JPH05139898A - ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法 - Google Patents
ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法Info
- Publication number
- JPH05139898A JPH05139898A JP33004891A JP33004891A JPH05139898A JP H05139898 A JPH05139898 A JP H05139898A JP 33004891 A JP33004891 A JP 33004891A JP 33004891 A JP33004891 A JP 33004891A JP H05139898 A JPH05139898 A JP H05139898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- single crystal
- temperature
- hours
- gaas single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素また
は非酸化性ガス雰囲気中で４００℃以上で６００℃以下
の温度にて１５０時間以上保持してから室温まで冷却す
るようにした。 【効果】 結晶内で原子が移動可能な温度以上であって
通常の熱処理よりもかなり低い温度にＧａＡｓ単結晶を
長時間保持するため、結晶が熱平衡状態に達して結晶育
成時や熱処理等で生じた原子空孔や格子間原子のような
点欠陥の濃度がその温度での理論濃度に近づき、抵抗率
の均一性を向上させることができる。
は非酸化性ガス雰囲気中で４００℃以上で６００℃以下
の温度にて１５０時間以上保持してから室温まで冷却す
るようにした。 【効果】 結晶内で原子が移動可能な温度以上であって
通常の熱処理よりもかなり低い温度にＧａＡｓ単結晶を
長時間保持するため、結晶が熱平衡状態に達して結晶育
成時や熱処理等で生じた原子空孔や格子間原子のような
点欠陥の濃度がその温度での理論濃度に近づき、抵抗率
の均一性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体単結晶の
特性改良技術さらには化合物半導体単結晶の熱処理方法
に関し、例えばＧａＡｓ（砒化ガリウム）単結晶ウェハ
の面内抵抗率の均一化に利用して好適な技術に関する。
特性改良技術さらには化合物半導体単結晶の熱処理方法
に関し、例えばＧａＡｓ（砒化ガリウム）単結晶ウェハ
の面内抵抗率の均一化に利用して好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体単結晶の育成方法と
してボート法やＬＥＣ法（液体封止チョクラルスキー
法）等種々の方法が開発されているが、いずれの方法も
成長炉内に温度勾配を形成し単結晶を徐々に融液から成
長させていくため、結晶内での特性が不均一になるのを
避けられない。このため、単結晶育成後に熱処理を施し
て特性の均一性を向上させる研究が精力的になされてい
る。その結果、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶では面内の抵抗
率の均一性が相対標準偏差σs／ρ0（σsは抵抗率の標
準偏差、ρ0はそのウェハ面内平均値である）で７〜１
０％が達成されるようになって来ている。
してボート法やＬＥＣ法（液体封止チョクラルスキー
法）等種々の方法が開発されているが、いずれの方法も
成長炉内に温度勾配を形成し単結晶を徐々に融液から成
長させていくため、結晶内での特性が不均一になるのを
避けられない。このため、単結晶育成後に熱処理を施し
て特性の均一性を向上させる研究が精力的になされてい
る。その結果、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶では面内の抵抗
率の均一性が相対標準偏差σs／ρ0（σsは抵抗率の標
準偏差、ρ0はそのウェハ面内平均値である）で７〜１
０％が達成されるようになって来ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓ単結晶では従来のいずれの熱処理方法を適用しても、
抵抗率の均一性を示すσs／ρ0が最高値として５％前後
になることがあっても安定して５％未満になることはな
かった。ＧａＡｓ単結晶の場合、従来のほとんど熱処理
方法は８００〜１０００℃の温度で加熱しており、その
後冷却を行なうが冷却速度をいくら遅くしても結晶内で
の熱平衡状態を保って冷却することはできない。そのた
め、結晶内には原子空孔や格子間原子のような点欠陥が
かなり高い濃度で残っているはずであり、まして急冷し
た場合には熱処理温度に相当する濃度の点欠陥が残る上
に熱応力に起因する別の種類の欠陥や転位が結晶内に発
生すると考えられる。つまり、不純物あるいは欠陥の拡
散や抵抗率の均一化に効果のあるような温度での熱処理
をＧａＡｓのような化合物半導体単結晶に施しても結晶
内に高濃度の欠陥が残留してしまうため、抵抗率に影響
を及ぼし、充分な均一性が得られなかった。
ｓ単結晶では従来のいずれの熱処理方法を適用しても、
抵抗率の均一性を示すσs／ρ0が最高値として５％前後
になることがあっても安定して５％未満になることはな
かった。ＧａＡｓ単結晶の場合、従来のほとんど熱処理
方法は８００〜１０００℃の温度で加熱しており、その
後冷却を行なうが冷却速度をいくら遅くしても結晶内で
の熱平衡状態を保って冷却することはできない。そのた
め、結晶内には原子空孔や格子間原子のような点欠陥が
かなり高い濃度で残っているはずであり、まして急冷し
た場合には熱処理温度に相当する濃度の点欠陥が残る上
に熱応力に起因する別の種類の欠陥や転位が結晶内に発
生すると考えられる。つまり、不純物あるいは欠陥の拡
散や抵抗率の均一化に効果のあるような温度での熱処理
をＧａＡｓのような化合物半導体単結晶に施しても結晶
内に高濃度の欠陥が残留してしまうため、抵抗率に影響
を及ぼし、充分な均一性が得られなかった。
【０００４】この発明は上記のような問題点に着目して
なされたもので、その目的とするところは、ＧａＡｓの
ような化合物半導体単結晶における抵抗率の均一性を向
上させ得る熱処理方法を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、ＧａＡｓの
ような化合物半導体単結晶における抵抗率の均一性を向
上させ得る熱処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、結晶内に残
留している原子空孔や格子間原子のような点欠陥を減ら
せば抵抗率の均一性を向上させ得るのではないかと考
え、熱平衡論的な考察を行なった。以下、その考察につ
いて説明する。温度Ｔの熱平衡状態では、原子空孔や格
子間原子のような点欠陥の濃度ｎは、 ｎ＝Ｎ exp(−ω／ｋＴ） で表わされる。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｎは原子
密度、ωは欠陥の生成エネルギーである。上記式より、
例えば温度Ｔでｎが１０16〜１０18cm-3あるとするとＮ
は１０22cm-3程度であるから、温度Ｔが２分の１になれ
ば欠陥濃度ｎは温度Ｔの時の欠陥濃度の１０-6〜１０-4
程度に、また、温度Ｔが３分の２になれば欠陥濃度ｎは
１０-3〜１０-2程度に低減することが分かる。従って、
熱平衡論では原子空孔や格子間原子のような点欠陥の濃
度を低減するには、結晶を低い温度に保持すればよいこ
とになる。しかしながら、結晶内で原子が移動するため
には、室温のような温度では低すぎるので最低３００℃
程度の温度に保持する必要があると考えられる。ただ
し、このような温度は、ＧａＡｓ単結晶における通常の
アニール温度である９００〜１０００℃に比べるとかな
り低いので、原子が移動する割合は低く、完全に熱平衡
状態に達するにはかなり長い時間が必要となるはずであ
る。
留している原子空孔や格子間原子のような点欠陥を減ら
せば抵抗率の均一性を向上させ得るのではないかと考
え、熱平衡論的な考察を行なった。以下、その考察につ
いて説明する。温度Ｔの熱平衡状態では、原子空孔や格
子間原子のような点欠陥の濃度ｎは、 ｎ＝Ｎ exp(−ω／ｋＴ） で表わされる。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｎは原子
密度、ωは欠陥の生成エネルギーである。上記式より、
例えば温度Ｔでｎが１０16〜１０18cm-3あるとするとＮ
は１０22cm-3程度であるから、温度Ｔが２分の１になれ
ば欠陥濃度ｎは温度Ｔの時の欠陥濃度の１０-6〜１０-4
程度に、また、温度Ｔが３分の２になれば欠陥濃度ｎは
１０-3〜１０-2程度に低減することが分かる。従って、
熱平衡論では原子空孔や格子間原子のような点欠陥の濃
度を低減するには、結晶を低い温度に保持すればよいこ
とになる。しかしながら、結晶内で原子が移動するため
には、室温のような温度では低すぎるので最低３００℃
程度の温度に保持する必要があると考えられる。ただ
し、このような温度は、ＧａＡｓ単結晶における通常の
アニール温度である９００〜１０００℃に比べるとかな
り低いので、原子が移動する割合は低く、完全に熱平衡
状態に達するにはかなり長い時間が必要となるはずであ
る。
【０００６】そこで本発明者らは、半絶縁性ＧａＡｓ単
結晶ウェハを３００〜６５０℃の温度で１０時間から２
０００時間保持する実験を行なった。その結果を、図１
及び図２に示す。このうち、図１は半絶縁性ＧａＡｓ単
結晶ウェハを３００〜６５０℃の温度で１０００時間保
持した後鏡面研磨し、三端子ガード法によりウェハの面
内抵抗率分布を１００μｍ間隔で測定し、均一性を示す
相対標準偏差σs／ρ0を求め、その結果を熱処理温度と
の関係で示したものである。また、図２は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ単結晶ウェハを５５０℃の温度で１０時間〜２００
０時間保持した後、上述の方法にてウェハの面内抵抗率
の均一性を示す相対標準偏差σs／ρ0を求め、その結果
を熱処理時間との関係で示したものである。図１より熱
処理温度が３５０℃よりも低かったり６５０℃を越える
とσs／ρ0が充分に低下せず、また熱処理時間に関して
は図２より１５０時間以上保持するとσs／ρ0が５％以
下になり、１０００時間以上行なってもσs／ρ0はそれ
以上低下しなくなることが分かる。
結晶ウェハを３００〜６５０℃の温度で１０時間から２
０００時間保持する実験を行なった。その結果を、図１
及び図２に示す。このうち、図１は半絶縁性ＧａＡｓ単
結晶ウェハを３００〜６５０℃の温度で１０００時間保
持した後鏡面研磨し、三端子ガード法によりウェハの面
内抵抗率分布を１００μｍ間隔で測定し、均一性を示す
相対標準偏差σs／ρ0を求め、その結果を熱処理温度と
の関係で示したものである。また、図２は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ単結晶ウェハを５５０℃の温度で１０時間〜２００
０時間保持した後、上述の方法にてウェハの面内抵抗率
の均一性を示す相対標準偏差σs／ρ0を求め、その結果
を熱処理時間との関係で示したものである。図１より熱
処理温度が３５０℃よりも低かったり６５０℃を越える
とσs／ρ0が充分に低下せず、また熱処理時間に関して
は図２より１５０時間以上保持するとσs／ρ0が５％以
下になり、１０００時間以上行なってもσs／ρ0はそれ
以上低下しなくなることが分かる。
【０００７】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素または非酸
化性ガス雰囲気中で４００℃以上で６００℃以下の温度
にて１５０時間以上保持してから室温まで冷却すること
を提案するものである。なお、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
では結晶中の炭素濃度が（１〜３）×１０15であり、主
としてこの炭素濃度が結晶の抵抗率を決定しているの
で、原子空孔や格子間原子のような点欠陥の濃度は上記
炭素濃度よりも安定して低くしなければ抵抗率のバラツ
キが消えないことになる。従って、上記熱処理を行なう
にあたっては、予め２段階アニール等の各種熱処理を施
して相対標準偏差σs／ρ0が１５％以下で、かつＡｓ析
出物の少ない単結晶を使用するのが望ましい。相対標準
偏差σs／ρ0が１５％以下でＡｓ析出物の少ないＧａＡ
ｓ単結晶は、例えば本出願人が既に提案した「育成され
たＧａＡｓ単結晶を石英アンプル中に砒素と共に真空封
止し、１１００℃を越え融点未満の温度で３０分以上保
持して第１段階のアニールを行ない、次に毎分１〜３０
℃の降温速度で室温まで冷却し、その後ウェハをエッチ
ングしてから非酸化性雰囲気中で７５０℃以上で１１０
０℃以下の温度にて２０分以上保持して第２段階のアニ
ールを施す熱処理方法」（特開平２−１９２５００号）
を適用することにより得ることができる。
で、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素または非酸
化性ガス雰囲気中で４００℃以上で６００℃以下の温度
にて１５０時間以上保持してから室温まで冷却すること
を提案するものである。なお、半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
では結晶中の炭素濃度が（１〜３）×１０15であり、主
としてこの炭素濃度が結晶の抵抗率を決定しているの
で、原子空孔や格子間原子のような点欠陥の濃度は上記
炭素濃度よりも安定して低くしなければ抵抗率のバラツ
キが消えないことになる。従って、上記熱処理を行なう
にあたっては、予め２段階アニール等の各種熱処理を施
して相対標準偏差σs／ρ0が１５％以下で、かつＡｓ析
出物の少ない単結晶を使用するのが望ましい。相対標準
偏差σs／ρ0が１５％以下でＡｓ析出物の少ないＧａＡ
ｓ単結晶は、例えば本出願人が既に提案した「育成され
たＧａＡｓ単結晶を石英アンプル中に砒素と共に真空封
止し、１１００℃を越え融点未満の温度で３０分以上保
持して第１段階のアニールを行ない、次に毎分１〜３０
℃の降温速度で室温まで冷却し、その後ウェハをエッチ
ングしてから非酸化性雰囲気中で７５０℃以上で１１０
０℃以下の温度にて２０分以上保持して第２段階のアニ
ールを施す熱処理方法」（特開平２−１９２５００号）
を適用することにより得ることができる。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、結晶内で原子が移動可
能な温度以上であって通常の熱処理よりもかなり低い温
度にＧａＡｓ単結晶を長時間保持するため、結晶が熱平
衡状態に達して結晶育成時や熱処理等で生じた原子空孔
や格子間原子のような点欠陥の濃度がその温度での理論
濃度に近づき、抵抗率の均一性を向上させることができ
る。
能な温度以上であって通常の熱処理よりもかなり低い温
度にＧａＡｓ単結晶を長時間保持するため、結晶が熱平
衡状態に達して結晶育成時や熱処理等で生じた原子空孔
や格子間原子のような点欠陥の濃度がその温度での理論
濃度に近づき、抵抗率の均一性を向上させることができ
る。
【０００９】
【実施例】先ず、ＬＥＣ法により直径５５ｍｍ、直胴部
の長さ１２０ｍｍの半絶縁性アンドープＧａＡｓ単結晶
を育成した。次に、この単結晶の上下端を切断し、円筒
研削を行なってからオリエンテーションフラットを形成
した後、ウェハ状に切断した。切断されたウェハをエッ
チングし、洗浄した後、６０枚ずつ石英アンプル内に真
空封入し、その石英アンプルを熱処理炉内にセットし
た。そして、第１段階アニールとして１１５０℃の温度
で５時間の熱処理を行なった。この際、ウェハの熱分解
を防止するため、１１５０℃での砒素の分圧が１気圧と
なる量の砒素を予め石英アンプル内に入れておいた。そ
の後、炉内を毎分３．０℃の降温速度で室温まで冷却
し、石英アンプル内よりウェハを取り出してエッチング
し、洗浄した。
の長さ１２０ｍｍの半絶縁性アンドープＧａＡｓ単結晶
を育成した。次に、この単結晶の上下端を切断し、円筒
研削を行なってからオリエンテーションフラットを形成
した後、ウェハ状に切断した。切断されたウェハをエッ
チングし、洗浄した後、６０枚ずつ石英アンプル内に真
空封入し、その石英アンプルを熱処理炉内にセットし
た。そして、第１段階アニールとして１１５０℃の温度
で５時間の熱処理を行なった。この際、ウェハの熱分解
を防止するため、１１５０℃での砒素の分圧が１気圧と
なる量の砒素を予め石英アンプル内に入れておいた。そ
の後、炉内を毎分３．０℃の降温速度で室温まで冷却
し、石英アンプル内よりウェハを取り出してエッチング
し、洗浄した。
【００１０】次に、第２段階アニールとして、上記ウェ
ハを非酸化性ガス雰囲気中で９５０℃で１０時間の熱処
理を行なった。それから、上記ウェハを毎分２０℃の降
温速度で室温まで冷却し、熱処理炉内よりウェハを取り
出した。この時点でウェハの両面を鏡面研磨し、３端子
ガード法により抵抗率を測定し面内の均一性を示す相対
標準偏差σs／ρ0を算出したところ、６．８〜９．０％
であった。次に、上記２段階アニール後のウェハを再び
エッチングし、比較的密閉性の良い容器内に複数のウェ
ハを重ね合わせて入れ、非酸化性雰囲気中で３５０℃で
１５０時間保持した。同様にして、熱処理温度を４００
℃，４５０℃，５００℃，５５０℃，６００℃，６５０
℃として１５０時間保持する熱処理を行なった。
ハを非酸化性ガス雰囲気中で９５０℃で１０時間の熱処
理を行なった。それから、上記ウェハを毎分２０℃の降
温速度で室温まで冷却し、熱処理炉内よりウェハを取り
出した。この時点でウェハの両面を鏡面研磨し、３端子
ガード法により抵抗率を測定し面内の均一性を示す相対
標準偏差σs／ρ0を算出したところ、６．８〜９．０％
であった。次に、上記２段階アニール後のウェハを再び
エッチングし、比較的密閉性の良い容器内に複数のウェ
ハを重ね合わせて入れ、非酸化性雰囲気中で３５０℃で
１５０時間保持した。同様にして、熱処理温度を４００
℃，４５０℃，５００℃，５５０℃，６００℃，６５０
℃として１５０時間保持する熱処理を行なった。
【００１１】また、２段階アニール後のウェハをエッチ
ングし、比較的密閉性の良い容器内に複数のウェハを重
ね合わせて入れ、非酸化性雰囲気中にて５５０℃でそれ
ぞれ１０時間、５０時間，１００時間，３００時間，５
００時間，１０００時間，２０００時間保持する熱処理
を行なった。熱処理後のウェハを容器から取り出して３
端子ガード法により抵抗率を測定し、面内の均一性を示
す相対標準偏差σs／ρ0を算出した。それらの結果を図
１および図２に示す。図１は相対標準偏差σs／ρ0を熱
処理温度との関係で、また、図２は相対標準偏差σs／
ρ0を熱処理時間との関係でそれぞれ示したものであ
る。
ングし、比較的密閉性の良い容器内に複数のウェハを重
ね合わせて入れ、非酸化性雰囲気中にて５５０℃でそれ
ぞれ１０時間、５０時間，１００時間，３００時間，５
００時間，１０００時間，２０００時間保持する熱処理
を行なった。熱処理後のウェハを容器から取り出して３
端子ガード法により抵抗率を測定し、面内の均一性を示
す相対標準偏差σs／ρ0を算出した。それらの結果を図
１および図２に示す。図１は相対標準偏差σs／ρ0を熱
処理温度との関係で、また、図２は相対標準偏差σs／
ρ0を熱処理時間との関係でそれぞれ示したものであ
る。
【００１２】図１より熱処理時間が１５０時間の場合に
は熱処理温度が４００〜６００℃の範囲でσs／ρ0が
５．０〜７．０％と安定して低く、３５０℃よりも低か
ったり６５０℃を越えるとσs／ρ0が充分に低下しない
ことが分かった。なお、４００〜６００℃の範囲では処
理温度が低い方がσs／ρ0が低くなる。また、熱処理時
間に関しては熱処理温度が５５０℃の場合、図２より１
５０時間以上保持するとσs／ρ0が５％以下になり時間
が長くなるほどσs／ρ0は低下する傾向があり、１００
０時間では３．０〜４．０％に達することが分かった。
ただし、１０００時間以上熱処理を行なってもσs／ρ0
はそれ以上低下しなくなる。
は熱処理温度が４００〜６００℃の範囲でσs／ρ0が
５．０〜７．０％と安定して低く、３５０℃よりも低か
ったり６５０℃を越えるとσs／ρ0が充分に低下しない
ことが分かった。なお、４００〜６００℃の範囲では処
理温度が低い方がσs／ρ0が低くなる。また、熱処理時
間に関しては熱処理温度が５５０℃の場合、図２より１
５０時間以上保持するとσs／ρ0が５％以下になり時間
が長くなるほどσs／ρ0は低下する傾向があり、１００
０時間では３．０〜４．０％に達することが分かった。
ただし、１０００時間以上熱処理を行なってもσs／ρ0
はそれ以上低下しなくなる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素または非酸化性ガス雰
囲気中で４００℃以上で６００℃以下の温度にて１５０
時間以上保持してから室温まで冷却するようにしたの
で、結晶内で原子が移動可能な温度以上であって通常の
熱処理よりもかなり低い温度にＧａＡｓ単結晶が長時間
保持されることにため、結晶が熱平衡状態に達して結晶
育成時や熱処理等で生じた原子空孔や格子間原子のよう
な点欠陥の濃度がその温度での理論濃度に近づき、抵抗
率の均一性を向上させることができるという効果があ
る。なお、実施例ではＧａＡｓ単結晶の熱処理を例にと
って説明したが、この発明はそれに限定されるものでな
く、ＩｎＰ単結晶その他化合物半導体単結晶の熱処理に
適用することができる。
性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素または非酸化性ガス雰
囲気中で４００℃以上で６００℃以下の温度にて１５０
時間以上保持してから室温まで冷却するようにしたの
で、結晶内で原子が移動可能な温度以上であって通常の
熱処理よりもかなり低い温度にＧａＡｓ単結晶が長時間
保持されることにため、結晶が熱平衡状態に達して結晶
育成時や熱処理等で生じた原子空孔や格子間原子のよう
な点欠陥の濃度がその温度での理論濃度に近づき、抵抗
率の均一性を向上させることができるという効果があ
る。なお、実施例ではＧａＡｓ単結晶の熱処理を例にと
って説明したが、この発明はそれに限定されるものでな
く、ＩｎＰ単結晶その他化合物半導体単結晶の熱処理に
適用することができる。
【図１】本発明方法により熱処理した半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶ウェハの面内抵抗率の均一性を示す相対標準偏差
σs／ρ0を熱処理温度との関係で示すグラフである。
単結晶ウェハの面内抵抗率の均一性を示す相対標準偏差
σs／ρ0を熱処理温度との関係で示すグラフである。
【図２】本発明方法により熱処理した半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶ウェハの面内抵抗率の均一性を示す相対標準偏差
σs／ρ0を熱処理時間との関係で示すグラフである。
単結晶ウェハの面内抵抗率の均一性を示す相対標準偏差
σs／ρ0を熱処理時間との関係で示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図１より熱処理時間が１５０時間の場合に
は熱処理温度が４００〜６００℃の範囲でσｓ／ρｏが
４．０〜５．０％と安定して低く、３５０℃よりも低か
ったり６５０℃を越えるとσｓ／ρｏが充分に低下しな
いことが分かった。なお、４００〜６００℃の範囲では
処理温度が低い方がσｓ／ρｏが低くなる。また、熱処
理時間に関しては熱処理温度が５５０℃の場合、図２よ
り１５０時間以上保持するとσｓ／ρｏが５％以下にな
り時間が長くなるほどσｓ／ρｏは低下する傾向があ
り、１０００時間では３．０〜４．０％に達することが
分かった。ただし、１０００時間以上熱処理を行なって
もσｓ／ρｏはそれ以上低下しなくなる。
は熱処理温度が４００〜６００℃の範囲でσｓ／ρｏが
４．０〜５．０％と安定して低く、３５０℃よりも低か
ったり６５０℃を越えるとσｓ／ρｏが充分に低下しな
いことが分かった。なお、４００〜６００℃の範囲では
処理温度が低い方がσｓ／ρｏが低くなる。また、熱処
理時間に関しては熱処理温度が５５０℃の場合、図２よ
り１５０時間以上保持するとσｓ／ρｏが５％以下にな
り時間が長くなるほどσｓ／ρｏは低下する傾向があ
り、１０００時間では３．０〜４．０％に達することが
分かった。ただし、１０００時間以上熱処理を行なって
もσｓ／ρｏはそれ以上低下しなくなる。
Claims (1)
- 【請求項１】 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウェハを、砒素
または非酸化性ガス雰囲気中で４００℃以上で６００℃
以下の温度にて１５０時間以上保持してから室温まで冷
却するようにしたことを特徴とするＧａＡｓ単結晶の熱
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33004891A JPH05139898A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33004891A JPH05139898A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139898A true JPH05139898A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=18228197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33004891A Pending JPH05139898A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05139898A (ja) |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP33004891A patent/JPH05139898A/ja active Pending
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