JPH05166618A - 永久磁石 - Google Patents
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- JPH05166618A JPH05166618A JP3353487A JP35348791A JPH05166618A JP H05166618 A JPH05166618 A JP H05166618A JP 3353487 A JP3353487 A JP 3353487A JP 35348791 A JP35348791 A JP 35348791A JP H05166618 A JPH05166618 A JP H05166618A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来、耐食性が悪かったＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁
石に優れた耐食性を付与すること。 【構成】 遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素
Ｒ、及びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石
合金の表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめっき
保護層を施した永久磁石において、該めっき保護層が３
０μｍ以下で、かつ該めっき保護層の表面のセル間ピッ
チが１５μｍ以上であることを特徴とする永久磁石であ
る。また、前記めっき保護層の成長模様の太さが０．１
μｍ以上であること、前記めっき保護層の表面で（２０
０）面のＸ線回折強度比が７０％以上であることも特徴
とする。
石に優れた耐食性を付与すること。 【構成】 遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素
Ｒ、及びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石
合金の表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめっき
保護層を施した永久磁石において、該めっき保護層が３
０μｍ以下で、かつ該めっき保護層の表面のセル間ピッ
チが１５μｍ以上であることを特徴とする永久磁石であ
る。また、前記めっき保護層の成長模様の太さが０．１
μｍ以上であること、前記めっき保護層の表面で（２０
０）面のＸ線回折強度比が７０％以上であることも特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｆｅが主体の遷移金属
Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成分
とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉま
たはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永久
磁石において、特に耐食性の優れた永久磁石に関する。
Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成分
とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉま
たはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永久
磁石において、特に耐食性の優れた永久磁石に関する。
【０００２】
【従来の技術】鉄が主体のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は高性
能であるから市場での要求は年々高まってきてはいるも
のの、耐食性がＳｍ−Ｃｏ系永久磁石やフェライト磁石
に較べ劣るという本質的な問題がある。そこで、永久磁
石表面にスプレーまたは電着塗装による樹脂塗膜，真空
蒸着やイオンスパッタリングなどの気相めっき等による
保護層を設ける方法が従来からなされてきた。特に、Ｎ
ｉめっきは優れた耐食性を有するので広く用いられてい
る（特開昭６０−５４４０６号公報）。
能であるから市場での要求は年々高まってきてはいるも
のの、耐食性がＳｍ−Ｃｏ系永久磁石やフェライト磁石
に較べ劣るという本質的な問題がある。そこで、永久磁
石表面にスプレーまたは電着塗装による樹脂塗膜，真空
蒸着やイオンスパッタリングなどの気相めっき等による
保護層を設ける方法が従来からなされてきた。特に、Ｎ
ｉめっきは優れた耐食性を有するので広く用いられてい
る（特開昭６０−５４４０６号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
例ではＮｉめっき膜が粒界（Ｎｄリッチ相）上で成長し
難い。Ｎｄは酸化され易く、めっき浴への溶出速度が速
いため、めっきが成長し難いと思われる。また、Ｒ−Ｔ
−Ｂ系永久磁石表面には微少な凸凹が多く存在している
ことと、Ｎｉめっき膜が均一に成長しないこと等のため
に、Ｎｉめっき膜表面上にセル構造が現れる。このＮｉ
めっき膜表面のセル構造の境界の２重点や３重点は腐食
の起点となることが多い。また、このＮｉめっき膜表面
のセル境界は谷および凹状になっているため、めっき成
膜後に汚れが付着しやすく、この汚れが腐食の発生要因
の一つとなっている。本発明は、前記の課題を解決し耐
食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を提供することを目
的とする。
例ではＮｉめっき膜が粒界（Ｎｄリッチ相）上で成長し
難い。Ｎｄは酸化され易く、めっき浴への溶出速度が速
いため、めっきが成長し難いと思われる。また、Ｒ−Ｔ
−Ｂ系永久磁石表面には微少な凸凹が多く存在している
ことと、Ｎｉめっき膜が均一に成長しないこと等のため
に、Ｎｉめっき膜表面上にセル構造が現れる。このＮｉ
めっき膜表面のセル構造の境界の２重点や３重点は腐食
の起点となることが多い。また、このＮｉめっき膜表面
のセル境界は谷および凹状になっているため、めっき成
膜後に汚れが付着しやすく、この汚れが腐食の発生要因
の一つとなっている。本発明は、前記の課題を解決し耐
食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｆｅを主体と
する遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及
びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の
表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめっき保護層
を施した永久磁石において、該めっき保護層が３０μｍ
以下で、かつ該めっき保護層の表面のセル間ピッチが１
５μｍ以上の該めっき保護層を有することを特徴とする
永久磁石である。本発明者等は、Ｎｉめっきの腐食につ
いて種々解析した結果、永久磁石の粒界の３重点等にＮ
ｉめっき膜の腐食され易いセル境界がＮｉめっき表面に
対して垂直方向に生じるために耐食性が不充分となるこ
とを知見した。すなわち、Ｎｉめっき表面の腐食がセル
境界に沿って垂直方向（膜厚方向）に進み永久磁石表面
に達すると、非常に酸化され易い粒界等のＮｄリッチ相
が迅速に腐食され、粒界脱離等の発生により急速に永久
磁石の腐食が進行することを知見し、本発明を完成した
ものである。本発明において、めっき保護層の表面のセ
ル間ピッチが１５μｍ以上であるときはＮｉめっき表面
に対して垂直方向のセル境界の発生がほとんど認められ
なくなる。一方、セル間ピッチが１５μｍ未満であると
セル構造の２重点、３重点等の腐食の起点が増え耐食性
が悪くなるという不具合がある。ここで、めっき保護層
の表面のセル間ピッチとは、例えば図１のＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真におけるセル構造を示す凸部頂点間
の間隔の平均値として求められるものである。図１の倍
率は１，０００倍である。図１は、後述の実施例１にお
ける比較例のセル間ピッチ１０μｍの試料である。
する遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及
びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の
表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめっき保護層
を施した永久磁石において、該めっき保護層が３０μｍ
以下で、かつ該めっき保護層の表面のセル間ピッチが１
５μｍ以上の該めっき保護層を有することを特徴とする
永久磁石である。本発明者等は、Ｎｉめっきの腐食につ
いて種々解析した結果、永久磁石の粒界の３重点等にＮ
ｉめっき膜の腐食され易いセル境界がＮｉめっき表面に
対して垂直方向に生じるために耐食性が不充分となるこ
とを知見した。すなわち、Ｎｉめっき表面の腐食がセル
境界に沿って垂直方向（膜厚方向）に進み永久磁石表面
に達すると、非常に酸化され易い粒界等のＮｄリッチ相
が迅速に腐食され、粒界脱離等の発生により急速に永久
磁石の腐食が進行することを知見し、本発明を完成した
ものである。本発明において、めっき保護層の表面のセ
ル間ピッチが１５μｍ以上であるときはＮｉめっき表面
に対して垂直方向のセル境界の発生がほとんど認められ
なくなる。一方、セル間ピッチが１５μｍ未満であると
セル構造の２重点、３重点等の腐食の起点が増え耐食性
が悪くなるという不具合がある。ここで、めっき保護層
の表面のセル間ピッチとは、例えば図１のＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真におけるセル構造を示す凸部頂点間
の間隔の平均値として求められるものである。図１の倍
率は１，０００倍である。図１は、後述の実施例１にお
ける比較例のセル間ピッチ１０μｍの試料である。
【０００５】また、図２にセル間ピッチが大きいためセ
ル構造が実質的に存在しないめっき保護層表面のＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真をしめす。倍率は同じく１，
０００倍である。この写真のＮｉめっき保護層はセル間
ピッチが大きく実質的にセル構造を持たない。また、こ
の永久磁石試料は後述の実施例１のセル間ピッチ１００
μｍを越える試料である。このようにセル構造が実質的
に存在しないＮｉめっき保護層は耐食性に優れている。
なお、このようなセル構造が実質的に存在しないめっき
保護層を光沢Ｎｉめっきを用いて達成しようとする場
合、光沢Ｎｉめっきはめっき保護層中のＳ量等が多く耐
食性が悪く、さらにめっき成膜速度も遅いという欠点が
あるので、光沢めっきを用いずに達成することが好まし
い。また、本発明において、めっき保護層の表面のセル
間ピッチは電流密度、浴温度、浴ｐＨ、添加剤の種類及
び添加量を変化させることで調節できる。
ル構造が実質的に存在しないめっき保護層表面のＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真をしめす。倍率は同じく１，
０００倍である。この写真のＮｉめっき保護層はセル間
ピッチが大きく実質的にセル構造を持たない。また、こ
の永久磁石試料は後述の実施例１のセル間ピッチ１００
μｍを越える試料である。このようにセル構造が実質的
に存在しないＮｉめっき保護層は耐食性に優れている。
なお、このようなセル構造が実質的に存在しないめっき
保護層を光沢Ｎｉめっきを用いて達成しようとする場
合、光沢Ｎｉめっきはめっき保護層中のＳ量等が多く耐
食性が悪く、さらにめっき成膜速度も遅いという欠点が
あるので、光沢めっきを用いずに達成することが好まし
い。また、本発明において、めっき保護層の表面のセル
間ピッチは電流密度、浴温度、浴ｐＨ、添加剤の種類及
び添加量を変化させることで調節できる。
【０００６】本発明はまた、Ｆｅを主体とする遷移金属
Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成分
とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉま
たはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永久
磁石において、めっき保護層の成長模様の太さを０．１
μｍ以上とすることを特徴とするものである。
Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成分
とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉま
たはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永久
磁石において、めっき保護層の成長模様の太さを０．１
μｍ以上とすることを特徴とするものである。
【０００７】めっき保護層の成長模様とは、例えば図３
のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真に示すように、エッ
チングにより除去された部分（白い部分）に囲まれたも
のから構成されているような模様のことである。図３の
倍率は２０，０００倍である。図４に、本発明に係る成
長模様（矢印ａ部分）とセル境界（矢印ｂ部分）を有す
るＮｉめっき保護層断面の金属組織を示すＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真を示す。図４で、下側のゴツゴツし
ている黒い部分がＮｄＦｅＢ磁石の焼結体であり、その
上の層がＮｉめっき層である。図４の倍率は３，０００
倍である。この成長模様は図４のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真中の矢印ａで示すようにめっき膜表面にほぼ
垂直方向に伸びている微細な縞模様であり、各セル構造
はその内部にいずれもこの様な縞模様が認められる。こ
の各セル構造内の成長模様が交わるところがセル境界で
図４中の矢印ｂに示した部分であり前述した腐食され易
い２重点や３重点をめっき保護層表面で形成する。また
このセル境界は腐食され易く、セル境界に沿って腐食が
進行すると考えられる。さらに、成長模様の太さが０．
１μｍより十分大きいめっき保護層を図５に示した。こ
のような成長模様の太さを持つめっき保護層はセル境界
が実質的に存在しなくなるために、耐食性が向上すると
考えられる。図５の倍率は３，０００倍である。この成
長模様の太さが０．１μｍ未満だとＮｉめっき保護層の
セル境界の生成の原因となる成長模様が増え、セル境界
が増えたりセル境界がはっきりするという不具合があ
る。
のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真に示すように、エッ
チングにより除去された部分（白い部分）に囲まれたも
のから構成されているような模様のことである。図３の
倍率は２０，０００倍である。図４に、本発明に係る成
長模様（矢印ａ部分）とセル境界（矢印ｂ部分）を有す
るＮｉめっき保護層断面の金属組織を示すＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真を示す。図４で、下側のゴツゴツし
ている黒い部分がＮｄＦｅＢ磁石の焼結体であり、その
上の層がＮｉめっき層である。図４の倍率は３，０００
倍である。この成長模様は図４のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真中の矢印ａで示すようにめっき膜表面にほぼ
垂直方向に伸びている微細な縞模様であり、各セル構造
はその内部にいずれもこの様な縞模様が認められる。こ
の各セル構造内の成長模様が交わるところがセル境界で
図４中の矢印ｂに示した部分であり前述した腐食され易
い２重点や３重点をめっき保護層表面で形成する。また
このセル境界は腐食され易く、セル境界に沿って腐食が
進行すると考えられる。さらに、成長模様の太さが０．
１μｍより十分大きいめっき保護層を図５に示した。こ
のような成長模様の太さを持つめっき保護層はセル境界
が実質的に存在しなくなるために、耐食性が向上すると
考えられる。図５の倍率は３，０００倍である。この成
長模様の太さが０．１μｍ未満だとＮｉめっき保護層の
セル境界の生成の原因となる成長模様が増え、セル境界
が増えたりセル境界がはっきりするという不具合があ
る。
【０００８】さらに、本発明はＦｅを主体とする遷移金
属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成
分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉ
またはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永
久磁石において、該めっき膜保護層においてＮｉめっき
膜表面の（２００）面のＸ線回折強度比が７０％以上と
なることを特徴とするものである。なお、このＸ線回折
強度比は、Ｎｉめっき保護層を施した永久磁石表面をＸ
線回折装置で（１１１）と（２００）（２２０）各面の
回折強度を測定し、この３面の回折強度の中での（２０
０）の占める割合（（２００）強度／（（（１１１）強
度＋（２００）強度＋（２２０）強度）×１００））の
ことである。また、めっき保護層の（２００）面のＸ線
回折強度比は、電流密度、浴温度、浴ｐＨ、添加剤の種
類及び添加量を変化させることで調節できる。
属Ｔ、イットリウムを含む希土類元素Ｒ、及びＢを主成
分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石合金の表面にＮｉ
またはＮｉ合金から構成されるめっき保護層を施した永
久磁石において、該めっき膜保護層においてＮｉめっき
膜表面の（２００）面のＸ線回折強度比が７０％以上と
なることを特徴とするものである。なお、このＸ線回折
強度比は、Ｎｉめっき保護層を施した永久磁石表面をＸ
線回折装置で（１１１）と（２００）（２２０）各面の
回折強度を測定し、この３面の回折強度の中での（２０
０）の占める割合（（２００）強度／（（（１１１）強
度＋（２００）強度＋（２２０）強度）×１００））の
ことである。また、めっき保護層の（２００）面のＸ線
回折強度比は、電流密度、浴温度、浴ｐＨ、添加剤の種
類及び添加量を変化させることで調節できる。
【０００９】また、本発明における永久磁石合金の焼結
体の粒径が５０μｍ以下である永久磁石である。この焼
結体の粒径は５０μｍ以上であることが好ましい。この
焼結体の粒径は５０μｍを越えるほど大きくなると、め
っき保護表面に焼結体に倣った大きなセル構造が出現
し、このセル境界の２重点、３重点は大きな段差を持ち
腐食され易いという不具合が生じるためである。
体の粒径が５０μｍ以下である永久磁石である。この焼
結体の粒径は５０μｍ以上であることが好ましい。この
焼結体の粒径は５０μｍを越えるほど大きくなると、め
っき保護表面に焼結体に倣った大きなセル構造が出現
し、このセル境界の２重点、３重点は大きな段差を持ち
腐食され易いという不具合が生じるためである。
【００１０】
【作用】本発明において、めっき保護層表面のセル間ピ
ッチを大きくすることで腐食の起点となるセル境界の２
重点や３重点が少なくなるので、腐食の起点が減少する
ため耐食性が向上する。Ｎｉめっき膜の成長模様の太さ
を大きくすると、Ｎｉめっき膜のセル境界の原因となる
成長模様が減少し、腐食され易く腐食の進行部分になる
セル境界が減少し、またはっきりとしなくなるため耐食
性が向上する。また、（２００）面のＸ線回折強度比を
大きくすることで耐食性は向上するが、この理由は次の
通りと考えられる。通常Ｎｉはその配向が等方的である
場合にはＡＳＴＭカードＮｏ．４−０８５０に示される
如く（２００）面の割合は約２６％である。この（２０
０）の配向を強くすることにより成長模様が一方向にそ
ろい易く、セル境界で隣合う成長模様同志の角度差が小
さくなり、セル境界が不明瞭となるためセル境界に沿っ
ての腐食が抑えられ、耐食性が向上されると考えられ
る。尚、本発明においてＲ−Ｔ−Ｂ系合金の組成は公知
のものであり（例えば特開昭６１−３４２４２号公
報）、適宜添加元素を必要に応じて添加することは本発
明に何ら影響するものでないことは言うまでもない。ま
た、本発明中のＮｉめっき方法は電気めっきまたは無電
解めっきどちらでもよい。
ッチを大きくすることで腐食の起点となるセル境界の２
重点や３重点が少なくなるので、腐食の起点が減少する
ため耐食性が向上する。Ｎｉめっき膜の成長模様の太さ
を大きくすると、Ｎｉめっき膜のセル境界の原因となる
成長模様が減少し、腐食され易く腐食の進行部分になる
セル境界が減少し、またはっきりとしなくなるため耐食
性が向上する。また、（２００）面のＸ線回折強度比を
大きくすることで耐食性は向上するが、この理由は次の
通りと考えられる。通常Ｎｉはその配向が等方的である
場合にはＡＳＴＭカードＮｏ．４−０８５０に示される
如く（２００）面の割合は約２６％である。この（２０
０）の配向を強くすることにより成長模様が一方向にそ
ろい易く、セル境界で隣合う成長模様同志の角度差が小
さくなり、セル境界が不明瞭となるためセル境界に沿っ
ての腐食が抑えられ、耐食性が向上されると考えられ
る。尚、本発明においてＲ−Ｔ−Ｂ系合金の組成は公知
のものであり（例えば特開昭６１−３４２４２号公
報）、適宜添加元素を必要に応じて添加することは本発
明に何ら影響するものでないことは言うまでもない。ま
た、本発明中のＮｉめっき方法は電気めっきまたは無電
解めっきどちらでもよい。
【００１１】
（実施例１）鋳造により原子比で１４Ｎｄ−１Ｄｙ−７
Ｂ−７８Ｆｅの組成のインゴットを得た。このインゴッ
トをスタンプミルで粗粉砕し、ボールミルで平均粒度
３．５μｍの合金粉末を得た。この合金粉末を１２ｋＯ
ｅの磁場中で１．５トン／ｃｍ2 の圧力で成型して成型
体を得た。この成型体をアルゴン雰囲気中で１１００
℃，１時間加熱後、急冷し焼結体を得た。得られた焼結
体をアルゴン雰囲気中で６００℃，２時間の時効処理を
施して永久磁石を得た。この永久磁石から１０×１０×
２０ｍｍの磁石片を切り出し永久磁石体とした。この永
久磁石体の表面に、めっき保護層としてＮｉめっき膜を
電気めっき法により設置した。このＮｉめっきにはワッ
ト浴を用い、浴温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化
させ、めっき膜表面に異なるセル間ピッチを設置した永
久磁石試料を得た。なおこの保護層はめっき時間を変化
させ、層厚１５〜２０μｍとした。セル間ピッチはこの
永久磁石表面をレーザー顕微鏡で観察し、長さ１００μ
ｍに含まれるセル数を数えることで求めたものである。
これらの試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテス
ト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５％
ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で行った。その結果を
表１と図６に示す。表１に記載された時間は発錆が初め
て認められた時間である。図６に記載された縦軸の塩水
噴霧時間は発錆が初めて認められた時間である。
Ｂ−７８Ｆｅの組成のインゴットを得た。このインゴッ
トをスタンプミルで粗粉砕し、ボールミルで平均粒度
３．５μｍの合金粉末を得た。この合金粉末を１２ｋＯ
ｅの磁場中で１．５トン／ｃｍ2 の圧力で成型して成型
体を得た。この成型体をアルゴン雰囲気中で１１００
℃，１時間加熱後、急冷し焼結体を得た。得られた焼結
体をアルゴン雰囲気中で６００℃，２時間の時効処理を
施して永久磁石を得た。この永久磁石から１０×１０×
２０ｍｍの磁石片を切り出し永久磁石体とした。この永
久磁石体の表面に、めっき保護層としてＮｉめっき膜を
電気めっき法により設置した。このＮｉめっきにはワッ
ト浴を用い、浴温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化
させ、めっき膜表面に異なるセル間ピッチを設置した永
久磁石試料を得た。なおこの保護層はめっき時間を変化
させ、層厚１５〜２０μｍとした。セル間ピッチはこの
永久磁石表面をレーザー顕微鏡で観察し、長さ１００μ
ｍに含まれるセル数を数えることで求めたものである。
これらの試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテス
ト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５％
ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で行った。その結果を
表１と図６に示す。表１に記載された時間は発錆が初め
て認められた時間である。図６に記載された縦軸の塩水
噴霧時間は発錆が初めて認められた時間である。
【表１】 セル間ピッチ ＰＣＴ 塩水噴霧試験 参考図 ３重点存在 密度（ケ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＞１００μｍ ＞１２０ｈ ９６ｈ 図２ ０ 実施例 ８０μｍ ＞１２０ｈ ９６ｈ 実施例 ５０μｍ ＞１２０ｈ ９６ｈ 実施例 ３２μｍ ＞１２０ｈ ９６ｈ 実施例 １４μｍ ＞１２０ｈ ７２ｈ 実施例 １０μｍ ４８ｈ １２ｈ 図１ ＞１００ 比較例 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 表１及び図６から保護層表面のセル間ピッチが１４μｍ
以上の保護層を有するときに保護層表面のセル間ピッチ
が１４μｍより小さいときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試
験のいずれに対しても耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久
磁石の得られることが判る。比較例の場合には、一般に
要求される塩水噴霧試験の２４ｈ以上という要求に達し
ないものである。ここで、表１に参考図として示されて
いる図１と図２を比較したとき明らかにセル間ピッチの
大きい図２のものの方が保護層表面の腐食の起点となる
セル境界２重点や３重点の存在密度が減少していること
が判る。ここで、セル境界の３重点存在密度はＳＥＭ写
真の１００μｍ×１００μｍの範囲で観察したものであ
る。
以上の保護層を有するときに保護層表面のセル間ピッチ
が１４μｍより小さいときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試
験のいずれに対しても耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久
磁石の得られることが判る。比較例の場合には、一般に
要求される塩水噴霧試験の２４ｈ以上という要求に達し
ないものである。ここで、表１に参考図として示されて
いる図１と図２を比較したとき明らかにセル間ピッチの
大きい図２のものの方が保護層表面の腐食の起点となる
セル境界２重点や３重点の存在密度が減少していること
が判る。ここで、セル境界の３重点存在密度はＳＥＭ写
真の１００μｍ×１００μｍの範囲で観察したものであ
る。
【００１２】（実施例２）実施例１と同様にして得た永
久磁石体の表面に、めっき保護層としてＮｉめっき膜を
電気めっき法により設置した。このＮｉめっきにはワッ
ト浴を用い、浴温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化
させ（２００）面のＸ線回折強度比の異なる永久磁石試
料を得た。なおこの保護層はめっき時間を変化させ、層
厚１５〜２０μｍとした。このめっき膜表面の回折強度
をＸ線回折装置で測定した。Ｘ線回折強度測定はＣｏタ
ーゲットを使いＣｏ−Ｋα線で管電圧４０ｋＶ、電流１
２０ｍＡの条件で行った。この試料をＰＣＴ試験（プレ
シャークッカーテスト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧
試験（３５℃，５％ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で
行った。その結果を表２と図７に示す。表２に記載され
た時間は発錆が初めて認められた時間である。図７に記
載された縦軸の塩水噴霧時間は発錆が初めて認められた
時間である。
久磁石体の表面に、めっき保護層としてＮｉめっき膜を
電気めっき法により設置した。このＮｉめっきにはワッ
ト浴を用い、浴温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化
させ（２００）面のＸ線回折強度比の異なる永久磁石試
料を得た。なおこの保護層はめっき時間を変化させ、層
厚１５〜２０μｍとした。このめっき膜表面の回折強度
をＸ線回折装置で測定した。Ｘ線回折強度測定はＣｏタ
ーゲットを使いＣｏ−Ｋα線で管電圧４０ｋＶ、電流１
２０ｍＡの条件で行った。この試料をＰＣＴ試験（プレ
シャークッカーテスト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧
試験（３５℃，５％ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で
行った。その結果を表２と図７に示す。表２に記載され
た時間は発錆が初めて認められた時間である。図７に記
載された縦軸の塩水噴霧時間は発錆が初めて認められた
時間である。
【表２】 回折強度比（％） ＰＣＴ 塩水噴霧試験 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ９６ ＞１２０ｈ ９５ｈ 実施例 ８６ ＞１２０ｈ ９０ｈ 実施例 ８０ ＞１２０ｈ ８０ｈ 実施例 ７０ ＞１２０ｈ ７２ｈ 実施例 ６５ ７２ｈ １２ｈ 比較例 ６０ ４８ｈ １２ｈ 比較例 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 表２及び図７から保護層表面の（２００）面のＸ線回折
強度比が７０％以上の試料は７０％より低い試料よりＰ
ＣＴ試験も塩水噴霧試験のいずれに対しても耐食性に優
れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の得られることが判る。比較
例の場合には、一般に要求される塩水噴霧試験の２４ｈ
以上という要求に達しないものである。
強度比が７０％以上の試料は７０％より低い試料よりＰ
ＣＴ試験も塩水噴霧試験のいずれに対しても耐食性に優
れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の得られることが判る。比較
例の場合には、一般に要求される塩水噴霧試験の２４ｈ
以上という要求に達しないものである。
【００１３】（実施例３）実施例１と同様にして得た永
久磁石体の表面に、Ｎｉめっき膜を電気めっき法により
設置した。このめっき保護層にはワット浴を用い、浴温
４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化させ、めっき保護
層に異なる太さの成長模様の永久磁石試料を得た。この
成長模様は永久磁石試料を切断し、この断面を研磨した
後、イオンミリングでドライエッチングすることにより
現れる。なおこのＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍであ
る。これらの試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテ
スト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５
％ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で行った。その結果
を表３に示す。表３に記載された時間は発錆が初めて認
められた時間である。
久磁石体の表面に、Ｎｉめっき膜を電気めっき法により
設置した。このめっき保護層にはワット浴を用い、浴温
４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度を変化させ、めっき保護
層に異なる太さの成長模様の永久磁石試料を得た。この
成長模様は永久磁石試料を切断し、この断面を研磨した
後、イオンミリングでドライエッチングすることにより
現れる。なおこのＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍであ
る。これらの試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテ
スト：１２０℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５
％ＮａＣｌ）に供した。評価は目視で行った。その結果
を表３に示す。表３に記載された時間は発錆が初めて認
められた時間である。
【表３】 成長模様の太さ ＰＣＴ 塩水噴霧試験 焼結体粒径 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ０．４μｍ ＞１２０ｈ １２０ｈ ２０μｍ 実施例 ０．１μｍ ９６ｈ ２４ｈ ５０μｍ 実施例 ０．０６μｍ ４８ｈ ＜２４ｈ ６０μｍ 比較例 ０．０３μｍ ４８ｈ ＜２４ｈ ８０μｍ 比較例 表３から保護層の成長模様の太さが０．１μｍ以上であ
るほうが保護層の成長模様の太さが０．１μｍより小さ
いときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試験のいずれに対して
も耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の得られること
が判る。また、実施例１と同様にして得た永久磁石体の
表面に、Ｎｉめっき膜を電気めっき法により設置した。
このめっき保護層にはワット浴を用い、めっき条件は浴
温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度３Ａ／ｄｍ2とした。
なおこのＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍである。なお
このＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍである。これらの
試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテスト：１２０
℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５％ＮａＣｌ）
に供した。評価は目視で行った。その結果を表３に併せ
て示す。表３に記載された時間は発錆が初めて認められ
た時間である。表３から永久磁石の焼結体の粒径が５０
μｍ以下であるほうが、永久磁石の焼結体の粒径が５０
μｍより大きいときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試験のい
ずれに対しても耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の
得られることが判る。
るほうが保護層の成長模様の太さが０．１μｍより小さ
いときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試験のいずれに対して
も耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の得られること
が判る。また、実施例１と同様にして得た永久磁石体の
表面に、Ｎｉめっき膜を電気めっき法により設置した。
このめっき保護層にはワット浴を用い、めっき条件は浴
温４５℃，ｐＨ＝４で、電流密度３Ａ／ｄｍ2とした。
なおこのＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍである。なお
このＮｉめっきは層厚１５〜２０μｍである。これらの
試料をＰＣＴ試験（プレシャークッカーテスト：１２０
℃，２気圧），塩水噴霧試験（３５℃，５％ＮａＣｌ）
に供した。評価は目視で行った。その結果を表３に併せ
て示す。表３に記載された時間は発錆が初めて認められ
た時間である。表３から永久磁石の焼結体の粒径が５０
μｍ以下であるほうが、永久磁石の焼結体の粒径が５０
μｍより大きいときよりＰＣＴ試験も塩水噴霧試験のい
ずれに対しても耐食性に優れたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の
得られることが判る。
【００１４】
【発明の効果】以上の記載の通り、本発明によるＲ−Ｔ
−Ｂ系永久磁石は優れた耐食性を有し用途の拡大に寄与
するところが大きい。
−Ｂ系永久磁石は優れた耐食性を有し用途の拡大に寄与
するところが大きい。
【図１】本発明に係るＮｉめっき保護層表面の金属組織
を表すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
を表すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
【図２】本発明に係るＮｉめっき保護層表面の金属組織
を表すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
を表すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
【図３】本発明に係るＮｉめっき保護層断面の成長模様
を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
【図４】本発明に係る成長模様（矢印ａ部分）とセル境
界（矢印ｂ部分）を有するＮｉめっき保護層断面の金属
組織を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
界（矢印ｂ部分）を有するＮｉめっき保護層断面の金属
組織を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
【図５】本発明に係る成長模様の太さが充分大きいＮｉ
めっき保護層断面の金属組織を示すＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）写真である。
めっき保護層断面の金属組織を示すＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）写真である。
【図６】セル間ピッチと塩水噴霧試験による発錆時間の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図７】（２００）面のＸ線回折強度比と塩水噴霧試験
による発錆時間の関係を示す図である。
による発錆時間の関係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 好子 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地日立金属株式 会社磁性材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類
元素Ｒ、及びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久
磁石合金の表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめ
っき保護層を施した永久磁石において、該めっき保護層
が３０μｍ以下で、かつ該めっき保護層の表面のセル間
ピッチが１５μｍ以上であることを特徴とする永久磁
石。 - 【請求項２】 遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類
元素Ｒ、及びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久
磁石合金の表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめ
っき保護層を施した永久磁石において、前記めっき保護
層の成長模様の太さが０．１μｍ以上であることを特徴
とする永久磁石。 - 【請求項３】 遷移金属Ｔ、イットリウムを含む希土類
元素Ｒ、及びＢを主成分とするようなＲ−Ｔ−Ｂ系永久
磁石合金の表面にＮｉまたはＮｉ合金から構成されるめ
っき保護層を施した永久磁石において、前記めっき保護
層の（２００）面のＸ線回折強度比が７０％以上である
ことを特徴とする永久磁石。 - 【請求項４】 永久磁石が焼結体でその焼結体の粒径が
５０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれかの項に
記載の永久磁石。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353487A JPH05166618A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 永久磁石 |
| US07/992,823 US5360674A (en) | 1991-12-17 | 1992-12-16 | Permanent magnet coated with Ni or Ni alloy having a specific cell structure and growth pattern |
| DE4242799A DE4242799C2 (de) | 1991-12-17 | 1992-12-17 | Dauermagnet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3353487A JPH05166618A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 永久磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166618A true JPH05166618A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18431176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353487A Pending JPH05166618A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 永久磁石 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5360674A (ja) |
| JP (1) | JPH05166618A (ja) |
| DE (1) | DE4242799C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19751710A1 (de) * | 1997-11-21 | 1999-05-27 | Leybold Systems Gmbh | Magnetkörper mit Korrosionsschutzbeschichtung |
| DE29903607U1 (de) * | 1999-02-28 | 2000-04-13 | Maco Gmbh | NdFeB-Magnete |
| US9905345B2 (en) * | 2015-09-21 | 2018-02-27 | Apple Inc. | Magnet electroplating |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1007847B (zh) * | 1984-12-24 | 1990-05-02 | 住友特殊金属株式会社 | 制造具有改进耐蚀性磁铁的方法 |
| US4935080A (en) * | 1988-01-29 | 1990-06-19 | Kollmorgen Corporation | Protection and bonding of neodymium-boron-iron magnets used in the formation of magnet assemblies |
| JPH0283905A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 耐食性永久磁石およびその製造方法 |
| US5154987A (en) * | 1990-07-17 | 1992-10-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Highly conductive electrolyte composites containing glass and ceramic, and method of manufacture |
| JPH04267305A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石 |
| DE69223877T2 (de) * | 1991-08-09 | 1998-04-16 | Intermetallics Co Ltd | Beschichtete Bauteile mit pulvergerüststrukturiertem Film und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| JP3209288B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-09-17 | 財団法人鉄道総合技術研究所 | 鉄道車両用ブレーキ装置 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3353487A patent/JPH05166618A/ja active Pending
-
1992
- 1992-12-16 US US07/992,823 patent/US5360674A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-17 DE DE4242799A patent/DE4242799C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4242799A1 (en) | 1993-06-24 |
| US5360674A (en) | 1994-11-01 |
| DE4242799C2 (de) | 2000-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |