JPH05160533A - 配線基板およびこれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】薄膜配線を有する配線基板において、外部回路
等と基板上回路とを半田を用いて接続するための接続端
子の溶融半田耐性を向上させる。 【構成】電気配線上の少なくとも半田接続を行う部分の
半田と直接接合する層の材料をとしてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ
のうちの一つまたはこれらを合金化した材料を用いる。
あるいは、この３元素とＮｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏのうちの
いずれかとの合金を用いる。さらに、該層の表面をＡｕ
で被覆し濡れ性を改善することに加え、該層と基板との
間にＣｒ，Ｔｉ，Ａｌのうちの何れかから成る接着層を
介在させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子計算機および電子
交換器等のように高速で電気的信号を処理する必要のあ
る電子機器および超小型ビデオカメラのように高密度に
回路を組み込む必要のある電子機器に適する配線基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の性能は大規模集積回路
（ＬＳＩ）を限られた空間に多く組み込むための実装技
術に大きく左右されるようになって来た。ＬＳＩとの接
続部分は既に従来最も用いられてきたプリント基板にお
ける配線ピッチでは形成できないほど細かい配線パタ−
ンが必要となってきており、セラミック厚膜印刷技術に
よって形成された多層配線基板上に更に細かい回路パタ
−ン形成が可能な薄膜技術によっ接続部分を形成した基
板や薄膜技術によって接続部分を形成した高耐熱樹脂テ
−プをＬＳＩと基板との間に入れるテ−プオ−トメ−テ
ッドボンディング（ＴＡＢ）と呼ばれる技術が適用され
始めている。一般に薄膜技術によって作られた配線とＬ
ＳＩとの接続は、Ａｕ等の細いワイヤを用いたワイヤボ
ンディングと呼ばれる方法か半田を用いた接続が行われ
ている。半田を用いる接続法の中でもコントロ−ルド
コラプス ボンディング（ＣＣＢ）法はＬＳＩチップの
表面全面から端子を引き出すことができるために端子数
が多いＶＬＳＩに好適の上、基板上の端子とこれに対応
するＬＳＩ上の端子間との距離が最小にできるため、Ｌ
ＳＩの高密度実装技術として今後適用範囲が拡大すると
予想されている。

【０００３】通常のＣＣＢ接続は錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐ
ｂ）の合金またはこれを主成分とする合金を半田材料と
して用いるため、接続端子は溶融したこれら合金との反
応が適度に起こるような金属を配線上に形成して接続端
子としている。この接続端子の金属としてはレビュ−・
オブ・ザ・エレクトリカル・コミュニケ−ション・ラボ
ラトリズ第２６巻５−６号（１９７８年）第７３５頁か
ら第７４７頁（Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃ
ｔｒｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｌａｂｏ
ｒａｔｏｒｉｅｓ，ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．５〜６（１９
７８）ｐ．ｐ．７３５−７４７）に記載の例および第４
１回アイ イ− イ− イ− エレクトリック コンポ
−ネンツ テクノロジ− コンファレンス予稿集第１０
頁から第１３頁に記載の例では図２のような構成が用い
られている。この例では、絶縁性基板１上の接続端子部
は接続層の酸化を防ぐための酸化防止層２とはんだと反
応して接続される接続層３および接続層と絶縁性基板ま
たは下層との接着性を確保するための接着層４から成
る。酸化防止層２は何れの例でもＡｕから成り、接続層
は前者の例でははロジウム（Ｒｈ）で形成され、後者の
例ではＣｕとＮｉの２層で形成されている。接着層はＣ
ｒまたはＴｉから形成されることも多いが、図２のよう
に接着層がＣｕやＡｌ等からなる配線５または配線の一
部を兼ねている場合も多い。接続層の材料はＲｈ，Ｃ
ｕ，Ｎｉの他、白金（Ｐｔ）およびパラジウム（Ｐｄ）
もはんだとの反応が比較的遅く、接続層として好適であ
ることが知られている。しかし、上記材料のうちＲｈ，
Ｐｔ，Ｐｄは何れも貴金属であるため材料費が非常に高
く、電気回路に用いるのは不適当である。従って、通常
用いられる材料はＣｕまたはＮｉあるいはこれらを積層
したものが一般的である。さらに、米国特許パテントナ
ンバ−４８０６７２５に記載の如く、接続層をＣｕとＮ
ｉの合金で形成する例が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】接続層としての機能を
決定するＳｎ−Ｐｂ系の熔融半田に対する耐性をＡｕ
６，銀（Ａｇ）７，Ｃｕ８，Ｐｄ９，Ｐｔ１０，Ｎｉ１
１について比較した例を図３に示した。この図からＡｕ
６およびＡｇ７は非常に早く半田に熔融するが、Ｐｔ１
０，Ｎｉ１１はゆっくり熔融し、Ｃｕ８，Ｐｄ９はこれ
らの中間に位置することが判る。熔融半田への溶解速度
が早い金属を接続層とした場合、半田接続時に失われる
厚みが大きいために必要な膜厚が厚くなる。筆者等の検
討によれば、Ｃｕを接続層とした場合、６０重量％Ｓｎ
−４０重量％Ｐｂの組成を有す半田を用いて２００℃程
度の温度下で、数秒でＬＳＩを接続する間に約１μｍの
厚みのＣｕが熔融している半田中へ融け出し、Ｃｕ膜の
膜厚が減少する。

【０００５】通常、基板にＬＳＩを接続した後に基板上
の端子を用いてＬＳＩの検査を行うため、接続後に不良
と判別されたＬＳＩは端子上から外して別のＬＳＩと交
換する。従って、端子は溶融半田との接触としては、最
初の接続・取外し・余分な半田の除去・２回目の接続の
計４回があり、この間に計４μｍ厚さのＣｕ層が失われ
ることになる。そのため、端子の厚みはこれを考慮して
５μｍ程度以上とする必要があった。さらに、基板上に
搭載するＬＳＩの数が多い場合は２回目に接続したＬＳ
Ｉが不良である確率が高くなるため３回ないし４回の付
け替えも予想され、１０μｍを越えるような膜厚が必要
となり、端子部分に薄膜技術による成膜およびパタ−ニ
ングを適用することが困難となってくる。この傾向は今
後ますます顕著になり、Ｃｕのように半田に溶け込み易
い金属は半田付けのための端子の材料としては不適当に
なってくる。

【０００６】この問題は接続層をＮｉにすることで例え
ば３回の付け替えで必要な膜厚が２μｍ程度ですむよう
になるが、Ｎｉは強固な表面酸化膜を形成しやすく、一
旦形成されると端子部に損傷を与えずに安定に除去する
ことは現状ではできない。また、Ｎｉは強磁性体のた
め、近年薄膜形成技術として多用されるマグネトロンス
パッタ法による成膜についても適用は容易ではない。こ
のＮｉの問題点を解決するためにＮｉ−Ｃｕ合金が開発
されたが、半田耐性の点で若干Ｎｉより劣る。

【０００７】さらに、近年では各種目的のためにＳｎ−
Ｐｂ系の半田による接続においても３００℃を越えるよ
うなより高温で用いるような場合が多く、溶融半田耐性
の点においてもＮｉをもってしても不十分な場合が散見
されるようになってきた。本発明は上記諸問題に鑑み、
代表的な半田であるＳｎ合金系半田における熔融半田耐
性が高く、薄膜として形成容易で加工・接続もＮｉ以上
に容易な接続層の材料を提供することで大規模高密度実
装が可能な配線基板を実現することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】Ｓｎ合金系半田における
熔融半田耐性に影響する要因を明らかにするため、半田
の主成分であり接続を大きく左右するＳｎに対する各種
金属の平衡状態図を検討した。Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｎｉについて調べると、図３ではこの順序で半田に
対する溶解速度が遅くなるが、筆者等はこの順序を決定
するのは、図４のＮｉ−Ｓｎ平衡状態図の例で示せばＳ
ｎ側の液相線１２の立上りであることを見出した。図４
における液相線１２と上記複数金属における同様のＳｎ
側の液相線の比較を図５に示したが、この図より明らか
なように、液相線の傾きはＡｕ１３，Ｃｕ１４，Ｐｄ１
５，Ｐｔ１６，Ｎｉ１７と急俊になる程、熔融半田耐性
が向上することが明白である。

【０００９】従って、Ｎｉより半田耐性の高い材料を選
定するためにはこの液相線の立上りがＮｉ１７のものよ
り急俊なものを見い出せば良いことになる。そこで、各
種金属のＳｎに対する平衡状態図を調査した結果、図１
に示す如くＴｉ１８，Ｚｒ１９，Ｈｆ２０，Ｎｂ２１，
Ｔａがこれに該当することが明らかになった。ただし、
Ｎｂ２１，Ｔａについては液相線が明瞭に現われるのが
８００℃を越えるような非常に高温であるため、通常の
半田接続を行う温度域（１８０〜４００℃）では液相の
半田が接してもＳｎ原子が固相のＮｂ，Ｔａ中に拡散し
ていく反応によって合金化が進行するため、通常の半田
接続を行う時間（１分以内）では実質的に接続が行われ
ないと考えられる。そこで、Ｃｕ１４，Ｎｉ１７等の場
合のように２３０℃程度の低温でＳｎ側の液相線が現わ
れ、Ｓｎ濃度の低下と共に急激に液相線が高温側へ上昇
する、つまり液相線の傾きが急俊である材料が半田耐性
の高い材料として最適という結論を得、熔融半田耐性が
Ｎｉと同等以上の材料としてＴｉ１８，Ｚｒ１９，Ｈｆ
２０の３元素を選定し、Ｚｒ，Ｈｆについては実験によ
ってＮｉより熔融半田耐性が数倍以上高いことを確認し
た。また、ＴｉについてはＮｉと同等であった。従っ
て、上記の熔融半田耐性の傾向と平衡状態図との関連も
裏付けられた。これら３元素の溶融半田耐性の類似性は
これらが元素周期表の４Ａ族に属していることで理解で
きる。

【００１０】

【作用】従来より半田接続用の金属として多用されてい
るＣｕ，Ｎｉに比べ溶融半田耐性が同等以上のためＴｉ
を用いた場合はＮｉより半田濡れ性良好で必要膜厚が同
等以下、Ｚｒの場合は必要膜厚が数分の一、Ｈｆの場合
には１０分の一ですむようになる。このため、薄膜の形
成および回路パタ−ンの形成が非常に容易になる。ま
た、これらの材料はいずれも非磁性体であるためマグネ
トロンスパッタによる形成も容易である。価格はＣｕ，
Ｎｉに比べれば高いが、Ｚｒ，Ｈｆについては必要膜厚
が数分の一で済むことを考えれば、若干高くなる程度と
考えられる。また、これら元素の表面酸化層は何れも希
弗酸で容易に除去できるため、溶融半田の濡れ不良によ
る接続不良を防ぐことができる。また、表面にＡｕ層を
連続形成すれば、長期保管による表面酸化の進行を防ぐ
ことができる上、溶融半田に対する表面濡れ性をＡｕに
よって向上できるため、接続工程直前に酸化層を除去す
る作業をしなくとも接続不良が防止できる。また、これ
らの金属どうしは全率固溶する組合せであるため、これ
らを合金にすることにより各々の特性の中間的な特性を
持つ接続層を得ることができる。さらに、これらとＮｉ
との合金を接続層とすることでＮｉとこれらの材料の中
間的な特性を得ることもできる。また、Ｎｉとの合金に
おいてはその組成の一部においては接続層表面にパラジ
ウム処理のような前処理をしなくとも無電解Ｎｉメッキ
が可能であるため、Ｎｉとの合金の上にＮｉ／Ａｕをメ
ッキにより安価に形成することも可能である。

【００１１】溶融半田耐性は単一元素としてはこれら３
元素が実質的に最も優れると考えられるが、Ｓｎと合金
を作らない元素であるＣｒ，Ｍｏ，Ｗを上記３元素に混
ぜた合金を接続層とすると、添加元素が半田との反応を
抑制するために半田耐性はさらに改善される。

【００１２】上記の接続層を基板上に形成する場合に、
基板または下地層との接着力が弱い場合は半田接続時ま
たは配線基板の使用中に基板から剥がれてしまうので、
これを防ぐためにＣｒ，Ｔｉ，Ａｌを接着層として形成
することが有効である。

【００１３】

【実施例】以下本発明による実施例を図を用いて説明す
る。

【００１４】実施例１ 図６に示すごとく、セラミックの基板２２上にＣｒ（膜
厚０．１μｍ）２３／Ｃｕ（２．０μｍ）２４／Ｃｒ
（０．１μｍ）２５／Ｚｒ（０．５μｍ）２６／Ａｕ
（０．１μｍ）２７の５層をマグネトロンスパッタリン
グ法により大気に曝すこと無く連続成膜する。連続成膜
をするのは、Ｃｒ層２３，２５とＣｕ層２４間の接着性
を確保するためと、Ｚｒ層２６表面に酸化層が形成され
るのを防ぐためである。ＣｒとＣｕは相互溶解域が１原
子％以下と非常に僅かなために、Ｃｒ層２３表面の酸化
層にはＣｕが殆ど接着しないこと、Ｃｕ層２４の表面の
酸化層は脆いために上層の金属層が剥がれやすいことの
２つの影響が非常に大きく現われるが、真空中で連続成
膜することで層間剥離を防ぐことができる。また、Ｚｒ
層２５の表面の酸化をＡｕ層２７で防ぐことで確実に半
田接続ができる。

【００１５】その後、接続端子パタ−ンを形成するため
のフォトレジストパタ−ンを形成し、Ａｕ層２７をヨウ
素系のエッチング液で、Ｚｒ層２６を弗酸系のエッチン
グ液でエッチングした後、レジストを除去する。次に配
線パタ−ンを形成するためのフォトレジストパタ−ンを
形成し、上層Ｃｒ層２５をフェリシアン化カリウム系の
エッチング液または塩酸系のエッチング液でエッチング
する。次にＣｕ層２４をヨウ素系のエッチング液または
塩化第二鉄系の液でエッチングする。さらに、最下層の
Ｃｒ層２３をフェリシアン化カリウム系のエッチング液
または塩酸系のエッチング液でエッチングする。このよ
うな工程により、半田接続端子を有する配線パタ−ンを
形成することができる。

【００１６】この例でＺｒをＴｉまたはＨｆに替えても
殆ど同じ工程により配線パタ−ンを形成することができ
る。

【００１７】実施例２ 図７に示すごとく、実施例１と同様にＣｒ２３／Ｃｕ２
４／Ｃｒ２５層を形成した後、６０原子％Ｎｉ−４０原
子％Ｚｒ合金薄膜２８を形成する。その後接続端子パタ
−ンを形成するためのフォトレジストパタ−ンを形成
し、弗酸と硝酸の混合エッチング液を用いてＮｉ−Ｚｒ
合金薄膜２８をエッチングする。その後実施例１と同様
にＣｒ２３／Ｃｕ２４／Ｃｒ２５層をエッチングして配
線パタ−ンを形成する。その後Ｎｉの無電解メッキ液に
浸してＮｉ−Ｚｒ合金薄膜２８表面およびＣｕ膜２４側
面にＮｉ層２９を析出させ、更に無電解金メッキ液中に
浸してＮｉ層２９上にＡｕ層２７を析出させる。このよ
うな工程により、半田接続端子を有する配線パタ−ンを
形成することができる。この例では最表面のＡｕ層２７
を選択メッキにより形成するため、Ａｕ膜形成のコスト
が安価である。

【００１８】Ｎｉ−Ｚｒ合金薄膜２８を形成するにあた
って、薄膜の組成の選択には以下の点に留意する必要が
ある。Ｎｉ量が増えるに従って溶融半田耐性は低下す
る。Ｎｉ量が５０〜６０原子％以下では無電解Ｎｉメ
ッキができない。Ｎｉ量が約８０原子％を越えると強
磁性が現われて常用される磁場強度のマグネトロンスパ
ッタリングが困難となる。従って、Ｎｉ−Ｚｒ合金薄膜
２８の利点を活かすためにはＮｉ量が５０〜８０原子％
の範囲が最適である。ＴｉおよびＨｆに関しても同様の
ことが言えるため、各々のＮｉとの合金においてＮｉ量
が５０〜８０原子％が適当である。Ｎｉにこれら元素を
混ぜることはそれだけでＮｉの熔融半田耐性を向上させ
ることができるので、本特許はこの組成範囲に限定され
るものではない。また、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆのＮｉとの合
金薄膜を成膜するために用いるスパッタリングタ−ゲッ
トは、各々の材料の粉末を所定の割合で混合した後に真
空中で焼結することにより容易に得ることができる。

【００１９】実施例３ 実施例１と同様にＣｒ２３／Ｃｕ２４／Ｃｒ２５層上に
１０原子％Ｗ−９０原子％Ｚｒ合金薄膜層３０／Ａｕ層
２７を連続成膜する。本合金は弗酸系のエッチング液に
て容易にエッチングできるため、実施例１と同様に容易
に配線基板を得ることができる。また、本合金は、Ｚｒ
に比べ溶融半田耐性が数倍と良好なため、溶融半田に長
時間浸しておいても端子が殆ど侵食されず、半田付けと
しては非常に高温の３５０℃程度の条件でも十分に耐え
ることができる。しかし、同じ端子においてＬＳＩの交
換のような作業を繰り返すと、接続層中のＷは溶融半田
に混ざらないため結果的にＺｒのみが選択的に半田中に
拡散し、この拡散した部分をＬＳＩ交換により持ち去ら
れることが繰り返されることになる。その結果、接続層
表面にはＷが濃縮され、ついには端子表面が溶融半田を
はじくようになるため、１０回程度で接続ができなくな
る。しかし、通常は特定の端子上のＬＳＩが１０回交換
しても不良である確率は非常に小さいため、問題とはな
らないと考えられる。

【００２０】Ｗの混合比は２０原子％程度が上限で、こ
れを越えると接続層表面で溶融半田をはじくようになり
接続ができない。この特性はＴｉおよびＨｆでも同様で
あり、溶融半田耐性を無限に改善できるわけではない
が、上記組成範囲内でも実際の工程中においては十分な
耐性である。また、添加する金属としてＣｒ，ＭｏもＷ
と全く同じ効果があり、上限はやはり２０原子％程度で
ある。Ｃｒを添加する場合に注意しなければならないの
は表面酸化層であり、一旦形成されると除去するのが困
難であるため、上記の如く連続成膜により表面をＡｕ層
で保護して用いるのが望ましい。Ｍｏ，Ｗの場合は希弗
酸にて酸化層が比較的容易に除去できるためにＡｕ層は
必須ではなく、半田付け工程直前に酸化層除去作業を行
うことで問題なく半田接続できる。

【００２１】本実施例においては接続層の膜厚を０．１
〜０．２μｍ程度とすることで上記特性を発揮すること
ができるため、材料コストを補って余りあるコスト低減
ができる。薄膜形成においてもこれら合金薄膜は非磁性
のため、マグネトロンスパッタリングにより容易に形成
が可能であり、形成工程で用いるスパッタリングタ−ゲ
ットも前述の焼結法により容易に製造可能である。

【００２２】実施例４ 図８−１に示すごとくセラミックの基板上にＣｒ２３／
Ｃｕ２４／Ｚｒ２６／Ａｕ２７をマグネトロンスパッタ
リング法により順次連続成膜する。図８−２、図８−３
の順に実施例１と同様に加工して配線基板とする。この
例ではＺｒ２６が配線の一部を兼ねているため、実施例
１における接着層２５が不要となり製造コストを低減す
ることができる。これにＳｎ−Ｐｂはんだによる接続を
行うと図８−４のようにＡｕ２７が残っている部分のみ
熔融半田が濡れ、半田ボ−ル３１が形成される。Ｚｒ層
２６上の他の部分の表面は工程中で形成された酸化膜に
よって覆われ、熔融半田には濡れない。

【００２３】

【発明の効果】本発明によれば、３５０℃程度の高温の
溶融はんだに数十分程度曝してもなお半田接続ができる
ような従来の薄膜材料の半田接続用端子では不可能であ
った溶融半田耐性が得られるため、接続部の信頼性が向
上する上に従来では不可能であった接続工程を採用する
ことができるようになる。さらにメッキ等による厚膜化
が不要になりコストも低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＮｂのＳｎとの平衡
状態図におけるＳｎ側の液相線の比較を示す図である。

【図２】従来例による半田接続のための端子構造を示す
図である。

【図３】従来の半田接続に用いられている金属の熔融半
田耐性を比較する図である。

【図４】ＮｉとＳｎの平衡状態図である。

【図５】従来の半田接続に用いられている金属のＳｎと
の平衡状態図におけるＳｎ側の液相線の比較を示す図で
ある。

【図６】実施例１による電極および配線の製造工程を示
す図である。

【図７】実施例２による電極および配線の製造工程を示
す図である。

【図８】実施例４による電極および配線の製造工程を示
す図である。

【符号の説明】

１…絶縁性基板 ２…酸化防止層 ３…接続層 ４…接
着層 ５…配線 ６…Ａｕの熔融半田耐性の特性 ７…
Ａｇの熔融半田耐性の特性 ８…Ｃｕの熔融半田耐性の
特性 ９…Ｐｄの熔融半田耐性の特性 １０…Ｐｔの熔
融半田耐性の特性１１…Ｎｉの熔融半田耐性の特性 １
２…Ｎｉ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線 １３…Ａ
ｕ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線 １４…Ｃｕ−Ｓ
ｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線 １５…Ｐｄ−Ｓｎ平衡
状態図のＳｎ側の液相線 １６…Ｐｔ−Ｓｎ平衡状態図
のＳｎ側の液相線 １７…Ｎｉ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ
側の液相線 １８…Ｔｉ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液
相線 １９…Ｚｒ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線
２０…Ｈｆ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線 ２１…Ｎｂ−Ｓｎ平衡状態図のＳｎ側の液相線 ２２…
セラミック基板 ２３…Ｃｒ層 ２４…Ｃｕ層 ２５…
Ｃｒ層 ２６…Ｚｒ層 ２７…Ａｕ層 ２８…６０原子
％Ｎｉ−４０原子％Ｚｒ合金薄膜層 ２９…Ｎｉ層 ３
０…１０原子％Ｗ−９０原子％Ｚｒ合金薄膜層 ３１…
半田ボ−ル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 省二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁層および該層上に電気的配線を形成し
   た配線基板または絶縁層と電気的配線とを交互に積層し
   た配線基板において、基板上の配線のうち少なくとも他
   の基板に形成された回路と該基板上の配線とをはんだに
   より接続するための接続端子の部分がＴｉ（チタン），
   Ｚｒ（ジルコニウム）またはＨｆ（ハフニウム）のうち
   の何れかの金属またはこれらの金属の合金により形成さ
   れていることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の配線を形成する金属とＮｉ
   （ニッケル）との合金を用いたことを特徴とする配線基
   板。
3. 【請求項３】請求項１記載の配線を形成する金属にＣｒ
   （クロム），Ｍｏ（モリブデン）またはＷ（タングステ
   ン）を０．５乃至２０原子％含有させたことを特徴とす
   る配線基板。
4. 【請求項４】請求項１，２または３記載の配線とＣｕ
   （銅）またはＣｕを主成分とする合金の配線とを積層し
   た構造を有する配線であることを特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】請求項１，２，３または４記載の配線にお
   いて、該配線の表面のうち少なくともはんだ接続のため
   の端子部分の最表面をＡｕ（金）またはＣｕで覆ったこ
   とを特徴とする配線基板。
6. 【請求項６】請求項１，２，３，４または５記載の配線
   において、該配線と基板との間にＣｒ，ＴｉおよびＡｌ
   のうちの何れかまたはこれらの合金またはこれらを積層
   した層を設けたことを特徴とする配線基板。
7. 【請求項７】請求項１，２または３記載の金属層をマグ
   ネトロンスパッタリング法または真空蒸着法により０．
   ０５〜１０μｍの厚さに形成することを特徴とする配線
   基板の製造方法。
8. 【請求項８】請求項４記載の配線基板の配線を形成する
   工程において、請求項１，２または３記載の金属層上に
   Ａｕ層またはＣｕ層を形成するにあたり、該金属層とＡ
   ｕ層またはＣｕ層をマグネトロンスパッタリング法によ
   り真空中にて連続形成することを特徴とする配線基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】請求項５記載の配線基板の配線を形成する
   工程において、請求項１，２または３記載の金属層上に
   直接またはメッキ法により形成したＮｉ層を介して無電
   解または電解メッキによりＡｕ層を形成することを特徴
   とする配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項１，２，３，４または５記載の配
    線基板を用いたことを特徴とする電子機器。