JPH05152365A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH05152365A
JPH05152365A JP3310423A JP31042391A JPH05152365A JP H05152365 A JPH05152365 A JP H05152365A JP 3310423 A JP3310423 A JP 3310423A JP 31042391 A JP31042391 A JP 31042391A JP H05152365 A JPH05152365 A JP H05152365A
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bonding wire
bus bar
semiconductor device
inner lead
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Tomoko Tono
朋子 東野
Kazunari Suzuki
一成 鈴木
Ichiro Anjo
一郎 安生
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Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置におい
て、樹脂封止時の樹脂材の流れによりボンディングワイ
ヤーが流れてバスバーに接触しないようにする。また、
温度サイクル等の熱によってボンディングワイヤーが変
形し、バスバーと接触しないようにする。 【構成】 半導体チップ２の上にインナーリード３Ａ及
びバスバー３Ｃを設け、樹脂で封止した樹脂封止型半導
体装置において、ボンディングワイヤー５とバスバー３
Ｃが接触しないように予め絶縁性樹脂等でボンディング
ワイヤー５を固定したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＯＣ（Ｌead Ｏn Ｃ
hip）構造の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に
関し、特に、ボンディングワイヤーと共通インナーリー
ドが接触しないようにする樹脂封止技術に適用して有効
な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＯＣ構造を有する樹脂封止型半
導体装置は、ボンディングパッドとインナーリードとの
間に共通インナーリード（例えば電源共通インナーリー
ド、以下、バスバーという、）を有しており、ボンディ
ングワイヤーはバスバーを超えてボンディングされる構
造をとっている。
【０００３】なお、前記ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体
装置に関連する技術の一例としては、技術情報センター
１９９０年１月１７日発行『'９０ ＶＬＳＩパッケージ
の最新動向とその設計技術』ｐ２１〜２４において論じ
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術について検討した結果、以下の問題
点を見い出した。
【０００５】（１）樹脂封止（モールド）時の樹脂材の
流れによりボンディングワイヤーが流れてバスバーに接
触する。
【０００６】（２）樹脂封止時の樹脂材の流れによりボ
ンディングワイヤーが流れて樹脂封止（モールド）が不
完全な場合が生じ、温度サイクル等の熱的応力（ストレ
ス）によって信頼性が低下する。
【０００７】本発明の目的は、ＬＯＣ構造の樹脂封止型
半導体装置において、樹脂封止時の樹脂材の流れにより
ボンディングワイヤーが流れてバスバーに接触しないよ
うにすることが可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、ボンディングワイヤ
ーが温度サイクル等の熱によって変形し、バスバーと接
触しないようにすることが可能な技術を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば以下のと
おりである。
【００１０】（１）半導体チップの上にインナーリード
及びバスバーを設け、樹脂材で封止した樹脂封止型半導
体装置において、ボンディングワイヤーとバスバーが接
触しないように予め絶縁性固定材でワイヤーを固定した
ものである。
【００１１】（２）半導体チップの上にインナーリード
及びバスバーを設け、樹脂材で封止した樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、ワイヤボンディングした
後、ボンディングワイヤーを絶縁性樹脂材を硬化させて
固定し、その後に封止用樹脂材でモールドする。
【００１２】
【作用】前述の手段によれば、ＬＯＣ構造の樹脂封止型
半導体装置において、ボンディングワイヤーとバスバー
と予め非接触な状態したまま絶縁性樹脂材を硬化させて
固定することにより、以後樹脂封止前までには、外力に
よるボンディングワイヤーの変形、樹脂封止中には、レ
ジンの流れによるボンディングワイヤーの流れ等による
ボンディングワイヤーの変形をおこすことがない。ま
た、温度サイクル試験などの熱的な外力によるボンディ
ングワイヤーの変形もおこすことがなく、半導体装置の
信頼性を向上することができる。また、ワイヤーボンデ
ィング後の工程でのボンディングワイヤーとバスバー間
の接触がなくなるため、ボンディングワイヤーのループ
高さをぎりぎりまで低くし、パッケージの薄型化を図る
ことが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例のＬＯＣ構造の樹
脂封止型半導体装置の構成を示す断面図、図２は図１の
要部（イ）の構成を示す部分断面図、図３は図１の要部
（イ）の構成を示す部分斜視図である。
【００１５】図１，図２及び図３に示すように、本実施
例のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プ２の上にインナーリード３Ａ及びバスバー３Ｃを接着
材層４を介在して設け、半導体チップ２の外部端子２Ａ
とインナーリード３Ａ及びバスバー３Ｃとをボンディン
グワイヤー５で電気的に接続し、前記ボンディングワイ
ヤー５とバスバー３Ｃが接触しないように予め絶縁性樹
脂材（固定材）６でボンディングワイヤー５を固定し、
その後に樹脂封止材７でモールドしたものである。前記
インナーリード３Ａ及びバスバー３Ｃは、それぞれアウ
ターリード３Ｂと一体に構成されている。
【００１６】前記ボンディングワイヤー５とバスバー３
Ｃが接触しないように予め絶縁性の樹脂材６でボンディ
ングワイヤー５を固定する方法は、図３に示すように、
バスバー３Ｃに、非接触な状態でボンディングワイヤー
５が埋まるように絶縁性樹脂材６をポッティング方式な
どを用いて塗布し、硬化させ、固定させる。このことに
より、樹脂封止（モールド）前までの外力、樹脂封止
（モールド）後の温度サイクル等による熱的外力等によ
るボンディングワイヤー５の変形を防ぐので、ボンディ
ングワイヤー５とバスバー３Ｃとの接触不良等を防止す
ることができる。
【００１７】前記絶縁性樹脂材６を塗布するときには、
ボンディングワイヤー５が変形しないように、ボンディ
ングワイヤー５のぞれぞれの間などから塗布する。
【００１８】また、絶縁性樹脂材６については、封止樹
脂材１と同じ熱膨張係数のポッティングレジン材等を使
用すれば、温度サイクル試験等における熱による応力を
低減することができるので、ボンディングワイヤー５の
断線等を防止することができる。
【００１９】また、ワイヤーボンディング後の工程での
ボンディングワイヤー５とバスバー３Ｃ間の接触がなく
なるため、ボンディングワイヤー５のループ高さをぎり
ぎりまで低くし、パッケージの薄型化を図ることが可能
となる。
【００２０】図４は本実施例の変形例の樹脂封止型半導
体装置の要部の構成を示す部分断面図である。この変形
例の樹脂封止型半導体装置の要部は、前記図２及び図３
に示す実施例のように、絶縁性樹脂材６の塗布範囲をバ
スバー３Ｃとボンディングワイヤー５の一部が埋まる領
域のみとするのではなく、ボンディングワイヤー５の全
体が埋まる領域としたものである。また、図１の要部
（ロ）に示すように、バスバー３Ｃとインナーリード３
Ａの一部の領域でボンディングワイヤー５を埋めてもよ
い。
【００２１】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように、本願で開示した
発明のうち、代表的なものの効果は以下のとおりであ
る。
【００２３】バスバー（電源共通インナーリード）を超
えて、ワイヤーボンディングを行うＬＯＣ構造のパッケ
ージにおいて、樹脂モールド工程の樹脂材の流れによる
ボンディングワイヤーの変形や、組立後の熱的応力によ
るボンディングワイヤーとバスバーとの接触不良を防止
することができる。また、ボンディングワイヤーが固定
されることにより、ボンディングワイヤー間の接触不良
を防止することができる。これらにより、半導体装置の
信頼性を向上することができる。
【００２４】また、ボンディングワイヤーが固定される
ことにより、ボンディングワイヤー間の接触不良を防ぐ
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例のＬＯＣ構造の樹脂封止型
半導体装置の構成を示す断面図、
【図２】 図１の要部（イ）の構成を示す部分断面図、
【図３】 図１の要部の構成を示す部分斜視図、
【図４】 図１の本実施例の変形例の樹脂封止型半導体
装置の要部の構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１…樹脂封止型半導体装置、２…半導体チップ、２Ａ…
外部端子、３Ａ…インナーリード、３Ｂ…アウターリー
ド、３Ｃ…バスバー（電源共通インナーリード）、４…
接着材層、５…ボンディングワイヤー、６…絶縁性樹脂
材、７…樹脂封止材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｔ 9272−4Ｍ (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの上にインナーリード及び
    共通インナーリードを設け、樹脂材で封止した樹脂封止
    型半導体装置において、ボンディングワイヤーと共通イ
    ンナーリードが接触しないように予め絶縁性固定材でボ
    ンディングワイヤーを固定したことを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップの上にインナーリード及び
    共通インナーリードを設け、樹脂材で封止した樹脂封止
    型半導体装置の製造方法において、ワイヤボンデングし
    た後、ボンディングワイヤーを絶縁性樹脂材を硬化させ
    て固定し、その後に封止用樹脂材でモールドすることを
    特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP3310423A 1991-11-26 1991-11-26 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 Withdrawn JPH05152365A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7989939B2 (en) 2008-09-04 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package which includes an insulating layer located between package substrates which may prevent an electrical short caused by a bonding wire
JP2017157672A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 株式会社デンソー 回路装置
US9972559B2 (en) 2016-05-19 2018-05-15 Hyundai Motor Company Signal block and double-faced cooling power module using the same

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US7989939B2 (en) 2008-09-04 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package which includes an insulating layer located between package substrates which may prevent an electrical short caused by a bonding wire
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