JPH05198527A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05198527A JPH05198527A JP959992A JP959992A JPH05198527A JP H05198527 A JPH05198527 A JP H05198527A JP 959992 A JP959992 A JP 959992A JP 959992 A JP959992 A JP 959992A JP H05198527 A JPH05198527 A JP H05198527A
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- Japan
- Prior art keywords
- layer
- opening
- barrier metal
- underlayer
- metal layer
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの電極部の構造の改良及びその
製造方法に関し、積層構造の電極部の下層のバリアメタ
ル層が下地層から剥離するのを防止することが可能とな
る半導体チップ及びその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 下地層１の表面に、選択的にこの下地層１を
露出する開口を有するように形成される高融点金属を含
有してなるバリアメタル層２と、この開口内の下地層１
表面からこのバリアメタル層２表面に延在するように形
成され、主としてアルミニウムを含有してなる導電層３
と、この開口内であり、かつこの導電層表面に接続され
るボンディングワイヤ６とを有するように構成する。
製造方法に関し、積層構造の電極部の下層のバリアメタ
ル層が下地層から剥離するのを防止することが可能とな
る半導体チップ及びその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 下地層１の表面に、選択的にこの下地層１を
露出する開口を有するように形成される高融点金属を含
有してなるバリアメタル層２と、この開口内の下地層１
表面からこのバリアメタル層２表面に延在するように形
成され、主としてアルミニウムを含有してなる導電層３
と、この開口内であり、かつこの導電層表面に接続され
るボンディングワイヤ６とを有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの電極部
の構造の改良及びその製造方法に関するものである。
の構造の改良及びその製造方法に関するものである。
【０００２】近年の半導体チップに対しては高集積化や
高速化が要求されており、この要求に対応するために半
導体チップの配線層の多層化や配線層の構造の積層化が
行われている。
高速化が要求されており、この要求に対応するために半
導体チップの配線層の多層化や配線層の構造の積層化が
行われている。
【０００３】配線層の構造が積層化されて電極部も積層
化されると、電極部にボンディングワイヤをボンディン
グした場合に、この電極部の下層のバリアメタル層と下
地層との界面からこのバリアメタル層が剥離する障害が
発生している。
化されると、電極部にボンディングワイヤをボンディン
グした場合に、この電極部の下層のバリアメタル層と下
地層との界面からこのバリアメタル層が剥離する障害が
発生している。
【０００４】以上のような状況から、積層構造の電極部
が下地層から剥離するのを防止することが可能な半導体
装置及びその製造方法が要望されている。
が下地層から剥離するのを防止することが可能な半導体
装置及びその製造方法が要望されている。
【０００５】
【従来の技術】従来の半導体チップについて図４によ
り、従来の半導体チップの製造方法について図５により
詳細に説明する。
り、従来の半導体チップの製造方法について図５により
詳細に説明する。
【０００６】図４は従来の半導体チップの電極領域を示
す図、図５は従来の半導体チップの製造方法を工程順に
示す図である。従来の半導体チップの電極部５は、図４
に示すように下地層１の表面に、チタン，タングステ
ン，タンタル，ジルコニウム等の高融点金属，或いは高
融点金属ナイトライド，高融点金属シリサイド，高融点
金属オキシナイド等からなるバリアメタル層２とアルミ
ニウム層３とが積層して形成されており、このアルミニ
ウム層３の表面に形成されているカバー膜４の開口部4a
内においてボンディングワイヤ６がアルミニウム層３と
接続されている。
す図、図５は従来の半導体チップの製造方法を工程順に
示す図である。従来の半導体チップの電極部５は、図４
に示すように下地層１の表面に、チタン，タングステ
ン，タンタル，ジルコニウム等の高融点金属，或いは高
融点金属ナイトライド，高融点金属シリサイド，高融点
金属オキシナイド等からなるバリアメタル層２とアルミ
ニウム層３とが積層して形成されており、このアルミニ
ウム層３の表面に形成されているカバー膜４の開口部4a
内においてボンディングワイヤ６がアルミニウム層３と
接続されている。
【０００７】このような半導体チップの製造方法を図５
により説明する。まず図５(a) に示すように下地層１の
表面にバリアメタル層２を形成し、つぎに図５(b) に示
すようにこのバリアメタル層２の表面にアルミニウム層
３を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてエッ
チングにより所望の形状の配線層をパターニングして形
成する。
により説明する。まず図５(a) に示すように下地層１の
表面にバリアメタル層２を形成し、つぎに図５(b) に示
すようにこのバリアメタル層２の表面にアルミニウム層
３を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてエッ
チングにより所望の形状の配線層をパターニングして形
成する。
【０００８】ついで図５(c) に示すようにこのアルミニ
ウム層３の表面にカバー膜４を形成し、電極部５となる
部分に開口部4aをフォトリソグラフィ技術を用いてエッ
チングにより形成する。
ウム層３の表面にカバー膜４を形成し、電極部５となる
部分に開口部4aをフォトリソグラフィ技術を用いてエッ
チングにより形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体チップにおいては、電極部においてボンディングワ
イヤとアルミニウム層とをボンディングにより接続する
と、バリアメタル層として高融点金属或いは高融点金属
ナイトライド，高融点金属シリサイド，高融点金属オキ
シナイド等を用いているので、下地層との密着性が悪い
ため電極部の下層のバリアメタル層が下地層との界面か
ら剥離し、製品歩留りが低下し、製品の信頼性も低下す
るという問題点があった。
導体チップにおいては、電極部においてボンディングワ
イヤとアルミニウム層とをボンディングにより接続する
と、バリアメタル層として高融点金属或いは高融点金属
ナイトライド，高融点金属シリサイド，高融点金属オキ
シナイド等を用いているので、下地層との密着性が悪い
ため電極部の下層のバリアメタル層が下地層との界面か
ら剥離し、製品歩留りが低下し、製品の信頼性も低下す
るという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、積層構造
の電極部の下層のバリアメタル層が下地層から剥離する
のを防止することが可能となる半導体装置及びその製造
方法の提供を目的としたものである。
の電極部の下層のバリアメタル層が下地層から剥離する
のを防止することが可能となる半導体装置及びその製造
方法の提供を目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
下地層の表面に、選択的にこの下地層を露出する開口を
有するように形成される高融点金属を含有してなるバリ
アメタル層と、この開口内の下地層表面からこのバリア
メタル層表面に延在するように形成され、主としてアル
ミニウムを含有してなる導電層と、この開口内であり、
かつこの導電層表面に接続されるボンディングワイヤと
を有するように構成する。
下地層の表面に、選択的にこの下地層を露出する開口を
有するように形成される高融点金属を含有してなるバリ
アメタル層と、この開口内の下地層表面からこのバリア
メタル層表面に延在するように形成され、主としてアル
ミニウムを含有してなる導電層と、この開口内であり、
かつこの導電層表面に接続されるボンディングワイヤと
を有するように構成する。
【００１２】本発明の半導体装置及びその製造方法は、
下地層の表面に、選択的にこの下地層を露出する開口を
有するように、高融点金属を含有してなるバリアメタル
層を形成する工程と、この開口内の下地層表面からこの
バリアメタル層表面に延在するように、主としてアルミ
ニウムを含有してなる導電層を形成する工程と、この開
口内であり、かつこの導電層表面に、ボンディングワイ
ヤを接続する工程とを有するように構成する。
下地層の表面に、選択的にこの下地層を露出する開口を
有するように、高融点金属を含有してなるバリアメタル
層を形成する工程と、この開口内の下地層表面からこの
バリアメタル層表面に延在するように、主としてアルミ
ニウムを含有してなる導電層を形成する工程と、この開
口内であり、かつこの導電層表面に、ボンディングワイ
ヤを接続する工程とを有するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、下地層の表面に選択的
に、この下地層を露出する開口を有するように高融点金
属を含有してなるバリアメタル層を形成し、この開口内
の下地層表面からこのバリアメタル層表面に延在するよ
うに、主としてアルミニウムを含有してなる導電層を形
成し、この開口内であり、かつこの導電層表面にボンデ
ィングワイヤを接続するので、ボンディングワイヤを接
続した導電層が下地層から剥離する障害の発生を防止す
ることが可能となる。
に、この下地層を露出する開口を有するように高融点金
属を含有してなるバリアメタル層を形成し、この開口内
の下地層表面からこのバリアメタル層表面に延在するよ
うに、主としてアルミニウムを含有してなる導電層を形
成し、この開口内であり、かつこの導電層表面にボンデ
ィングワイヤを接続するので、ボンディングワイヤを接
続した導電層が下地層から剥離する障害の発生を防止す
ることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１により本発明の一実施例の半導体チ
ップについて、図２〜図３により本発明による一実施例
の半導体チップの製造方法について詳細に説明する。
ップについて、図２〜図３により本発明による一実施例
の半導体チップの製造方法について詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明による一実施例の半導体チッ
プの電極領域を示す図、図２〜図３は本発明による一実
施例の半導体チップの製造方法を工程順に示す図であ
る。本発明の半導体チップの電極領域は、図１に示すよ
うに下地層１の表面に直接アルミニウム層３が形成され
ており、このアルミニウム層３の表面に形成されている
カバー膜４の開口部4a内においてボンディングワイヤ６
がアルミニウム層３と接続されている。
プの電極領域を示す図、図２〜図３は本発明による一実
施例の半導体チップの製造方法を工程順に示す図であ
る。本発明の半導体チップの電極領域は、図１に示すよ
うに下地層１の表面に直接アルミニウム層３が形成され
ており、このアルミニウム層３の表面に形成されている
カバー膜４の開口部4a内においてボンディングワイヤ６
がアルミニウム層３と接続されている。
【００１６】このような半導体チップの製造方法を図２
により説明する。まず図２(a) に示すように、下地層１
の表面に、チタン，タングステン，タンタル，ジルコニ
ウム等の高融点金属，或いは高融点金属ナイトライド，
高融点金属シリサイド，高融点金属オキシナイド等から
なるバリアメタル層２を形成し、つぎにこのバリアメタ
ル層２の表面にレジスト膜７を形成し、図２(b) に示す
ように電極部５となる部分のこのバリアメタル層２をフ
ォトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより除去す
る。
により説明する。まず図２(a) に示すように、下地層１
の表面に、チタン，タングステン，タンタル，ジルコニ
ウム等の高融点金属，或いは高融点金属ナイトライド，
高融点金属シリサイド，高融点金属オキシナイド等から
なるバリアメタル層２を形成し、つぎにこのバリアメタ
ル層２の表面にレジスト膜７を形成し、図２(b) に示す
ように電極部５となる部分のこのバリアメタル層２をフ
ォトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより除去す
る。
【００１７】ついでレジスト膜７を除去した後、図３
(a) に示すようにこのバリアメタル層２の表面及び下地
層１の表面に延在するアルミニウム単体或いはアルミニ
ウムシリコンからなるアルミニウム層３を形成する。
(a) に示すようにこのバリアメタル層２の表面及び下地
層１の表面に延在するアルミニウム単体或いはアルミニ
ウムシリコンからなるアルミニウム層３を形成する。
【００１８】最後にこのアルミニウム層３の表面にカバ
ー膜４を形成し、図３(b) に示すように、このカバー膜
４の電極部５を形成する領域にフォトリソグラフィ技術
を用いてエッチングにより開口部4aを形成する。
ー膜４を形成し、図３(b) に示すように、このカバー膜
４の電極部５を形成する領域にフォトリソグラフィ技術
を用いてエッチングにより開口部4aを形成する。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な工程により電極領域の配線層を高
融点金属を含まない単一層で形成することが可能となる
ので、ボンディングワイヤとアルミニウム層とを接続す
る場合に、電極部が下地層から剥離するのを防止するこ
とが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性
向上の効果が期待できる半導体装置及びその製造方法の
提供が可能である。
によれば極めて簡単な工程により電極領域の配線層を高
融点金属を含まない単一層で形成することが可能となる
ので、ボンディングワイヤとアルミニウム層とを接続す
る場合に、電極部が下地層から剥離するのを防止するこ
とが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性
向上の効果が期待できる半導体装置及びその製造方法の
提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の半導体チップの電極
領域を示す図、
領域を示す図、
【図２】 本発明による一実施例の半導体チップの製造
方法を工程順に示す図(1) 、
方法を工程順に示す図(1) 、
【図３】 本発明による一実施例の半導体チップの製造
方法を工程順に示す図(2) 、
方法を工程順に示す図(2) 、
【図４】 従来の半導体チップの電極領域を示す図、
【図５】 従来の半導体チップの製造方法を工程順に示
す図、
す図、
１は下地層、２はバリアメタル層、３はアルミニウム
層、４はカバー膜、4aは開口部、５は電極部、６はボン
ディングワイヤ、７はレジスト膜、
層、４はカバー膜、4aは開口部、５は電極部、６はボン
ディングワイヤ、７はレジスト膜、
Claims (2)
- 【請求項１】 下地層(1) の表面に、選択的に該下地層
(1) を露出する開口を有するように形成される高融点金
属を含有してなるバリアメタル層(2) と、 前記開口内の下地層(1) 表面から該バリアメタル層(2)
表面に延在するように形成され、主としてアルミニウム
を含有してなる導電層(3) と、 前記開口内であり、かつ前記導電層(3) 表面に接続され
るボンディングワイヤ(6) と、 を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 下地層(1) の表面に、選択的に該下地層
(1) を露出する開口を有するように、高融点金属を含有
してなるバリアメタル層(2) を形成する工程と、 前記開口内の下地層(1) 表面から該バリアメタル層(2)
表面に延在するように、主としてアルミニウムを含有し
てなる導電層(3) を形成する工程と、 前記開口内であり、かつ前記導電層(3) 表面に、ボンデ
ィングワイヤ(6) を接続する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP959992A JPH05198527A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP959992A JPH05198527A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198527A true JPH05198527A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11724784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP959992A Withdrawn JPH05198527A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441467B2 (en) | 1997-04-24 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP959992A patent/JPH05198527A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441467B2 (en) | 1997-04-24 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film |
| US6650002B1 (en) | 1997-04-24 | 2003-11-18 | Sharp Kabushiki Kaishi | Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film |
| US6864562B1 (en) | 1997-04-24 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |