JPH05190021A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH05190021A JPH05190021A JP4025664A JP2566492A JPH05190021A JP H05190021 A JPH05190021 A JP H05190021A JP 4025664 A JP4025664 A JP 4025664A JP 2566492 A JP2566492 A JP 2566492A JP H05190021 A JPH05190021 A JP H05190021A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９００℃以下の温度の焼成で緻密に焼結させ
ることができ、しかも所望の電気特性を備えている低誘
電率の誘電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 組成式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−
ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2−（ｄ／２）Ａｌ2 Ｏ3 −ｅＴ
ｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる組成
物を主成分とする焼結体からなる。
ることができ、しかも所望の電気特性を備えている低誘
電率の誘電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 組成式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−
ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2−（ｄ／２）Ａｌ2 Ｏ3 −ｅＴ
ｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる組成
物を主成分とする焼結体からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は損失の小さな低誘電率
の誘電体磁器組成物とその製造方法に関するものであ
る。
の誘電体磁器組成物とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】損失の小さな低誘電率の誘電体磁器組成
物を誘電体層の材料に用いた磁器コンデンサは、一般
に、高周波回路におけるフィルター等に使用されてい
る。このような低誘電率の誘電体磁器組成物は一般的に
１２００〜１３００℃という高温で焼結されることが多
いので、これを積層磁器コンデンサの誘電体層の材料と
して使用する場合は、積層磁器コンデンサの内部電極の
材料にＰｔ，Ｐｄあるいはこれらの合金のような高融点
の金属を使う必要があった。
物を誘電体層の材料に用いた磁器コンデンサは、一般
に、高周波回路におけるフィルター等に使用されてい
る。このような低誘電率の誘電体磁器組成物は一般的に
１２００〜１３００℃という高温で焼結されることが多
いので、これを積層磁器コンデンサの誘電体層の材料と
して使用する場合は、積層磁器コンデンサの内部電極の
材料にＰｔ，Ｐｄあるいはこれらの合金のような高融点
の金属を使う必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、Ｐｔ，Ｐｄ
あるいはこれらの合金は電気伝導度が低く、これを内部
電極の材料として使用した積層磁器コンデンサを高周波
回路におけるフィルターに使用した場合は、損失が大き
くなり、Ｑが低下してしまうという欠点があった。この
ため、電気伝導度のより高いＡｇ，Ｃｕ等の金属を積層
磁器コンデンサの内部電極の材料として使用できるよう
に、１０００℃以下、好ましくは９００℃以下の温度の
焼成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気
特性を備えている誘電体磁器組成物を開発する必要があ
った。
あるいはこれらの合金は電気伝導度が低く、これを内部
電極の材料として使用した積層磁器コンデンサを高周波
回路におけるフィルターに使用した場合は、損失が大き
くなり、Ｑが低下してしまうという欠点があった。この
ため、電気伝導度のより高いＡｇ，Ｃｕ等の金属を積層
磁器コンデンサの内部電極の材料として使用できるよう
に、１０００℃以下、好ましくは９００℃以下の温度の
焼成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気
特性を備えている誘電体磁器組成物を開発する必要があ
った。
【０００４】本発明の目的は、９００℃以下の温度の焼
成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気特
性を備えている低誘電率の誘電体磁器組成物とその製造
方法を提供することにある。
成で緻密に焼結させることができ、しかも所望の電気特
性を備えている低誘電率の誘電体磁器組成物とその製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る誘電体磁器
組成物は、組成式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−
ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／２）ｄＡｌ2 Ｏ3 −ｅ
ＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる組成
物を主成分とする焼結体からなるものである。
組成物は、組成式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−
ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／２）ｄＡｌ2 Ｏ3 −ｅ
ＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる組成
物を主成分とする焼結体からなるものである。
【０００６】ここで、５モル％≦ａ≦６０モル％とした
のは、ａが５モル％未満になったり、６０モル％を越え
たりすると、いずれの場合も、９００℃の温度の焼成で
緻密な焼結体が得られなくなるからである。また、１０
モル％≦ｂ≦７０モル％としたのは、ｂが１０モル％未
満になると組成物がガラス化せず、ｂが７０モル％を越
えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
るからである。
のは、ａが５モル％未満になったり、６０モル％を越え
たりすると、いずれの場合も、９００℃の温度の焼成で
緻密な焼結体が得られなくなるからである。また、１０
モル％≦ｂ≦７０モル％としたのは、ｂが１０モル％未
満になると組成物がガラス化せず、ｂが７０モル％を越
えると、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
るからである。
【０００７】また、０モル％＜ｃ≦３０モル％としたの
は、ｃが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。また、０モル％
＜ｄ≦３０モル％としたのは、ｄが３０モル％を越える
と、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか
らである。また、０モル％＜ｅ≦３０モル％としたの
は、ｅが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。０モル％＜ｆ≦
２０モル％としたのは、ｆが２０モル％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからであ
る。
は、ｃが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。また、０モル％
＜ｄ≦３０モル％としたのは、ｄが３０モル％を越える
と、９００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるか
らである。また、０モル％＜ｅ≦３０モル％としたの
は、ｅが３０モル％を越えると、９００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られなくなるからである。０モル％＜ｆ≦
２０モル％としたのは、ｆが２０モル％を越えると、９
００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからであ
る。
【０００８】以上説明したこの誘電体磁器組成物は、焼
成して酸化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａ
ｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化合物の中の少なくともＢ
ａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原料化合物を混合して加熱
溶融し、この溶融したものを急冷してガラス化し、この
ガラス化したものを微粉砕し、この微粉砕したものを含
めて全ての原料化合物の混合物を成形し、この成形した
ものを焼成する方法によって製造することができる。
成して酸化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａ
ｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化合物の中の少なくともＢ
ａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原料化合物を混合して加熱
溶融し、この溶融したものを急冷してガラス化し、この
ガラス化したものを微粉砕し、この微粉砕したものを含
めて全ての原料化合物の混合物を成形し、この成形した
ものを焼成する方法によって製造することができる。
【０００９】ここで、原料化合物としては、焼成して酸
化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔｉ
及びＬｎの各化合物を使用することができる。後述する
実施例では、原料化合物としてＢａＣＯ3 ，ＣａＣＯ
3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ3 を原料
化合物として使用したが、加熱によって酸化物となるも
のであればこれら以外の化合物を使用できることはもち
ろんである。
化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔｉ
及びＬｎの各化合物を使用することができる。後述する
実施例では、原料化合物としてＢａＣＯ3 ，ＣａＣＯ
3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ3 を原料
化合物として使用したが、加熱によって酸化物となるも
のであればこれら以外の化合物を使用できることはもち
ろんである。
【００１０】また、各原料化合物は、式：ａ（ｘＢａ−
ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／
２）ｄＡｌ2 Ｏ3 −ｅＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる割合
で使用する。各原料化合物の割合の限定理由は上述した
誘電体磁器組成物の説明におけると全く同様である。
ｙＣａ−ｚＳｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／
２）ｄＡｌ2 Ｏ3 −ｅＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、５モル％≦ａ
≦６０モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、１０モル％≦ｂ≦７０
モル％、０モル％＜ｃ≦３０モル％、０モル％＜ｄ≦３
０モル％、０モル％＜ｅ≦３０モル％、０モル％＜ｆ≦
２０モル％、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％）で表わされる割合
で使用する。各原料化合物の割合の限定理由は上述した
誘電体磁器組成物の説明におけると全く同様である。
【００１１】更に、Ｚｒ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各化合
物については、他の原料化合物とともにガラス化して使
用してもよいし、あるいはガラス化した他の原料化合物
に後から混合して使用してもよい。いずれの場合も所望
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
物については、他の原料化合物とともにガラス化して使
用してもよいし、あるいはガラス化した他の原料化合物
に後から混合して使用してもよい。いずれの場合も所望
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００１２】
実施例１及び比較例１ まず、表１の試料No.1-1の場合について説明する。Ｂａ
ＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及
びＹｂ2 Ｏ3 を、表１の試料No.1-1に示すモル比で秤量
し、これらを水とともにボールミルに入れ、湿式で十分
に撹拌混合して混合物を得た。
ＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及
びＹｂ2 Ｏ3 を、表１の試料No.1-1に示すモル比で秤量
し、これらを水とともにボールミルに入れ、湿式で十分
に撹拌混合して混合物を得た。
【００１３】次に、この混合物を乾燥した後、坩堝に入
れて１７００℃に加熱し、溶融した混合物を水中に滴下
して急冷し、ガラスを得た。そして、このガラスを粉砕
して、平均粒径１μｍ程度の微粉末とし、このガラス粉
末に有機バインダー（ＰＶＡ）を加えて十分に混合し、
１ton/cm2 の圧力で直径１０mm、厚み１mmの円板状の成
形体を作製した。
れて１７００℃に加熱し、溶融した混合物を水中に滴下
して急冷し、ガラスを得た。そして、このガラスを粉砕
して、平均粒径１μｍ程度の微粉末とし、このガラス粉
末に有機バインダー（ＰＶＡ）を加えて十分に混合し、
１ton/cm2 の圧力で直径１０mm、厚み１mmの円板状の成
形体を作製した。
【００１４】次に、この成形体を焼成炉に入れ、大気雰
囲気中において４００〜６００℃で１０時間保持して成
形体中の有機バインダーを燃焼除去させ、その後、炉内
温度を９００℃まで上昇させ、この温度で２時間保持さ
せて成形体を焼結させた。
囲気中において４００〜６００℃で１０時間保持して成
形体中の有機バインダーを燃焼除去させ、その後、炉内
温度を９００℃まで上昇させ、この温度で２時間保持さ
せて成形体を焼結させた。
【００１５】次に、この焼結させた成形体の表裏面に銀
ペーストを塗布して焼き付け、直径７mmの銀電極を表裏
面に備えた測定用の試料を得た。そして、この試料の電
気特性（比誘電率εr 及びＱ）を、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍ
ｓ，２０℃の条件で測定した。結果は表１の試料No.1-1
の電気特性の欄に示す通りとなった。
ペーストを塗布して焼き付け、直径７mmの銀電極を表裏
面に備えた測定用の試料を得た。そして、この試料の電
気特性（比誘電率εr 及びＱ）を、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍ
ｓ，２０℃の条件で測定した。結果は表１の試料No.1-1
の電気特性の欄に示す通りとなった。
【００１６】以上、No.1-1の試料の作製方法及びその電
気特性の測定方法について述べたが、試料No.1-2〜1-23
についても、組成を表１に示すように変化させた他は、
No.1-1の試料と全く同一の方法で試料を作製し、全く同
一の方法でその電気特性を測定した。結果は表１の電気
特性の欄に示す通りとなった。
気特性の測定方法について述べたが、試料No.1-2〜1-23
についても、組成を表１に示すように変化させた他は、
No.1-1の試料と全く同一の方法で試料を作製し、全く同
一の方法でその電気特性を測定した。結果は表１の電気
特性の欄に示す通りとなった。
【００１７】
【表１】
【００１８】次に、表１に示す結果について、各Noの試
料の組成及びその電気特性等を参照しながら説明する。
まず、試料No.1-1〜1-3 に示すように、ａが６０モル％
で、Ｂａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｘ≦１）に
ある場合は所望の電気特性の組成物が得られる。また、
試料No.1-4〜1-6 に示すように、ａが６０モル％で、Ｃ
ａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｙ≦１）にある場
合は所望の電気特性の組成物が得られる。更に、試料N
o.1-7〜1-9 に示すように、ａが６０モル％で、Ｓｒの
量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｚ≦１）にある場合は
所望の電気特性の組成物が得られる。
料の組成及びその電気特性等を参照しながら説明する。
まず、試料No.1-1〜1-3 に示すように、ａが６０モル％
で、Ｂａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｘ≦１）に
ある場合は所望の電気特性の組成物が得られる。また、
試料No.1-4〜1-6 に示すように、ａが６０モル％で、Ｃ
ａの量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｙ≦１）にある場
合は所望の電気特性の組成物が得られる。更に、試料N
o.1-7〜1-9 に示すように、ａが６０モル％で、Ｓｒの
量が０〜６０モル％の範囲（０≦ｚ≦１）にある場合は
所望の電気特性の組成物が得られる。
【００１９】また、試料No.1-1〜1-11に示すように、ａ
が５〜６０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得
られるが、試料No.1-12 に示すように、ａが３モル％に
なるか、試料No.1-13 に示すように、ａが６５モル％に
なると、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、
ａの適正範囲は５〜６０モル％である。
が５〜６０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得
られるが、試料No.1-12 に示すように、ａが３モル％に
なるか、試料No.1-13 に示すように、ａが６５モル％に
なると、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、
ａの適正範囲は５〜６０モル％である。
【００２０】次に、試料No.1-15,1-16に示すように、ｂ
が１０〜７０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が
得られるが、試料No.1-14 に示すように、ｂが５モル％
になると組成物がガラス化せず、また、試料No.1-17 に
示すように、ｂが７５モル％になると、組成物が１７０
０℃で溶融しなくなる。従って、ｂの適正範囲は１０〜
７０モル％である。
が１０〜７０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が
得られるが、試料No.1-14 に示すように、ｂが５モル％
になると組成物がガラス化せず、また、試料No.1-17 に
示すように、ｂが７５モル％になると、組成物が１７０
０℃で溶融しなくなる。従って、ｂの適正範囲は１０〜
７０モル％である。
【００２１】次に、試料No.1-18 に示すように、ｃが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-19 に示すように、ｃが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｃの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-19 に示すように、ｃが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｃの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２２】次に、試料No.1-20 に示すように、ｄが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-21 に示すように、ｄが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｄの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-21 に示すように、ｄが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｄの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２３】次に、試料No.1-22 に示すように、ｅが３
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-23 に示すように、ｅが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｅの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
０モル％の場合は所望の電気特性の組成物が得られる
が、試料No.1-23 に示すように、ｅが３５モル％になる
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｅの
適正範囲は少なくとも３０モル％以下である。
【００２４】次に、試料No.1-25,1-27,1-29,1-30,1-31,
1-33に示すように、ｆが２０モル％未満の場合は所望の
電気特性の組成物が得られるが、試料No.1-24,1,26,1-2
8,1-32,1-34 に示すように、ｆが２０モル％を越える
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｆの
適正範囲は少なくとも２０％以下である。
1-33に示すように、ｆが２０モル％未満の場合は所望の
電気特性の組成物が得られるが、試料No.1-24,1,26,1-2
8,1-32,1-34 に示すように、ｆが２０モル％を越える
と、組成物が９００℃で焼結しなくなる。従って、ｆの
適正範囲は少なくとも２０％以下である。
【００２５】実施例２及び比較例２ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＴｉＯ
2 を除き、表２に示す割合で秤量して混合し、実施例１
と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＴｉＯ
2 を表２に示す割合で加え、これらを湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表２の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例２及び比較例２のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
２及び比較例２ではＴｉＯ2 を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
2 を除き、表２に示す割合で秤量して混合し、実施例１
と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＴｉＯ
2 を表２に示す割合で加え、これらを湿式で粉砕混合し
て混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例
１と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性
を測定した。結果は表２の電気特性の欄に示す通りとな
った。この結果によれば、実施例２及び比較例２のよう
にして製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例
１の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例
２及び比較例２ではＴｉＯ2 を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
【００２６】
【表２】
【００２７】実施例３及び比較例３ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ａｌ2
Ｏ3 を除き、表３に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＡｌ
2 Ｏ3 を表３に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混
合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と
同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測
定した。結果は表３の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例３及び比較例３のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例３
及び比較例３ではＡｌ2 Ｏ3 を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
Ｏ3 を除き、表３に示す割合で秤量して混合し、実施例
１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＡｌ
2 Ｏ3 を表３に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混
合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と
同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測
定した。結果は表３の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例３及び比較例３のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例３
及び比較例３ではＡｌ2 Ｏ3 を他の原料化合物とともに
ガラス化しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様
の結果が得られることがわかる。
【００２８】
【表３】
【００２９】実施例４及び比較例４ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＺｒＯ
2 を除き、表４に示す割合で秤量して混合し、実施例１
と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＺｒＯ
2 を表４に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混合物
を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と同様
の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測定し
た。結果は表４の電気特性の欄に示す通りとなった。こ
の結果によれば、実施例４及び比較例４のようにして製
造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１の場合
と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例４及び比
較例４ではＺｒＯ2 を他の原料化合物とともにガラス化
しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が
得られることがわかる。
2 を除き、表４に示す割合で秤量して混合し、実施例１
と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガラスにＺｒＯ
2 を表４に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混合物
を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と同様
の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測定し
た。結果は表４の電気特性の欄に示す通りとなった。こ
の結果によれば、実施例４及び比較例４のようにして製
造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１の場合
と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例４及び比
較例４ではＺｒＯ2 を他の原料化合物とともにガラス化
しなくても実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が
得られることがわかる。
【００３０】
【表４】
【００３１】実施例５及び比較例５ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ａｌ2
Ｏ3 及びＴｉＯ2 を除き、表５に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＡｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ2 を表５に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表５の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
５及び比較例５のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例５及び比較例５ではＡｌ2 Ｏ3 及
びＴｉＯ2 を他の原料化合物とともにガラス化しなくて
も実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られる
ことがわかる。
Ｏ3 及びＴｉＯ2 を除き、表５に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＡｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ2 を表５に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表５の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
５及び比較例５のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例５及び比較例５ではＡｌ2 Ｏ3 及
びＴｉＯ2 を他の原料化合物とともにガラス化しなくて
も実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られる
ことがわかる。
【００３２】
【表５】
【００３３】実施例６及び比較例６ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＺｒＯ
2 及びＴｉＯ2 を除き、表６に示す割合で秤量して混合
し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガ
ラスにＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 を表６に示す割合で加え、
湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混合物
を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を作製
し、その電気特性を測定した。結果は表６の電気特性の
欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例６及
び比較例６のようにして製造した誘電体磁器組成物も実
施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示した。
しかして、実施例６及び比較例６ではＺｒＯ2 及びＴｉ
Ｏ2 を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実施
例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られることが
わかる。
2 及びＴｉＯ2 を除き、表６に示す割合で秤量して混合
し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られたガ
ラスにＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 を表６に示す割合で加え、
湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混合物
を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を作製
し、その電気特性を測定した。結果は表６の電気特性の
欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例６及
び比較例６のようにして製造した誘電体磁器組成物も実
施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示した。
しかして、実施例６及び比較例６ではＺｒＯ2 及びＴｉ
Ｏ2 を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実施
例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られることが
わかる。
【００３４】
【表６】
【００３５】実施例７及び比較例７ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＺｒＯ
2 及びＡｌ2 Ｏ3 を除き、表７に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＺｒＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 を表７に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表７の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
７及び比較例７のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例７及び比較例７ではＺｒＯ2 及び
Ａｌ2 Ｏ3 を他の原料化合物とともにガラス化しなくて
も実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られる
ことがわかる。
2 及びＡｌ2 Ｏ3 を除き、表７に示す割合で秤量して混
合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷し、得られた
ガラスにＺｒＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 を表７に示す割合で加
え、湿式で粉砕混合して混合物を得た。以後は、この混
合物を用いて、実施例１と同様の手順で測定用の試料を
作製し、その電気特性を測定した。結果は表７の電気特
性の欄に示す通りとなった。この結果によれば、実施例
７及び比較例７のようにして製造した誘電体磁器組成物
も実施例１及び比較例１の場合と全く同様の傾向を示し
た。しかして、実施例７及び比較例７ではＺｒＯ2 及び
Ａｌ2 Ｏ3 を他の原料化合物とともにガラス化しなくて
も実施例１及び比較例１の場合と同様の結果が得られる
ことがわかる。
【００３６】
【表７】
【００３７】実施例８及び比較例８ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、ＺｒＯ
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ2 を除き、表８に示す割合で
秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷
し、得られたガラスにＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ
2 を表８に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混合物
を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と同様
の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測定し
た。結果は表８の電気特性の欄に示す通りとなった。こ
の結果によれば、実施例８及び比較例８のようにして製
造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１の場合
と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例８及び比
較例８ではＺｒＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 及びＴｉＯ2 を他の原
料化合物とともにガラス化しなくても実施例１及び比較
例１の場合と同様の結果が得られることがわかる。
2 ，Ａｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ2 を除き、表８に示す割合で
秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急冷
し、得られたガラスにＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 及びＴｉＯ
2 を表８に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して混合物
を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１と同様
の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を測定し
た。結果は表８の電気特性の欄に示す通りとなった。こ
の結果によれば、実施例８及び比較例８のようにして製
造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１の場合
と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例８及び比
較例８ではＺｒＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 及びＴｉＯ2 を他の原
料化合物とともにガラス化しなくても実施例１及び比較
例１の場合と同様の結果が得られることがわかる。
【００３８】
【表８】
【００３９】実施例９及び比較例９ 実施例１で使用したものと同様の原料化合物を、Ｌａ2
Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ3 を除き、表９に示す割
合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急
冷し、得られたガラスにＬａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹ
ｂ2 Ｏ3 を表９に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して
混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１
と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を
測定した。結果は表９の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例９及び比較例９のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例９
及び比較例９ではＬａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ
3 を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実施例
１及び比較例１の場合と同様の結果が得られることがわ
かる。
Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ3 を除き、表９に示す割
合で秤量して混合し、実施例１と同様に加熱溶融して急
冷し、得られたガラスにＬａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹ
ｂ2 Ｏ3 を表９に示す割合で加え、湿式で粉砕混合して
混合物を得た。以後は、この混合物を用いて、実施例１
と同様の手順で測定用の試料を作製し、その電気特性を
測定した。結果は表９の電気特性の欄に示す通りとなっ
た。この結果によれば、実施例９及び比較例９のように
して製造した誘電体磁器組成物も実施例１及び比較例１
の場合と全く同様の傾向を示した。しかして、実施例９
及び比較例９ではＬａ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 及びＹｂ2 Ｏ
3 を他の原料化合物とともにガラス化しなくても実施例
１及び比較例１の場合と同様の結果が得られることがわ
かる。
【００４０】
【表９】
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、従来よりも低い温度の
焼成で所望の電気的特性を有する低誘電率の誘電体磁器
組成物を得ることができるので、高周波用磁器コンデン
サの内部電極としてＡｇやＣｕのような電気伝導度の良
い、安価な材料を使用することができ、従って、従来よ
りも更に電気的特性の優れた磁器コンデンサを安価に提
供することができるという効果がある。
焼成で所望の電気的特性を有する低誘電率の誘電体磁器
組成物を得ることができるので、高周波用磁器コンデン
サの内部電極としてＡｇやＣｕのような電気伝導度の良
い、安価な材料を使用することができ、従って、従来よ
りも更に電気的特性の優れた磁器コンデンサを安価に提
供することができるという効果がある。
【００４２】また、この発明によれば、従来よりも低い
温度の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるので、誘電体磁器組成物を焼結さ
せるためのエネルギーコストを低下させることができ、
従って、従来よりも安価な磁器コンデンサを提供するこ
とができるという効果がある。
温度の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるので、誘電体磁器組成物を焼結さ
せるためのエネルギーコストを低下させることができ、
従って、従来よりも安価な磁器コンデンサを提供するこ
とができるという効果がある。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ 7135−5Ｅ (72)発明者 水野 洋一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 組成式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳｒ）
Ｏ−ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／２）Ａｌ2 Ｏ3 −
ｅＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、 ５モル％≦ａ≦６０モル％、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 １０モル％≦ｂ≦７０モル％、 ０モル％＜ｃ≦３０モル％、 ０モル％＜ｄ≦３０モル％、 ０モル％＜ｅ≦３０モル％、 ０モル％＜ｆ≦２０モル％、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％） で表わされる組成物を主成分とする焼結体からなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 焼成して酸化物となるＢａ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔｉ及びＬｎの各原料化合物の
中の少なくともＢａ，Ｃａ，Ｓｒ及びＳｉの各原料化合
物を混合して加熱溶融する工程と、この溶融したものを
急冷してガラス化する工程と、このガラス化したものを
微粉砕する工程と、この微粉砕したものを含めて全ての
原料化合物の混合物を成形する工程と、この成形したも
のを焼成する工程とを備え、 前記各原料化合物が、式：ａ（ｘＢａ−ｙＣａ−ｚＳ
ｒ）Ｏ−ｂＳｉＯ2 −ｃＺｒＯ2 −（ｄ／２）ｄＡｌ2
Ｏ3 −ｅＴｉＯ2 −（ｆ／ｉ）Ｌｎi Ｏj （但し、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕか
ら選択された一種または二種以上の元素、 ５モル％≦ａ≦６０モル％、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、 １０モル％≦ｂ≦７０モル％、 ０モル％＜ｃ≦３０モル％、 ０モル％＜ｄ≦３０モル％、 ０モル％＜ｅ≦３０モル％、 ０モル％＜ｆ≦２０モル％、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００モル％、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞１００モル％） で表わされる割合になっていることを特徴とする誘電体
磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025664A JP2879864B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025664A JP2879864B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190021A true JPH05190021A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2879864B2 JP2879864B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=12172066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025664A Expired - Fee Related JP2879864B2 (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879864B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10597226B2 (en) | 2017-02-16 | 2020-03-24 | Fanuc Corporation | Float and evaporation suppressing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63225407A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | 株式会社村田製作所 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
| JPH01102808A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
-
1992
- 1992-01-16 JP JP4025664A patent/JP2879864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63225407A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | 株式会社村田製作所 | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |
| JPH01102808A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10597226B2 (en) | 2017-02-16 | 2020-03-24 | Fanuc Corporation | Float and evaporation suppressing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879864B2 (ja) | 1999-04-05 |
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