JPH05152884A - 表面弾性波素子用基板の製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05152884A JPH05152884A JP31715191A JP31715191A JPH05152884A JP H05152884 A JPH05152884 A JP H05152884A JP 31715191 A JP31715191 A JP 31715191A JP 31715191 A JP31715191 A JP 31715191A JP H05152884 A JPH05152884 A JP H05152884A
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- JP
- Japan
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- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave element
- electrode
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波素子に供される単結晶基板の表面
状態の平滑性を向上させ、その上に形成される電極の比
抵抗を小さい値に維持でき、かつ、表面弾性波特性を向
上させる。 【構成】 表面弾性波素子用基板の電極が形成される面
に、Ａｒ等の希ガスを用いたイオンビームを照射する。
状態の平滑性を向上させ、その上に形成される電極の比
抵抗を小さい値に維持でき、かつ、表面弾性波特性を向
上させる。 【構成】 表面弾性波素子用基板の電極が形成される面
に、Ａｒ等の希ガスを用いたイオンビームを照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、表面弾性波素子用基
板の製造方法に関するもので、特に、表面弾性波素子用
基板の表面状態の平滑性を向上させるための改良に関す
るものである。
板の製造方法に関するもので、特に、表面弾性波素子用
基板の表面状態の平滑性を向上させるための改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波素子に供する単結晶基板とし
て、水晶、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ 3 、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ
7 等がある。これら単結晶基板の表面は、鏡面研磨、ま
たはメカノケミカルポリッシュと呼ばれる研磨により、
平滑にされる。
て、水晶、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ 3 、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ
7 等がある。これら単結晶基板の表面は、鏡面研磨、ま
たはメカノケミカルポリッシュと呼ばれる研磨により、
平滑にされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに研磨された基板であっても、電子顕微鏡によれば、
多くのひびまたはクラックが観察される。
うに研磨された基板であっても、電子顕微鏡によれば、
多くのひびまたはクラックが観察される。
【０００４】したがって、このような基板に、真空装置
を用いて電極を成膜しても、得られた電極の比抵抗値
は、電極に供した金属の固有の比抵抗値に比べて、著し
く高くなる傾向がある。そのため、電極膜厚が、１００
０Å程度に薄くされる表面弾性波素子の場合には、満足
な特性が得られないことがある。
を用いて電極を成膜しても、得られた電極の比抵抗値
は、電極に供した金属の固有の比抵抗値に比べて、著し
く高くなる傾向がある。そのため、電極膜厚が、１００
０Å程度に薄くされる表面弾性波素子の場合には、満足
な特性が得られないことがある。
【０００５】それゆえに、この発明の目的は、表面弾性
波素子用基板の表面の平滑性を向上させるとともに、そ
の上に形成された電極の比抵抗を下げることができ、か
つ、表面弾性波特性を向上させることができる、表面弾
性波素子用基板の製造方法を提供しようとすることであ
る。
波素子用基板の表面の平滑性を向上させるとともに、そ
の上に形成された電極の比抵抗を下げることができ、か
つ、表面弾性波特性を向上させることができる、表面弾
性波素子用基板の製造方法を提供しようとすることであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した技
術的課題を解決するため、表面弾性波素子用基板の電極
が形成される面に、希ガスを用いたイオンビームを照射
するステップを備えることを特徴としている。
術的課題を解決するため、表面弾性波素子用基板の電極
が形成される面に、希ガスを用いたイオンビームを照射
するステップを備えることを特徴としている。
【０００７】上述した希ガスとしては、たとえば、Ａｒ
等が有利に用いられる。
等が有利に用いられる。
【０００８】
【作用】この発明において、希ガスを用いたイオンビー
ムを照射することによって、基板の電極が形成される面
の平滑性が向上される。
ムを照射することによって、基板の電極が形成される面
の平滑性が向上される。
【０００９】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、基板の
平滑にされた面上に蒸着等によって堆積された金属膜の
比抵抗の増大を抑えることができる。そのため、電極の
膜厚が１０００Å程度と薄くされた表面弾性波素子であ
っても、常に満足な特性を得ることができる。たとえ
ば、表面弾性波素子の帯域内リップルを抑えることがで
きる。
平滑にされた面上に蒸着等によって堆積された金属膜の
比抵抗の増大を抑えることができる。そのため、電極の
膜厚が１０００Å程度と薄くされた表面弾性波素子であ
っても、常に満足な特性を得ることができる。たとえ
ば、表面弾性波素子の帯域内リップルを抑えることがで
きる。
【００１０】また、上述したような希ガスを用いたイオ
ンビームの照射により研磨等によって生じた基板の歪応
力を除去することが可能となる。この点においても、表
面弾性波素子の特性の向上を図ることができる。
ンビームの照射により研磨等によって生じた基板の歪応
力を除去することが可能となる。この点においても、表
面弾性波素子の特性の向上を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明に従って実施した実験例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】３インチの１２８゜ＬｉＮｂＯ3 基板を、
真空装置に入れ、Ａｒ+ を用いたイオンビームエッチン
グにより、その表面処理を行なった。基板は、−１０℃
に保たれた冷媒を循環させたステンレス鋼製ホルダに装
着した。イオンソースは、ビーム径８０ｍｍのカウフマ
ン型を用い、ビーム電流を４００ｍＡ、加速電圧を５０
０Ｖとした。また、エッチング時間を、それぞれ、０．
５分、１分、２分、５分、１０分とした。
真空装置に入れ、Ａｒ+ を用いたイオンビームエッチン
グにより、その表面処理を行なった。基板は、−１０℃
に保たれた冷媒を循環させたステンレス鋼製ホルダに装
着した。イオンソースは、ビーム径８０ｍｍのカウフマ
ン型を用い、ビーム電流を４００ｍＡ、加速電圧を５０
０Ｖとした。また、エッチング時間を、それぞれ、０．
５分、１分、２分、５分、１０分とした。
【００１３】次に、各々の基板に対して、イオンビーム
蒸着装置により、アルミニウムを１０００Åの膜厚で蒸
着し、４探針法により、アルミニウム薄膜の抵抗値を測
定し、その結果から、比抵抗を求めた。
蒸着装置により、アルミニウムを１０００Åの膜厚で蒸
着し、４探針法により、アルミニウム薄膜の抵抗値を測
定し、その結果から、比抵抗を求めた。
【００１４】これらの結果が、図１に示されている。図
１において、「○」が比抵抗を示し、「×」がエッチン
グ深さを示している。エッチング深さは、エッチング時
間にほぼ比例して大きくなっている。他方、比抵抗は、
エッチング時間が０．５分、１分、２分と長くなるに連
れて、減少している。なお、エッチング時間が２分を越
えても、比抵抗の顕著な低下は見られない。したがっ
て、エッチングは、それほど長時間行なう必要がないこ
とがわかる。
１において、「○」が比抵抗を示し、「×」がエッチン
グ深さを示している。エッチング深さは、エッチング時
間にほぼ比例して大きくなっている。他方、比抵抗は、
エッチング時間が０．５分、１分、２分と長くなるに連
れて、減少している。なお、エッチング時間が２分を越
えても、比抵抗の顕著な低下は見られない。したがっ
て、エッチングは、それほど長時間行なう必要がないこ
とがわかる。
【００１５】また、上述した表面処理を行なっていない
基板と、１０分間エッチング処理した基板とをそれぞれ
用いて、これに上述したようなアルミニウム蒸着を施
し、表面弾性波素子を作製した。各々の周波数特性が、
図２に示されている。図２において、（ａ）が表面処理
されない基板を用いた場合であり、（ｂ）がエッチング
処理した基板を用いた場合である。
基板と、１０分間エッチング処理した基板とをそれぞれ
用いて、これに上述したようなアルミニウム蒸着を施
し、表面弾性波素子を作製した。各々の周波数特性が、
図２に示されている。図２において、（ａ）が表面処理
されない基板を用いた場合であり、（ｂ）がエッチング
処理した基板を用いた場合である。
【００１６】図２（ａ）および（ｂ）の各々における下
方の拡大された特性からわかるように、（ｂ）のエッチ
ング処理した場合には、（ａ）のエッチング処理されな
い場合に比べて、帯域内のリップルが小さくなってい
る。
方の拡大された特性からわかるように、（ｂ）のエッチ
ング処理した場合には、（ａ）のエッチング処理されな
い場合に比べて、帯域内のリップルが小さくなってい
る。
【００１７】また、イオンビームエッチングによる表面
処理のない基板と表面処理された基板との各々の表面状
態を、電子顕微鏡で観察すれば、両者の間で顕著な差が
認められた。
処理のない基板と表面処理された基板との各々の表面状
態を、電子顕微鏡で観察すれば、両者の間で顕著な差が
認められた。
【００１８】なお、この発明は、表面弾性波素子に供さ
れる単結晶基板だけでなく、誘電体上に圧電薄膜が形成
された基板にも適用することができる。
れる単結晶基板だけでなく、誘電体上に圧電薄膜が形成
された基板にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に従って実施された実験例において得
られた試料のエッチング時間とエッチング深さとの関係
およびエッチング時間と比抵抗との関係を示す図であ
る。
られた試料のエッチング時間とエッチング深さとの関係
およびエッチング時間と比抵抗との関係を示す図であ
る。
【図２】この発明に従って実施された実験例によって得
られた表面弾性波素子の周波数特性を示す図であり、
（ａ）は比較例、（ｂ）は実施例を示す。
られた表面弾性波素子の周波数特性を示す図であり、
（ａ）は比較例、（ｂ）は実施例を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面弾性波素子用基板の電極が形成され
る面に、希ガスを用いたイオンビームを照射するステッ
プを備えることを特徴とする、表面弾性波素子用基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31715191A JPH05152884A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31715191A JPH05152884A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152884A true JPH05152884A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18085018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31715191A Withdrawn JPH05152884A (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785299A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
-
1991
- 1991-11-30 JP JP31715191A patent/JPH05152884A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785299A1 (en) * | 1996-01-19 | 1997-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| US6033471A (en) * | 1996-01-19 | 2000-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Metallic thin flim and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |