JPS58161163A - 静電容量型ビデオデイスク用スタイラスの製造方法 - Google Patents
静電容量型ビデオデイスク用スタイラスの製造方法Info
- Publication number
- JPS58161163A JPS58161163A JP4272582A JP4272582A JPS58161163A JP S58161163 A JPS58161163 A JP S58161163A JP 4272582 A JP4272582 A JP 4272582A JP 4272582 A JP4272582 A JP 4272582A JP S58161163 A JPS58161163 A JP S58161163A
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- JP
- Japan
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- stylus
- electrode
- diamond
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/07—Heads for reproducing capacitive information
- G11B9/075—Heads for reproducing capacitive information using mechanical contact with record carrier, e.g. by stylus
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイアモンドを用いた静電容量型ビデオディス
ク用スタイラスの４造並びに製造方法に関するものであ
る。
ク用スタイラスの４造並びに製造方法に関するものであ
る。
従来η）らよく矧られたダイアモンドを母材とする静電
容量型ビデオディスク用スタイラスについてｍ１図を用
いて説明する。第１図は該スタイラス先端部近傍の概略
図で、図中１はダイアモンド、２はキール部、５は滑走
面、４は電極である。
容量型ビデオディスク用スタイラスについてｍ１図を用
いて説明する。第１図は該スタイラス先端部近傍の概略
図で、図中１はダイアモンド、２はキール部、５は滑走
面、４は電極である。
電極４の材料としては、一般的ＴｉあるいはＨｆ等の金
属薄膜（厚さ； Ｌ２＜５μ簿）が用いられている。ま
たキール部２の成型方法としては機械研削法が用いられ
ている。
属薄膜（厚さ； Ｌ２＜５μ簿）が用いられている。ま
たキール部２の成型方法としては機械研削法が用いられ
ている。
前述したスタイラスはその構成上、本質的に以下に示す
ような問題点をもっている。すなわち、キール部２を形
成するための研削加工時における電極はく離、及び電極
損傷またビデオディスク滑走時１ｃおける電極の後退現
象である。
ような問題点をもっている。すなわち、キール部２を形
成するための研削加工時における電極はく離、及び電極
損傷またビデオディスク滑走時１ｃおける電極の後退現
象である。
こわらの諸問題は電極形成条件及び電極材料の選定によ
り、ある程度解決することはできるものの、該スタイラ
スの製造工程における歩留まり低下は不可避であり、か
つ信頼性の点においても憂慮すべきものであった。
り、ある程度解決することはできるものの、該スタイラ
スの製造工程における歩留まり低下は不可避であり、か
つ信頼性の点においても憂慮すべきものであった。
以上、従来技術には前述せる問題点を有していた◎
本発明の目的は、前述せる従来技術の欠点をなくシ、ス
タイラス作成工程における歩留まり向上及び信頼性向上
を加味した静電容量型ビデオディスク用スタイラスの製
造方法を提供するにある。
タイラス作成工程における歩留まり向上及び信頼性向上
を加味した静電容量型ビデオディスク用スタイラスの製
造方法を提供するにある。
本発明の責点は、ダイアモンド表面層あるいは内部に、
Ｓｉ 、Ｔｉ 、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｘ、Ｃｒ、
Ｍｍｆの少くとも１種を拡散させることにより、該元素
炭化物を形成し、該炭化物層を静電容量型ビデオディス
ク用スタイラスの電極として用いることにある。
Ｓｉ 、Ｔｉ 、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｘ、Ｃｒ、
Ｍｍｆの少くとも１種を拡散させることにより、該元素
炭化物を形成し、該炭化物層を静電容量型ビデオディス
ク用スタイラスの電極として用いることにある。
本発明の要点について、第２図を用いて更に詳細に説明
する。第２図は、炭化物層を有するダイアモンドスタイ
ラスの概略側断面図で、５は炭化物層である。
する。第２図は、炭化物層を有するダイアモンドスタイ
ラスの概略側断面図で、５は炭化物層である。
本発明は第２図に示した如（、ダイアモンド表面層もし
くは内部に、イオン打ち込み法尋により、元素を注入し
、その後熱処理することにより炭化物層を形成しようと
するものである。
くは内部に、イオン打ち込み法尋により、元素を注入し
、その後熱処理することにより炭化物層を形成しようと
するものである。
この際、炭化物層は電極として用いらｎるものであり、
従ってその電気抵抗は充分小さいことが要求される。つ
まり比抵抗が１０ ｎｅｎ＆以下の炭化物を形成する
元素として、上述した元素群を挙げることができる。
従ってその電気抵抗は充分小さいことが要求される。つ
まり比抵抗が１０ ｎｅｎ＆以下の炭化物を形成する
元素として、上述した元素群を挙げることができる。
本発明による、炭化物電極の硬度、及び耐摩耗性は、そ
のバルク特性から予想されるように非常に優れており、
サファイアに匹敵するものである。また、上述したよう
に炭化物電極は、ダイアモンド表面層及び内部にイオン
を打ち込むことによって形成されるものであり、該電極
のダイアモンドに対する付着強度は、通常の蒸着法で形
成したものに比べ非常に大きくなる。
のバルク特性から予想されるように非常に優れており、
サファイアに匹敵するものである。また、上述したよう
に炭化物電極は、ダイアモンド表面層及び内部にイオン
を打ち込むことによって形成されるものであり、該電極
のダイアモンドに対する付着強度は、通常の蒸着法で形
成したものに比べ非常に大きくなる。
以上、前述したように本発明により従来技術の問題点で
あった研削加工時の′電極は（離及び電極損傷、またデ
ィスク滑走時における電極後退は回避されることになる
。
あった研削加工時の′電極は（離及び電極損傷、またデ
ィスク滑走時における電極後退は回避されることになる
。
以上、本発明を実施例を用いて更に詳細に説明する。
（実施例１）
α２０ＸＩＦＪＸα８屏屡 のブロックダイアモンド素
材の一側面に、加速電圧２０Ｏｆｆの条件下でＳｉイオ
ンをＩ Ｘ １０ ８０％ｌ１０−打ち込んだ。その後
、真空中−（残留ガス圧： Ｉ Ｘ １０ ｔｏｒｒ
以下）で１００ａ′Ｃ２０分間アニールした。同試料を
電子線回折法で測定した結果ＳｉＣの生成が確認さｒし
た。
材の一側面に、加速電圧２０Ｏｆｆの条件下でＳｉイオ
ンをＩ Ｘ １０ ８０％ｌ１０−打ち込んだ。その後
、真空中−（残留ガス圧： Ｉ Ｘ １０ ｔｏｒｒ
以下）で１００ａ′Ｃ２０分間アニールした。同試料を
電子線回折法で測定した結果ＳｉＣの生成が確認さｒし
た。
上述した方法でＳ−をイオン打ち込みしたブロックダイ
アモンドを、研削加工法により図１に示したものと同型
の形状に加工した。このときのキール部の高さは約２μ
亀、キール巾は約２μ風及びキール部の夷行きは約４μ
鶏である。
アモンドを、研削加工法により図１に示したものと同型
の形状に加工した。このときのキール部の高さは約２μ
亀、キール巾は約２μ風及びキール部の夷行きは約４μ
鶏である。
前述せる方法で作成したスタイラス電極の導体抵抗は１
０００程度であり、従来のものに比べ若干大きくなった
が、信号検出特性は従来のものとほぼ同等であった。
０００程度であり、従来のものに比べ若干大きくなった
が、信号検出特性は従来のものとほぼ同等であった。
また研削加工時に８けるＳｉＣ層のは（離及び損傷は皆
無で、かつディスク滑走時においても電極後退に相当す
る現象は発生しなかった。
無で、かつディスク滑走時においても電極後退に相当す
る現象は発生しなかった。
（実施例２）
実施例１ テ用イｙ＝ｓｉ Ｏ代りに、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ。
ｆ、Ｖ。
Ｎｈ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｏ、ＩＦを用いた場合でも、実施
例１とほぼ同等の結果が得られた。なお、この場合の導
体抵抗はＳｉの場合よりも低く、１０Ω程度であった口 なお１本発明についてＣＥＤ方式の再生針を例にとって
説明したが、本発明ばＶＨＤ方式の貴生計においても同
様の効果が得られることは言及するまでもない。
例１とほぼ同等の結果が得られた。なお、この場合の導
体抵抗はＳｉの場合よりも低く、１０Ω程度であった口 なお１本発明についてＣＥＤ方式の再生針を例にとって
説明したが、本発明ばＶＨＤ方式の貴生計においても同
様の効果が得られることは言及するまでもない。
以上前述せる如く、本発明によりスタイラス製造工程に
おける歩留才り向上及びスタイラスの信頼性向上が可能
となった。
おける歩留才り向上及びスタイラスの信頼性向上が可能
となった。
この意味で、本発明の静電容量型ビデオディスク用スタ
イラスに対する寄与は極めて大きい。
イラスに対する寄与は極めて大きい。
＠１図は従来のダイアモンド′を母材とするスタイラス
先端部近傍の斜視図、第２図は炭化物電極層を有するス
タイラスの概略側断面図である。 １：ダイアモンド、２：キール部、３：滑走面、４：１
１Ｅ極、５：炭化物層。 代理人弁理士 薄 １）利／％９．４ 治１図 ３ 第２図
先端部近傍の斜視図、第２図は炭化物電極層を有するス
タイラスの概略側断面図である。 １：ダイアモンド、２：キール部、３：滑走面、４：１
１Ｅ極、５：炭化物層。 代理人弁理士 薄 １）利／％９．４ 治１図 ３ 第２図
Claims (1)
- 情報信号が幾何学的形状の変化として記録さｎている媒
体を、相対的に走査して該情報信号を、電気信号の変化
としてピックアップするスタイラスにおいて、該スタイ
ラス母体がダイアモンドから成り、かつ少くともその一
側面に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、ｌｌ’ｆ、Ｖ、ＨＡ、Ｔａ
、Ｃｒ、Ｍｅ、Ｗ’の少くとも１種を、該ダイアモンド
母体にイオン注入しする工程とその後拡散させる工程を
有する靜［容量型ビ′デオディスク用スタイラスの製造
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272582A JPS58161163A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 静電容量型ビデオデイスク用スタイラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272582A JPS58161163A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 静電容量型ビデオデイスク用スタイラスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161163A true JPS58161163A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=12644032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4272582A Pending JPS58161163A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 静電容量型ビデオデイスク用スタイラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635874A1 (en) * | 1987-03-12 | 1995-01-25 | Sumitomo Electric Industries Limited | Thin film single crystal substrate |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP4272582A patent/JPS58161163A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635874A1 (en) * | 1987-03-12 | 1995-01-25 | Sumitomo Electric Industries Limited | Thin film single crystal substrate |
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