JPH05129926A - 出力バツフア回路 - Google Patents

出力バツフア回路

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JPH05129926A
JPH05129926A JP3318628A JP31862891A JPH05129926A JP H05129926 A JPH05129926 A JP H05129926A JP 3318628 A JP3318628 A JP 3318628A JP 31862891 A JP31862891 A JP 31862891A JP H05129926 A JPH05129926 A JP H05129926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal
buffer circuit
test
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP3318628A
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English (en)
Inventor
Shigenobu Tanaka
茂信 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05129926A publication Critical patent/JPH05129926A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 出力バッファ回路において、テスト時に通常
動作時とは異なる高速の信号を出力可能とする。 【構成】 テスト信号に応じて信号を選択出力する選択
回路11と、選択回路11の出力信号を動作モードに関
わらず駆動し外部端子17より出力するバッファ回路1
5と、選択回路11の出力信号をテスト時はバッファ回
路15と共に駆動し、通常動作時はハイインピーダンス
出力となる所定駆動能力をもった3ステートバッファ回
路16を備える。これによって、3ステートバッファ回
路16の駆動能力を所定値に設定することにより、通常
動作時の消費電流の増加をさせることなく、テスト信号
のスピードに応じた駆動能力をもってテストが可能にな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テスト時に通常動作時
とは異なる所定信号を外部端子より出力してテストする
MOS集積回路における出力バッファ回路に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、MOS集積回路の出力バッファ回
路は駆動能力が固定されたバッファ回路を用いて構成さ
れていた。図3および図4を用いて従来技術を説明す
る。図3において、31は負論理出力の選択回路、3
2,33は選択回路31への各々の入力信号線であり、
一方の信号線32は通常動作時に選択出力され、もう一
方の信号線33はテストモード時に選択出力される。3
4は選択回路31を制御するテスト信号線であり、その
“L”レベルで通常動作モード、“H”レベルでテスト
モードとなる。35はP型,N型トランジスタからなる
インバータタイプのバッファ回路、36は外部端子であ
る。
【0003】図4は横軸を時間(t),縦軸を電圧
(v)として、選択回路31の入力信号と外部端子36
からの出力信号波形を示した図である。同図において
(a) は信号線32の入力信号S1を示し、(c)は信号線
33の入力信号S3を示す。また(b)は通常動作時に信
号線32より入力された信号S1が外部端子36より出
力された時の出力波形S3を示し、そして(d)はテスト
時に信号線33から入力された信号S3が外部端子36
より出力された時の出力波形S4を示している。
【0004】図3の出力バッファ回路において、通常動
作では、図4に示すように、入力信号S1を選択して外
部端子36より出力し、テスト時は入力信号S3を選択
して外部端子36より出力してテストする場合、通常動
作時において出力する信号S1に比べテスト時に出力す
べき信号S3のスピードが極端に速い場合は、通常動作
では問題にならない出力バッファの駆動能力が、テスト
時では能力不足となり、信号S4に示すように出力波形
が鈍り十分な電圧振幅が得られずテストができなくなる
ことがある。よって、テスト時にはクロックサイクルを
長くとってテストするか、もしくは、予めテスト時の出
力信号のスピードを考慮した駆動能力を持つバッファ回
路を用いる必要があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の出力
バッファ回路では、通常動作時において出力する信号に
比べテスト時に出力すべき信号のスピードが極端に速い
場合は、テスト時にクロックサイクルを長くとってテス
トするか、もしくは、予めテスト時の出力信号のスピー
ドを考慮したドライブ能力を持つバッファ回路を用いる
必要があった。そのため、クロックサイクルを長くとれ
ばテスト時間が増加しコストを引き上げることになり、
必要以上のドライブ能力をバッファ回路に持たせれば消
費電流の増加、スイッチング雑音の増加の問題を招くこ
とになる。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明はつぎの手段により構成するものとなってい
る。すなわち、上述したMOS集積回路において、テス
ト信号に応じて所定の信号を選択出力する選択回路と、
この選択回路の出力信号を入力する第1のバッファ回路
と、前記選択回路の出力信号とテスト信号を入力し、テ
スト時は第1のバッファ回路と同論理信号を出力し、通
常動作時はハイインピーダンス出力となる第2の3ステ
ートバッファ回路を備えている。
【0007】
【作用】したがって、第2の3ステートバッファ回路の
駆動能力を所定値に設定することにより、通常動作時の
消費電流の増加をさせることなく、テスト信号のスピー
ドに応じた駆動能力をもってテスト可能となる。
【0008】
【実施例】実施例1 図1は本発明の一実施例による出力バッファ回路の構成
図である。図1において11は負論理出力の選択回路、
12,13は選択回路11への各々の入力信号線であ
り、通常動作時に信号線12の信号が、そしてテスト時
に信号線13の信号が選択回路11より出力される。1
4は選択回路11及びバッファ回路16をそれぞれ制御
するテスト信号線であり、“L”レベルで通常動作モー
ド、“H”レベルでテストモードとなる。15はP型及
びN型トランジスタ1a,1bを互いに並列接続したイ
ンバータ2からなるバッファ回路である。
【0009】また16は選択回路11の出力信号及びテ
スト信号14を入力し、テスト時にバッファ回路15と
同論理信号を出力し、通常動作時はハイインピーダンス
出力となるクロックドインバータタイプの3ステートバ
ッファ回路である。このバッファ回路16はP型トラン
ジスタ3a,3bと、N型トランジスタ3c,3dと、
インバータ4から構成され、これらトランジスタ3a〜
3dが電源VDDと接地点との間に直列接続されている。
そして、一方のトランジスタ3aのゲートがインバータ
4を介して他方のトランジスタ3dのゲートと共通に接
続され、各トランジスタ3b及び3cの入力となるゲー
トが共通にして選択回路11の出力側に接続されるとと
もに、その出力となる各ドレインが外部端子17に接続
されている。
【0010】上記実施例の出力バッファ回路では、通常
動作時にテスト信号線14に“L”レベルを印加して、
信号線12より入力した信号が選択回路11,バッファ
回路15を経由して外部端子17より出力する。同時に
バッファ回路16はテスト信号線14が“L”レベルの
ためにハイインピーダンス出力となり、外部端子17を
駆動するのはバッファ回路15のみとなる。
【0011】一方、テスト時はテスト信号線14に
“H”レベルを印加して、信号線13より入力した信号
が選択回路11,バッファ回路15を経由して外部端子
17より出力する。同時にテスト信号線14の信号レベ
ルは“H”となっているため、3ステートバッファ回路
16はバッファ回路15と同論理出力となり、外部端子
17をバッファ回路15と共に駆動することになる。こ
れによって、バッファ回路16の駆動能力を所定値に設
定することにより、通常動作時の消費電流の増加をさせ
ることなく、テスト信号のスピードに応じた駆動能力を
もってテスト可能となる。
【0012】実施例2 図2は本発明の別の実施例を示す構成図である。図2に
おいて21は正論理出力の選択回路、22,23は選択
回路21への各々の入力信号線であり、通常動作時に信
号線22の信号、テスト時に信号線23の信号が選択回
路21より出力される。24は選択回路21及びバッフ
ァ回路26を制御するテスト信号線で、“L”レベルで
通常動作モード、“H”レベルでテストモードとなる。
25はP型トランジスタ5a,N型トランジスタ5bか
らなるインバータ61,62を縦列接続したバッファ回路
である。
【0013】また26は選択回路21の出力信号及びテ
スト信号24を入力し、テスト時にバッファ回路25と
同一信号を出力し、通常動作時はハイインピーダンス出
力となる3ステートバッファ回路であり、このバッファ
回路26はP型及びN型トランジスタ7a,7bと、N
AND回路8と、NOR回路9と、インバータ10から
構成されている。27は外部端子である。
【0014】図1の実施例では、3ステートバッファ回
路16としてクロックドインバータを用いているため、
駆動トランジスタであるP型及びN型トランジスタ3a
〜3dのそれぞれが2個づつ直列接続になり出力抵抗が
大きくなるに対し、本実施例では3ステートバッファ回
路26をNAND回路8,NOR回路9を用いることに
より、駆動トランジスタを1個のP型,N型トランジス
タ7a及び7bで構成し出力抵抗を小さく抑えることが
できる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明の出力バッフ
ァ回路は、通常動作時において出力する信号に比べてテ
スト時に出力すべき信号のスピードが極端に速い場合に
おいても、テスト時のクロックサイクルを長くすること
なく、またバッファ回路の駆動能力を上げることによっ
て発生する消費電流の増加,スイッチング雑音の増加を
招くことなく、テスト時に高速で動作する信号を出力で
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による出力バッファ回路の一実施例を示
す構成図である。
【図2】本発明による出力バッファ回路の別の実施例を
示す構成図である。
【図3】従来回路の一例を示す構成図である。
【図4】図3の各部の入出力波形図である。
【符号の説明】
11 負論理出力の選択回路 12 入力信号線 13 入力信号線 14 テスト信号線 15 バッファ回路 16 3ステートバッファ回路 17 外部端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テスト時に通常動作時とは異なる所定の
    信号を外部端子より出力してテストするMOS集積回路
    において、 テスト信号に応じて所定の信号を選択出力する選択回路
    と、前記選択回路の出力信号を入力する第1のバッファ
    回路と、前記選択回路の出力信号と前記テスト信号を入
    力し、テスト時は第1のバッファ回路と同論理信号を出
    力し、通常動作時はハイインピーダンス出力となる所定
    駆動能力をもった第2の3ステートバッファ回路を具備
    し、第1のバッファ回路と第2の3ステートバッファ回
    路の出力信号を短絡して外部端子へ出力するようにした
    ことを特徴とする出力バッファ回路。
JP3318628A 1991-11-07 1991-11-07 出力バツフア回路 Pending JPH05129926A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110417A (ja) * 2001-09-26 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路およびマルチチップパッケージ
JP2005304025A (ja) * 2004-04-06 2005-10-27 Samsung Electronics Co Ltd 集積回路装置、高速出力回路、高速入力回路、及び入出力信号のスイング幅の変更方法
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