JPH0519520B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0519520B2 JPH0519520B2 JP63148903A JP14890388A JPH0519520B2 JP H0519520 B2 JPH0519520 B2 JP H0519520B2 JP 63148903 A JP63148903 A JP 63148903A JP 14890388 A JP14890388 A JP 14890388A JP H0519520 B2 JPH0519520 B2 JP H0519520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- diamond thin
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14890388A JPH01317197A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ダイヤモンド薄膜基板およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14890388A JPH01317197A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ダイヤモンド薄膜基板およびその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01317197A JPH01317197A (ja) | 1989-12-21 |
JPH0519520B2 true JPH0519520B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-03-16 |
Family
ID=15463247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14890388A Granted JPH01317197A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ダイヤモンド薄膜基板およびその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01317197A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263789A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Kanagawa Pref Gov | ダイヤモンド単結晶膜を有するシリコン基板とその製造方法 |
JP2775903B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1998-07-16 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド半導体素子 |
US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
JP2617374B2 (ja) * | 1990-09-25 | 1997-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ダイヤモンド薄膜とその作製方法 |
US5626963A (en) * | 1993-07-07 | 1997-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
US5691010A (en) * | 1993-10-19 | 1997-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Arc discharge plasma CVD method for forming diamond-like carbon films |
DE4415601C2 (de) * | 1994-05-04 | 1997-12-18 | Daimler Benz Ag | Komposit-Struktur für elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstellung |
US6066399A (en) * | 1997-03-19 | 2000-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
US6335863B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-01-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package |
JP3631366B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2005-03-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 単結晶ダイヤモンド合成用基板 |
JP4560964B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2010-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 非晶質炭素被覆部材 |
FR2856078B1 (fr) * | 2003-06-16 | 2006-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Revetement pour une piece mecanique comprenant au moins du carbone amorphe hydrogene et procede de depot d'un tel revetement. |
JP2005054264A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Ebara Corp | ダイアモンド電極の成膜方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6325662A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
DE3772671D1 (de) * | 1986-08-11 | 1991-10-10 | Sumitomo Electric Industries | Aluminiumoxyd, beschichtet mit diamant. |
JP2532222B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1996-09-11 | 小糸工業株式会社 | 情報表示装置 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP14890388A patent/JPH01317197A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01317197A (ja) | 1989-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2603257B2 (ja) | ダイヤモンド多層薄膜 | |
JP3136307B2 (ja) | 電子用途用ダイヤモンド載置基板 | |
US5147687A (en) | Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films | |
JPH0519520B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS63286334A (ja) | 積層体およびその製造法 | |
JP3728467B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | |
JPH0948694A (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | |
JP3728464B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法 | |
Li et al. | High dielectric constant BaxSr1-xTiO3 (BST) thin films made by mocvd techniques for dram applications | |
JP3252926B2 (ja) | ダイヤモンド被覆体およびその製造方法 | |
JP3185289B2 (ja) | ダイヤモンドの成膜方法 | |
TW388072B (en) | Komposit-struktur mit einem mehrere mikroelektronische bauteile und eine diamantschicht aufweisenden wachstums-substrat sowie verfahren zur herstellung der komposit-struktur | |
JP2001332514A (ja) | 配向性金属薄膜の成膜方法及び配向性金属薄膜を有する機能素子 | |
JP3728466B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の製造方法 | |
JP2799849B2 (ja) | 化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法 | |
JP3260212B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶の製造方法 | |
JPH0760869B2 (ja) | 高熱伝導性絶縁基板 | |
JP2780497B2 (ja) | CVD法によるSi基板へのダイヤモンド膜形成方法 | |
JP3450818B2 (ja) | 表面および結合性が向上された窒化アルミニウム薄膜の製造方法 | |
CN1096548A (zh) | 金刚石单晶薄膜的制造方法 | |
JPH04321596A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 | |
JPH06321688A (ja) | 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法 | |
JP3319217B2 (ja) | 光学レンズ用金型およびその製造方法 | |
Dutta et al. | Nucleation and growth study of copper thin films on different substrates and wetting layers by metal-organic chemical vapour deposition | |
JPH04240189A (ja) | CVD法によるSi基板へのダイヤモンド膜形成方法 |