JPH05186233A - 酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置 - Google Patents
酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH05186233A JPH05186233A JP392492A JP392492A JPH05186233A JP H05186233 A JPH05186233 A JP H05186233A JP 392492 A JP392492 A JP 392492A JP 392492 A JP392492 A JP 392492A JP H05186233 A JPH05186233 A JP H05186233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- oxide glass
- glass fine
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
- C03B19/1423—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所望の厚さの酸化物ガラス薄膜を製造しうる
方法及び装置。 【構成】 トーチ１３に燃料および原料ガスを供給する
ことにより、ガラス微粒子を回転するターンテーブル１
２上の基板１１表面に堆積する。この場合、光源２３か
ら基板１１ａに検査光を照射するとともに、ディテクタ
２５及び計器２６の出力に基づいて基板１１ａを透過し
た光の減光を測定しているので、基板１１ａ上に形成さ
れたガラス微粒子層の厚みを正確に測定できる。すなわ
ち、ガラス微粒子層の成長にともなって増大する散乱の
度合いはガラス微粒子層の膜厚に比例するので、ディテ
クタ２５で検出される減光をモニタすることによって、
形成されているガラス微粒子層の厚みを正確に決定する
ことができる。したがって、各透明石英基板１１上に堆
積される酸化物ガラス微粒子層を、一定の厚みにするこ
とができる。
方法及び装置。 【構成】 トーチ１３に燃料および原料ガスを供給する
ことにより、ガラス微粒子を回転するターンテーブル１
２上の基板１１表面に堆積する。この場合、光源２３か
ら基板１１ａに検査光を照射するとともに、ディテクタ
２５及び計器２６の出力に基づいて基板１１ａを透過し
た光の減光を測定しているので、基板１１ａ上に形成さ
れたガラス微粒子層の厚みを正確に測定できる。すなわ
ち、ガラス微粒子層の成長にともなって増大する散乱の
度合いはガラス微粒子層の膜厚に比例するので、ディテ
クタ２５で検出される減光をモニタすることによって、
形成されているガラス微粒子層の厚みを正確に決定する
ことができる。したがって、各透明石英基板１１上に堆
積される酸化物ガラス微粒子層を、一定の厚みにするこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路等を形成する
ために用いる酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置に関
する。
ために用いる酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の酸化物ガラス薄膜の製造
方法を実施するための装置を示す。反応容器６内のター
ンテーブル２上には複数の基板１が載置される。これら
の基板１には、トーチ３からの火炎流にともなってガラ
ス微粒子が堆積される。基板１に堆積されなかったガラ
ス微粒子や排気ガスは排気管４に吸引される。この場
合、基板１上にガラス微粒子を一様に堆積するため、基
板１を載置したターンテーブル２は、反応容器６に対し
て回転される。また、トーチ３もターンテーブル２の動
径方向に所定範囲で往復移動される。ターンテーブル２
には下部ヒータ５が設けられていて、ターンテーブル２
上の基板１を一様に加熱する。なお、従来例の具体的内
容については、特開昭５８−１０５１１１号公報等に詳
しく記載されている。
方法を実施するための装置を示す。反応容器６内のター
ンテーブル２上には複数の基板１が載置される。これら
の基板１には、トーチ３からの火炎流にともなってガラ
ス微粒子が堆積される。基板１に堆積されなかったガラ
ス微粒子や排気ガスは排気管４に吸引される。この場
合、基板１上にガラス微粒子を一様に堆積するため、基
板１を載置したターンテーブル２は、反応容器６に対し
て回転される。また、トーチ３もターンテーブル２の動
径方向に所定範囲で往復移動される。ターンテーブル２
には下部ヒータ５が設けられていて、ターンテーブル２
上の基板１を一様に加熱する。なお、従来例の具体的内
容については、特開昭５８−１０５１１１号公報等に詳
しく記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来装置
の場合、ガラス微粒子層の形成中におけるその厚みの決
定は、トーチ３への原料・燃料の供給量、トーチ３の移
動速度、ターンテーブル２の回転数等の各種条件の調節
によって経験的に行われていたので、最終的に得られる
酸化物ガラス薄膜の厚みを十分に制御することが出来な
かった。
の場合、ガラス微粒子層の形成中におけるその厚みの決
定は、トーチ３への原料・燃料の供給量、トーチ３の移
動速度、ターンテーブル２の回転数等の各種条件の調節
によって経験的に行われていたので、最終的に得られる
酸化物ガラス薄膜の厚みを十分に制御することが出来な
かった。
【０００４】そこで、本発明は、ガラス微粒子層の形成
中におけるその厚みの測定精度を高めることによって、
所望の厚さを有する酸化物ガラス薄膜を製造しうる方法
及びその装置を提供することを目的とする。
中におけるその厚みの測定精度を高めることによって、
所望の厚さを有する酸化物ガラス薄膜を製造しうる方法
及びその装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製造方法では、火
炎堆積法等を用いて酸化物ガラス微粒子を基板（例えば
透明石英基板）上に堆積して多孔質状の薄膜を形成した
後、基板を高温で加熱して多孔質状の薄膜を透明化す
る。さらに、かかる製造方法においては、多孔質状の薄
膜の形成の際に、基板を透過可能な検査光を基板に対し
て照射し、基板を透過した検査光の強度を測定し、さら
に、測定された検査光の強度に応じて基板上に形成され
た多孔質状の薄膜の厚さを制御することとしている。
め、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製造方法では、火
炎堆積法等を用いて酸化物ガラス微粒子を基板（例えば
透明石英基板）上に堆積して多孔質状の薄膜を形成した
後、基板を高温で加熱して多孔質状の薄膜を透明化す
る。さらに、かかる製造方法においては、多孔質状の薄
膜の形成の際に、基板を透過可能な検査光を基板に対し
て照射し、基板を透過した検査光の強度を測定し、さら
に、測定された検査光の強度に応じて基板上に形成され
た多孔質状の薄膜の厚さを制御することとしている。
【０００６】また、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製
造装置は、（ａ）火炎堆積法等を用いて酸化物ガラス微
粒子を基板（例えば透明石英基板）上に堆積して多孔質
状の薄膜を形成する堆積手段と、（ｂ）多孔質状の薄膜
の形成の際に、基板を透過可能な検査光を基板に対して
照射するＨｅ−Ｎｅレーザ等の光源と、（ｃ）基板を透
過した検査光の強度を測定する光強度検出手段とを備え
ることとしている。
造装置は、（ａ）火炎堆積法等を用いて酸化物ガラス微
粒子を基板（例えば透明石英基板）上に堆積して多孔質
状の薄膜を形成する堆積手段と、（ｂ）多孔質状の薄膜
の形成の際に、基板を透過可能な検査光を基板に対して
照射するＨｅ−Ｎｅレーザ等の光源と、（ｃ）基板を透
過した検査光の強度を測定する光強度検出手段とを備え
ることとしている。
【０００７】
【作用】上記酸化物ガラス薄膜の製造方法によれば、多
孔質状の薄膜の形成の際に、検査光を基板に対して照射
するとともに、この基板を透過した検査光の強度を測定
して形成中の多孔質状の薄膜の厚さを制御することとし
ている。このため、ガラス多孔質状の薄膜の形成中にお
けるその厚みの測定精度を高めることができ、所望の厚
さを有する酸化物ガラス薄膜を提供することができる。
孔質状の薄膜の形成の際に、検査光を基板に対して照射
するとともに、この基板を透過した検査光の強度を測定
して形成中の多孔質状の薄膜の厚さを制御することとし
ている。このため、ガラス多孔質状の薄膜の形成中にお
けるその厚みの測定精度を高めることができ、所望の厚
さを有する酸化物ガラス薄膜を提供することができる。
【０００８】また、上記酸化物ガラス薄膜の製造装置に
よれば、多孔質状の薄膜の形成の際に、光源が検査光を
基板に対して照射するとともに、光強度検出手段がこの
基板を透過した検査光の強度を測定することとしてい
る。このため、光強度検出手段の出力に応じて形成中の
多孔質状の薄膜の厚さを精度よく測定することができ、
さらには、所望の厚さを有する酸化物ガラス薄膜を提供
することができる。
よれば、多孔質状の薄膜の形成の際に、光源が検査光を
基板に対して照射するとともに、光強度検出手段がこの
基板を透過した検査光の強度を測定することとしてい
る。このため、光強度検出手段の出力に応じて形成中の
多孔質状の薄膜の厚さを精度よく測定することができ、
さらには、所望の厚さを有する酸化物ガラス薄膜を提供
することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００１０】図１は、実施例に係る酸化物ガラス薄膜の
製造装置の構成を示した図である。トーチ１３には燃料
および原料ガスが供給される。このトーチ１３からは、
燃料ガスによって生じた酸水素炎と、これによって原料
ガスから合成された酸化物ガラス微粒子とが、ターンテ
ーブル１２上に配置された各透明石英基板１１上に供給
される。これにより、各透明石英基板１１上に酸化物ガ
ラス微粒子層が形成される。
製造装置の構成を示した図である。トーチ１３には燃料
および原料ガスが供給される。このトーチ１３からは、
燃料ガスによって生じた酸水素炎と、これによって原料
ガスから合成された酸化物ガラス微粒子とが、ターンテ
ーブル１２上に配置された各透明石英基板１１上に供給
される。これにより、各透明石英基板１１上に酸化物ガ
ラス微粒子層が形成される。
【００１１】各透明石英基板１１上にガラス微粒子を均
一に供給し堆積させるため、透明石英基板１を支持する
ターンテーブル１２は水平面内で回転する。また、トー
チ１３もターンテーブル１２の回転の半径方向に往復移
動する。この結果、トーチ１３はターンテーブル１２に
対して２次元的に走査されることとなる。さらに、各透
明石英基板１１の温度を一定に保つため、ターンテーブ
ル１２の底面には不図示の下部ヒータが固設されてい
る。
一に供給し堆積させるため、透明石英基板１を支持する
ターンテーブル１２は水平面内で回転する。また、トー
チ１３もターンテーブル１２の回転の半径方向に往復移
動する。この結果、トーチ１３はターンテーブル１２に
対して２次元的に走査されることとなる。さらに、各透
明石英基板１１の温度を一定に保つため、ターンテーブ
ル１２の底面には不図示の下部ヒータが固設されてい
る。
【００１２】なお、外気の流入を防止し、雰囲気温度を
一定に保つための反応容器ついては、従来のものとほぼ
同様の構成を有するので図中から省略している。また、
堆積されなかったガラス微粒子や排気ガスを反応容器内
から吸引するとともに、排気処理装置にて処理する排気
系ついても、従来のものとほぼ同様の構成を有するので
図中から省略している。
一定に保つための反応容器ついては、従来のものとほぼ
同様の構成を有するので図中から省略している。また、
堆積されなかったガラス微粒子や排気ガスを反応容器内
から吸引するとともに、排気処理装置にて処理する排気
系ついても、従来のものとほぼ同様の構成を有するので
図中から省略している。
【００１３】反応容器を覆うマッフル炉の外側に設けら
れたＨｅ−Ｎｅレーザ２３からは、一定強度の検査光
が、ターンテーブル１２上に配置された透明石英基板１
１内の一つである比較試料１１ａに照射される。このＨ
ｅ−Ｎｅレーザ２３は、制御装置２４によってその出力
等をコントロールされる。また、Ｈｅ−Ｎｅレーザ２３
が発生する検査光の波長は６３２ｎｍである。
れたＨｅ−Ｎｅレーザ２３からは、一定強度の検査光
が、ターンテーブル１２上に配置された透明石英基板１
１内の一つである比較試料１１ａに照射される。このＨ
ｅ−Ｎｅレーザ２３は、制御装置２４によってその出力
等をコントロールされる。また、Ｈｅ−Ｎｅレーザ２３
が発生する検査光の波長は６３２ｎｍである。
【００１４】図２は、ターンテーブル１２、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザ２３等の位置関係を示した拡大図である。図に示
すように、ターンテーブル１２は比較試料１１ａの下方
に開孔を有するので、この比較試料１１ａとその上に堆
積された酸化物ガラス微粒子層とを透過した検査光は、
ターンテーブル１２下方のマッフル炉外に設けられたデ
ィテクタ２５で検出される。ディテクタ２５で電気信号
に変換された強度信号は、計器２６にて増幅されるとと
もに、厚さを示す信号として表示される。
レーザ２３等の位置関係を示した拡大図である。図に示
すように、ターンテーブル１２は比較試料１１ａの下方
に開孔を有するので、この比較試料１１ａとその上に堆
積された酸化物ガラス微粒子層とを透過した検査光は、
ターンテーブル１２下方のマッフル炉外に設けられたデ
ィテクタ２５で検出される。ディテクタ２５で電気信号
に変換された強度信号は、計器２６にて増幅されるとと
もに、厚さを示す信号として表示される。
【００１５】以下、図１の製造装置の動作について簡単
に説明する。トーチ１３に燃料および原料ガスを供給す
ることにより、酸化物ガラス微粒子を各透明石英基板１
１上に堆積する。これと同時に、ターンテーブル１２を
回転させ、かつ、トーチ１３を往復移動させているの
で、トーチ１３からの酸化物ガラス微粒子は各透明石英
基板１１上に一様に供給される。
に説明する。トーチ１３に燃料および原料ガスを供給す
ることにより、酸化物ガラス微粒子を各透明石英基板１
１上に堆積する。これと同時に、ターンテーブル１２を
回転させ、かつ、トーチ１３を往復移動させているの
で、トーチ１３からの酸化物ガラス微粒子は各透明石英
基板１１上に一様に供給される。
【００１６】さらにこの場合、ディテクタ２５の出力に
基づいて比較試料１１ａ及び酸化物ガラス微粒子層３１
ａを透過した光の減光を測定しているので、酸化物ガラ
ス微粒子層３１ａの厚みを正確に測定できる。すなわ
ち、酸化物ガラス微粒子層の成長にともなって、かかる
酸化物ガラス微粒子層に起因する散乱が増大するが、こ
のような散乱の増大は酸化物ガラス微粒子層３１ａの膜
厚に比例するといえるので、ディテクタ２５で検出され
る減光をモニタすることによって、形成されている酸化
物ガラス微粒子層の厚みを正確に決定することができ
る。この結果、比較試料１１ａ、したがって各透明石英
基板１１上に堆積される酸化物ガラス微粒子層３１ａ
を、一定の厚みにすることができる。
基づいて比較試料１１ａ及び酸化物ガラス微粒子層３１
ａを透過した光の減光を測定しているので、酸化物ガラ
ス微粒子層３１ａの厚みを正確に測定できる。すなわ
ち、酸化物ガラス微粒子層の成長にともなって、かかる
酸化物ガラス微粒子層に起因する散乱が増大するが、こ
のような散乱の増大は酸化物ガラス微粒子層３１ａの膜
厚に比例するといえるので、ディテクタ２５で検出され
る減光をモニタすることによって、形成されている酸化
物ガラス微粒子層の厚みを正確に決定することができ
る。この結果、比較試料１１ａ、したがって各透明石英
基板１１上に堆積される酸化物ガラス微粒子層３１ａ
を、一定の厚みにすることができる。
【００１７】この場合、酸化物ガラス微粒子層で散乱反
射される光を検出することも不可能ではないが、光量が
一般に不足してしまう。また、酸化物ガラス微粒子層で
干渉させた反射光を検出する方法も考えられないではな
いが、酸化物ガラス微粒子層がポーラスであることを考
慮すると、酸化物ガラス微粒子層の各点で反射が生じて
いると考えられるので、ほとんど干渉条件を特定するこ
とができない。したがって、実施例のように検査光を透
明石英基板に照射してその透過光を検出することが膜厚
の測定に不可欠となると考えられる。さらに、予備実験
によって酸化物ガラス微粒子層の厚みと検査光の減光と
の関係を予め正確に求めておくことが望ましい。
射される光を検出することも不可能ではないが、光量が
一般に不足してしまう。また、酸化物ガラス微粒子層で
干渉させた反射光を検出する方法も考えられないではな
いが、酸化物ガラス微粒子層がポーラスであることを考
慮すると、酸化物ガラス微粒子層の各点で反射が生じて
いると考えられるので、ほとんど干渉条件を特定するこ
とができない。したがって、実施例のように検査光を透
明石英基板に照射してその透過光を検出することが膜厚
の測定に不可欠となると考えられる。さらに、予備実験
によって酸化物ガラス微粒子層の厚みと検査光の減光と
の関係を予め正確に求めておくことが望ましい。
【００１８】その後、各透明石英基板１１を別の炉内で
高温に加熱し、堆積された酸化物ガラス微粒子層を透明
化して酸化物ガラス薄膜を得る。また、上記の動作を繰
り返して屈折率の異なる酸化物ガラス薄膜を形成し、さ
らにリソグラフィ技術とＲＩＥ等によるエッチングとを
組み合わせれば、各透明石英基板１１上に光導波路を形
成することもできる。
高温に加熱し、堆積された酸化物ガラス微粒子層を透明
化して酸化物ガラス薄膜を得る。また、上記の動作を繰
り返して屈折率の異なる酸化物ガラス薄膜を形成し、さ
らにリソグラフィ技術とＲＩＥ等によるエッチングとを
組み合わせれば、各透明石英基板１１上に光導波路を形
成することもできる。
【００１９】以下、図１の製造装置を用いて行う具体的
製造方法について説明する。酸化物ガラス微粒子の多孔
質膜を堆積するにあたって、透明石英基板１１としては
外径７５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの溶融石英基板を用い、
半径５０ｃｍのターンテーブル１２上に配置した。
製造方法について説明する。酸化物ガラス微粒子の多孔
質膜を堆積するにあたって、透明石英基板１１としては
外径７５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの溶融石英基板を用い、
半径５０ｃｍのターンテーブル１２上に配置した。
【００２０】酸化物ガラス微粒子の堆積条件は、ターン
テーブル１２の回転速度を５ｒｐｍとし、トーチ１３の
移動速度を１ｍｍ／ｓとし、その移動量を１５０ｍｍと
した。また、トーチ１３に供給するＯ2 ガスを８ｌ／ｍ
ｉｎとし、Ｈ2 ガスを２．５ｌ／ｍｉｎとした。このと
き、下部ヒータ２０はターンテーブル１６が８００℃に
なるように設定した。ガラス原料は、次の条件でトーチ
１３に供給した。
テーブル１２の回転速度を５ｒｐｍとし、トーチ１３の
移動速度を１ｍｍ／ｓとし、その移動量を１５０ｍｍと
した。また、トーチ１３に供給するＯ2 ガスを８ｌ／ｍ
ｉｎとし、Ｈ2 ガスを２．５ｌ／ｍｉｎとした。このと
き、下部ヒータ２０はターンテーブル１６が８００℃に
なるように設定した。ガラス原料は、次の条件でトーチ
１３に供給した。
【００２１】１）バッファ層用のガラス微粒子層 ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： １０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＣｌ3 ： ２５ｃｃ／ｍｉｎ １）コア層用のガラス微粒子層 ＳｉＣｌ4 ：２５０ｃｃ／ｍｉｎ ＧｅＣｌ4 ： ４０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ ガラス微粒子層の堆積に要した時間は、堆積開始時の溶
融石英基板の透過光を１００％として、バッファ層用の
ガラス微粒子層を形成する場合には、透過光が４０％に
減少するまでガラス微粒子層の堆積を続け、コア層用の
ガラス微粒子層を形成する場合には、透過光が１３％に
減少するまでガラス微粒子層の堆積を続けた。結果的に
は、バッファ層用及びコア層用の各微粒子層の形成にそ
れぞれ４５分及び２９分かかった。
融石英基板の透過光を１００％として、バッファ層用の
ガラス微粒子層を形成する場合には、透過光が４０％に
減少するまでガラス微粒子層の堆積を続け、コア層用の
ガラス微粒子層を形成する場合には、透過光が１３％に
減少するまでガラス微粒子層の堆積を続けた。結果的に
は、バッファ層用及びコア層用の各微粒子層の形成にそ
れぞれ４５分及び２９分かかった。
【００２２】上記のようにして堆積した２重構造の多孔
質膜を、別に用意した電気炉中でＨ2 ガスおよびＯ2 ガ
スの混合ガス雰囲気下で透明ガラス化した。このとき、
炉内にＨ2 ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給し、Ｏ2 ガスを０．
５ｌ／ｍｉｎ供給し、電気炉内を１３００℃に保持し
た。実施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１
ロットあたり２０個）に対してバッファ層及びコア層を
組み合わせたガラス膜厚を調べたところ、３０μｍ±
０．３μｍと良好なものであった。
質膜を、別に用意した電気炉中でＨ2 ガスおよびＯ2 ガ
スの混合ガス雰囲気下で透明ガラス化した。このとき、
炉内にＨ2 ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給し、Ｏ2 ガスを０．
５ｌ／ｍｉｎ供給し、電気炉内を１３００℃に保持し
た。実施例の方法によれば、サンプル数ｎ＝１００（１
ロットあたり２０個）に対してバッファ層及びコア層を
組み合わせたガラス膜厚を調べたところ、３０μｍ±
０．３μｍと良好なものであった。
【００２３】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、透明石英基板の代わりにシリコン基板、
サファイア基板等を用いることもできる。この場合、シ
リコン基板等を透過する波長の検査光を使用する必要が
ある。また、検査光が反応容器内に発生する光に埋もれ
てしまう可能性がある場合には、光源側にチョッパを設
け、ディテクタ側にロックインアンプ等を組み合わせて
微小信号を増幅することもできる。さらに、比較試料を
用いないで堆積されたガラス微粒子層の厚みを検出する
こともできる。具体的には、各透明石英基板の下方に開
孔を形成したり、この部分に溶融石英等の透明材料を用
いることによって、検査光が透過するようにする。この
場合、ターンテーブルとヒータとが相対的に回転するこ
とが望ましい。これは、開孔の形成や透明材料の使用に
よって、ターンテーブルに固設したヒータでは各透明石
英基板を一様に加熱できないと考えられるからである。
また、ロータリエンコーダ等を用いて各透明石英基板の
位置に同期して検査光を検出することが望ましい。
ない。例えば、透明石英基板の代わりにシリコン基板、
サファイア基板等を用いることもできる。この場合、シ
リコン基板等を透過する波長の検査光を使用する必要が
ある。また、検査光が反応容器内に発生する光に埋もれ
てしまう可能性がある場合には、光源側にチョッパを設
け、ディテクタ側にロックインアンプ等を組み合わせて
微小信号を増幅することもできる。さらに、比較試料を
用いないで堆積されたガラス微粒子層の厚みを検出する
こともできる。具体的には、各透明石英基板の下方に開
孔を形成したり、この部分に溶融石英等の透明材料を用
いることによって、検査光が透過するようにする。この
場合、ターンテーブルとヒータとが相対的に回転するこ
とが望ましい。これは、開孔の形成や透明材料の使用に
よって、ターンテーブルに固設したヒータでは各透明石
英基板を一様に加熱できないと考えられるからである。
また、ロータリエンコーダ等を用いて各透明石英基板の
位置に同期して検査光を検出することが望ましい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の酸化物ガ
ラス薄膜の製造方法及び装置によれば、多孔質状の薄膜
の形成の際に、検査光を基板に対して照射するととも
に、この基板を透過した検査光の強度を測定して形成中
の多孔質状の薄膜の厚さを制御することとしている。こ
のため、ガラス多孔質状の薄膜の形成中におけるその厚
みの測定精度を高めることができ、所望の厚さを有する
酸化物ガラス薄膜を提供することができる。
ラス薄膜の製造方法及び装置によれば、多孔質状の薄膜
の形成の際に、検査光を基板に対して照射するととも
に、この基板を透過した検査光の強度を測定して形成中
の多孔質状の薄膜の厚さを制御することとしている。こ
のため、ガラス多孔質状の薄膜の形成中におけるその厚
みの測定精度を高めることができ、所望の厚さを有する
酸化物ガラス薄膜を提供することができる。
【図１】実施例の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示す
図。
図。
【図２】図１の製造装置を一部拡大して示した図。
【図３】従来の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示す図。
１１…基板、１２、１３…堆積手段、２３…光源、２５
…光強度検出手段。
…光強度検出手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦野 章 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 石川 真二 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 酸化物ガラス微粒子を基板上に堆積して
多孔質状の薄膜を形成した後、該基板を高温で加熱して
前記多孔質状の薄膜を透明化する酸化物ガラス薄膜の製
造方法において、 前記多孔質状の薄膜の形成の際に、前記基板を透過可能
な検査光を前記基板に対して照射し、 前記基板を透過した前記検査光の強度を測定し、 測定された前記検査光の強度に応じて前記基板上に形成
された多孔質状の薄膜の厚さを制御することを特徴とす
る酸化物ガラス薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 反応容器内に酸水素炎とともに原料を供
給して酸化物ガラス微粒子を生成し、該酸化物ガラス微
粒子を基板上に堆積して前記多孔質状の薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の酸化物ガラス薄膜の製
造方法。 - 【請求項３】 前記基板は、透明石英基板であることを
特徴とする請求項１記載の酸化物ガラス薄膜の製造方
法。 - 【請求項４】 酸化物ガラス微粒子を基板上に堆積して
多孔質状の薄膜を形成する堆積手段と、 前記多孔質状の薄膜の形成の際に、前記基板を透過可能
な検査光を前記基板に対して照射する光源と、 前記基板を透過した前記検査光の強度を測定する光強度
検出手段と、 を備えることを特徴とする酸化物ガラス薄膜の製造装
置。 - 【請求項５】 前記堆積手段は、反応容器内に酸水素炎
とともに原料を供給して酸化物ガラス微粒子を生成し、
該酸化物ガラス微粒子を基板上に堆積して前記多孔質状
の薄膜を形成することを特徴とする請求項４記載の酸化
物ガラス薄膜の製造装置。 - 【請求項６】 前記基板は、透明石英基板であり、前記
光源はＨｅ−Ｎｅレーザであることを特徴とする請求項
４記載の酸化物ガラス薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP392492A JPH05186233A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP392492A JPH05186233A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05186233A true JPH05186233A (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=11570695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP392492A Pending JPH05186233A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05186233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389577B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주식회사 세미텔 | 반도체 웨이퍼의 균일 증착 시스템 및 그 기록매체 |
| WO2022240550A1 (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Freeform optical substrates in waveguide displays |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP392492A patent/JPH05186233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389577B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주식회사 세미텔 | 반도체 웨이퍼의 균일 증착 시스템 및 그 기록매체 |
| WO2022240550A1 (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Freeform optical substrates in waveguide displays |
| US11720016B2 (en) | 2021-05-10 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Freeform optical substrates in waveguide displays |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3766802B2 (ja) | 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法システムおよびリソグラフィーエレメント | |
| KR101638584B1 (ko) | 실리카 유리 도가니의 평가 방법, 실리콘 단결정의 제조 방법 | |
| JP2003042721A (ja) | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| CA1159724A (en) | Method of controlling the index profile of optical fiber preforms | |
| TWI406825B (zh) | 氧化矽玻璃坩堝的製造裝置以及製造方法 | |
| WO2013099434A1 (ja) | シリカガラスルツボの三次元形状測定方法、シリコン単結晶の製造方法 | |
| WO2013099433A1 (ja) | シリカガラスルツボの製造条件の設定を支援する装置、シリカガラスルツボの製造用のモールドの製造条件の設定を支援する装置、シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置 | |
| EP1226423A1 (en) | Method to determine the identity of a material in an object | |
| JPH05186233A (ja) | 酸化物ガラス薄膜の製造方法及び装置 | |
| EP2471752B1 (en) | Method of manufacturing vitreous silica crucible | |
| JP2003194727A (ja) | レーザー光散乱を用いた高純度グラスチューブの微小気泡分析装置 | |
| JPH05149720A (ja) | 酸化物超電導膜の検査方法および検査装置 | |
| JP2800587B2 (ja) | 異物検査装置および異物検査方法 | |
| JPH05208836A (ja) | ガラス薄膜の製造方法及び装置 | |
| JP3843780B2 (ja) | ガラス微粒子堆積体の製造方法 | |
| JPH0583500B2 (ja) | ||
| JP2013139364A (ja) | シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置 | |
| JPS627007A (ja) | 光導波回路用ガラス膜の製造方法および製造装置 | |
| JP3071344B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質シリカ母材の製造方法 | |
| JP2003137585A (ja) | 光ファイバ用コアガラス母材の製造方法 | |
| JPS61261227A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法および装置 | |
| JP2538066B2 (ja) | パ―ティクル管理用基板の製造方法およびパ―ティクル管理方法 | |
| JPH09118539A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| JPH01239028A (ja) | ガラス膜堆積装置 | |
| JPH08239230A (ja) | 多孔質ガラス体の製造装置 |