JPH05196700A - テスト機能を有する集積回路 - Google Patents

テスト機能を有する集積回路

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Publication number
JPH05196700A
JPH05196700A JP4009153A JP915392A JPH05196700A JP H05196700 A JPH05196700 A JP H05196700A JP 4009153 A JP4009153 A JP 4009153A JP 915392 A JP915392 A JP 915392A JP H05196700 A JPH05196700 A JP H05196700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
burn
integrated circuit
storage means
stored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4009153A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Nakai
達也 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP4009153A priority Critical patent/JPH05196700A/ja
Publication of JPH05196700A publication Critical patent/JPH05196700A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 自己バーンイン機能を有する集積回路の信頼
性を向上する。 【構成】 テスト用リードオンリメモリ6に記憶されて
いるプログラムに基づいてバーンインを行う際、特性デ
ータの変動やエラー情報などをE2PROM5に記憶す
る。 【効果】 特性データの変動があったものは、将来的に
特性データが変動するおそれがあるため不良品とみなさ
れ、集積回路の信頼性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自己バーンイン機能を
有するテスト機能を有する集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、集積回路は初期不良の発生を目的
とするバーンインを行った後、最終テストで良品とみな
された集積回路が製品として出荷される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】バーンイン中に特性が
変化しているけれども、最終テストの基準値の許容範囲
に入っているために最終テストで良品とみなされる集積
回路がある。このような集積回路は市場に出た後に不良
となり得る可能性を有しており、集積回路の信頼性が低
下するという問題がある。また、最終テストで不良とみ
なされるもののうち、製造途上で不良が生じたものであ
るか、またバーンイン中に不良となったものであるかが
解らず、不良の原因の確定が困難であるという問題があ
る。
【0004】本発明の目的は、前述の問題を解決し、集
積回路の信頼性を向上するテスト機能を有する集積回路
を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、書き込み/読
み出し可能な記憶手段と、当該記憶手段を含む構成要素
に対するテストを繰り返し行うテスト手段と、テストの
実行期間を含む期間にわたり、テスト結果を順次的に記
憶するテスト結果記憶手段とを備え、前記テスト結果記
憶手段に記憶されたテスト結果の時間的変化に基づいて
不良の有無の判定を行うことを特徴とするテスト機能を
有する集積回路である。
【0006】
【作用】本発明に従えば、テスト手段が書き込み/読み
出し可能な記憶手段を含む構成要素に対するテストを繰
り返し行う。テスト結果記憶手段は、テストの実行期間
を含む期間にわたりテスト結果を順次的に記憶する。前
記テスト結果記憶手段に記憶されたテスト結果は、時間
的変化に基づいて比較され、不良の有無が判断される。
これによって時間的変化に基づくテスト結果の変動が確
認でき、変動のあるものを不良と判断することができ
る。
【0007】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である集積回路1
の電気的構成を示すブロック図の一例である。集積回路
1は、中央処理装置(以下、CPUと記す)2、動作プ
ログラムなどが記憶されているリードオンリメモリ(以
下、ROMと記す)3、ランダムアクセスメモリ(以
下、RAMと記す)4、電気的に書き込み/消去が可能
なリードオンリメモリ(以下、E2PROMと記す)
5、テストプログラムが記憶されているテスト用ROM
6、複数の機能ブロックを含む周辺ブロック7が相互に
内部バス8を介して接続されている。
【0008】テスト用ROM6内にはバーンイン用のプ
ログラムが記憶されており、バーンイン中はテスト用R
OM6に記憶されいるプログラムに基づいてCPU2、
RAM4、E2PROM5および周辺ブロック7が動作
し、たとえば周辺ブロック7のテストが行われる。周辺
ブロック7とは、たとえばシリアルI/O、ADコンバ
ータ、DAコンバータなどである。バーンイン中はE2
PROM5がテスト結果を記憶する記憶手段として用い
られる。バーンイン中のテスト項目としては、メモリの
書き換えテストや、内部メモリを書き換えるテストなど
が挙げられる。
【0009】図2は、本発明の一実施例であるバーンイ
ン中に不良が発生した個所を記憶する手順を説明するフ
ローチャートの一例である。ステップa1では機能ブロ
ック1の動作チェックが行われる。ステップa2で機能
ブロック1の動作にエラーが発生しているか否かが判断
され、エラーが発生していない場合にはステップa4に
進み、エラーが発生している場合にはステップa3でエ
ラー情報をE2PROM5に記入した後、ステップa4
に進む。
【0010】ステップa4では機能ブロック2の動作チ
ェックが行われ、ステップa5で機能ブロック2の動作
にエラーが発生しているか否かが判断され、エラーが発
生していない場合には次の機能ブロックの動作チェック
を行い、エラーが発生している場合にはステップa6で
エラー情報をE2PROMに書き込んだ後、次の機能ブ
ロックの動作チェックを行う。各機能ブロックは順次的
に動作チェックが行われ、エラーがあった場合にはE2
PROM5にエラー情報が記入される。
【0011】ステップa7では最終ブロックである機能
ブロックnの動作チェックが行われ、ステップa8では
機能ブロックnの動作にエラーが発生したか否かが判断
され、エラーが発生していない場合にはステップa1に
戻り、エラーが発生した場合にはステップa9でエラー
情報をE2PROM5に記入した後ステップa1に戻
る。
【0012】各機能ブロックの動作チェックはバーンイ
ン中に繰り返し行われ、バーンイン後にE2PROM5
に記憶された情報を読み出すことによって、どの個所に
どのようなタイミングでエラーが発生したかが解り、こ
の記憶内容を今後の生産情報として利用することができ
る。
【0013】図3は、本発明の一実施例である特性デー
タの変動を記憶する手順を説明するフローチャートの一
例である。この手順に用いられるタイマは集積回路1に
内蔵されているタイマでもよく、また集積回路1にタイ
マが内蔵されていない場合には外部タイマを用いてもよ
い。
【0014】ステップb1では初期特性データがE2
ROM5に書き込まれる。ステップb2ではタイマがリ
セットされ、ステップb3ではテスト用ROM6のプロ
グラムに基づいてバーンイン動作が行われる。ステップ
b4ではタイマの経過時間が指定時間をすぎたか否かが
判断され、タイマの経過時間が指定時間を過ぎていない
場合にはステップb3に戻りバーンイン動作が再び行わ
れ、タイマの経過時間が指定時間を過ぎている場合には
ステップb5でバーンイン後の特性データをE2PRO
M5に書き込む。
【0015】バーンイン後に、E2PROM5に記憶さ
れた初期特性データとバーンイン後の特性データとを比
較することによって特性の変動を確認することができ、
特性が変動している集積回路は不良とみなされる。
【0016】以上のように本実施例によれば、図2およ
び図3に示した手順を併せてバーンインを行うことによ
って、初期特性データからのバーンイン後の特性データ
の変動を確認することができると共に、どの個所にどの
ようなタイミングでエラーが発生したかを確認すること
ができる。バーンイン中に特性データが変動する集積回
路は、市場に出た後にも変動が続き、不良となる恐れが
ある。従来では特性データの変動が許容範囲内であれば
発見することができず、市場において不良が発生してい
たけれども、バーンイン中に特性データが変動する集積
回路を不良として取り除くことができるため、集積回路
の信頼性が向上するとともに、エラーの発生個所および
そのタイミングは集積回路の生産情報として用いられ、
集積回路の信頼性が向上する。
【0017】本実施例においてE2PROM5に記憶さ
れた情報は最終テスト前に読み出され、E2PROM5
内に記憶された特性データとの記憶によって良品とみな
されたものに対しては、さらに最終テストが行われる。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、テストの実行期間を含
む期間にわたりテスト結果を順次的に記憶するテスト結
果記憶手段に記憶されたテスト結果は、時間的変化に基
づいて比較され、不良の有無が判断される。これによっ
て時間的変化に基づく結果の変動が確認でき、変動のあ
るものを不良と判断することができるため、集積回路の
信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である集積回路1の電気的構
成を示すブロック図である。
【図2】本発明の一実施例であるバーンイン中に不良が
発生した個所を記憶する手順を説明するフローチャート
の一例である。
【図3】本発明の一実施例である特性データの変動を記
憶する手順を説明するフローチャートの一例である。
【符号の説明】
1 集積回路 2 中央処理装置 3 ROM 5 E2PROM 6 テスト用ROM 7 周辺ブロック

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 書き込み/読み出し可能な記憶手段と、 当該記憶手段を含む構成要素に対するテストを繰り返し
    行うテスト手段と、 テストの実行期間を含む期間にわたり、テスト結果を順
    次的に記憶するテスト結果記憶手段とを備え、 前記テスト結果記憶手段に記憶されたテスト結果の時間
    的変化に基づいて不良の有無の判定を行うことを特徴と
    するテスト機能を有する集積回路。
JP4009153A 1992-01-22 1992-01-22 テスト機能を有する集積回路 Pending JPH05196700A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4009153A JPH05196700A (ja) 1992-01-22 1992-01-22 テスト機能を有する集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4009153A JPH05196700A (ja) 1992-01-22 1992-01-22 テスト機能を有する集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05196700A true JPH05196700A (ja) 1993-08-06

Family

ID=11712677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4009153A Pending JPH05196700A (ja) 1992-01-22 1992-01-22 テスト機能を有する集積回路

Country Status (1)

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JP (1) JPH05196700A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825193A (en) * 1994-12-19 1998-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US7174489B2 (en) 2003-07-10 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory test device
US7449904B2 (en) 2001-07-02 2008-11-11 Intel Corporation Integrated circuit burn-in methods and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825193A (en) * 1994-12-19 1998-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US7449904B2 (en) 2001-07-02 2008-11-11 Intel Corporation Integrated circuit burn-in methods and apparatus
US7174489B2 (en) 2003-07-10 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory test device

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