JPH0519819B2 - - Google Patents
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- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 76
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 76
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N nickel platinum Chemical compound [Ni].[Pt] PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体本体を具え、その表面を第１の
絶縁層で覆い、この第１の絶縁層の上に第１の導
電細条を設け、この第１の導電細条の上を第１の
絶縁層上にも延在する第２の絶縁層で覆い、この
第２の絶縁層の上に第２の導電細条を設け、第２
の絶縁層に窓を設け、この窓を介して第２の導電
細条が第１の導電細条と接触し、第２の導電細条
の下にタングステン層を設けた半導体装置に関す
るものである。
絶縁層で覆い、この第１の絶縁層の上に第１の導
電細条を設け、この第１の導電細条の上を第１の
絶縁層上にも延在する第２の絶縁層で覆い、この
第２の絶縁層の上に第２の導電細条を設け、第２
の絶縁層に窓を設け、この窓を介して第２の導電
細条が第１の導電細条と接触し、第２の導電細条
の下にタングステン層を設けた半導体装置に関す
るものである。
本発明はまたこのような半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
日本国特開昭52−149990号は冒頭に述べられて
いる種類の半導体装置を開示しているが、そこで
は第２の導電細条の下全面にタングステンが存在
している。この半導体装置は半導体本体から出発
してその表面に第１の絶縁層を設け、引続いてこ
の第１の絶縁層の上に第１の導電細条を設け、そ
の上に第２の絶縁層を設け、この第２の絶縁層に
窓を設け、この窓を通して第１の導電細条の一部
が露出しており、次にこの全面をタングステン層
でおおい、その上に導電層を設け、この導電層を
エツチングして第２の導電細条を設け、この第２
の導電細条が第２の絶縁層に設けた窓を通して第
１の導電細条と接触するようになつている。この
時タングステン層はエツチングストツプとして働
らき、この結果第１の導電細条が導電層のエツチ
ング中に損傷されることから防がれる。第２の導
電細条がエツチング形成された後、この第２の導
電細条の外に露出しているタングステンを取り除
く。こうしてタングステン層は第２の導電細条が
第１の導電細条に接触する区域をも含めて第２の
導電細条の下全面に存在する。
いる種類の半導体装置を開示しているが、そこで
は第２の導電細条の下全面にタングステンが存在
している。この半導体装置は半導体本体から出発
してその表面に第１の絶縁層を設け、引続いてこ
の第１の絶縁層の上に第１の導電細条を設け、そ
の上に第２の絶縁層を設け、この第２の絶縁層に
窓を設け、この窓を通して第１の導電細条の一部
が露出しており、次にこの全面をタングステン層
でおおい、その上に導電層を設け、この導電層を
エツチングして第２の導電細条を設け、この第２
の導電細条が第２の絶縁層に設けた窓を通して第
１の導電細条と接触するようになつている。この
時タングステン層はエツチングストツプとして働
らき、この結果第１の導電細条が導電層のエツチ
ング中に損傷されることから防がれる。第２の導
電細条がエツチング形成された後、この第２の導
電細条の外に露出しているタングステンを取り除
く。こうしてタングステン層は第２の導電細条が
第１の導電細条に接触する区域をも含めて第２の
導電細条の下全面に存在する。
しかし、ここに述べたこの既知の半導体装置は
欠点を有しており、それは半導体装置の動作中
に、最初相互に絶縁された２つの導電細条の間に
窓部以外で短絡が生ずることがあることである。
欠点を有しており、それは半導体装置の動作中
に、最初相互に絶縁された２つの導電細条の間に
窓部以外で短絡が生ずることがあることである。
本発明の目的は第２の導電細条用の導電層をエ
ツチングしてパターニングする際タングステン層
をエツチングストツプとして用いるも、相互に絶
縁した導電細条どうしの間で短絡が生ずるのを大
幅に避けた半導体装置を提供するにある。
ツチングしてパターニングする際タングステン層
をエツチングストツプとして用いるも、相互に絶
縁した導電細条どうしの間で短絡が生ずるのを大
幅に避けた半導体装置を提供するにある。
このような本発明は上述した短絡は第２の導電
細条に隣接してタングステン層が存在するとこの
第２の導電細条から単結晶のひげ（針）が成長す
ることにより生ずることを認識したことに基づい
ている。これは特に第２の導電細条用の導電層が
アルミニウムから成る場合に生ずる。アルミニウ
ムの針が生じる理由は現在まで分つていない。
細条に隣接してタングステン層が存在するとこの
第２の導電細条から単結晶のひげ（針）が成長す
ることにより生ずることを認識したことに基づい
ている。これは特に第２の導電細条用の導電層が
アルミニウムから成る場合に生ずる。アルミニウ
ムの針が生じる理由は現在まで分つていない。
本発明によれば、前述した目的を達成するた
め、冒頭に述べた種類の半導体装置において、前
記の窓を前記の第１の導電細条の長手方向で第１
の導電細条と第２の導電細条との接触領域よりも
大きくし、タングステンを第２の絶縁層の窓内の
第１の導電細条の区域にしか存在させず、タング
ステンの厚さを第２の絶縁層の厚さよりも薄くし
たことを特徴とする。
め、冒頭に述べた種類の半導体装置において、前
記の窓を前記の第１の導電細条の長手方向で第１
の導電細条と第２の導電細条との接触領域よりも
大きくし、タングステンを第２の絶縁層の窓内の
第１の導電細条の区域にしか存在させず、タング
ステンの厚さを第２の絶縁層の厚さよりも薄くし
たことを特徴とする。
こうすると第２の絶縁層に設けた窓内でしか針
が成長せず、最初相互に絶縁した導電細条間で短
絡が生ずることはもはやない。
が成長せず、最初相互に絶縁した導電細条間で短
絡が生ずることはもはやない。
本発明はまた冒頭に述べた種類の半導体装置の
製造方法に関するもので、半導体の表面上に第１
の絶縁層を設け、引続いて第１の導電細条を設
け、第２の絶縁層を設け、この第２の絶縁層に窓
を設け、この窓を介して第１の導電細条の一部を
露出させ、タングステン層を設け、導電層を設
け、その後でこの導電層をエツチングして第１の
導電細条と接触する第２の導電細条を形成する半
導体装置の製造方法において、前記の窓を前記の
第１の導電細条の長手方向で第１の導電細条と第
２の導電細条との接触領域よりも大きくし、タン
グステン層を第１の導電細条の露出している部分
のみの上に第２の絶縁層よりも薄肉に選択的にデ
ポジツトすることを特徴とする。こうすると非常
に実際的な方法でタングステンを第２の絶縁層の
窓内の第１の導電細条の区域にしか存在しないよ
うにすることができる。また、タングステンはエ
ツチングにより第２の導電細条用の導電層をパタ
ーニングする時はエツチングストツプとして働く
ことができ、この結果第１の導電細条が保護され
る。更に、残存しているタングステンを除去する
必要はない。蓋し、タングステンは第２の絶縁層
の窓内にしか存在しないからである。
製造方法に関するもので、半導体の表面上に第１
の絶縁層を設け、引続いて第１の導電細条を設
け、第２の絶縁層を設け、この第２の絶縁層に窓
を設け、この窓を介して第１の導電細条の一部を
露出させ、タングステン層を設け、導電層を設
け、その後でこの導電層をエツチングして第１の
導電細条と接触する第２の導電細条を形成する半
導体装置の製造方法において、前記の窓を前記の
第１の導電細条の長手方向で第１の導電細条と第
２の導電細条との接触領域よりも大きくし、タン
グステン層を第１の導電細条の露出している部分
のみの上に第２の絶縁層よりも薄肉に選択的にデ
ポジツトすることを特徴とする。こうすると非常
に実際的な方法でタングステンを第２の絶縁層の
窓内の第１の導電細条の区域にしか存在しないよ
うにすることができる。また、タングステンはエ
ツチングにより第２の導電細条用の導電層をパタ
ーニングする時はエツチングストツプとして働く
ことができ、この結果第１の導電細条が保護され
る。更に、残存しているタングステンを除去する
必要はない。蓋し、タングステンは第２の絶縁層
の窓内にしか存在しないからである。
本発明製造方法の好適な実施例は、第１と第２
の絶縁層を酸化シリコン又は窒化シリコンで作
り、第１の導電細条を４重量パーセント以下の銅
及び／又は４重量パーセント以下のシリコンを含
むアルミニウム又はドーパントを加えることがで
きる多結晶シリコンで作ることを特徴とする。こ
の材料の実際的な選択のため、隣接する層（第１
の導電細条の場合は酸化シリコン又は窒化シリコ
ン、第２の導電細条の場合は酸化シリコン又は窒
化シリコンとタングステン）をあまり傷めずに導
電細条をエツチングすることができる。
の絶縁層を酸化シリコン又は窒化シリコンで作
り、第１の導電細条を４重量パーセント以下の銅
及び／又は４重量パーセント以下のシリコンを含
むアルミニウム又はドーパントを加えることがで
きる多結晶シリコンで作ることを特徴とする。こ
の材料の実際的な選択のため、隣接する層（第１
の導電細条の場合は酸化シリコン又は窒化シリコ
ン、第２の導電細条の場合は酸化シリコン又は窒
化シリコンとタングステン）をあまり傷めずに導
電細条をエツチングすることができる。
六フツ化タングステンと水素とを含む反応ガス
を650Pa以下の圧力で270℃ないし400℃に加熱さ
れた半導体本体上に通してタングステンをデポジ
ツトさせるようにすると好適である。第１の導電
細条がアルミニウムでできている場合は水素が露
出しているアルミニウムに吸着され、次いで解離
する。この結果タングステンが表面に吸着され
る。第１の導電細条が多結晶シリコンから成る場
合は、シリコンにより六フツ化タングステンが還
元され、非常に薄い多結晶シリコン層が非常に薄
いタングステン層に置換わる。両方の場合とも六
フツ化タングステンの水素による還元により非常
に薄いタングステン層の上に付加的にタングステ
ンが成長する。しかし、この反応は酸化シリコン
又は窒化シリコンの表面では全く又はほとんど起
こらない。
を650Pa以下の圧力で270℃ないし400℃に加熱さ
れた半導体本体上に通してタングステンをデポジ
ツトさせるようにすると好適である。第１の導電
細条がアルミニウムでできている場合は水素が露
出しているアルミニウムに吸着され、次いで解離
する。この結果タングステンが表面に吸着され
る。第１の導電細条が多結晶シリコンから成る場
合は、シリコンにより六フツ化タングステンが還
元され、非常に薄い多結晶シリコン層が非常に薄
いタングステン層に置換わる。両方の場合とも六
フツ化タングステンの水素による還元により非常
に薄いタングステン層の上に付加的にタングステ
ンが成長する。しかし、この反応は酸化シリコン
又は窒化シリコンの表面では全く又はほとんど起
こらない。
万が一絶縁層の上にタングステンが成長しても
その厚さは第１の導電細条上に成長したタングス
テンの厚さに比較して薄く、またその吸着も弱い
ので、このタングステンは洗浄処理により容易に
除去することができる。
その厚さは第１の導電細条上に成長したタングス
テンの厚さに比較して薄く、またその吸着も弱い
ので、このタングステンは洗浄処理により容易に
除去することができる。
図面につき本発明を詳細に説明する。
図面と好適な実施例で使用されている類似の符
号は同じか又は非常に類似したものを示す。
号は同じか又は非常に類似したものを示す。
第１ａ〜６ａ図、第１ｂ〜６ｂ図、第３ｃ図及
び第５ｃ図は選択性のタングステンデポジシヨン
を含むプロセスにより半導体装置を作る工程を示
す。このプロセスでは、ホトレジストマスクは全
て普通のホトリトグラフイ技術で形成している。
プラズマエツチングの高周波（RF）レベルは全
て13.5MHzである。
び第５ｃ図は選択性のタングステンデポジシヨン
を含むプロセスにより半導体装置を作る工程を示
す。このプロセスでは、ホトレジストマスクは全
て普通のホトリトグラフイ技術で形成している。
プラズマエツチングの高周波（RF）レベルは全
て13.5MHzである。
出発材料は第１ａ及び１ｂ図に示すように単結
晶シリコンの半導体本体１０である。この半導体
本体１０は単純なＰ形若しくはＮ形にドープした
基板又はその上にエピタキシヤル成長させた層を
具える基板である。普通は図示していないがこの
半導体本体１０内に種々のＮ形又はＰ形にドープ
された領域が存在する。
晶シリコンの半導体本体１０である。この半導体
本体１０は単純なＰ形若しくはＮ形にドープした
基板又はその上にエピタキシヤル成長させた層を
具える基板である。普通は図示していないがこの
半導体本体１０内に種々のＮ形又はＰ形にドープ
された領域が存在する。
半導体本体１０の上面に酸化シリコンから成る
第１の絶縁層１２を設ける。この第１の絶縁層１
２は普通の熱酸化法により半導体本体１０の上に
約4000Åの厚さ迄成長させると好適である。第１
の絶縁層１２はまた半導体本体１０の上にSiO2
をデポジツトすることにより形成することもでき
る。
第１の絶縁層１２を設ける。この第１の絶縁層１
２は普通の熱酸化法により半導体本体１０の上に
約4000Åの厚さ迄成長させると好適である。第１
の絶縁層１２はまた半導体本体１０の上にSiO2
をデポジツトすることにより形成することもでき
る。
第１の絶縁層１２の上に４重量％迄の銅及び／
又は４重量％迄のシリコンを含むアルミニウム層
をスパツタデポジシヨンすることにより第１のパ
ターンをつけられる導電層１６を形成する。この
第１のパターンをつけられる導電層１６の厚さは
第１の絶縁層１２の上面上至るところで約6000Å
とする。次に適当なホトレジストマスク（図示せ
ず）をこのデポジツトされた導電層１６の上に形
成し、次に絶縁層１２をあまり傷めない適当なエ
ツチヤントを用いてデポジツトされた導電層１６
の不所望な部分を除去する。このエツチングは
1000Wの高周波電源で動作する装置内で100℃で
５分間約0.01トルの圧力で入力容積にして等量の
三塩化ボロンと塩素とから成るプラズマで行なう
と好適である。導電層１６は幅が約4μで、方向
が第１ｂ図で図面の面に垂直な導電トラツク（導
電細条）である。これは任意ではあるが、導電層
１６は約１％のCuを含むAlとする。
又は４重量％迄のシリコンを含むアルミニウム層
をスパツタデポジシヨンすることにより第１のパ
ターンをつけられる導電層１６を形成する。この
第１のパターンをつけられる導電層１６の厚さは
第１の絶縁層１２の上面上至るところで約6000Å
とする。次に適当なホトレジストマスク（図示せ
ず）をこのデポジツトされた導電層１６の上に形
成し、次に絶縁層１２をあまり傷めない適当なエ
ツチヤントを用いてデポジツトされた導電層１６
の不所望な部分を除去する。このエツチングは
1000Wの高周波電源で動作する装置内で100℃で
５分間約0.01トルの圧力で入力容積にして等量の
三塩化ボロンと塩素とから成るプラズマで行なう
と好適である。導電層１６は幅が約4μで、方向
が第１ｂ図で図面の面に垂直な導電トラツク（導
電細条）である。これは任意ではあるが、導電層
１６は約１％のCuを含むAlとする。
ホトレジストマスクを取除いた後、導電層１６
と第１の絶縁層１２の露出している部分との上に
第２の絶縁層２０をデポジツトする。この第２の
絶縁層２０は普通のプラズマデポジヨン法で厚さ
約7000Å迄デポジツトされた窒化シリコンとする
と好適である。
と第１の絶縁層１２の露出している部分との上に
第２の絶縁層２０をデポジツトする。この第２の
絶縁層２０は普通のプラズマデポジヨン法で厚さ
約7000Å迄デポジツトされた窒化シリコンとする
と好適である。
第２の絶縁層２０を貫通して第１の導電層１６
の表面部２６に至る面積が約7μ×7μの窓（即ち
孔）２４を作り、第２ａ図及び第２ｂ図に符号２
８で示した構造を作る。この場合、第２の絶縁層
２０の上に適当なホトレジストマスク（図示せ
ず）を設け、その後であまり第１の導電層１６を
傷めない（腐食しない）適当なエツチヤントによ
り第２の絶縁層２０をエツチングする。このエツ
チングは200Wの高周波電源で動作する装置内で
130℃で５分間約0.7トルの圧力の下で４容量の六
フツ化硫黄と１容量部の酸素とから成るプラズマ
で行うと好適である。
の表面部２６に至る面積が約7μ×7μの窓（即ち
孔）２４を作り、第２ａ図及び第２ｂ図に符号２
８で示した構造を作る。この場合、第２の絶縁層
２０の上に適当なホトレジストマスク（図示せ
ず）を設け、その後であまり第１の導電層１６を
傷めない（腐食しない）適当なエツチヤントによ
り第２の絶縁層２０をエツチングする。このエツ
チングは200Wの高周波電源で動作する装置内で
130℃で５分間約0.7トルの圧力の下で４容量の六
フツ化硫黄と１容量部の酸素とから成るプラズマ
で行うと好適である。
第２ｂ図に示すように、窓２４は導電層１６の
側縁を越えて横方向に延在する大きな窓である。
これにより、第２ｂ図の窓２４に対する導電層１
６の僅かな不整合や、後に説明する第５ａ図にお
ける対応する僅かな不整合を許容しうるように、
窓２４を画成するのに使用されるホトレジストマ
スクの位置決めを臨界的としないようにする。ま
た第２ｂ図に示すように、窓２４は僅かながら絶
縁層１２にくい込んでいる。しかし、これは必要
ではない。事実、窓２４は導電層１６の側面で絶
縁層２０を完全に貫ぬく必要もなく、導電層１６
の側面が露出する必要もない。即ち、窓２４は第
１の導電層１６の本当の上面を一部露出させるだ
けで足りる。
側縁を越えて横方向に延在する大きな窓である。
これにより、第２ｂ図の窓２４に対する導電層１
６の僅かな不整合や、後に説明する第５ａ図にお
ける対応する僅かな不整合を許容しうるように、
窓２４を画成するのに使用されるホトレジストマ
スクの位置決めを臨界的としないようにする。ま
た第２ｂ図に示すように、窓２４は僅かながら絶
縁層１２にくい込んでいる。しかし、これは必要
ではない。事実、窓２４は導電層１６の側面で絶
縁層２０を完全に貫ぬく必要もなく、導電層１６
の側面が露出する必要もない。即ち、窓２４は第
１の導電層１６の本当の上面を一部露出させるだ
けで足りる。
ホトレジストマスクを取除いた後、できた構体
２８を注意深く予洗して有機物、塵及び微粒子を
含む汚染物を除去する。この予洗処理では、先ず
構体２８を10重量部の硫酸と１重量部の過酸化水
素とから成る100℃の浴の中に10分間放置し、そ
の後で構体２８を脱イオン化水に入れて10分間ゆ
すぎ、６分間回転させて乾かす。次に構体２８を
275Wの高周波電源で100℃で２分間約0.5トルの
圧力で９容量部の酸素と１容量部の四フツ化炭素
とから成るプラズマで処理する。最后に、構体２
８を100重量部の水と１重量部のフツ化水素酸と
から成る室温の浴の中に30秒間放置し、その後で
構体２８を脱イオン化水で10分間ゆすぎ、６分間
回転させて乾かす。
２８を注意深く予洗して有機物、塵及び微粒子を
含む汚染物を除去する。この予洗処理では、先ず
構体２８を10重量部の硫酸と１重量部の過酸化水
素とから成る100℃の浴の中に10分間放置し、そ
の後で構体２８を脱イオン化水に入れて10分間ゆ
すぎ、６分間回転させて乾かす。次に構体２８を
275Wの高周波電源で100℃で２分間約0.5トルの
圧力で９容量部の酸素と１容量部の四フツ化炭素
とから成るプラズマで処理する。最后に、構体２
８を100重量部の水と１重量部のフツ化水素酸と
から成る室温の浴の中に30秒間放置し、その後で
構体２８を脱イオン化水で10分間ゆすぎ、６分間
回転させて乾かす。
次に、トラツク１６の露出させている部分２６
の上にタングステンをデポジツトし、第３ａ〜３
ｃ図に示すような約1500Å厚の中間導電層３０を
形成する。タングステン層３０は第３ｂ図に示す
ように表面部２６を完全に取囲む。このタングス
テンのデポジシヨンは表面部２６に隣接している
第１の絶縁層１２の露出している部分や第２の絶
縁層２０の露出している部分の上はタングステン
の単層が１個もできないように（即ち、1015原
子／cm2以下）行なう。この絶縁層１２及び２０上
のタングステンの厚さは非常に小さく、電気的に
重要ではない。即ち、このタングステンは（ある
としても）十分な電気を通さず、完成品の電気相
互接続構体の電気的特性に影響しない。
の上にタングステンをデポジツトし、第３ａ〜３
ｃ図に示すような約1500Å厚の中間導電層３０を
形成する。タングステン層３０は第３ｂ図に示す
ように表面部２６を完全に取囲む。このタングス
テンのデポジシヨンは表面部２６に隣接している
第１の絶縁層１２の露出している部分や第２の絶
縁層２０の露出している部分の上はタングステン
の単層が１個もできないように（即ち、1015原
子／cm2以下）行なう。この絶縁層１２及び２０上
のタングステンの厚さは非常に小さく、電気的に
重要ではない。即ち、このタングステンは（ある
としても）十分な電気を通さず、完成品の電気相
互接続構体の電気的特性に影響しない。
特に、タングステン層３０は低圧CVD法で作
るが、そこではタングステンは第７図に示すよう
な装置を用いて表面部２６近傍で気体の六フツ化
タングステンを水素雰囲気で還元することにより
得る。この処理では、一部完成した構体２８及び
他のそのような構体（時として簡単に基板と呼ば
れる）を立てて基板ホルダ３２にのせ、これを石
英管の反応室３４に入れる。次に封止ドア３６を
閉じ、反応室３４を密閉する。抵抗加熱炉室３８
が熱を反応室３４に与える。炉室３８は反応室３
４の構体２８が置かれている部分を取囲み、温度
コントローラ４０で制御される。反応室３４の温
度は基板ホルダ３２の近傍に置かれているクロメ
ル−アルメル熱電対４２により決定され、外部の
温度表示装置４４に表示される。
るが、そこではタングステンは第７図に示すよう
な装置を用いて表面部２６近傍で気体の六フツ化
タングステンを水素雰囲気で還元することにより
得る。この処理では、一部完成した構体２８及び
他のそのような構体（時として簡単に基板と呼ば
れる）を立てて基板ホルダ３２にのせ、これを石
英管の反応室３４に入れる。次に封止ドア３６を
閉じ、反応室３４を密閉する。抵抗加熱炉室３８
が熱を反応室３４に与える。炉室３８は反応室３
４の構体２８が置かれている部分を取囲み、温度
コントローラ４０で制御される。反応室３４の温
度は基板ホルダ３２の近傍に置かれているクロメ
ル−アルメル熱電対４２により決定され、外部の
温度表示装置４４に表示される。
六フツ化タングステンはWF6液体源のびん４
６から自動フローコントローラ４８を経て封止ド
ア３６上の入口に至るWF6供給ラインを介して
反応室３４に与えられる。WF6液体源のびん４
６上の加熱ジヤケツト５０が六フツ化タングステ
ンをその気化温度よりも僅かに上迄加熱する。水
素はH2気体源のびん５２からパラジウムを拡散
させた水素洗浄器５４ともう一つの自動フローコ
ントローラ５６を経て封止ドア３６上のもう一つ
の入口に至るH2供給ラインを介して反応室３４
に与えられる。WF6供給ラインとH2供給ライン
とに沿つて適当な弁を設けてびん４６及び５２か
ら反応室３４に送られるWF6及びH2の量を制御
する。
６から自動フローコントローラ４８を経て封止ド
ア３６上の入口に至るWF6供給ラインを介して
反応室３４に与えられる。WF6液体源のびん４
６上の加熱ジヤケツト５０が六フツ化タングステ
ンをその気化温度よりも僅かに上迄加熱する。水
素はH2気体源のびん５２からパラジウムを拡散
させた水素洗浄器５４ともう一つの自動フローコ
ントローラ５６を経て封止ドア３６上のもう一つ
の入口に至るH2供給ラインを介して反応室３４
に与えられる。WF6供給ラインとH2供給ライン
とに沿つて適当な弁を設けてびん４６及び５２か
ら反応室３４に送られるWF6及びH2の量を制御
する。
反応室３４の圧力は一例に並べられたルーツブ
ロワー真空ポンプ５８と機械的な回転羽根真空ポ
ンプ６０とにより低レベルに下げられる。ブロワ
ーポンプ５８は排気ラインの一部を介して反応室
３４の封止ドア３６とは反対側の端に連結され、
機械的なポンプ６０は排気ラインのもう一つの部
分を介して大気中に排気する。排気ラインに沿つ
て適当な弁を設け反応室３４に出入りする気体の
量を制御する。
ロワー真空ポンプ５８と機械的な回転羽根真空ポ
ンプ６０とにより低レベルに下げられる。ブロワ
ーポンプ５８は排気ラインの一部を介して反応室
３４の封止ドア３６とは反対側の端に連結され、
機械的なポンプ６０は排気ラインのもう一つの部
分を介して大気中に排気する。排気ラインに沿つ
て適当な弁を設け反応室３４に出入りする気体の
量を制御する。
選択性のタングステンデポジシヨンを行うに当
つては先ず0.05トル以下の圧力迄排気する。次に
構体２８を270℃〜400℃の範囲、好ましくは270
℃〜350℃の範囲の温度迄加熱する。構体の温度
（即ちデポジシヨン温度）は300℃とする好適であ
る。構体２８をこの所望の温度迄上げる間に反応
室３４をH2気体源びん５２から供給されるH2で
清める。この清浄化は外部の源から与えられるア
ルゴンや窒素のような不活性ガスで行なうことも
できる。洗浄中は反応室３４の圧力が約0.1〜１
トル、代表的には約0.3トル迄上昇する。構体２
８が前述した範囲の所望の温度に達したら清浄化
をやめる。そして反応室３４を0.05トル以下の圧
力まで再び排気する。
つては先ず0.05トル以下の圧力迄排気する。次に
構体２８を270℃〜400℃の範囲、好ましくは270
℃〜350℃の範囲の温度迄加熱する。構体の温度
（即ちデポジシヨン温度）は300℃とする好適であ
る。構体２８をこの所望の温度迄上げる間に反応
室３４をH2気体源びん５２から供給されるH2で
清める。この清浄化は外部の源から与えられるア
ルゴンや窒素のような不活性ガスで行なうことも
できる。洗浄中は反応室３４の圧力が約0.1〜１
トル、代表的には約0.3トル迄上昇する。構体２
８が前述した範囲の所望の温度に達したら清浄化
をやめる。そして反応室３４を0.05トル以下の圧
力まで再び排気する。
今度はタングステン層３０が所望の厚さになる
迄コントローラ４８及び５６で制御しつつWF6
及びH2を反応室３４に入れる。この場合WF6の
流速は8000cm3／分以下でなければならず、1500
cm3／分とすると好適である。H2の流速は1000
cm3／分以下でなければならず、200cm3／分とする
と好適である。タングステン層３０の厚さを前述
した1500Åにするには約30分間WF6及びH2を反
応室３４に流し続ける。この間に水素は六フツ化
タングステンを表面部２６上で還元し、タングス
テンを解離し、そこに吸着させ、タングステン層
３０を作る。
迄コントローラ４８及び５６で制御しつつWF6
及びH2を反応室３４に入れる。この場合WF6の
流速は8000cm3／分以下でなければならず、1500
cm3／分とすると好適である。H2の流速は1000
cm3／分以下でなければならず、200cm3／分とする
と好適である。タングステン層３０の厚さを前述
した1500Åにするには約30分間WF6及びH2を反
応室３４に流し続ける。この間に水素は六フツ化
タングステンを表面部２６上で還元し、タングス
テンを解離し、そこに吸着させ、タングステン層
３０を作る。
タングステンのデポジシヨン圧力は５トル以下
とする。このレベル以上だと反応室３４内の流れ
が滑らかではなくなり、反応室３４内で反応物質
の濃度が変わり、構体２８上でのタングステンの
デポジシヨンが不均一になる。即ち、タングステ
ン層３０の厚さが基板２８毎に変り、一つの基板
２８上でも位置毎に変わる。加えて、絶縁層１２
及び２０が著しく削除される。反応室３４内のデ
ポジシヨン圧力は１トル以下とすると好適で、こ
うすると分子の定常流が生ずる。そしてタングス
テン層３０の厚さが反応室３４内で可成り一様に
なる。代表的なデポジシヨン圧力は0.5トルであ
る。最小のデポジシヨン圧力は気体の流速及び排
気系のポンピング能力によるが0.05トルないし
0.3トールである。
とする。このレベル以上だと反応室３４内の流れ
が滑らかではなくなり、反応室３４内で反応物質
の濃度が変わり、構体２８上でのタングステンの
デポジシヨンが不均一になる。即ち、タングステ
ン層３０の厚さが基板２８毎に変り、一つの基板
２８上でも位置毎に変わる。加えて、絶縁層１２
及び２０が著しく削除される。反応室３４内のデ
ポジシヨン圧力は１トル以下とすると好適で、こ
うすると分子の定常流が生ずる。そしてタングス
テン層３０の厚さが反応室３４内で可成り一様に
なる。代表的なデポジシヨン圧力は0.5トルであ
る。最小のデポジシヨン圧力は気体の流速及び排
気系のポンピング能力によるが0.05トルないし
0.3トールである。
タングステンのデポジシヨンは反応
WF6＋3H2→Ｗ＋6HF
に従つて進む。この反応は前述したデポジシヨン
条件の下で表面で行なわれる。第３ａ〜３ｃ図に
つき述べると反応機構は表面部２６並びに絶縁層
１２及び２０の露出している区域で水素が解離
し、単原子の水素がWF6と反応するものである。
基板２８を前述したように前処理した場合は400
℃の基板温度が導電層１６の表面部２６ではH2
の解離が相当に進み、他方絶縁層１２及び２０の
露出している区域ではH2の解離があまり進まな
い上限の温度である。この値以上になると導電層
１６と絶縁層１２及び２０の選択性が失なわれ
る。350℃以下になると、導電層１６の表面部２
６では相当にH2が解離し、絶縁層１２及び２０
の露出している部分ではH2が解離せず、その差
が十分でタングステン層３０の厚さは容易に制御
できると共に、絶縁層１２及び２０上には電気的
に無意味な量のタングステンしかたまらない。
条件の下で表面で行なわれる。第３ａ〜３ｃ図に
つき述べると反応機構は表面部２６並びに絶縁層
１２及び２０の露出している区域で水素が解離
し、単原子の水素がWF6と反応するものである。
基板２８を前述したように前処理した場合は400
℃の基板温度が導電層１６の表面部２６ではH2
の解離が相当に進み、他方絶縁層１２及び２０の
露出している区域ではH2の解離があまり進まな
い上限の温度である。この値以上になると導電層
１６と絶縁層１２及び２０の選択性が失なわれ
る。350℃以下になると、導電層１６の表面部２
６では相当にH2が解離し、絶縁層１２及び２０
の露出している部分ではH2が解離せず、その差
が十分でタングステン層３０の厚さは容易に制御
できると共に、絶縁層１２及び２０上には電気的
に無意味な量のタングステンしかたまらない。
表面が水素を解離する能力は表面が洗浄でな
く、有機物、塵及び微粒子等があると増す。従つ
て、表面全体が汚れてくると表面部２６と絶縁層
１２及び２０の露出している区域との間の選択性
の差は急速に失なわれる。基板２８を反応室３４
に入れる前に予洗し、反応室に入れた後清浄化す
ると絶縁層１２及び２０の露出している区域上に
はタングステンがデポジツトせず、選択機構が強
められる。
く、有機物、塵及び微粒子等があると増す。従つ
て、表面全体が汚れてくると表面部２６と絶縁層
１２及び２０の露出している区域との間の選択性
の差は急速に失なわれる。基板２８を反応室３４
に入れる前に予洗し、反応室に入れた後清浄化す
ると絶縁層１２及び２０の露出している区域上に
はタングステンがデポジツトせず、選択機構が強
められる。
デポジシヨン圧力が低く、還元反応の結果でき
るフツ化水素の表面濃度も低いため、タングステ
ンのデポジシヨン中に絶縁層１２及び２０はあま
り削らない。代表的にタングステン層３０に非常
に近い部分でも絶縁層１２及び２０は20Å以下の
厚さしか削除されない。そしてタングステン層３
０に遠い部分では５Å程度しか削除されない。
るフツ化水素の表面濃度も低いため、タングステ
ンのデポジシヨン中に絶縁層１２及び２０はあま
り削らない。代表的にタングステン層３０に非常
に近い部分でも絶縁層１２及び２０は20Å以下の
厚さしか削除されない。そしてタングステン層３
０に遠い部分では５Å程度しか削除されない。
基板２８を反応室３４から取り出した後、絶縁
層１２及び２０上にたまつているタングステンを
除去するためにクリーニングする。しかし、この
クリーニングはタングステン層３０の厚さにはあ
まり影響しない。このクリーニングは18℃〜22℃
で５分間約40Å／分のエツチング速度でH2O2を
用いて行なう。
層１２及び２０上にたまつているタングステンを
除去するためにクリーニングする。しかし、この
クリーニングはタングステン層３０の厚さにはあ
まり影響しない。このクリーニングは18℃〜22℃
で５分間約40Å／分のエツチング速度でH2O2を
用いて行なう。
第４ａ図及び第４ｂ図に示すように、４重量％
迄のCu及び／又は４重量％迄のSiを含むアルミ
ニウムの導電層６２を得られた構体の露出してい
る上面、即ち、タングステン層３０と絶縁層１２
及び２０の露出している区域との上に約15000Å
の厚さ迄スパツタリングによりデポジツトする。
導電層６２は約１％のCuを含むAlとすると好適
である。
迄のCu及び／又は４重量％迄のSiを含むアルミ
ニウムの導電層６２を得られた構体の露出してい
る上面、即ち、タングステン層３０と絶縁層１２
及び２０の露出している区域との上に約15000Å
の厚さ迄スパツタリングによりデポジツトする。
導電層６２は約１％のCuを含むAlとすると好適
である。
今度は導電層６２にパターンをつけ、第５ａ〜
５ｃ図に示すように得られる第２のパターンをつ
けられた導電層６４の一部がタングステン層３０
の一部とコンタクトするようにする。このパター
ニングは導電層６２上に適当なホトレジストマス
ク（図示せず）を設け、タングステン絶縁層１２
及び２０の材料をあまり傷めない適当なエツチヤ
ントで導電層６２の不所望な部分を除去すること
により行なう。このエツチングは1000Wの高周波
電源で約100℃で12分間約0.01トルの圧力で入力
容量にして等量のBCl3とCl2とから成るプラズマ
で行なうと好適である。得られたパターンをつけ
られた導電層６４は幅が約4μで導体トラツク１
６に垂直な導電ラインである。窓２４が導電ライ
ン６４よりも広いから、このパターニングはタン
グステン層３０の一部６６を露出させる。このパ
ターニングに用いられるエツチヤントがあまりタ
ングステンを傷めない限り、部分６６は下側の導
電層１６を損傷しないためのエツチストツプとし
て働く。短く云えば、タングステン層３０は（絶
縁層１２及び２０と組んで）不所望な導体トラツ
ク１６の切断を防ぐ。
５ｃ図に示すように得られる第２のパターンをつ
けられた導電層６４の一部がタングステン層３０
の一部とコンタクトするようにする。このパター
ニングは導電層６２上に適当なホトレジストマス
ク（図示せず）を設け、タングステン絶縁層１２
及び２０の材料をあまり傷めない適当なエツチヤ
ントで導電層６２の不所望な部分を除去すること
により行なう。このエツチングは1000Wの高周波
電源で約100℃で12分間約0.01トルの圧力で入力
容量にして等量のBCl3とCl2とから成るプラズマ
で行なうと好適である。得られたパターンをつけ
られた導電層６４は幅が約4μで導体トラツク１
６に垂直な導電ラインである。窓２４が導電ライ
ン６４よりも広いから、このパターニングはタン
グステン層３０の一部６６を露出させる。このパ
ターニングに用いられるエツチヤントがあまりタ
ングステンを傷めない限り、部分６６は下側の導
電層１６を損傷しないためのエツチストツプとし
て働く。短く云えば、タングステン層３０は（絶
縁層１２及び２０と組んで）不所望な導体トラツ
ク１６の切断を防ぐ。
こうなれば普通の方法で電気相互接続構体を完
成することができる。代表的な場合は、基板の上
部にSi3N4層に外部リードパターンと接続するた
めの開口を作り、その後で構体を適当なパツケー
ジに入れる。
成することができる。代表的な場合は、基板の上
部にSi3N4層に外部リードパターンと接続するた
めの開口を作り、その後で構体を適当なパツケー
ジに入れる。
こうして構体を仕上げる前に、絶縁層１２及び
２０又は導電層１６及び６４をあまり傷めないエ
ツチヤントでエツチングすることよりタングステ
ン部６６を除去してもよい。このエツチングは
H2O2で40分間18℃〜22℃で行なうと好適である。
このエツチングの際、導電層６４は下側のタング
ステン部６８を保護するマスクとして役立つ。こ
うしてから上述した普通の方法で構体を完成す
る。
２０又は導電層１６及び６４をあまり傷めないエ
ツチヤントでエツチングすることよりタングステ
ン部６６を除去してもよい。このエツチングは
H2O2で40分間18℃〜22℃で行なうと好適である。
このエツチングの際、導電層６４は下側のタング
ステン部６８を保護するマスクとして役立つ。こ
うしてから上述した普通の方法で構体を完成す
る。
絶縁層１２のSiO2又は絶縁層２０のSi3N4の代
りに400℃以下、好ましくは350℃以下の構体温度
でH2解離をあまり進めない他の絶縁材料を（適
当に清浄であるならば）使うこともできる。
りに400℃以下、好ましくは350℃以下の構体温度
でH2解離をあまり進めない他の絶縁材料を（適
当に清浄であるならば）使うこともできる。
適当な代替導体としてはチタン、チタン−タン
グステ、モリブデン、クロム、金及び種々の金属
ケイ化物があり、金属ケイ化物にはケイ化白金、
ケイ化ニツケル、ケイ化ニツケル−白金、及びケ
イ化パラジウムが含まれる。選択された代替材料
に依存して、上述したところと違う化学反応をい
くつかの工程で使わねばならなくなることがあり
得る。上に挙げた材料は導電層６４でも使用でき
る。
グステ、モリブデン、クロム、金及び種々の金属
ケイ化物があり、金属ケイ化物にはケイ化白金、
ケイ化ニツケル、ケイ化ニツケル−白金、及びケ
イ化パラジウムが含まれる。選択された代替材料
に依存して、上述したところと違う化学反応をい
くつかの工程で使わねばならなくなることがあり
得る。上に挙げた材料は導電層６４でも使用でき
る。
導電層１６はドーピングされた多結晶シリコン
で作ることもできる。この場合、導電層１６は適
当なＮ形又はＰ形不純物をドープした多結晶シリ
コンの層をデポジツトし、次にこのデポジツトさ
れた層を適当にパターニングすることにより作る
ことができる。代りに、導電層１６はほぼ真正な
（即ち、ドープされていない）多結晶シリコンの
層をデポジツトし、次にパターニングの前又は後
にこの層に適当な不純物をドーピングすることに
より作ることもできる。導電層６４も上述した方
法の一つで形成されたドーピングされた多結晶シ
リコンとすることもできる。
で作ることもできる。この場合、導電層１６は適
当なＮ形又はＰ形不純物をドープした多結晶シリ
コンの層をデポジツトし、次にこのデポジツトさ
れた層を適当にパターニングすることにより作る
ことができる。代りに、導電層１６はほぼ真正な
（即ち、ドープされていない）多結晶シリコンの
層をデポジツトし、次にパターニングの前又は後
にこの層に適当な不純物をドーピングすることに
より作ることもできる。導電層６４も上述した方
法の一つで形成されたドーピングされた多結晶シ
リコンとすることもできる。
導電層１６がドーピングされた多結晶シリコン
から成る場合は、タングステンのデポジシヨンプ
ロセスが前述したところと少し変つてくる。構体
２８が反応室３４に入れられ、WF6の流れが開
始された後、六フツ化タングステンは次式に従つ
て露出されている表面部２６に沿つてシリコンと
反応する。
から成る場合は、タングステンのデポジシヨンプ
ロセスが前述したところと少し変つてくる。構体
２８が反応室３４に入れられ、WF6の流れが開
始された後、六フツ化タングステンは次式に従つ
て露出されている表面部２６に沿つてシリコンと
反応する。
2WF6＋3Si→2W＋3SiF4
四フツ化シリコンは気体であり、表面部２６か
ら速やかに去る。従つて、薄いタングステン層が
表面部２６に沿つて薄いシリコン層に置き換わ
る。この反応は薄いタングステン層がWF6が導
電層１６内のシリコンに達するのを防ぐに足るだ
けの厚さ、、代表的には100〜400Åになつた時と
める。この期間H2を基板２８に与える必要はな
い。しかし、水素は何も破壊的な作用をしないか
らこの期間にH2を与えてもよい。上述した反応
がとまつた後、前述した水素によるWF6の還元
により更にタングステンをデポジストし、タング
ステン層３０を所望の厚さにする。
ら速やかに去る。従つて、薄いタングステン層が
表面部２６に沿つて薄いシリコン層に置き換わ
る。この反応は薄いタングステン層がWF6が導
電層１６内のシリコンに達するのを防ぐに足るだ
けの厚さ、、代表的には100〜400Åになつた時と
める。この期間H2を基板２８に与える必要はな
い。しかし、水素は何も破壊的な作用をしないか
らこの期間にH2を与えてもよい。上述した反応
がとまつた後、前述した水素によるWF6の還元
により更にタングステンをデポジストし、タング
ステン層３０を所望の厚さにする。
以上特定の実施例につき本発明を記述してきた
が、この記述は説明のためだけであつて、特許請
求の範囲に記載された本発明の範囲を限定するも
のと考えてはならない。例えば、WF6以外のタ
ングステンを含んでいる材料を使つてタングステ
ン層を作ることもできる。このように、当業者な
らば特許請求の範囲に記載された本発明の真の精
神と範囲を逸脱せずに種々の修正、変更及び用途
を考えることができる。
が、この記述は説明のためだけであつて、特許請
求の範囲に記載された本発明の範囲を限定するも
のと考えてはならない。例えば、WF6以外のタ
ングステンを含んでいる材料を使つてタングステ
ン層を作ることもできる。このように、当業者な
らば特許請求の範囲に記載された本発明の真の精
神と範囲を逸脱せずに種々の修正、変更及び用途
を考えることができる。
第１ａ，２ａ，３ａ，４ａ，５ａ及び６ａ図は
本発明に係る半導体装置の順次の製造工程を示す
断面図（第１ａ〜６ａ図は夫々第１ｂ〜６ｂ図の
面１ａ−１ａ，２ａ−２ａ，３ａ−３ａ，４ａ−
４ａ，５ａ−５ａ及び６ａ−６ａで切つた断面図
である）、第１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ，５ｂ及び
６ｂ図は夫々第１ａ〜６ａ図の図１ｂ−１ｂ，２
ｂ−２ｂ，３ｂ−３ｂ，４ｂ−４ｂ，５ｂ−５ｂ
及び６ｂ−６ｂで切つた断面図、第３ｃ図は第３
ａ図及び第３ｂ図に示す半導体装置の平面図、第
５ｃ図は第５ａ図及び第５ｂ図に示す半導体装置
の平面図、第７図は本発明の半導体装置の製造に
使用するのに適した化学的デポジシヨン装置の略
式説明図である。 １０……半導体本体、１２……第１の絶縁層、
１６……第１の導電トラツク（導電細条）、２０
……第２の絶縁層、２４……窓、２６……導電層
２６の表面部、２８……第２図に示した構造（構
体；基板）、３０……タングステンの中間導電層、
３２……基板ホルダ、３４……反応室、３６……
封止ドア、３８……抵抗加熱炉室、４０……温度
コントローラ、４２……クロメル−アルメル熱電
対、４４……温度表示装置、４６……WF6液体
源のびん、４８……自動フローコントローラ、５
０……加熱ジヤケツト、５２……H2気体源のび
ん、５４……水素清浄器、５６……自動フローコ
ントローラ、５８……ルーツブロワー真空ポン
プ、６０……回転羽根真空ポンプ、６２……導電
層、６４……第２の導電トラツク（導電細条）、
６６……露出したタングステン層３０の部分、６
８……導電層６４の下側のタングステン部。
本発明に係る半導体装置の順次の製造工程を示す
断面図（第１ａ〜６ａ図は夫々第１ｂ〜６ｂ図の
面１ａ−１ａ，２ａ−２ａ，３ａ−３ａ，４ａ−
４ａ，５ａ−５ａ及び６ａ−６ａで切つた断面図
である）、第１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ，５ｂ及び
６ｂ図は夫々第１ａ〜６ａ図の図１ｂ−１ｂ，２
ｂ−２ｂ，３ｂ−３ｂ，４ｂ−４ｂ，５ｂ−５ｂ
及び６ｂ−６ｂで切つた断面図、第３ｃ図は第３
ａ図及び第３ｂ図に示す半導体装置の平面図、第
５ｃ図は第５ａ図及び第５ｂ図に示す半導体装置
の平面図、第７図は本発明の半導体装置の製造に
使用するのに適した化学的デポジシヨン装置の略
式説明図である。 １０……半導体本体、１２……第１の絶縁層、
１６……第１の導電トラツク（導電細条）、２０
……第２の絶縁層、２４……窓、２６……導電層
２６の表面部、２８……第２図に示した構造（構
体；基板）、３０……タングステンの中間導電層、
３２……基板ホルダ、３４……反応室、３６……
封止ドア、３８……抵抗加熱炉室、４０……温度
コントローラ、４２……クロメル−アルメル熱電
対、４４……温度表示装置、４６……WF6液体
源のびん、４８……自動フローコントローラ、５
０……加熱ジヤケツト、５２……H2気体源のび
ん、５４……水素清浄器、５６……自動フローコ
ントローラ、５８……ルーツブロワー真空ポン
プ、６０……回転羽根真空ポンプ、６２……導電
層、６４……第２の導電トラツク（導電細条）、
６６……露出したタングステン層３０の部分、６
８……導電層６４の下側のタングステン部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体本体を具え、その表面を第１の絶縁層
で覆い、この第１の絶縁層の上に第１の導電細条
を設け、この第１の導電細条の上を第１の絶縁層
上にも延在する第２の絶縁層で覆い、この第２の
絶縁層の上に第２の導電細条を設け、第２の絶縁
層に窓を設け、この窓を介して第２の導電細条が
第１の導電細条と接触し、第２の導電細条の下に
タングステン層を設けた半導体装置において、前
記の窓を前記の第１の導電細条の長手方向で第１
の導電細条と第２の導電細条との接触領域よりも
大きくし、タングステンを第２の絶縁層の窓内の
第１の導電細条の区域にしか存在させず、タング
ステンの厚さを第２の絶縁層の厚さよりも薄くし
たことを特徴とする半導体装置。 ２ 第１と第２の絶縁層を酸化シリコン又は窒化
シリコンで作り、第１の導電細条を４重量パーセ
ント以下の銅及び／又は４重量パーセント以下の
シリコンを含むアルミニウム又はドーパントを加
えることができる多結晶シリコンで作つたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 ３ 半導体本体の表面上に第１の絶縁層を設け、
引続いて第１の導電細条を設け、第２の絶縁層を
設け、この第２の絶縁層に窓を設け、この窓を介
して第１の導電細条の一部を露出させ、タングス
テン層を設け、導電層を設け、その後でこの導電
層をエツチングして第１の導電細条と接触する第
２の導電細条を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記の窓を前記の第１の導電細条の長手
方向で第１の導電細条と第２の導電細条との接触
領域よりも大きくし、タングステン層を第１の導
電細条の露出している部分のみの上に第２の絶縁
層よりも薄肉に選択的にデポジツトすることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 ４ 第１と第２の絶縁層を酸化シリコン又は窒化
シリコンで作り、第１の導電細条を４重量パーセ
ント以下の銅及び／又は４重量パーセント以下の
シリコンを含むアルミニウム又はドーパントを加
えることができる多結晶シリコンで作ることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体装置
の製造方法。 ５ 六フツ化タングステンと水素とを含む反応ガ
スを650Pa以下の圧力で270℃ないし400℃に加熱
された半導体本体上に通してタングステンをデポ
ジツトさせるようにすることを特徴とする特許請
求の範囲第３項又は第４項に記載の半導体装置の
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US490381 | 1983-05-02 | ||
| US06/490,381 US4517225A (en) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | Method for manufacturing an electrical interconnection by selective tungsten deposition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605545A JPS605545A (ja) | 1985-01-12 |
| JPH0519819B2 true JPH0519819B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=23947802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59087928A Granted JPS605545A (ja) | 1983-05-02 | 1984-05-02 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4517225A (ja) |
| EP (1) | EP0124181B1 (ja) |
| JP (1) | JPS605545A (ja) |
| CA (1) | CA1215477A (ja) |
| DE (1) | DE3482970D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4794019A (en) * | 1980-09-04 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Refractory metal deposition process |
| JPS6050920A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| FR2566184B1 (fr) * | 1984-05-11 | 1987-07-24 | Efcis | Circuits integres a plusieurs niveaux d'interconnexion en alliage d'aluminium et procede de fabrication |
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| US4630357A (en) * | 1985-08-02 | 1986-12-23 | Ncr Corporation | Method for forming improved contacts between interconnect layers of an integrated circuit |
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