JPH05131750A - Ｃｄまたはｃｄ−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、従来の追記機能、編集機能を有する
ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０
〜８１０ｎｍの波長範囲で安定した光学特性を実現し、
この波長範囲で完全に記録再生が可能なオレンジブック
に準拠した光ディスクを提供するものである。 【構成】透明基板／記録膜／反射膜からなり、コンパク
トディスクフォーマットあるいはコンパクトディスク−
ＲＯＭフォーマット信号の記録を行なう追記型光ディス
クにおいて、記録膜が下記一般式［１］で示されるフタ
ロシアニン系色素を含有することを特徴とするコンパク
トディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスク。一般式［１］ 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディ
スク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスク
に関する。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤおよびコンピ
ュータ−ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及してい
る。このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカ
ーボネート等の透明基板表面にＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ
フォーマット信号を有するピット列を射出成形時に形成
し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいは
スパッタリングにより反射膜として設け、さらに保護層
をコートして作成する。このようにして作成した光ディ
スクの基板の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導
体レーザー光）を照射して、ピットの凹凸による反射率
の変化から各信号を読取り、情報を再生するものであ
る。しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生
専用であり記録ができないため、追記型光ディスクある
いは書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能が
ないという不都合さがあった。一方、編集機能を有する
追記型光ディスクあるいは光磁気ディスクとしては、Ｔ
ｅ等カルコゲナイト化合物、希土類金属化合物もしくは
シアニン等の有機化合物等を記録膜としたものが実用化
されている。しかしながら、これらの光ディスクは、基
板面からの反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの
国際規格であるレッドブックに記載されている基板面か
らの反射率７０％以上には到達しておらず、現状のまま
ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生
を行うことはできないという問題点がある。このような
問題点を解決するために、シアニン化合物等の記録膜の
上に金等の反射膜を設けて、基板面反射率で７０％以上
を確保して７８０ｎｍでＣＤフォーマットあるいはＣＤ
−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−
ＲＯＭの再生装置で情報を読み出す光ディスクおよび方
法が提案されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン化合物は光
安定性が悪いため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭのような単
板構成で直接太陽光にさらされるような使用条件下で
は、記録の信頼性に問題が生ずる可能性がある。そのた
め、シアニン化合物に代えて、化学的、物理的安定性の
優れたフタロシアニン化合物を記録膜材料に使用する試
みが検討されている。

【０００４】このフタロシアニン化合物の場合には、熱
的にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが
非常にシャープであるため、ＣＤドライブのピックアッ
プに搭載される半導体レーザーの発振波長の許容範囲
（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射
率および吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波
長依存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成
りにくいという問題点がある。従って、現状では安定性
に優れ、さらに記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯ
Ｍ対応の追記型光ディスクは提供されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクを提
供するために、化学的、物理的安定性の優れたフタロシ
アニン化合物を記録膜材料として用いる場合に生ずる低
記録感度および記録感度の波長依存性を防ぎ、良好な再
生信号が得られる記録材料について鋭意検討を行った結
果、本発明を得るに至った。

【０００６】

【課題を解決する手段】上記のような安定性に優れ、さ
らに記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追
記型光ディスクは以下のようにして実現される。透明基
板／記録膜／反射膜／保護膜からなり、ＣＤフォーマッ
ト信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記
録膜が下記一般式［１］で示される化合物から選ばれる
一種、または、２種以上のフタロシアニン化合物より構
成されることを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスクである。 一般式［１］

【０００７】

【化３】

【０００８】［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独
立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいア
ルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアル
コキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置
換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有しても
よいアリールチオ基、スルホン酸基、スルホン酸アミド
基、スルホン酸エステル基、カルボン酸基、カルボン酸
エステル基、カルボン酸アミド基、アミノ基、ニトロ
基、シアノ基、を表す。ｎ¹ 〜ｎ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴
の置換数で０〜４の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚは、

【０００９】

【化４】

【００１０】を表す。ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ はそれ
ぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい直鎖、分
岐または環状のアルキル基、置換基を有してもよいアリ
ール基、置換基を有してもよいアラルキル基を表す。ま
た、Ｒ¹ とＲ² で脂環、またはヘテロ原子を含む複素環
を形成していてもよい。ｍは、１または２の整数であり
置換基Ｚの個数を表す。］

【００１１】本発明の記録膜が一般式［１］で示される
ような特殊な構造を有するフタロシアニン化合物により
構成することにより前述した課題を解決するに至った。
つまり、一般式［１］で示されるフタロシアニン化合物
の特徴は、中心金属からフタロシアニン環の分子平面に
垂直な方向に導入された置換基（一般式［１］中の置換
基Ｚ）の効果によりフタロシアニン化合物の分解温度が
低温側に大きくシフトするため、これらのフタロシアニ
ン化合物を記録膜に用いた場合、記録感度が大幅に向上
すること。また、置換基Ｚの効果により媒体の反射レベ
ルが高くなること、加えて、良好な記録ピットを形成す
るため、再生信号のコントラストが良く、きれいな再生
波形が得られることである。

【００１２】中心金属からフタロシアニン環の分子平面
に垂直な方向に導入された置換基についてはこれまでア
ルコキシ基、シロキシ基等が知られているが、これらの
置換基が導入されたフタロシアニン化合物の大きな重量
減少を伴う分解温度は４００℃以上であるため、記録感
度が低いことが問題であった。これらの置換基で分解点
を下げるにはアルコキシ基や、シロキシ基等をかなりか
さ高いものにする必要があったが、そのために、分解点
（もしくは融点）は下がるが、記録ピットの縁が盛り上
がる等、記録ピットの形状が悪くなり、きれいな再生信
号が得られないことが難点であった。

【００１３】本発明におけるフタロシアニン化合物は一
般式［１］中の置換基Ｚがかさ高いものでない場合で
も、大きな重量減少を伴う分解点が４００℃以下とな
り、また、置換基Ｚの効果によって、記録膜上でフタロ
シアニン分子同士の会合を抑制するため、高い分子吸光
係数を示すとともに、最大反射率を示す点が半導体レー
ザーの発信波長領域に近付くため、ディスクとしてオレ
ンジブックの規格である６５％以上の反射率を確保する
ことができる特徴を有する。また、置換基Ｚの効果によ
り溶解性が飛躍的に上がり、汎用の有機溶媒（例えばメ
タノールやエタノール）に高い溶解性を持つようにな
り、スピンコート法による記録膜の作成が容易となる。

【００１４】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基ＺにおけるＲ¹ 、
Ｒ² 、Ｒ³ の置換基を有してもよい直鎖、分岐または環
状のアルキル基Ｒの代表例としては、メチル基、エチル
基、ヘキシル基、ドデシル基、イソプロピル基、２−エ
チルヘキシル基、ｔ- ブチル基、ネオペンチル基、トリ
クロロメチル基、１，２−ジクロロエチル基、トリフル
オロメチル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，
３，３−テトラフルオロプロピル基、２−メトキシエチ
ル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等がある。置
換基Ｚにおける置換基を有してもよいアリール基の代表
例としてはフェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニ
ル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル
基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオ
ロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３−
ニトロフェニル基等がある。置換基Ｚにおける置換基を
有してもよいアラルキル基の代表例としては、ベンジル
基、ｐ−メトキシベンジル基、ｐ−ジエチルアミノベン
ジル基、ｏ−ニトロベンジル基、２−クロロ−４−ジメ
チルアミノベンジル基等がある。

【００１５】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の代表例と
しては、置換基を持たない場合に相当する水素原子をは
じめ、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有してもよいアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、
２−メトキシエチル基、フタルイミドメチル基等を、置
換基を有してもよいアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル基等があり、置換基を有してもよいアラル
キル基の代表例としては、ベンジル基、ｐ−メトキシベ
ンジル基、ｐ−ジエチルアミノベンジル基、ｏ−ニトロ
ベンジル基、等があり、置換基を有してもよいアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ
基、２，２，２−トリクロロエトキシ基、２，２，２−
トリフルオロエトキシ基、２，２，３，３−テトラフル
オロプロポキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオ
ロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロ−２−プロポキシ基、２，２，３，４，４，４−ヘ
キサフルオロブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフ
ルオロペントキシ基、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオ
ロヘプトキシ基、１Ｈ、１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオ
ロノニルオキシ基、２−（パーフルオロヘキシル）エト
キシ基、２−（パーフルオロオクチル）エトキシ基、２
−（パーフルオロデシル）エトキシ基、２−（パーフル
オロ−３−メチルブチル）エトキシ基、６−（パーフル
オロエチル）ヘキシルオキシ基、６−（パーフルオロヘ
キシル）ヘキシルオキシ基等があり、置換基を有しても
よいアリールオキシ基としてはフェノキシ基、ｐ−ニト
ロフェノキシ基ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３
−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、
３−トリフルオロメチルフェノキシ基等があり、置換基
を有してもよいアルキルチオ基としては、メチルチオ
基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシル
チオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等
があり、置換基を有してもよいアリールチオ基としては
フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチ
オ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオ
ロフェニルチオ基等がそれぞれ挙げられるがこれらに限
定されるものではない。

【００１６】本発明において、一般式［１］で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。

【００１７】すなわち、下記一般式［２］で示される無
置換のフタロニトリル、３位置換フタロニトリル類、４
位置換フタロニトリル類、または、下記一般式［３］で
示される無置換の１，３−ジイミノイソインドリン、４
位置換１，３−ジイミノイソインドリン化合物、あるい
は、５位置換１，３−ジイミノイソインドリン化合物、
または、相当するフタル酸無水物類、フタルイミド類と
一般式［１］中のＭで示される金属の各種金属塩を出発
原料として常法により、一般式［４］で示されるフタロ
シアニン化合物のジヒドロキシを製造できる。

【００１８】一般式［２］

【化５】

【００１９】［式中、Ｘ、ｎはそれぞれ一般式［１］に
おけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ と同じ意味を表す。］

【００２０】一般式［３］

【化６】

【００２１】［式中、Ｘ、ｎはそれぞれ一般式［１］に
おけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ と同じ意味を表す。］

【００２２】一般式［４］

【化７】

【００２３】［式中、Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ 、Ｍ、ｍ
はそれぞれ一般式［１］におけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ
⁴ 、Ｍ、ｍと同じ意味を表す。］

【００２４】次に、得られた一般式［４］で示されるフ
タロシアニン化合物に、ハロゲン化チオカルボン酸類、
イソシアナート類、イソチオシアナート類またはハロゲ
ン化カルバミン酸類等の種々の試薬を反応させることに
より、一般式［１］中のＺで示される置換基を導入する
ことによって、一般式［１］で示されるフタロシアニン
化合物を製造することができる。

【００２５】本発明で使用される一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物の代表的な例として下記に示す
フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｌ）等が挙げられる
が、これらに限定される物ではない。

【００２６】フタロシアニン化合物（ａ）

【化８】

【００２７】フタロシアニン化合物（ｂ）

【化９】

【００２８】フタロシアニン化合物（ｃ）

【化１０】

【００２９】フタロシアニン化合物（ｄ）

【化１１】

【００３０】フタロシアニン化合物（ｅ）

【化１２】

【００３１】フタロシアニン化合物（ｆ）

【化１３】

【００３２】フタロシアニン化合物（ｇ）

【化１４】

【００３３】フタロシアニン化合物（ｈ）

【化１５】

【００３４】フタロシアニン化合物（ｉ）

【化１６】

【００３５】フタロシアニン化合物（ｊ）

【化１７】

【００３６】フタロシアニン化合物（ｋ）

【化１８】

【００３７】フタロシアニン化合物（ｌ）

【化１９】

【００３８】本発明における一般式［１］で示されるフ
タロシアニン化合物を用いた記録膜には、記録膜の耐光
性、耐環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさら
に向上させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤
等の添加剤を加えてもよい。

【００３９】記録膜の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によっても
可能であるが、ウェットプロセス、例えば、スピンコー
ト法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても可
能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、例
えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲ
ン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性お
よび記録膜の均一性からスピンコート法により成膜する
方法が好ましい。

【００４０】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、フタロシアニン化合物に対して３０重量％
以下が好ましい。

【００４１】本発明の記録膜の最適膜厚は、記録膜材料
の種類および組合せにより異なるため特に制限はなく、
５００〜３０００オングストロームが好ましく、さらに
１０００〜２５００オングストロームが最適膜厚範囲で
ある。

【００４２】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ₄ 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。

【００４３】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。本発明の反
射膜の最適膜厚については、特に制限はないが、４００
〜１３００オングストロームの範囲が好ましい。

【００４４】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜および反射膜の化学的劣化（例えば酸化、吸水等）
および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目的で
ディスクを保護するための保護膜を設ける。保護膜用の
材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピンコー
トにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法が好
ましいがこれに限られるものではない。

【００４５】保護膜の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。

【００４６】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。

【００４７】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが８００〜２０００オングストローム
の範囲が好ましい。

【００４８】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００４９】

【実施例】以下の実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。
はじめに、本発明で使用されるフタロシアニン化合物の
代表例の製造法について説明する。

【００５０】製造例１：フタロシアニン化合物（ｂ）の
製造 キノリン１００部に１，３−ジイミノイソインドリン１
４．５部、四塩化ケイ素８．５部を加え、１７０〜１８
０℃で３時間加熱攪拌後、冷却し、メタノール１０００
部で希釈、析出した沈殿をろ過、メタノール，アセトン
で洗浄、乾燥して青色の粉末１０．８部を得た。この粉
末を濃硫酸５００部に溶解した後、氷水１００００部に
注入、析出した沈殿をろ過、水洗、乾燥して暗青色の粉
末８．２部を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、
一般式［４］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシ
アニンであることが確認された。上記で得られたジヒド
ロキシシリコンフタロシアニン５．０部をピリジン１０
０部に攪拌溶解した後、冷却しながらジメチルカルバモ
イルクロリドイド５．０部を滴下し、室温で１時間攪拌
後、４０℃で２時間加熱した。冷却後、反応液を氷水２
０００部に注入し、クロロホルム５００部で抽出し、硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して緑色の粉末を
得た。アルミナカラムクロマトグラフにより精製単離
し、緑色の粉末２．２部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結
果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｂ）であること
が確認された。

【００５１】製造例２：フタロシアニン化合物（ｄ）の
製造 ｏ- ジクロロベンゼン２００部、トリ−n −ブチルアミ
ン３０部に４−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プ
ロポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８
部、無水塩化アルミニウム３．４部を加え、窒素雰囲気
下で１６０〜１７０℃で３時間加熱攪拌した。冷却後、
反応液をヘキサン１０００部で洗浄抽出、有機層を除去
した後、３％塩酸水２０００部に分散、１時間煮沸した
後、ろ過、水洗、メタノール／水（２：１）混合液で洗
浄、乾燥して緑色の粉末７．４部を得た。この粉末はＦ
Ｄ−ＭＳ分析の結果、一般式［４］に相当するヒドロキ
シアルミニウムフタロシアニンであることが確認され
た。上記で得られたヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニン７．０部をジメチルスルホオキシド（ＤＭＳＯ）１
２０部、ピリジン１．０部に攪拌溶解した後、イソシア
ナト酢酸エチルエステル５．０部をを冷却しながら滴下
し、室温で１時間攪拌後、５０℃で加熱攪拌した。冷却
後、反応液を氷水１０００部に注入し、クロロホルム５
００部で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留
去して緑色の粉末を得た。アルミナカラムクロマトグラ
フにより精製単離し、緑色の粉末４．３部を得た。ＦＤ
−ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物
（ｄ）であることが確認された。

【００５２】製造例３：フタロシアニン化合物（ｆ）の
製造 製造例２の４−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プ
ロポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部
の代りに５−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プロ
ポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部、
無水塩化アルミニウム３．４部の代りに四塩化ケイ素
６．０部とし、製造例２と同様にに処理して、一般式
［４］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニン
の緑色粉末６．９部を得た。上記で得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン６．０部をＤＭＳＯ１１０
部、ピリジン０．８部に攪拌溶解した後、ｎ−ブチルイ
ソチオシアナート３．０部をを冷却しながら滴下し、室
温で１時間攪拌後、７０℃で加熱攪拌した。冷却後、反
応液を氷水１０００部に注入し、クロロホルム５００部
で抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して
緑色の粉末を得た。アルミナカラムクロマトグラフによ
り精製単離し、緑色の粉末２．７部を得た。ＦＤ−ＭＳ
分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｆ）で
あることが確認された。

【００５３】製造例４：フタロシアニン化合物（ｇ）の
製造 １−クロロナフタレン１００部に４−ｔｅｒｔブチルフ
タロニトリル９．２部、塩化第１スズ３．０部を加え
て、１７０〜１８０℃で４時間加熱攪拌した。冷却後、
反応液をメタノール１０００部に注入、析出した沈殿を
ろ過、メタノール／アセトン混合液で洗浄した後、得ら
れた緑色のケーキをアンモニア水中に分散、１時間加熱
還流した後、ろ過、水洗、乾燥して緑色の粉末６．３部
を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一般式
［４］に相当するジヒドロキシスズフタロシアニンであ
ることが確認された。上記で得られたジヒドロキシスズ
フタロシアニン体６．０部をＤＭＳＯ１５０部、トリエ
チルアミン１．０部に攪拌溶解して、冷却しながらフェ
ニルイソシアナート２．０部を加え、室温で１時間攪拌
した後、７０℃で２時間攪拌した。冷却後、反応液を氷
水１０００部に注入、クロロホルム５００部で抽出、硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して緑色の粉末を
得た。アルミナカラムクロマトグラフにより精製単離
し、緑色の粉末３．０部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結
果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｇ）であること
が確認された。

【００５４】製造例５：フタロシアニン化合物（ｈ）の
製造 製造例３の５−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プ
ロポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部
の代りに４−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プロ
ポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部と
し、製造例３とと同様に処理して、一般式［４］に相当
するジヒドロキシシリコンフタロシアニンの緑色粉末
６．２部を得た。上記で得られたジヒドロキシシリコン
フタロシアニン６．０部をＤＭＳＯ１２０部、トリエチ
ルアミン１．０部に攪拌溶解して、冷却しながらフェニ
ルイソチオシアナート２．０部を加え、室温で１時間攪
拌した後、７０℃で２時間攪拌した。冷却後、反応液を
氷水１０００部に注入、クロロホルム５００部で抽出、
硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して緑色の粉末
を得た。アルミナカラムクロマトグラフにより精製単離
し、緑色の粉末２．６部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結
果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｈ）であること
が確認された。

【００５５】製造例６：フタロシアニン化合物（ｉ）の
製造 製造例５の４−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プ
ロポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部
の代りに５−（２，２，２−トリフルオロ）エトキシ−
１，３−ジイミノイソインドリン１２．２部とし、製造
例３とと同様に処理して、一般式［４］に相当するジヒ
ドロキシシリコンフタロシアニンの緑色粉末５．８部を
得た。上記で得られたジヒドロキシシリコンフタロシア
ニン５．０部をＤＭＳＯ１００部、トリエチルアミン
１．０部に攪拌溶解して、冷却しながらｐ−ニトロフェ
ニルイソシアナート２．５部を加え、室温で１時間攪拌
した後、７０℃で２時間攪拌した。冷却後、反応液を氷
水１０００部に注入、クロロホルム５００部で抽出、硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して緑色の粉末を
得た。アルミナカラムクロマトグラフにより精製単離
し、緑色の粉末２．９部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結
果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｉ）であること
が確認された。

【００５６】製造例７：フタロシアニン化合物（ｊ）の
製造 製造例５の４−（２，２，３，３−テトラフルオロ）プ
ロポキシ−１，３−ジイミノイソインドリン１３．８部
の代りに４−ブトキシ−１，３−ジイミノイソインドリ
ン１０．９部とし、製造例３とと同様に処理して、一般
式［４］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ンの緑色粉末７．４部を得た。上記で得られたジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン７．０部をＤＭＳＯ１５０
部、トリエチルアミン１．３部に攪拌溶解して、冷却し
ながら１−ナフチルイソチオシアナート４．０部を加
え、室温で１時間攪拌した後、７０℃で２時間攪拌し
た。冷却後、反応液を氷水１０００部に注入、クロロホ
ルム５００部で抽出、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去して緑色の粉末を得た。アルミナカラムクロマト
グラフにより精製単離し、緑色の粉末３．６部を得た。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合
物（ｊ）であることが確認された。

【００５７】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｂ）をジアセトンア
ルコールに４０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより膜厚１２００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上に真空蒸着により金を膜厚８００オングストロームに
成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保
護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は６９
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが７．８ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５８】実施例２ 深さ１５００オングストローム、幅０．５２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｄ）をエチルセロソ
ルブに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより膜厚１４００オングストロー
ムに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の上に
スパッタリングにより金を膜厚６００オングストローム
に成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は７２
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが６．７ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５９】実施例３ 深さ１４００オングストローム、幅０．６ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｇ）をジアセトンア
ルコールに４５ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより膜厚１５００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに
成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保
護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は７２
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが５．８ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００６０】実施例４ 深さ１５００オングストローム、幅０．８ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｈ）をエチルセロソ
ルブに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより膜厚１４００オングストロー
ムに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の上に
スパッタリングにより金を膜厚５００オングストローム
に成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率は７
４％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが６．１ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００６１】実施例５ 深さ１３００オングストローム、幅０．６ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｉ）をエチルセロソ
ルブに５５ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより膜厚１４５０オングストロー
ムに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の上に
真空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜
した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜
を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。こ
のようにして作成した光ディスクの反射率は７３％であ
った。このようにして作成した光ディスクを用い、波長
７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ
／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録した
ところ、最適記録レーザーパワーが６．９ｍＷで記録が
可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーにより
レーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得ら
れた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分か
かるレベルであった。

【００６２】実施例６〜１０ 深さ１３００オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表１に示すフタロシアニン化合物をジアセト
ンアルコールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２
ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗
液を用いて、スピンコーターにより膜厚１５００オング
ストロームとして記録膜を成膜した。次に、このように
して得た記録膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００オ
ングストロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬
化型樹脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光
ディスクを作成した。このようにして作成した光ディス
クの反射率および実施例１と同様の方法で記録、再生を
行った場合の最適記録レーザーパワーを表１に示す。

【００６３】

【表１】

【００６４】

【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜から
   なり、ＣＤフォーマット信号の記録を行う追記型光ディ
   スクにおいて、その記録膜が下記一般式［１］で示され
   る化合物から選ばれる一種、または、２種以上のフタロ
   シアニン化合物より構成されることを特徴とするＣＤま
   たはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。一般式
   ［１］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立に水素原
   子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、
   置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
   いアラルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、
   置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有し
   てもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいアリー
   ルチオ基、スルホン酸基、スルホン酸アミド基、スルホ
   ン酸エステル基、カルボン酸基、カルボン酸エステル
   基、カルボン酸アミド基、アミノ基、ニトロ基、シアノ
   基、を表す。ｎ¹ 〜ｎ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の置換数で
   ０〜４の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚは、 【化２】 を表す。ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ はそれぞれ独立に、
   水素原子、置換基を有してもよい直鎖、分岐または環状
   のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
   基を有してもよいアラルキル基を表す。また、Ｒ¹ とＲ
   ² で脂環、またはヘテロ原子を含む複素環を形成してい
   てもよい。ｍは、１または２の整数であり置換基Ｚの個
   数を表す。］