JPH05187867A - 探針駆動機構、その製造方法、並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ及びその製造方法 - Google Patents
探針駆動機構、その製造方法、並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05187867A JPH05187867A JP4151257A JP15125792A JPH05187867A JP H05187867 A JPH05187867 A JP H05187867A JP 4151257 A JP4151257 A JP 4151257A JP 15125792 A JP15125792 A JP 15125792A JP H05187867 A JPH05187867 A JP H05187867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- support
- cantilever
- insulating layer
- driving mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 110
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/10—STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
- G01Q60/16—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
- G01Q10/04—Fine scanning or positioning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
- G01Q10/04—Fine scanning or positioning
- G01Q10/045—Self-actuating probes, i.e. wherein the actuating means for driving are part of the probe itself, e.g. piezoelectric means on a cantilever probe
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/06—Probe tip arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
- G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 情報入出力用プローブを端部に有し、他端に
おいて支持体に支持されてなるバイモルフカンチレバー
であって、支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層が5000Å以上の膜厚を有する探針駆動機構。 【効果】 支持体とカンチレバーとの間に寄生する容量
を減らし応答性に優れたカンチレバーが提供される。
おいて支持体に支持されてなるバイモルフカンチレバー
であって、支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層が5000Å以上の膜厚を有する探針駆動機構。 【効果】 支持体とカンチレバーとの間に寄生する容量
を減らし応答性に優れたカンチレバーが提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の表面観察或いは
記録媒体を用いた記録・再生に用いられる、探針駆動機
構及びその製造方法、該機構を用いたトンネル電流検出
装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータとその製造
方法に関するものである。
記録媒体を用いた記録・再生に用いられる、探針駆動機
構及びその製造方法、該機構を用いたトンネル電流検出
装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータとその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体或いは高分子材料等の原
子、分子オーダーの観察評価、微細加工、及び記録装置
等の様々な分野への走査型トンネル顕微鏡(以下「ST
M」と記す)の応用が研究されている。
子、分子オーダーの観察評価、微細加工、及び記録装置
等の様々な分野への走査型トンネル顕微鏡(以下「ST
M」と記す)の応用が研究されている。
【0003】中でも、コンピューターの計算情報や映像
情報等では大容量を有する記録装置が要求され、STM
手法の応用に対する要望がますます高まっており、さら
に半導体プロセス技術の進展により、マイクロプロセッ
サが小型化し、計算能力が向上したために記録装置の小
型化が望まれている。これらの要求を満たす目的で、記
録媒体との間隔の微調整が可能な駆動手段上に存在する
トンネル電流発生用プローブからなる変換器を用い、該
変換器から電圧を印加し、記録媒体表面の仕事関数を変
化させることにより記録書き込みし、或いは仕事関数の
変化によるトンネル電流の変化を検知することにより情
報の読み出しを行ない、最小記録面積が10nm平方と
なる記録再生装置が提案されている(特開昭63−16
1552号公報等)。
情報等では大容量を有する記録装置が要求され、STM
手法の応用に対する要望がますます高まっており、さら
に半導体プロセス技術の進展により、マイクロプロセッ
サが小型化し、計算能力が向上したために記録装置の小
型化が望まれている。これらの要求を満たす目的で、記
録媒体との間隔の微調整が可能な駆動手段上に存在する
トンネル電流発生用プローブからなる変換器を用い、該
変換器から電圧を印加し、記録媒体表面の仕事関数を変
化させることにより記録書き込みし、或いは仕事関数の
変化によるトンネル電流の変化を検知することにより情
報の読み出しを行ない、最小記録面積が10nm平方と
なる記録再生装置が提案されている(特開昭63−16
1552号公報等)。
【0004】一般に、データ転送速度、及びデータ記録
速度を向上させるためにはプローブの数を増やす必要が
ある。この際、上述した装置においてはプローブと媒体
との間隔を調整しつつ、記録データ列上を走行すること
になるが、記録したデータ列の幅が非常に細く、装置の
温度変化によるドリフト、外部からの振動などの影響に
よるプローブのデータ列からのはずれ等により安定した
記録再生が困難になる。従って各プローブが独立に、媒
体面に平行な方位を垂直な方位に高速に変位することが
要求される。
速度を向上させるためにはプローブの数を増やす必要が
ある。この際、上述した装置においてはプローブと媒体
との間隔を調整しつつ、記録データ列上を走行すること
になるが、記録したデータ列の幅が非常に細く、装置の
温度変化によるドリフト、外部からの振動などの影響に
よるプローブのデータ列からのはずれ等により安定した
記録再生が困難になる。従って各プローブが独立に、媒
体面に平行な方位を垂直な方位に高速に変位することが
要求される。
【0005】この要求を満足させるために、例えば、W
O89/07256には図6の様な圧電体層5、7と電
極層4、6、8を積層したカンチレバーが提案されてい
る。該カンチレバーはシリコン酸化膜よりなる絶縁層1
1を成膜パターニングし、次いでSi基板1を異方性エ
ッチングによってシリコンメンブレン10を形成してい
る。
O89/07256には図6の様な圧電体層5、7と電
極層4、6、8を積層したカンチレバーが提案されてい
る。該カンチレバーはシリコン酸化膜よりなる絶縁層1
1を成膜パターニングし、次いでSi基板1を異方性エ
ッチングによってシリコンメンブレン10を形成してい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例ではシリコンメンブレン10と絶縁層11のエッチ
ングの際にSi基板1のサイドエッチングを抑えるため
に絶縁層11の膜厚を薄くする必要がある。そのため下
電極4とSi基板2で無視できない容量が発生し、基板
を介して他の電極と接続し、図7の様な等価回路にな
る。
来例ではシリコンメンブレン10と絶縁層11のエッチ
ングの際にSi基板1のサイドエッチングを抑えるため
に絶縁層11の膜厚を薄くする必要がある。そのため下
電極4とSi基板2で無視できない容量が発生し、基板
を介して他の電極と接続し、図7の様な等価回路にな
る。
【0007】通常カンチレバーの駆動周波数はカンチレ
バーの大きさ、層構成で決まる共振周波数で制限される
が、さらに従来例では圧電体層5、7による容量と上述
の寄生容量による時定数の増大によっても制限され媒体
とプローブの間隔の調整ができず、書き込み読み出しの
誤動作を生じる。また、複数プローブ構成の場合は駆動
電極の配線長が各々のプローブで異なるためこれによる
寄生容量も大きくばらつく。従って、これがカンチレバ
ーの駆動特性のバラツキとなる。
バーの大きさ、層構成で決まる共振周波数で制限される
が、さらに従来例では圧電体層5、7による容量と上述
の寄生容量による時定数の増大によっても制限され媒体
とプローブの間隔の調整ができず、書き込み読み出しの
誤動作を生じる。また、複数プローブ構成の場合は駆動
電極の配線長が各々のプローブで異なるためこれによる
寄生容量も大きくばらつく。従って、これがカンチレバ
ーの駆動特性のバラツキとなる。
【0008】また、以上の問題を回避するために電極下
の絶縁層を厚くし、寄生容量を小さくする様な工程にし
た場合、図6の絶縁層11をエッチングする際、Siが
等方的にエッチングされ、絶縁層厚さの10倍以上サイ
ド方向にエッチングが進むためカンチレバー形状の制御
性が悪くなる。
の絶縁層を厚くし、寄生容量を小さくする様な工程にし
た場合、図6の絶縁層11をエッチングする際、Siが
等方的にエッチングされ、絶縁層厚さの10倍以上サイ
ド方向にエッチングが進むためカンチレバー形状の制御
性が悪くなる。
【0009】本発明の目的は、カンチレバーと支持体と
の間で発生する寄生容量を低減してカンチレバーの応答
性を改善すると共に、カンチレバー製造時の不要なエッ
チングを防止した新規な圧電式アクチュエータ、探針駆
動機構、及びその製造方法を提供することにある。
の間で発生する寄生容量を低減してカンチレバーの応答
性を改善すると共に、カンチレバー製造時の不要なエッ
チングを防止した新規な圧電式アクチュエータ、探針駆
動機構、及びその製造方法を提供することにある。
【0010】また本発明の目的は、係る探針駆動機構を
用いて、精度及び応答性を改善したトンネル電流検出装
置、記録・再生・消去機能を有する情報処理装置を提供
することにある。
用いて、精度及び応答性を改善したトンネル電流検出装
置、記録・再生・消去機能を有する情報処理装置を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の第1の
態様は、圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有するバ
イモルフカンチレバーであって、該カンチレバーの一端
が支持体に支持され、且つその他端に情報入出力用のプ
ローブを備えた探針駆動機構において、支持体とカンチ
レバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層を有し且つ
支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶縁層が、カ
ンチレバーの電極と支持体との間で発生する寄生容量を
低減するに十分な膜厚を有することを特徴とする探針駆
動機構である。
態様は、圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有するバ
イモルフカンチレバーであって、該カンチレバーの一端
が支持体に支持され、且つその他端に情報入出力用のプ
ローブを備えた探針駆動機構において、支持体とカンチ
レバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層を有し且つ
支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶縁層が、カ
ンチレバーの電極と支持体との間で発生する寄生容量を
低減するに十分な膜厚を有することを特徴とする探針駆
動機構である。
【0012】本発明第2の態様は、圧電体薄膜と、これ
を挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであっ
て、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、且つそ
の他端に情報入出力用のプローブを備えた探針駆動機構
において、支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層の膜厚が少なくとも5000Åであることを特徴と
する探針駆動機構である。
を挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであっ
て、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、且つそ
の他端に情報入出力用のプローブを備えた探針駆動機構
において、支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層の膜厚が少なくとも5000Åであることを特徴と
する探針駆動機構である。
【0013】本発明第3の態様は、支持体上に第1の絶
縁層を設ける工程、更にその上に第2の絶縁層を設ける
工程、一方の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層
する工程、プローブを形成する工程及び支持体を除去し
てカンチレバーを形成する工程を含むことを特徴とする
探針駆動機構の製造方法である。
縁層を設ける工程、更にその上に第2の絶縁層を設ける
工程、一方の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層
する工程、プローブを形成する工程及び支持体を除去し
てカンチレバーを形成する工程を含むことを特徴とする
探針駆動機構の製造方法である。
【0014】本発明第4の態様は、上記探針駆動機構が
少なくとも2個以上2次元配置されていることを特徴と
するマルチ探針駆動機構である。
少なくとも2個以上2次元配置されていることを特徴と
するマルチ探針駆動機構である。
【0015】本発明第5の態様は、上記探針駆動機構を
電気導電体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するた
めの駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、
電気導電体をプローブとの間に電圧を印加する手段、両
者間に流れるトンネル電流を検出するための手段及び該
トンネル電流の検出に基づき、電気導電体表面の情報を
出力する手段を備えたことを特徴とするトンネル電流検
出装置である。
電気導電体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するた
めの駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、
電気導電体をプローブとの間に電圧を印加する手段、両
者間に流れるトンネル電流を検出するための手段及び該
トンネル電流の検出に基づき、電気導電体表面の情報を
出力する手段を備えたことを特徴とするトンネル電流検
出装置である。
【0016】本発明第6の態様は、上記探針駆動機構を
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印加
するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装置
である。
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印加
するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装置
である。
【0017】本発明第7の態様は、上記探針駆動機構を
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報再生用バイアス電圧を印
加するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装
置である。
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報再生用バイアス電圧を印
加するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装
置である。
【0018】本発明第8の態様は、上記探針駆動機構を
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印加
するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装置
である。
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印加
するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装置
である。
【0019】本発明第9の態様は、圧電体薄膜と、これ
を挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであっ
て、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、支持体
とカンチレバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層を
有し且つ支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶縁
層が、カンチレバーの電極と支持体との間で発生する寄
生容量を低減するに十分な膜厚を有することを特徴とす
る圧電式アクチュエータである。
を挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであっ
て、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、支持体
とカンチレバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層を
有し且つ支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶縁
層が、カンチレバーの電極と支持体との間で発生する寄
生容量を低減するに十分な膜厚を有することを特徴とす
る圧電式アクチュエータである。
【0020】本発明第10の態様は、圧電体薄膜と、こ
れを挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであ
って、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、支持
体とカンチレバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層
を有し且つ支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層の膜厚が少なくとも5000Åであることを特徴と
する圧電式アクチュエータ。
れを挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであ
って、該カンチレバーの一端が支持体に支持され、支持
体とカンチレバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層
を有し且つ支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶
縁層の膜厚が少なくとも5000Åであることを特徴と
する圧電式アクチュエータ。
【0021】本発明第11の態様は、支持体上に第1の
絶縁層を設ける工程、更にその上に第2の絶縁層を設け
る工程、一方の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積
層する工程及び支持体を除去してカンチレバーを形成す
る工程を含むことを特徴とする圧電式アクチュエータの
製造方法。
絶縁層を設ける工程、更にその上に第2の絶縁層を設け
る工程、一方の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積
層する工程及び支持体を除去してカンチレバーを形成す
る工程を含むことを特徴とする圧電式アクチュエータの
製造方法。
【0022】本発明では、カンチレバー部の剛性を低く
し、且つ基板上に絶縁層を厚く設けることにより、寄生
容量を低くし、且つカンチレバーの駆動特性を高めるこ
とを可能にしたものである。
し、且つ基板上に絶縁層を厚く設けることにより、寄生
容量を低くし、且つカンチレバーの駆動特性を高めるこ
とを可能にしたものである。
【0023】この絶縁層の膜厚は、少なくとも5000
Åは必要であり、1μm以上であれば更に好ましい。
Åは必要であり、1μm以上であれば更に好ましい。
【0024】また、上記本発明の探針駆動機構のさらに
好ましい態様としては、支持体に接する絶縁層が、耐異
方性エッチングを有する材料からなる、或いはシリコン
酸化膜を含み、カンチレバーに接する絶縁層がシリコン
ナイトライド膜を含み、支持体の他方の面に接する絶縁
層がシリコン酸化膜を含み、支持体がシリコンからな
る。また、本発明の探針駆動機構の製造方法において
は、支持体は異方性エッチングで除去されることが望ま
しく、記録媒体においては、電気メモリー効果を有す
る、或いは表面が非導電性であることが望ましい。
好ましい態様としては、支持体に接する絶縁層が、耐異
方性エッチングを有する材料からなる、或いはシリコン
酸化膜を含み、カンチレバーに接する絶縁層がシリコン
ナイトライド膜を含み、支持体の他方の面に接する絶縁
層がシリコン酸化膜を含み、支持体がシリコンからな
る。また、本発明の探針駆動機構の製造方法において
は、支持体は異方性エッチングで除去されることが望ま
しく、記録媒体においては、電気メモリー効果を有す
る、或いは表面が非導電性であることが望ましい。
【0025】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明がこれらに限定されるものではない。
本発明がこれらに限定されるものではない。
【0026】実施例1 図1は本発明によるカンチレバーと引出電極部構成の断
面図である。カンチレバーは圧電体層5、7と駆動用電
極層4、6、8とで構成され、カンチレバー自由端には
ティップ9が積載されトンネル電流引出用電極は上電極
8形成時に同時に形成される。図1では中、上電極6、
8が途中で切断されているが、実際にはボンディングパ
ッドまでの長い距離に渡って配線される。
面図である。カンチレバーは圧電体層5、7と駆動用電
極層4、6、8とで構成され、カンチレバー自由端には
ティップ9が積載されトンネル電流引出用電極は上電極
8形成時に同時に形成される。図1では中、上電極6、
8が途中で切断されているが、実際にはボンディングパ
ッドまでの長い距離に渡って配線される。
【0027】次に本発明による構成と効果を図2の製造
工程図に従って説明する。
工程図に従って説明する。
【0028】図2(a)に示す如く(100)Si基板
1に容易に厚膜を得ることができるので熱酸化炉で1μ
m以上のシリコン酸化膜3を成膜し、表面は支持体部1
3のみにシリコン酸化膜が残るように、両面をパターニ
ングする。シリコン酸化膜3のパターニングは図2
(c)の工程で成膜する下電極4として比較的薄い層を
用いた場合にシリコン酸化膜のエッジ部12が急峻にな
ると下電極4のカバーレージが悪くなるのでHF系の水
溶液等の等方的エッチングによることが望ましい。その
後LPCVD装置でSiH2 Cl2 とNH3 ガスの気相
成長によってシリコンナイトライド膜2を1000〜1
500Å成膜し、裏面のみパターニングする。この際シ
リコンナイトライド膜2を成膜するかわりに、再度熱酸
化炉でシリコン酸化膜を成膜しても良い。
1に容易に厚膜を得ることができるので熱酸化炉で1μ
m以上のシリコン酸化膜3を成膜し、表面は支持体部1
3のみにシリコン酸化膜が残るように、両面をパターニ
ングする。シリコン酸化膜3のパターニングは図2
(c)の工程で成膜する下電極4として比較的薄い層を
用いた場合にシリコン酸化膜のエッジ部12が急峻にな
ると下電極4のカバーレージが悪くなるのでHF系の水
溶液等の等方的エッチングによることが望ましい。その
後LPCVD装置でSiH2 Cl2 とNH3 ガスの気相
成長によってシリコンナイトライド膜2を1000〜1
500Å成膜し、裏面のみパターニングする。この際シ
リコンナイトライド膜2を成膜するかわりに、再度熱酸
化炉でシリコン酸化膜を成膜しても良い。
【0029】次に図2(b)に示す如くSiの異方性エ
ッチング例えばKOH水溶液を加熱し、後にカンチレバ
ーとなる領域をエッチングし数10μm厚のシリコンメ
ンブレン10を形成する。更に図2(c)に示す如く、
下電極4を1000Å程度成膜し、圧電体5を成膜し、
同様の操作で中電極6、圧電体層7、上電極8を順に積
層し、ティップ9を形成する。次に表面を10μm以上
コーティングしシリコンメンブレン10及びシリコンナ
イトライド膜2をKOH水溶液等による異方性エッチン
グ或いはCF4 、SF6 等のガスによるプラズマエッチ
ングによって除去し、さらにCF4 、SF6 等のガスに
よるプラズマエッチングによってコーティングを除去す
ることによって図1の様な構成のカンチレバーが得られ
る。
ッチング例えばKOH水溶液を加熱し、後にカンチレバ
ーとなる領域をエッチングし数10μm厚のシリコンメ
ンブレン10を形成する。更に図2(c)に示す如く、
下電極4を1000Å程度成膜し、圧電体5を成膜し、
同様の操作で中電極6、圧電体層7、上電極8を順に積
層し、ティップ9を形成する。次に表面を10μm以上
コーティングしシリコンメンブレン10及びシリコンナ
イトライド膜2をKOH水溶液等による異方性エッチン
グ或いはCF4 、SF6 等のガスによるプラズマエッチ
ングによって除去し、さらにCF4 、SF6 等のガスに
よるプラズマエッチングによってコーティングを除去す
ることによって図1の様な構成のカンチレバーが得られ
る。
【0030】以上の様に形成されたカンチレバーの、本
発明の構成による利点は次の通りである。
発明の構成による利点は次の通りである。
【0031】前述した様に、図6の如き従来型の構成に
よると、図7の等価回路に示される望ましくない寄生容
量c1 、c2 が存在する。ここでcは圧電体の容量、r
1 、r2 は配線抵抗、r3 は基板の抵抗を表す。
よると、図7の等価回路に示される望ましくない寄生容
量c1 、c2 が存在する。ここでcは圧電体の容量、r
1 、r2 は配線抵抗、r3 は基板の抵抗を表す。
【0032】以上の条件で本発明(図1)と従来技術
(図6)のc、c1 、c2 を比較する。 条件 SiO2 3の厚さ(本発明のみ) 1μm Si3 N4 2(従来例では絶縁層11に該当)の厚さ 0.15μm 圧電体5、7の厚さ 0.3μm カンチレバー9の大きさ 300μm×100μm 配線 5μm幅×5mm長 Si3 N4 の誘電率 1.0×10-10 (F/m) SiO2 の誘電率 3.5×10-11 ( 〃 ) ZnOの誘電率 1.1×10-10 ( 〃 ) 以上の比較より明らか様に従来例ではカンチレバー本体
に対し配線からの寄生分がほぼ40%(c’/c)にも
なるのに対し、本発明のc’はその1/10以下と非常
に低い。図4の様なマルチプローブの場合にはプローブ
間での配線長が異なるため、各々のプローブの寄生容量
や基板抵抗が大幅に異なることになりカンチレバーの駆
動に大きなバラツキが生じることになる。しかし、本発
明によれば寄生容量そのものが小さいので配線長のバラ
ツキによる寄生分のバラツキが減少される。即ち、各カ
ンチレバーの特性のバラツキを大幅に抑えることが可能
となるのである。
(図6)のc、c1 、c2 を比較する。 条件 SiO2 3の厚さ(本発明のみ) 1μm Si3 N4 2(従来例では絶縁層11に該当)の厚さ 0.15μm 圧電体5、7の厚さ 0.3μm カンチレバー9の大きさ 300μm×100μm 配線 5μm幅×5mm長 Si3 N4 の誘電率 1.0×10-10 (F/m) SiO2 の誘電率 3.5×10-11 ( 〃 ) ZnOの誘電率 1.1×10-10 ( 〃 ) 以上の比較より明らか様に従来例ではカンチレバー本体
に対し配線からの寄生分がほぼ40%(c’/c)にも
なるのに対し、本発明のc’はその1/10以下と非常
に低い。図4の様なマルチプローブの場合にはプローブ
間での配線長が異なるため、各々のプローブの寄生容量
や基板抵抗が大幅に異なることになりカンチレバーの駆
動に大きなバラツキが生じることになる。しかし、本発
明によれば寄生容量そのものが小さいので配線長のバラ
ツキによる寄生分のバラツキが減少される。即ち、各カ
ンチレバーの特性のバラツキを大幅に抑えることが可能
となるのである。
【0033】実施例2 基本的な構成と効果については実施例1に同じである
が、製法についての他の例を図3を用いて説明する。
が、製法についての他の例を図3を用いて説明する。
【0034】シリコン基板1に対しLPCVD装置を用
いて800℃程度加熱しSiH2 Cl2 とNH3 を反応
させ、シリコンナイトライド膜2を1000〜1500
Å成膜し、シリコンメンブレン10領域形成のため裏面
をパターニングし、エッチングする。次に常圧CVD装
置を用いて400〜450℃程度に加熱しSiH4 とO
2 を反応させシリコン酸化膜3を表面のみに成膜しパタ
ーニング、エッチングし、図3の様な構成を得る。後の
工程は実施例1に同じである。
いて800℃程度加熱しSiH2 Cl2 とNH3 を反応
させ、シリコンナイトライド膜2を1000〜1500
Å成膜し、シリコンメンブレン10領域形成のため裏面
をパターニングし、エッチングする。次に常圧CVD装
置を用いて400〜450℃程度に加熱しSiH4 とO
2 を反応させシリコン酸化膜3を表面のみに成膜しパタ
ーニング、エッチングし、図3の様な構成を得る。後の
工程は実施例1に同じである。
【0035】尚、シリコンメンブレン10を形成する工
程をシリコン酸化膜3を成膜する前に実施しても同様な
結果を得ることができる。
程をシリコン酸化膜3を成膜する前に実施しても同様な
結果を得ることができる。
【0036】実施例3 次に、本発明の他の実施例として、前記探針駆動機構を
用いた情報処理装置の一例である記録再生装置の説明を
行なう。図5は、本実施例の記録再生装置の概略図であ
る。101は、本発明の探針駆動機構102を複数設け
たシリコン基板、105は、シリコン基板をZ方向に駆
動する粗動用圧電素子、103は板状の記録媒体、10
4は探針駆動機構の走査可能領域で決まる記録エリアを
一列に並べたデータ列である。記録媒体103は、不図
示の移動機構により、図中矢印の方向に並進移動され、
記録エリアは列状に記録される。探針駆動機構102と
Z方向粗動用圧電素子105は、不図示のリニアモータ
などの移動機構によりデータ列と直行する方向に移動可
能な様に構成され、任意のデータ列にアクセスし、デー
タの記録再生を行なうことができる。その際、目標とす
るデータ列までのアクセスは、リニアエンコーダーなど
の位置検出装置により行なわれ、その後、探針駆動機構
102の各々の探針は、目標のデータ列の各々の記録エ
リア内を走査する。
用いた情報処理装置の一例である記録再生装置の説明を
行なう。図5は、本実施例の記録再生装置の概略図であ
る。101は、本発明の探針駆動機構102を複数設け
たシリコン基板、105は、シリコン基板をZ方向に駆
動する粗動用圧電素子、103は板状の記録媒体、10
4は探針駆動機構の走査可能領域で決まる記録エリアを
一列に並べたデータ列である。記録媒体103は、不図
示の移動機構により、図中矢印の方向に並進移動され、
記録エリアは列状に記録される。探針駆動機構102と
Z方向粗動用圧電素子105は、不図示のリニアモータ
などの移動機構によりデータ列と直行する方向に移動可
能な様に構成され、任意のデータ列にアクセスし、デー
タの記録再生を行なうことができる。その際、目標とす
るデータ列までのアクセスは、リニアエンコーダーなど
の位置検出装置により行なわれ、その後、探針駆動機構
102の各々の探針は、目標のデータ列の各々の記録エ
リア内を走査する。
【0037】前記記録層103としては、電流−電圧特
性においてメモリ−スイッチング現象(電気メモリー効
果)を有する材料、例えば、特開昭63−161552
号公報に記載されているように、π電子準位をもつ郡と
σ電子準位のみを有する郡を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜或いはその累積膜を用いることが可
能となる。電気メモリー効果は前記の有機単分子膜、そ
の累積膜等の薄膜を一対の電極間に配置させた状態でそ
れぞれ異なる2つ以上の導電率を示す状態(図8ON状
態、OFF状態)へ遷移させることが可能なしきい値を
超えた電圧を印加することにより可逆的に低抵抗状態
(ON状態)及び高抵抗状態(OFF状態)へ遷移(ス
イッチング)させることができる。またそれぞれの状態
は電圧を印加しなくとも保持(メモリー)しておくこと
ができる。
性においてメモリ−スイッチング現象(電気メモリー効
果)を有する材料、例えば、特開昭63−161552
号公報に記載されているように、π電子準位をもつ郡と
σ電子準位のみを有する郡を併有する分子を電極上に積
層した有機単分子膜或いはその累積膜を用いることが可
能となる。電気メモリー効果は前記の有機単分子膜、そ
の累積膜等の薄膜を一対の電極間に配置させた状態でそ
れぞれ異なる2つ以上の導電率を示す状態(図8ON状
態、OFF状態)へ遷移させることが可能なしきい値を
超えた電圧を印加することにより可逆的に低抵抗状態
(ON状態)及び高抵抗状態(OFF状態)へ遷移(ス
イッチング)させることができる。またそれぞれの状態
は電圧を印加しなくとも保持(メモリー)しておくこと
ができる。
【0038】また記録媒体103として、あるしきい値
以上の電圧を印加すると表面が局所的に溶融または蒸発
して、表面形状が凹又は凸に変化する材料、例えば、A
u、Ptなどの金属薄膜を用いても良い。
以上の電圧を印加すると表面が局所的に溶融または蒸発
して、表面形状が凹又は凸に変化する材料、例えば、A
u、Ptなどの金属薄膜を用いても良い。
【0039】次に、記録再生の方法を説明する。
【0040】先ず、記録方法は、Z方向粗動用圧電素子
105と探針駆動機構102が移動機構により記録位置
に移動し、記録媒体103のあるしきい値を超える電圧
を印加することにより行なう。その際、記録媒体103
には、バイアス回路106によりバイアス電圧が加えら
れ、探針は記録媒体103に対してトンネル電流が流れ
る距離に保たれている。その接近は、Z方向粗動用圧電
素子105により、近傍まで近づけ、後は複数有る探針
駆動機構102で各々の探針毎にトンネル領域に引き込
まれる。その引き込みは各探針に対応したトンネル電流
検出回路107により検出されたトンネル電流を各々の
探針駆動機構102のZ方向サーボ回路110を通して
フィードバックすることにより、各探針と記録媒体間を
一定距離に制御している。その時、Z方向サーボ回路1
10にはローパスフィルターが設けられ、そのカットオ
フ周波数はデータ信号には追従せず、記録媒体の面振
れ、表面のうねりに追従できるように選ばれ、探針と記
録媒体の平均距離が一定となる様に制御される。
105と探針駆動機構102が移動機構により記録位置
に移動し、記録媒体103のあるしきい値を超える電圧
を印加することにより行なう。その際、記録媒体103
には、バイアス回路106によりバイアス電圧が加えら
れ、探針は記録媒体103に対してトンネル電流が流れ
る距離に保たれている。その接近は、Z方向粗動用圧電
素子105により、近傍まで近づけ、後は複数有る探針
駆動機構102で各々の探針毎にトンネル領域に引き込
まれる。その引き込みは各探針に対応したトンネル電流
検出回路107により検出されたトンネル電流を各々の
探針駆動機構102のZ方向サーボ回路110を通して
フィードバックすることにより、各探針と記録媒体間を
一定距離に制御している。その時、Z方向サーボ回路1
10にはローパスフィルターが設けられ、そのカットオ
フ周波数はデータ信号には追従せず、記録媒体の面振
れ、表面のうねりに追従できるように選ばれ、探針と記
録媒体の平均距離が一定となる様に制御される。
【0041】記録時には、制御回路112から記録信号
がパルス印加回路108に送られ、各探針にパルス電圧
として印加され、記録が行なわれる。
がパルス印加回路108に送られ、各探針にパルス電圧
として印加され、記録が行なわれる。
【0042】その際、パルス印加により探針と記録媒体
の距離が変化しないようにZ方向サーボ回路110に
は、ホールド回路を設けて、パルス電圧が印加されてい
る探針駆動機構102の駆動電圧を保持する。
の距離が変化しないようにZ方向サーボ回路110に
は、ホールド回路を設けて、パルス電圧が印加されてい
る探針駆動機構102の駆動電圧を保持する。
【0043】そのとき、データ列104の記録エリア内
には記録ビットがマトリクス状に記録される。各々の記
録ビット列には、アドレス情報が挿入されており、再生
時のデータの識別を行なう。
には記録ビットがマトリクス状に記録される。各々の記
録ビット列には、アドレス情報が挿入されており、再生
時のデータの識別を行なう。
【0044】次に再生方法について説明する。
【0045】再生時には探針は、移動機構により所望の
データ列104の記録エリア上に移動し、記録媒体10
3の表面との間のトンネル電流の記録部と非記録部の変
化分を検出し再生を行なう。そのとき探針駆動機構10
2はXY位置制御回路109により制御され、探針が記
録エリアの全域を走査するように駆動される。1つの記
録エリア内の再生信号は、トンネル電流検出回路107
を通し、制御回路112で信号処理して一時的に記憶さ
れ、その中から所望のデータのみが再生出力される。
データ列104の記録エリア上に移動し、記録媒体10
3の表面との間のトンネル電流の記録部と非記録部の変
化分を検出し再生を行なう。そのとき探針駆動機構10
2はXY位置制御回路109により制御され、探針が記
録エリアの全域を走査するように駆動される。1つの記
録エリア内の再生信号は、トンネル電流検出回路107
を通し、制御回路112で信号処理して一時的に記憶さ
れ、その中から所望のデータのみが再生出力される。
【0046】このような記録再生装置において探針駆動
機構を前記実施例の様な構成とすることにより、1つの
探針で走査できる領域が広がり、1つの記録エリアが大
きくなり、全体として記録密度を挙げることができる。
機構を前記実施例の様な構成とすることにより、1つの
探針で走査できる領域が広がり、1つの記録エリアが大
きくなり、全体として記録密度を挙げることができる。
【0047】実施例4 実施例1のカンチレバー型プローブを用いたSTM装置
を作製した。装置のブロック図は図5と同様である。こ
の装置で、サンプルとしてHOPG(高配向熱分解グラ
ファイト)基板のへき開面を、バイアス電流1nA、ス
キャンエリア100Å×100Åで観察したところ、良
好な原子像を得ることができた。
を作製した。装置のブロック図は図5と同様である。こ
の装置で、サンプルとしてHOPG(高配向熱分解グラ
ファイト)基板のへき開面を、バイアス電流1nA、ス
キャンエリア100Å×100Åで観察したところ、良
好な原子像を得ることができた。
【0048】また、スキャンエリア500Å×500Å
で同様にHOPG基板の表面の小さい段差を観察した
後、プローブを基板から離し、再度観察を行なったとこ
ろ再現性良く、同じ場所で段差が観察された。
で同様にHOPG基板の表面の小さい段差を観察した
後、プローブを基板から離し、再度観察を行なったとこ
ろ再現性良く、同じ場所で段差が観察された。
【0049】実施例5 本実施例においては、インクジェットヘッドに応用する
ために圧電式アクチュエータを複数個横に並べて作製し
た。断面の該略図を図9(a)に、その斜視図を図9
(b)にそれぞれ示す。
ために圧電式アクチュエータを複数個横に並べて作製し
た。断面の該略図を図9(a)に、その斜視図を図9
(b)にそれぞれ示す。
【0050】ティップの形成を除き、しかも基板の除去
工程の直前まで、実施例1と同様の操作を行なって圧電
式アクチュエータを作製した。次に、ノズル付き基板2
8に複数のノズル開口部29を形成した。更にスペーサ
27を形成した。スペーサ27には貴金属などの導電体
薄板を用い、各圧電式アクチュエータの上部電極8を短
絡して接続できるようにしたと同時に、引出電極の役割
を兼ねるようにした。また、各圧電式アクチュエータの
下部電極には、不図示の引出電極より個別に印加できる
ようにした。
工程の直前まで、実施例1と同様の操作を行なって圧電
式アクチュエータを作製した。次に、ノズル付き基板2
8に複数のノズル開口部29を形成した。更にスペーサ
27を形成した。スペーサ27には貴金属などの導電体
薄板を用い、各圧電式アクチュエータの上部電極8を短
絡して接続できるようにしたと同時に、引出電極の役割
を兼ねるようにした。また、各圧電式アクチュエータの
下部電極には、不図示の引出電極より個別に印加できる
ようにした。
【0051】続いて位置合わせの後、圧電式アクチュエ
ータを形成した基板1とノズル付き基板28を貼り合わ
せた。最後に実施例1に示す様に、水酸化カリウム水溶
液を用いて基板の異方性エッチングにより圧電式アクチ
ュエータの片端部を除いて圧電式アクチュエータ下部の
基板を除去して作製した。
ータを形成した基板1とノズル付き基板28を貼り合わ
せた。最後に実施例1に示す様に、水酸化カリウム水溶
液を用いて基板の異方性エッチングにより圧電式アクチ
ュエータの片端部を除いて圧電式アクチュエータ下部の
基板を除去して作製した。
【0052】このようにして作製したインクジェットヘ
ッドにおいては、下部電極4に印加した電圧による圧電
式アクチュエータの自由端部の図中上下方向への変位に
より、ノズル開口部29付近のインクの圧力が高まり、
ノズル開口部29よりインクを吐出させることができ
る。このような電圧印加を、複数の圧電式アクチュエー
タそれぞれに対して選択的、断続的に行なうことで、電
圧印加に対して応答性の良好な任意の印字を行なうこと
ができる。
ッドにおいては、下部電極4に印加した電圧による圧電
式アクチュエータの自由端部の図中上下方向への変位に
より、ノズル開口部29付近のインクの圧力が高まり、
ノズル開口部29よりインクを吐出させることができ
る。このような電圧印加を、複数の圧電式アクチュエー
タそれぞれに対して選択的、断続的に行なうことで、電
圧印加に対して応答性の良好な任意の印字を行なうこと
ができる。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、基板と電極間の絶縁層
を配線下のみに残しその後に電極層、圧電層を積層する
のでカンチレバー部のシリコンメンブレンのエッチング
後の絶縁層のエッチングの際にシリコンのサイドエッチ
ングの問題が発生しない。そのため、配線下の絶縁層を
厚くすることが可能となるので配線間の寄生容量を低く
することができる。その結果、各プローブ間の寄生容量
のバラツキを抑えることができ、しかも寄生容量そのも
のを小さくできるのでプローブ駆動の制御性が大きく向
上することになる。
を配線下のみに残しその後に電極層、圧電層を積層する
のでカンチレバー部のシリコンメンブレンのエッチング
後の絶縁層のエッチングの際にシリコンのサイドエッチ
ングの問題が発生しない。そのため、配線下の絶縁層を
厚くすることが可能となるので配線間の寄生容量を低く
することができる。その結果、各プローブ間の寄生容量
のバラツキを抑えることができ、しかも寄生容量そのも
のを小さくできるのでプローブ駆動の制御性が大きく向
上することになる。
【図1】本発明による探針駆動機構の断面図である。
【図2】図1に示した探針駆動機構の製造工程図であ
る。
る。
【図3】別の態様の製造工程を示す図である。
【図4】マルチプローブの概略図である。
【図5】本発明の情報処理装置の概略図である。
【図6】従来例を示す概略図である。
【図7】従来例の電極間の等価回路図である。
【図8】本発明の情報処理装置に用いる記録層の電気メ
モリー効果を示す図である。
モリー効果を示す図である。
【図9】本発明の圧電式アクチュエータを応用した例を
示す図である。
示す図である。
1 シリコン基板 2 シリコンナイトライド膜 3 シリコン酸化膜 4 下電極 5 圧電体層 6 中電極 7 圧電体層 8 上電極 9 ティップ 10 シリコンメンブレン 11 絶縁層 12 エッジ部 13 支持体部 27 スペーサ 28 ノズル付き基板 29 ノズル開口部 101 シリコン基板 102 探針駆動機構 103 記録媒体 104 データ列 105 粗動用圧電素子 106 バイアス回路 107 トンネル電流検出回路 108 パルス印加回路 109 XY位置制御回路 110 Z方向サーボ回路 111 Z方向粗動回路 112 制御回路
フロントページの続き (72)発明者 山本 敬介 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 笠貫 有二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鈴木 義勇 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 平井 裕 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (36)
- 【請求項1】 圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有
するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバー
の一端が支持体に支持され、且つその他端に情報入出力
用のプローブを備えた探針駆動機構において、支持体と
カンチレバーとの間及び支持体の他方の面に絶縁層を有
し且つ支持体とカンチレバーとの間に設けられた絶縁層
が、カンチレバーの電極と支持体との間で発生する寄生
容量を低減するに十分な膜厚を有することを特徴とする
探針駆動機構。 - 【請求項2】 圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有
するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバー
の一端が支持体に支持され、且つその他端に情報入出力
用のプローブを備えた探針駆動機構において、支持体と
カンチレバーとの間に設けられた絶縁層の膜厚が少なく
とも5000Åであることを特徴とする探針駆動機構。 - 【請求項3】 支持体とカンチレバーとの間に、2層の
絶縁層を有し、支持体に接する絶縁層の膜厚が少なくと
も5000Åであることを特徴とする請求項1又は2記
載の探針駆動機構。 - 【請求項4】 支持体に接する絶縁層が、耐異方性エッ
チングを有する材料からなることを特徴とする請求項3
記載の探針駆動機構。 - 【請求項5】 支持体に接する絶縁層が、シリコン酸化
膜を含むことを特徴とする請求項3記載の探針駆動機
構。 - 【請求項6】 カンチレバーに接する絶縁層が、シリコ
ンナイトライド膜を含むことを特徴とする請求項3記載
の探針駆動機構。 - 【請求項7】 支持体の他方の面に接する絶縁層が、シ
リコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項1又は2記
載の探針駆動機構。 - 【請求項8】 支持体が、シリコンからなることを特徴
とする請求項1又は2記載の探針駆動機構。 - 【請求項9】 支持体上に第1の絶縁層を設ける工程、
更にその上に第2の絶縁層を設ける工程、一方の絶縁層
上に電極層と圧電体薄膜を順次積層する工程、プローブ
を形成する工程及び支持体を除去してカンチレバーを形
成する工程を含むことを特徴とする探針駆動機構の製造
方法。 - 【請求項10】 第1の絶縁層の厚さが、少なくとも5
000Åであることを特徴とする請求項9記載の探針駆
動機構の製造方法。 - 【請求項11】 支持体が、シリコンを含むことを特徴
とする請求項9記載の探針駆動機構の製造方法。 - 【請求項12】 第1の絶縁層が、シリコン酸化膜を含
むことを特徴とする請求項9記載の探針駆動機構の製造
方法。 - 【請求項13】 第2の絶縁層が、シリコンナイトライ
ド膜を含むことを特徴とする請求項9記載の探針駆動機
構の製造方法。 - 【請求項14】 支持体を異方性エッチングで除去する
ことを特徴とする請求項9記載の探針駆動機構の製造方
法。 - 【請求項15】 請求項1又は2に記載の探針駆動機構
が少なくとも2個以上2次元配置されていることを特徴
とするマルチ探針駆動機構。 - 【請求項16】 請求項1又は2に記載の探針駆動機構
を電気導電体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動する
ための駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設
け、電気導電体とプローブとの間に電圧を印加する手
段、両者間に流れるトンネル電流を検出するための手段
及び該トンネル電流の検出に基づき、電気導電体表面の
情報を出力する手段を備えたことを特徴とするトンネル
電流検出装置。 - 【請求項17】 該トンネル電流検出装置が走査型トン
ネル顕微鏡であることを特徴とする請求項16記載のト
ンネル電流検出装置。 - 【請求項18】 請求項1又は2に記載の探針駆動機構
を記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するた
めの駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、
記録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印
加するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装
置。 - 【請求項19】 請求項1又は2に記載の探針駆動機構
を記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するた
めの駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、
記録媒体とプローブとの間に情報再生用バイアス電圧を
印加するための手段を備えたことを特徴とする情報処理
装置。 - 【請求項20】 請求項1又は2記載の探針駆動機構を
記録媒体に対向配置し、該探針駆動機構を駆動するため
の駆動手段と該駆動手段を制御する制御手段を設け、記
録媒体とプローブとの間に情報記録用パルス電圧を印加
するための手段を備えたことを特徴とする情報処理装
置。 - 【請求項21】 記録媒体が、電気メモリー効果を有す
ることを特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載
の情報処理装置。 - 【請求項22】 記録媒体の表面が非導電性であること
を特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載の情報
処理装置。 - 【請求項23】 圧電体薄膜と、これを挟持する電極を
有するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバ
ーの一端が支持体に支持され、支持体とカンチレバーと
の間及び支持体の他方の面に絶縁層を有し且つ支持体と
カンチレバーとの間に設けられた絶縁層が、カンチレバ
ーの電極と支持体との間で発生する寄生容量を低減する
に十分な膜厚を有することを特徴とする圧電式アクチュ
エータ。 - 【請求項24】 圧電体薄膜と、これを挟持する電極を
有するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバ
ーの一端が支持体に支持され、支持体とカンチレバーと
の間及び支持体の他方の面に絶縁層を有し且つ支持体と
カンチレバーとの間に設けられた絶縁層の膜厚が少なく
とも5000Åであることを特徴とする圧電式アクチュ
エータ。 - 【請求項25】 支持体とカンチレバーとの間に、2層
の絶縁層を有し、支持体に接する絶縁層の膜厚が少なく
とも5000Åであることを特徴とする請求項23又は
24記載の圧電式アクチュエータ。 - 【請求項26】 支持体に接する絶縁層が、耐異方性エ
ッチングを有する材料からなることを特徴とする請求項
23又は24記載の圧電式アクチュエータ。 - 【請求項27】 支持体に接する絶縁層が、シリコン酸
化膜を含むことを特徴とする請求項23又は24記載の
圧電式アクチュエータ。 - 【請求項28】 カンチレバーに接する絶縁層が、シリ
コンナイトライド膜を含むことを特徴とする請求項25
記載の圧電式アクチュエータ。 - 【請求項29】 支持体の他方の面に接する絶縁層が、
シリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項23又は
24記載の圧電式アクチュエータ。 - 【請求項30】 支持体が、シリコンからなることを特
徴とする請求項23又は24記載の圧電式アクチュエー
タ。 - 【請求項31】 支持体上に第1の絶縁層を設ける工
程、更にその上に第2の絶縁層を設ける工程、一方の絶
縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層する工程及び支
持体を除去してカンチレバーを形成する工程を含むこと
を特徴とする圧電式アクチュエータの製造方法。 - 【請求項32】 第1の絶縁層の厚さが、少なくとも5
000Åであることを特徴とする請求項31記載の圧電
式アクチュエータの製造方法。 - 【請求項33】 支持体が、シリコンを含むことを特徴
とする請求項31記載の圧電式アクチュエータの製造方
法。 - 【請求項34】 第1の絶縁層が、シリコン酸化膜を含
むことを特徴とする請求項31記載の圧電式アクチュエ
ータの製造方法。 - 【請求項35】 第2の絶縁層が、シリコンナイトライ
ド膜を含むことを特徴とする請求項31記載の圧電式ア
クチュエータの製造方法。 - 【請求項36】 支持体と異方性エッチングで除去する
ことを特徴とする請求項31記載の圧電式アクチュエー
タの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15125792A JP3148946B2 (ja) | 1991-05-30 | 1992-05-20 | 探針駆動機構並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ |
CA002069708A CA2069708C (en) | 1991-05-30 | 1992-05-27 | Probe-driving mechanism, production thereof, and apparatus and piezoelectric actuator employing the same |
DE69217120T DE69217120T2 (de) | 1991-05-30 | 1992-05-28 | Antriebsvorrichtung eines Wandlers, seine Herstellung und Apparatur und Antrieb mit solcher Vorrichtung |
EP92304846A EP0516418B1 (en) | 1991-05-30 | 1992-05-28 | Probe-driving mechanism, production thereof, and apparatus and piezoelectric actuator employing the same |
AT92304846T ATE148582T1 (de) | 1991-05-30 | 1992-05-28 | Antriebsvorrichtung eines wandlers, seine herstellung und apparatur und antrieb mit solcher vorrichtung |
US08/646,551 US5966787A (en) | 1991-05-30 | 1996-05-08 | Process for producing a probe-driving mechanism |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15377591 | 1991-05-30 | ||
JP3-153775 | 1991-05-30 | ||
JP15125792A JP3148946B2 (ja) | 1991-05-30 | 1992-05-20 | 探針駆動機構並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000314763A Division JP3305304B2 (ja) | 1991-05-30 | 2000-10-16 | 探針駆動機構並びに該機構を用いた圧電式アクチュエータの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05187867A true JPH05187867A (ja) | 1993-07-27 |
JP3148946B2 JP3148946B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=26480559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15125792A Expired - Fee Related JP3148946B2 (ja) | 1991-05-30 | 1992-05-20 | 探針駆動機構並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5966787A (ja) |
EP (1) | EP0516418B1 (ja) |
JP (1) | JP3148946B2 (ja) |
AT (1) | ATE148582T1 (ja) |
CA (1) | CA2069708C (ja) |
DE (1) | DE69217120T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100595523B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 캔틸레버 전사를 이용한 나노 정보 저장장치 및 그 제조방법 |
US8217555B2 (en) | 2010-08-23 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Actuator and method for driving actuator |
CN112198412A (zh) * | 2019-06-21 | 2021-01-08 | 成都辰显光电有限公司 | 一种测试结构及测试结构的制备方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100203577B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1999-06-15 | 배순훈 | 광로조절장치와 그 제조방법 |
US5796152A (en) * | 1997-01-24 | 1998-08-18 | Roxburgh Ltd. | Cantilevered microstructure |
US7104134B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-09-12 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectric cantilever pressure sensor |
US7497133B2 (en) * | 2004-05-24 | 2009-03-03 | Drexel University | All electric piezoelectric finger sensor (PEFS) for soft material stiffness measurement |
US7447140B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-11-04 | Seagate Technology Llc | Ferroelectric probe storage apparatus |
KR101061846B1 (ko) * | 2004-08-19 | 2011-09-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 구동 장치 |
JP4670495B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2011-04-13 | Tdk株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2007335399A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Canon Inc | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
US8481335B2 (en) * | 2006-11-27 | 2013-07-09 | Drexel University | Specificity and sensitivity enhancement in cantilever sensing |
EP2100125A4 (en) | 2006-11-28 | 2012-02-15 | Univ Drexel | PIEZOELECTRIC MICROCANTILEVER SENSORS FOR BIOSENSORS |
US7992431B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-08-09 | Drexel University | Piezoelectric microcantilevers and uses in atomic force microscopy |
JP2010518380A (ja) * | 2007-02-01 | 2010-05-27 | ドレクセル・ユニバーシティー | センサー用途向けハンドヘルド型位相シフト検出器 |
US7732991B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-06-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Self-poling piezoelectric MEMs device |
WO2009079154A2 (en) | 2007-11-23 | 2009-06-25 | Drexel University | Lead-free piezoelectric ceramic films and a method for making thereof |
WO2009126378A2 (en) | 2008-03-11 | 2009-10-15 | Drexel University | Enhanced detection sensitivity with piezoelectric microcantilever sensors |
EP2104111A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-23 | Nanoworld AG | SPM-Sonde mit verkürztem Federbalken |
CN102066928B (zh) * | 2008-05-16 | 2015-08-05 | 德瑞索大学 | 评估组织的系统和方法 |
GB2467777B (en) * | 2009-02-13 | 2011-01-12 | Wolfson Microelectronics Plc | MEMS device and process |
CN101580223B (zh) * | 2009-06-18 | 2011-04-27 | 大连理工大学 | 一种压电微悬臂梁探针的制作方法 |
US8722427B2 (en) * | 2009-10-08 | 2014-05-13 | Drexel University | Determination of dissociation constants using piezoelectric microcantilevers |
US20110086368A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Drexel University | Method for immune response detection |
CN102859734B (zh) * | 2010-04-23 | 2014-12-10 | 株式会社村田制作所 | 压电致动器以及压电致动器的制造方法 |
EP2502876B1 (de) * | 2011-03-24 | 2014-11-19 | NanoWorld AG | Mikromechanisches Bauelement mit Federbalken und integriertem elektrischen Funktionselement |
TWI509259B (zh) * | 2014-03-18 | 2015-11-21 | Nat Applied Res Laboratories | 傳導式電流探頭 |
US9761787B2 (en) * | 2015-06-02 | 2017-09-12 | The Board Of Trustees Of The University Of Alabama | Consensus-based multi-piezoelectric microcantilever sensor |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189307A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
DE3572030D1 (en) * | 1985-03-07 | 1989-09-07 | Ibm | Scanning tunneling microscope |
US4702418A (en) * | 1985-09-09 | 1987-10-27 | Piezo Electric Products, Inc. | Aerosol dispenser |
US4766671A (en) * | 1985-10-29 | 1988-08-30 | Nec Corporation | Method of manufacturing ceramic electronic device |
US4751774A (en) * | 1986-08-29 | 1988-06-21 | Dataproducts Corporation | Method of fabricating an ink jet apparatus |
JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
US4783821A (en) * | 1987-11-25 | 1988-11-08 | The Regents Of The University Of California | IC processed piezoelectric microphone |
US4906840A (en) * | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
US5049775A (en) * | 1988-09-30 | 1991-09-17 | Boston University | Integrated micromechanical piezoelectric motor |
US5034645A (en) * | 1989-01-13 | 1991-07-23 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
JP2891510B2 (ja) * | 1990-05-09 | 1999-05-17 | 日本電子株式会社 | 圧電素子駆動体 |
US5160870A (en) * | 1990-06-25 | 1992-11-03 | Carson Paul L | Ultrasonic image sensing array and method |
US5162691A (en) * | 1991-01-22 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Cantilevered air-gap type thin film piezoelectric resonator |
US5173605A (en) * | 1991-05-02 | 1992-12-22 | Wyko Corporation | Compact temperature-compensated tube-type scanning probe with large scan range and independent x, y, and z control |
EP0596522A1 (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-11 | AVANCE TECHNOLOGY, Inc. | High frequency crystal resonator |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP15125792A patent/JP3148946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-27 CA CA002069708A patent/CA2069708C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-28 DE DE69217120T patent/DE69217120T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-28 AT AT92304846T patent/ATE148582T1/de active
- 1992-05-28 EP EP92304846A patent/EP0516418B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-08 US US08/646,551 patent/US5966787A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100595523B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 캔틸레버 전사를 이용한 나노 정보 저장장치 및 그 제조방법 |
US8217555B2 (en) | 2010-08-23 | 2012-07-10 | Panasonic Corporation | Actuator and method for driving actuator |
CN112198412A (zh) * | 2019-06-21 | 2021-01-08 | 成都辰显光电有限公司 | 一种测试结构及测试结构的制备方法 |
CN112198412B (zh) * | 2019-06-21 | 2023-02-28 | 成都辰显光电有限公司 | 一种测试结构及测试结构的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2069708C (en) | 1997-10-14 |
DE69217120D1 (de) | 1997-03-13 |
EP0516418B1 (en) | 1997-01-29 |
ATE148582T1 (de) | 1997-02-15 |
EP0516418A1 (en) | 1992-12-02 |
CA2069708A1 (en) | 1992-12-01 |
US5966787A (en) | 1999-10-19 |
DE69217120T2 (de) | 1997-06-12 |
JP3148946B2 (ja) | 2001-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05187867A (ja) | 探針駆動機構、その製造方法、並びに該機構を用いたトンネル電流検出装置、情報処理装置、圧電式アクチュエータ及びその製造方法 | |
JP3261544B2 (ja) | カンチレバー駆動機構の製造方法、プローブ駆動機構の製造方法、カンチレバー駆動機構、プローブ駆動機構、及びこれを用いたマルチプローブ駆動機構、走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 | |
JP3450349B2 (ja) | カンチレバー型プローブ | |
US7260051B1 (en) | Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit | |
US5546375A (en) | Method of manufacturing a tip for scanning tunneling microscope using peeling layer | |
JP3060137B2 (ja) | カンチレバー型プローブの作製方法 | |
JP3402661B2 (ja) | カンチレバー型プローブ、及びこれを用いた情報処理装置 | |
JP3192887B2 (ja) | プローブ、該プローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、および前記プローブを用いた記録再生装置 | |
JPH0518741A (ja) | 微小変位型情報検知探針素子及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、情報処理装置 | |
JPH05250734A (ja) | 情報処理装置 | |
JPH0721968A (ja) | カンチレバー型変位素子、及びこれを用いたカンチレバー型プローブ、及びこれを用いた走査型探針顕微鏡並びに情報処理装置 | |
JP3305304B2 (ja) | 探針駆動機構並びに該機構を用いた圧電式アクチュエータの製造方法 | |
JP2000067478A (ja) | 情報再生用プローブとその作製方法、及び該再生用プローブを用いた情報再生装置 | |
JP3062967B2 (ja) | カンチレバー型アクチュエータ及びそれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 | |
JP3226424B2 (ja) | 走査型プローブ顕微鏡ならびに該顕微鏡を用いた加工装置および情報処理装置 | |
JPH06131711A (ja) | プローブユニットの製造方法、及びプローブユニット、及びそのプローブユニットを用いた情報処理装置 | |
JP3234722B2 (ja) | 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 | |
JP3015974B2 (ja) | マルチプローブユニット、情報処理装置、走査型トンネル顕微鏡、カンチレバー型プローブ | |
JP3044425B2 (ja) | 薄膜変位素子及びそれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 | |
JPH06317404A (ja) | カンチレバー型アクチュエータ及びそれを用いた走査型探針顕微鏡並びに情報処理装置 | |
JP3118654B2 (ja) | 情報処理装置及び走査型トンネル電子顕微鏡 | |
JPH06258017A (ja) | 微小変位素子及びそれを用いたマルチ微小変位素子、トンネル電流検出装置、情報処理装置 | |
JPH04206536A (ja) | 探針駆動機構、該機構を備えたトンネル電流検出装置及び記録再生装置 | |
JPH06273160A (ja) | カンチレバー型アクチュエータ、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡並びに情報処理装置 | |
JPH0566107A (ja) | プローブユニツト及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001128 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |