JPH05166737A - 縦型減圧気相成長装置 - Google Patents
縦型減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH05166737A JPH05166737A JP35390491A JP35390491A JPH05166737A JP H05166737 A JPH05166737 A JP H05166737A JP 35390491 A JP35390491 A JP 35390491A JP 35390491 A JP35390491 A JP 35390491A JP H05166737 A JPH05166737 A JP H05166737A
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- JP
- Japan
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- tube
- pipe
- quartz tube
- gas supply
- quartz
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低歩留の原因となる発塵を抑制し、かつ、反
応室内を十分にガス置換し得る縦型減圧気相成長装置を
提供すること。 【構成】 不活性ガスを供給する不活性ガス供給管１５
を外部石英管１と内部石英管２の間に設置し、この不活
性ガス供給管１５の先端に複数のガス放出穴を有する吹
き出し口１６を石英ボ−ト６の真上部に設け、また、排
気配管９に補助配管１３を備えた装置。 【効果】 石英ボ−ト６が入炉する際、不活性ガス供給
管１５内を流れる不活性ガスがフランジ１４内部の反応
生成物を巻き上げることを防止し、低歩留の原因となる
発塵を抑制する効果が生ずる。また、排気配管９に補助
配管１３を設けることにより、外部石英管１と内部石英
管２の間のガス置換を行うことができ、反応室内を十分
にガス置換できる。
応室内を十分にガス置換し得る縦型減圧気相成長装置を
提供すること。 【構成】 不活性ガスを供給する不活性ガス供給管１５
を外部石英管１と内部石英管２の間に設置し、この不活
性ガス供給管１５の先端に複数のガス放出穴を有する吹
き出し口１６を石英ボ−ト６の真上部に設け、また、排
気配管９に補助配管１３を備えた装置。 【効果】 石英ボ−ト６が入炉する際、不活性ガス供給
管１５内を流れる不活性ガスがフランジ１４内部の反応
生成物を巻き上げることを防止し、低歩留の原因となる
発塵を抑制する効果が生ずる。また、排気配管９に補助
配管１３を設けることにより、外部石英管１と内部石英
管２の間のガス置換を行うことができ、反応室内を十分
にガス置換できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型減圧気相成長装置
に関し、特に、ＬＳＩの製造装置に係り、低歩留の原因
となる発塵を抑制し、かつ、反応室内を十分にガス置換
し得る縦型減圧気相成長装置に関する。
に関し、特に、ＬＳＩの製造装置に係り、低歩留の原因
となる発塵を抑制し、かつ、反応室内を十分にガス置換
し得る縦型減圧気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の縦型減圧気相成長装置は、図３
（従来装置の縦断面図）に示すように、外部石英管１、
内部石英管２、フランジ１４に接続した不活性ガス導入
管４、反応ガス供給管５及び排気管９を主要構成とする
装置である。
（従来装置の縦断面図）に示すように、外部石英管１、
内部石英管２、フランジ１４に接続した不活性ガス導入
管４、反応ガス供給管５及び排気管９を主要構成とする
装置である。
【０００３】そして、ウエハ８を載せた石英ボ−ト６の
入炉時に供給する不活性ガスは、不活性ガス導入管４を
介してフランジ１４から外部石英管１と内部石英管２と
の間を通り、反応室内の上部から下方に流れるような構
成からなっている。なお、図３において、３はヒ−タ
−、７はハッチ、１０はバルブ、１１はブ−スタ−ポン
プ、１２はドライポンプである。
入炉時に供給する不活性ガスは、不活性ガス導入管４を
介してフランジ１４から外部石英管１と内部石英管２と
の間を通り、反応室内の上部から下方に流れるような構
成からなっている。なお、図３において、３はヒ−タ
−、７はハッチ、１０はバルブ、１１はブ−スタ−ポン
プ、１２はドライポンプである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上記
縦型減圧気相成長装置では、図３に示すように、不活性
ガス導入管４がフランジ１４に接続されており、そし
て、石英ボ−ト６の入炉時に反応室内へ不活性ガスをフ
ランジ１４より供給するため、この不活性ガスに同伴し
て該フランジ１４内部に堆積している反応生成物を巻き
上げるという問題点があった。
縦型減圧気相成長装置では、図３に示すように、不活性
ガス導入管４がフランジ１４に接続されており、そし
て、石英ボ−ト６の入炉時に反応室内へ不活性ガスをフ
ランジ１４より供給するため、この不活性ガスに同伴し
て該フランジ１４内部に堆積している反応生成物を巻き
上げるという問題点があった。
【０００５】そこで、本発明は、上記問題点を解消する
縦型減圧気相成長装置を提供することを目的とし、詳細
には、フランジ内部の反応生成物の巻き上げを防止し、
低歩留の原因となる発塵を抑制することができる縦型減
圧気相成長装置を提供することを目的とする。
縦型減圧気相成長装置を提供することを目的とし、詳細
には、フランジ内部の反応生成物の巻き上げを防止し、
低歩留の原因となる発塵を抑制することができる縦型減
圧気相成長装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、外部石英管と内部石英管との間に
不活性ガス供給管を設置する点を特徴とし、また、排気
配管に補助配管を設け、これにより、外部石英管と内部
石英管との間のガス置換を行うことができ、反応室内を
十分にガス置換できるようにした点を特徴とする。
目的を達成するため、外部石英管と内部石英管との間に
不活性ガス供給管を設置する点を特徴とし、また、排気
配管に補助配管を設け、これにより、外部石英管と内部
石英管との間のガス置換を行うことができ、反応室内を
十分にガス置換できるようにした点を特徴とする。
【０００７】即ち、本発明は、外部石英管と内部石英管
を有する反応室及び反応ガス供給管、不活性ガス導入
管、排気配管を具備してなる縦型減圧気相成長装置にお
いて、不活性ガス供給管を外部石英管と内部石英管との
間に設置し、この不活性ガス供給管の先端に複数のガス
放出穴を有する吹き出し口を石英ボ−トの真上部に設
け、かつ、排気配管に補助配管を配設してなることを特
徴とする縦型減圧気相成長装置を要旨とするものであ
る。
を有する反応室及び反応ガス供給管、不活性ガス導入
管、排気配管を具備してなる縦型減圧気相成長装置にお
いて、不活性ガス供給管を外部石英管と内部石英管との
間に設置し、この不活性ガス供給管の先端に複数のガス
放出穴を有する吹き出し口を石英ボ−トの真上部に設
け、かつ、排気配管に補助配管を配設してなることを特
徴とする縦型減圧気相成長装置を要旨とするものであ
る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図１に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例である縦型減圧
気相成長装置の縦断面図であり、この装置は、ウエハ８
を載せた石英ボ−ト６が入炉する際、不活性ガス（例え
ば窒素）を供給する不活性ガス供給管１５を外部石英管
１と内部石英管２との間に設置し、不活性ガス供給管１
５の先端に複数のガス放出穴を有する吹き出し口１６
を、石英ボ−ト６の真上部に設けた構造の装置である。
このような不活性ガス供給管１５を配設することによ
り、フランジ１４に堆積した反応生成物の巻き上げを防
止することができる。
に説明する。図１は、本発明の一実施例である縦型減圧
気相成長装置の縦断面図であり、この装置は、ウエハ８
を載せた石英ボ−ト６が入炉する際、不活性ガス（例え
ば窒素）を供給する不活性ガス供給管１５を外部石英管
１と内部石英管２との間に設置し、不活性ガス供給管１
５の先端に複数のガス放出穴を有する吹き出し口１６
を、石英ボ−ト６の真上部に設けた構造の装置である。
このような不活性ガス供給管１５を配設することによ
り、フランジ１４に堆積した反応生成物の巻き上げを防
止することができる。
【０００９】また、排気配管９に補助配管１３を備えた
装置であり、これによって、外部石英管１と内部石英管
２との間の不活性ガス置換を行うことができる。なお、
図１において、３はヒ−タ−、４は不活性ガス導入管、
５は反応ガス供給管、７はハッチ、１０はバルブ、１１
はブ−スタ−ポンプ、１２はドライポンプであり、図３
に示した前記従来装置と同一のものである。
装置であり、これによって、外部石英管１と内部石英管
２との間の不活性ガス置換を行うことができる。なお、
図１において、３はヒ−タ−、４は不活性ガス導入管、
５は反応ガス供給管、７はハッチ、１０はバルブ、１１
はブ−スタ−ポンプ、１２はドライポンプであり、図３
に示した前記従来装置と同一のものである。
【００１０】次に、本発明の装置の発塵抑制効果を図２
に基づいて説明する。図２は、本発明の装置を用いた場
合の酸化膜成長における発塵数を従来装置を用いた場合
の発塵数と比較した図である。図２において、縦軸はウ
エハ当りの発塵数、横軸は処理回数であり、この図２に
よれば、本発明の装置では、発塵数は、従来装置に比べ
て極めて少ないレベルで安定していることが理解でき
る。
に基づいて説明する。図２は、本発明の装置を用いた場
合の酸化膜成長における発塵数を従来装置を用いた場合
の発塵数と比較した図である。図２において、縦軸はウ
エハ当りの発塵数、横軸は処理回数であり、この図２に
よれば、本発明の装置では、発塵数は、従来装置に比べ
て極めて少ないレベルで安定していることが理解でき
る。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、不活性
ガス供給管を外部石英管と内部石英管との間に設置し、
該不活性ガス供給管の先端に複数のガス放出穴を有する
吹き出し口を石英ボ−トの真上部に設けることにより、
石英ボ−トが入炉する際、不活性ガス供給管内を流れる
不活性ガスがフランジ内部の反応生成物を巻き上げるこ
とを防止し、低歩留の原因となる発塵を抑制する効果が
生ずる。また、本発明は、排気配管に補助配管を設ける
ことにより、外部石英管と内部石英管の間のガス置換を
行うことができ、反応室内を十分にガス置換できるとい
う効果を有する。
ガス供給管を外部石英管と内部石英管との間に設置し、
該不活性ガス供給管の先端に複数のガス放出穴を有する
吹き出し口を石英ボ−トの真上部に設けることにより、
石英ボ−トが入炉する際、不活性ガス供給管内を流れる
不活性ガスがフランジ内部の反応生成物を巻き上げるこ
とを防止し、低歩留の原因となる発塵を抑制する効果が
生ずる。また、本発明は、排気配管に補助配管を設ける
ことにより、外部石英管と内部石英管の間のガス置換を
行うことができ、反応室内を十分にガス置換できるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施例である縦型減圧気相成長装置
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図２】本発明の装置を用いた場合の酸化膜成長におけ
る発塵数を従来装置を用いた場合の発塵数と比較した図
である。
る発塵数を従来装置を用いた場合の発塵数と比較した図
である。
【図３】従来の縦型減圧気相成長装置の縦断面図であ
る。
る。
１ 外部石英管 ２ 内部石英管 ３ ヒ−タ− ４ 不活性ガス導入管 ５ 反応ガス供給管 ６ 石英ボ−ト ７ ハッチ ８ ウエハ ９ 排気配管 １０ バルブ １１ ブ−スタ−ポンプ １２ ドライポンプ １３ 補助配管 １４ フランジ １５ 不活性ガス供給管 １６ 吹き出し口
Claims (1)
- 【請求項１】 外部石英管と内部石英管を有する反応室
及び反応ガス供給管、不活性ガス導入管、排気配管を具
備してなる縦型減圧気相成長装置において、不活性ガス
供給管を外部石英管と内部石英管との間に設置し、この
不活性ガス供給管の先端に複数のガス放出穴を有する吹
き出し口を石英ボ−トの真上部に設け、かつ、排気配管
に補助配管を配設してなることを特徴とする縦型減圧気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353904A JP2752824B2 (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 縦型減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353904A JP2752824B2 (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 縦型減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166737A true JPH05166737A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2752824B2 JP2752824B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=18434009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353904A Expired - Lifetime JP2752824B2 (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 縦型減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752824B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524650B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-02-25 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
| WO2014157071A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347531A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-28 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 流体拡散装置及びこれを用いた処理装置 |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP3353904A patent/JP2752824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347531A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-28 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 流体拡散装置及びこれを用いた処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524650B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-02-25 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
| KR100553411B1 (ko) * | 1997-03-21 | 2006-06-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치및기판처리방법 |
| WO2014157071A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
| JPWO2014157071A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752824B2 (ja) | 1998-05-18 |
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