているため、回路同士の短絡は起こらず、しか
も、不連続箇所の形成も簡単でセラミック基板自体の製
造は容易であり、したがって、この発明は非常に有用で
あると言える。
ック基板およびこれを用いるセラミック配線板の製造方
法の場合、分断用の溝が設けられているためセラミック
基板の分断が簡単で多数のセラミック配線板の同時形成
に適しており、配線板の製造過程で分断用の溝の内に金
属膜やはんだが残存した場合でも、溝の不連続箇所では
断線しているため、回路同士の短絡は起こらず、しか
も、不連続箇所の形成も簡単でセラミック基板自体の製
造は容易であり、したがって、この発明は非常に有用で
あると言える。
【図１】この発明のセラミック基板の一例を用いた配線
板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあらわ
す斜視図である。
板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあらわ
す斜視図である。
【図２】この発明のセラミック基板の他の例を用いた配
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
【図３】この発明のセラミック基板の別の例を用いた配
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
【図４】従来のセラミック基板を用いた配線板の製造過
程における金属膜パターンニング後の状態をあらわす斜
視図である。
程における金属膜パターンニング後の状態をあらわす斜
視図である。
【図５】従来のセラミック基板を用いた配線板の製造過
程におけるはんだリフロー後の状態をあらわす斜視図で
ある。
程におけるはんだリフロー後の状態をあらわす斜視図で
ある。
１ セラミック基板 ２ Ｖ溝 ３ 導電回路 ４ 金属膜 ５ はんだ ６ 貫通孔 ７ Ｖ溝未形成域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】最近、配線板の絶縁基板にセラミック基
板が使われるようになってきている。セラミック配線板
を作る場合、１枚の大きなセラミック基板を使って一度
に多数個分の配線板（チップ）を作製する、いわゆる多
数個取りが行われている。セラミック基板の表面に金属
膜を形成しパターンニングして多数個分の導体回路を形
成して（必要に応じて部品など搭載して）から、セラミ
ック基板を分断して一挙に多数個の配線板を得るのであ
る。
板が使われるようになってきている。セラミック配線板
を作る場合、１枚の大きなセラミック基板を使って一度
に多数個分の配線板（チップ）を作製する、いわゆる多
数個取りが行われている。セラミック基板の表面に金属
膜を形成しパターンニングして多数個分の導体回路を形
成して（必要に応じて部品など搭載して）から、セラミ
ック基板を分断して一挙に多数個の配線板を得るのであ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】そして、分断して切り離す際の作業性やコ
ストを考慮して、セラミック基板の表面には、基板分断
ラインに沿ってＶ溝が予め入れられている。通常、Ｖ溝
は、縦横に平行に走る直線でけがかれており、Ｖ溝で区
画された各領域がセラミック配線板ひとつ分である。し
かしながら、上記のセラミック基板を用いる場合、以下
のような問題がある。
ストを考慮して、セラミック基板の表面には、基板分断
ラインに沿ってＶ溝が予め入れられている。通常、Ｖ溝
は、縦横に平行に走る直線でけがかれており、Ｖ溝で区
画された各領域がセラミック配線板ひとつ分である。し
かしながら、上記のセラミック基板を用いる場合、以下
のような問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】配線板の製造にあたっては、図４にみるよ
うに、セラミック基板１のＶ溝２形成面にめっき法など
で金属膜を形成し、不要部分をエッチングなどで除去し
パターンニングして、導体回路３を形成するのである
が、Ｖ溝２の内の金属膜４がエッチングされず残存して
しまう。加えて、図５にみるように、部品実装等のはん
だリフロー時には、はんだ５が金属膜４の上にのってし
まう。これら金属膜４やはんだ５は、導体回路３の短絡
という問題を引き起こす。近年は、配線板自体の小型化
などの要請から、Ｖ溝２と導体回路３が近接しており、
導体回路３の短絡が起こり易い。
うに、セラミック基板１のＶ溝２形成面にめっき法など
で金属膜を形成し、不要部分をエッチングなどで除去し
パターンニングして、導体回路３を形成するのである
が、Ｖ溝２の内の金属膜４がエッチングされず残存して
しまう。加えて、図５にみるように、部品実装等のはん
だリフロー時には、はんだ５が金属膜４の上にのってし
まう。これら金属膜４やはんだ５は、導体回路３の短絡
という問題を引き起こす。近年は、配線板自体の小型化
などの要請から、Ｖ溝２と導体回路３が近接しており、
導体回路３の短絡が起こり易い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、この発明にかかるセラミック基板は、基板分断ライ
ンに沿って溝が表面に形成されているセラミック基板の
前記溝には局所的に不連続箇所を設けるようにしてい
る。分断用の溝の不連続は、例えば、溝の途中に貫通孔
が開いていて溝が途切れたり、溝の途中にセラミック基
板の板厚み以下、例えば、０．３ｍｍ以下の長さの溝未
形成域があって溝が途切れることで簡単に実現できる。
貫通孔と溝未形成域の両方が一つのセラミック基板で併
用されていてもよい。貫通孔の形は特に限定されない。
丸孔や角孔など様々な形のものがある。溝未形成域の長
さをセラミック基板の板厚み以下とするのは、余り長く
なると溝の分断機能が損なわれるからである。
め、この発明にかかるセラミック基板は、基板分断ライ
ンに沿って溝が表面に形成されているセラミック基板の
前記溝には局所的に不連続箇所を設けるようにしてい
る。分断用の溝の不連続は、例えば、溝の途中に貫通孔
が開いていて溝が途切れたり、溝の途中にセラミック基
板の板厚み以下、例えば、０．３ｍｍ以下の長さの溝未
形成域があって溝が途切れることで簡単に実現できる。
貫通孔と溝未形成域の両方が一つのセラミック基板で併
用されていてもよい。貫通孔の形は特に限定されない。
丸孔や角孔など様々な形のものがある。溝未形成域の長
さをセラミック基板の板厚み以下とするのは、余り長く
なると溝の分断機能が損なわれるからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】溝は、普通、基板分断ラインに沿って縦横
に平行に走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画された
各領域がセラミック配線板ひとつ分である。分断用の溝
の形は、通常、Ｖ字形であるが、これに限らない。分断
用の溝の不連続箇所を設ける位置は、導体回路と溝が近
接していて回路の短絡が発生し易い位置がよく、回路パ
ターン等に応じて適宜に選ばれる。
に平行に走る直線でけががれており、Ｖ溝で区画された
各領域がセラミック配線板ひとつ分である。分断用の溝
の形は、通常、Ｖ字形であるが、これに限らない。分断
用の溝の不連続箇所を設ける位置は、導体回路と溝が近
接していて回路の短絡が発生し易い位置がよく、回路パ
ターン等に応じて適宜に選ばれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【作用】この発明のセラミック基板の場合、分断用の溝
が設けられているためセラミック基板の分断が簡単で多
数のセラミック配線板の同時形成に適している。配線板
の製造過程で分断用の溝の内に金属膜やはんだが残存し
た場合でも、回路の短絡が起こらない。図１，２にみる
ように、金属膜４およびはんだ５は、丸や四角の貫通孔
６の所で切れたり、図３にみるように、溝未形成域７の
所で切れていて、導体回路３同士が電気的に繋がること
が阻止されるからである。
が設けられているためセラミック基板の分断が簡単で多
数のセラミック配線板の同時形成に適している。配線板
の製造過程で分断用の溝の内に金属膜やはんだが残存し
た場合でも、回路の短絡が起こらない。図１，２にみる
ように、金属膜４およびはんだ５は、丸や四角の貫通孔
６の所で切れたり、図３にみるように、溝未形成域７の
所で切れていて、導体回路３同士が電気的に繋がること
が阻止されるからである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】−実施例４− Ｖ溝、スルホールが金型加工で形成されているととも
に、貫通孔を設ける代わりに、その位置に０．３ｍｍの
Ｖ溝未形成とするようにした他は実施例１と同様にして
配線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡の問
題は起こらなかったし、Ｖ溝の未形成域があってもセラ
ミック基板の板厚み以下であるため基板分断も何ら問題
なく行えた。
に、貫通孔を設ける代わりに、その位置に０．３ｍｍの
Ｖ溝未形成とするようにした他は実施例１と同様にして
配線板を得た。実施例１の場合と同様、回路の短絡の問
題は起こらなかったし、Ｖ溝の未形成域があってもセラ
ミック基板の板厚み以下であるため基板分断も何ら問題
なく行えた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のセラミック基板の一例を用いた配線
板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあらわ
す斜視図である。
板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあらわ
す斜視図である。
【図２】この発明のセラミック基板の他の例を用いた配
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
【図３】この発明のセラミック基板の別の例を用いた配
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
線板の製造過程におけるはんだリフロー後の状態をあら
わす斜視図である。
【図４】従来のセラミック基板を用いた配線板の製造過
程における金属膜パターンニング後の状態をあらわす斜
視図である。
程における金属膜パターンニング後の状態をあらわす斜
視図である。
【図５】従来のセラミック基板を用いた配線板の製造過
程におけるはんだリフロー後の状態をあらわす斜視図で
ある。
程におけるはんだリフロー後の状態をあらわす斜視図で
ある。
【符号の説明】 １ セラミック基板 ２ Ｖ溝 ３ 導体回路 ４ 金属膜 ５ はんだ ６ 貫通孔 ７ Ｖ溝未形成域
Claims (4)
- 【請求項１】 基板分断ラインに沿って溝が表面に形成
されているセラミック基板において、前記溝には局所的
に不連続箇所が設けられていることを特徴とするセラミ
ック基板。 - 【請求項２】 溝の途中に貫通孔が開いていて溝が途切
れて不連続となっている請求項１記載のセラミック基
板。 - 【請求項３】 溝の途中に０．３mm以下の長さの溝未形
成域があって溝が途切れて不連続となっている請求項１
または２記載のセラミック基板。 - 【請求項４】 請求項１から３までのいずれかに記載の
セラミック基板の分断用の溝形成面に金属膜を形成しパ
ターンニングした後で前記溝に沿ってセラミック基板を
分断するようにするセラミック配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243792A JPH05206592A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | セラミック基板およびセラミック配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243792A JPH05206592A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | セラミック基板およびセラミック配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206592A true JPH05206592A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11805278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243792A Pending JPH05206592A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | セラミック基板およびセラミック配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206592A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173867A (ja) * | 2007-03-20 | 2007-07-05 | Koa Corp | 電子部品用基板および電子部品の製造法 |
| JP2012081647A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グリーンシートの溝加工装置および多数個取り配線基板の製造方法 |
| CN112996233A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电路板及切割方法 |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP1243792A patent/JPH05206592A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173867A (ja) * | 2007-03-20 | 2007-07-05 | Koa Corp | 電子部品用基板および電子部品の製造法 |
| JP2012081647A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グリーンシートの溝加工装置および多数個取り配線基板の製造方法 |
| CN112996233A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电路板及切割方法 |
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