JPH0512853B2 - - Google Patents
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- JPH0512853B2 JPH0512853B2 JP1325668A JP32566889A JPH0512853B2 JP H0512853 B2 JPH0512853 B2 JP H0512853B2 JP 1325668 A JP1325668 A JP 1325668A JP 32566889 A JP32566889 A JP 32566889A JP H0512853 B2 JPH0512853 B2 JP H0512853B2
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は実装時絶縁処理（たとえばマイカー板
の介在）を施すことなく直接金属板等へ実装でき
るレジンモールド型半導体装置（絶縁型半導体装
置）を得るための製造方法に関する。
の介在）を施すことなく直接金属板等へ実装でき
るレジンモールド型半導体装置（絶縁型半導体装
置）を得るための製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置のパツケージング技術とし
て、量産性に優れたトランスフアレジンモールド
（モールド）技術が多用されている。また、レジ
ンパツケージ型あるいはレジンモールド型と称す
る半導体装置の一つとして、電子材料、1981年、
11月号、42〜46頁における横沢等による“パワー
トランジスタ用封止樹脂”と題する文献において
論じられるように、絶縁型半導体装置が知られて
いる。この絶縁型半導体装置は、従来のこの種
（TO−220型）の半導体装置における実装作業の
煩わしさを軽減するべく開発されたものであつ
て、実装時、ヘツダに設けられた取付孔に絶縁管
を挿入する手間暇を削減するために取付孔の内周
面をレジンで被うとともに、ヘツダの裏面にマイ
カ等の絶縁板を介在させて取付板に半導体装置を
固定する手間暇を削減するために、ヘツダの裏面
をレジンで被つた構造となつている。また、この
絶縁型半導体装置におけるヘツダ裏面側のレジン
厚みは、所望絶縁破壊電圧を維持することを限度
として放熱性を良好とするために、できる限り薄
いことが望ましく、前記文献にも記載されている
ように、その厚みはたとえば、0.35〜0.45mm程度
となつている。さらに、この絶縁型半導体装置
は、ヘツダとレジンとの界面を伝わつて侵入する
酸化性物質（水分、酸素等のガス）の侵入を阻止
させるために、出来得る限りのヘツダ部分をレジ
ンで被つた構造となつている。
て、量産性に優れたトランスフアレジンモールド
（モールド）技術が多用されている。また、レジ
ンパツケージ型あるいはレジンモールド型と称す
る半導体装置の一つとして、電子材料、1981年、
11月号、42〜46頁における横沢等による“パワー
トランジスタ用封止樹脂”と題する文献において
論じられるように、絶縁型半導体装置が知られて
いる。この絶縁型半導体装置は、従来のこの種
（TO−220型）の半導体装置における実装作業の
煩わしさを軽減するべく開発されたものであつ
て、実装時、ヘツダに設けられた取付孔に絶縁管
を挿入する手間暇を削減するために取付孔の内周
面をレジンで被うとともに、ヘツダの裏面にマイ
カ等の絶縁板を介在させて取付板に半導体装置を
固定する手間暇を削減するために、ヘツダの裏面
をレジンで被つた構造となつている。また、この
絶縁型半導体装置におけるヘツダ裏面側のレジン
厚みは、所望絶縁破壊電圧を維持することを限度
として放熱性を良好とするために、できる限り薄
いことが望ましく、前記文献にも記載されている
ように、その厚みはたとえば、0.35〜0.45mm程度
となつている。さらに、この絶縁型半導体装置
は、ヘツダとレジンとの界面を伝わつて侵入する
酸化性物質（水分、酸素等のガス）の侵入を阻止
させるために、出来得る限りのヘツダ部分をレジ
ンで被つた構造となつている。
一方、本出願人も同様な絶縁型半導体装置を開
発しているが、この場合、第７図に示すように、
絶縁型半導体装置はその製造において、ヘツダ１
の主面および裏面側におけるレジンの充填速度が
同等になるようにして良好なパツケージが行われ
るようにするため、ヘツダ１の主面側のパツケー
ジ２のレジン厚さは、チツプ３を被うパツケージ
部分は厚く（たとえば、２mm程度）、ネジ挿入孔
４を有する部分のパツケージの厚さは薄く（0.6
mm前後）形成される。なお、図中、５はリードで
ある。
発しているが、この場合、第７図に示すように、
絶縁型半導体装置はその製造において、ヘツダ１
の主面および裏面側におけるレジンの充填速度が
同等になるようにして良好なパツケージが行われ
るようにするため、ヘツダ１の主面側のパツケー
ジ２のレジン厚さは、チツプ３を被うパツケージ
部分は厚く（たとえば、２mm程度）、ネジ挿入孔
４を有する部分のパツケージの厚さは薄く（0.6
mm前後）形成される。なお、図中、５はリードで
ある。
しかし、ネジ６を挿入するネジ挿入孔４を構成
する部分のレジンの厚さが薄いことは、絶縁型半
導体装置を取付板７にネジ６およびナツト８を用
いて実装する際、必要以上の大きな力でネジ６を
締め付けたりすると、薄いレジン部分は押し潰さ
れてクラツク等が発生したり、部分的に剥離した
りして耐湿性が低下することが本発明者によりあ
きらかとされた。このため、絶縁型半導体装置の
実装時には加減をしてネジ締めをしなければなら
ない等の注意が必要となる。
する部分のレジンの厚さが薄いことは、絶縁型半
導体装置を取付板７にネジ６およびナツト８を用
いて実装する際、必要以上の大きな力でネジ６を
締め付けたりすると、薄いレジン部分は押し潰さ
れてクラツク等が発生したり、部分的に剥離した
りして耐湿性が低下することが本発明者によりあ
きらかとされた。このため、絶縁型半導体装置の
実装時には加減をしてネジ締めをしなければなら
ない等の注意が必要となる。
一方、絶縁型半導体装置の絶縁破壊耐圧の向上
の実験分析検討において、ヘツダ裏面側にレジン
の突き当たり部分が発生すると、このレジンの突
き当たり部分は耐絶縁破壊強度が低くなるという
ことが本発明者によつてあきらかにされた。すな
わち、チツプが固定されたヘツダの主面上を流れ
たレジンがヘツダの裏面（下面）に廻り込むと、
ヘツダの裏面領域で各方向から流れ至つたレジン
が衝突してヘツダ裏面側の空間を埋めることにな
るが、このレジンの突き当たり部分は微視的には
隙間が存在するような状態となり、耐絶縁破壊強
度が低くなる。
の実験分析検討において、ヘツダ裏面側にレジン
の突き当たり部分が発生すると、このレジンの突
き当たり部分は耐絶縁破壊強度が低くなるという
ことが本発明者によつてあきらかにされた。すな
わち、チツプが固定されたヘツダの主面上を流れ
たレジンがヘツダの裏面（下面）に廻り込むと、
ヘツダの裏面領域で各方向から流れ至つたレジン
が衝突してヘツダ裏面側の空間を埋めることにな
るが、このレジンの突き当たり部分は微視的には
隙間が存在するような状態となり、耐絶縁破壊強
度が低くなる。
本発明の目的は実装の信頼性が高いレジンモー
ルド型半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
ルド型半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、耐絶縁破壊強度が高いレ
ジンモールド型半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
ジンモールド型半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、本発明のレジンモールド型半導体装
置の製造方法においては、モールド型の上型にヘ
ツダ主面側に向かい、かつそのヘツダ主面に接す
ることのないように突出するオリフイス板が設け
られ、このモールド型を使用し、特にそのオリフ
イス板に向けてレジンを注入するものである。
置の製造方法においては、モールド型の上型にヘ
ツダ主面側に向かい、かつそのヘツダ主面に接す
ることのないように突出するオリフイス板が設け
られ、このモールド型を使用し、特にそのオリフ
イス板に向けてレジンを注入するものである。
上記した手段によれば、本発明のレジンモール
ド型半導体装置の製造方法によれば、チツプ固定
側とネジ挿入孔形成側との間にオリフイス板を配
してレジンによるパツケージを形成することか
ら、レジン注入時に、充填されたレジンがそのオ
リフイス板にぶつかり、そしてヘツダ下部主面と
下型主面とのわずかなすき間に流れが方向づけら
れる。このため、レジンの未充填を発生させるこ
となく良好なパツケージを形成できる。
ド型半導体装置の製造方法によれば、チツプ固定
側とネジ挿入孔形成側との間にオリフイス板を配
してレジンによるパツケージを形成することか
ら、レジン注入時に、充填されたレジンがそのオ
リフイス板にぶつかり、そしてヘツダ下部主面と
下型主面とのわずかなすき間に流れが方向づけら
れる。このため、レジンの未充填を発生させるこ
となく良好なパツケージを形成できる。
また、本発明では、前記オリフイス板の突出長
さが選択される結果、ヘツダのチツプ固定側の主
面および裏面に充填されるレジンの充填速度が調
節でき、ヘツダ裏面にレジンが流れ合つて来て相
互に衝突して接触する結果生じてしまうレジンの
流れの突き当たり部分が存在しなくなり、耐絶縁
破壊強度が向上する。
さが選択される結果、ヘツダのチツプ固定側の主
面および裏面に充填されるレジンの充填速度が調
節でき、ヘツダ裏面にレジンが流れ合つて来て相
互に衝突して接触する結果生じてしまうレジンの
流れの突き当たり部分が存在しなくなり、耐絶縁
破壊強度が向上する。
また、本発明では前記オリフイス板の一部をそ
の突出長さを低くすることによつて、パツケージ
に形成する溝の端にリブを形成することができ、
溝部の機械的強度が向上するため、実装時のネジ
の締め突けによる曲げ応力に対する溝底の薄いパ
ツケージ部分の破壊が起き難くなり、実装の信頼
性向上が達成できる。
の突出長さを低くすることによつて、パツケージ
に形成する溝の端にリブを形成することができ、
溝部の機械的強度が向上するため、実装時のネジ
の締め突けによる曲げ応力に対する溝底の薄いパ
ツケージ部分の破壊が起き難くなり、実装の信頼
性向上が達成できる。
さらに、本発明のオリフイス板の一部の突出長
さを低くする構造にあつては、パツケージ寸法や
形状が異なつても、前記一部のオリフイス板部分
の突出長さの選択によつて、ヘツダ裏面にレジン
の突き当たり部分を発生させずにすみ、耐絶縁破
壊強度の向上が達成できる。
さを低くする構造にあつては、パツケージ寸法や
形状が異なつても、前記一部のオリフイス板部分
の突出長さの選択によつて、ヘツダ裏面にレジン
の突き当たり部分を発生させずにすみ、耐絶縁破
壊強度の向上が達成できる。
以下図面を参照して本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例によつて製造された
レジンモールド構造の絶縁型半導体装置の斜視
図、第２図は本発明の絶縁型半導体装置の製造方
法を示す斜視図、第３図は第２図の―線にお
ける部分的な断面図、第４図は第２図の−線
における部分的な断面図である。
レジンモールド構造の絶縁型半導体装置の斜視
図、第２図は本発明の絶縁型半導体装置の製造方
法を示す斜視図、第３図は第２図の―線にお
ける部分的な断面図、第４図は第２図の−線
における部分的な断面図である。
この実施例の絶縁型半導体装置（絶縁型パワー
トランジスタ）は、第１図に示されるように、レ
ジンからなるパツケージ２と、このパツケージ２
の一端面から突出する３本のリード５とからなつ
ている。前記パツケージ２はその中間に両端が有
限の溝９が設けられている。この溝９はパツケー
ジ２の幅員方向に沿つて設けられ、後述するよう
に、チツプ取付け（チツプ固定）領域とネジ挿入
孔が設けられた領域とを区分けするような位置に
設けられている。また、前記溝９の両端部分はチ
ツプ取付け領域と同様に厚く形成され、補強部材
としてのリブ（補強部）１２を構成している。ま
た、ネジ取付け側パツケージ部分１０の略中央に
は、ネジ挿入孔４が設けられている。また、この
ネジ取付け側パツケージ部分１０にはモールド時
に生じてしまう孔１１が存在している。この孔１
１はモールド時にヘツダ１を支持する突子がモー
ルド後に取り除かれることによつて生じることか
ら、ヘツダ１の主面および裏面側にそれぞれ発生
する。実施例ではパツケージ２の主面および裏面
にそれぞれ二つの穴が存在している。
トランジスタ）は、第１図に示されるように、レ
ジンからなるパツケージ２と、このパツケージ２
の一端面から突出する３本のリード５とからなつ
ている。前記パツケージ２はその中間に両端が有
限の溝９が設けられている。この溝９はパツケー
ジ２の幅員方向に沿つて設けられ、後述するよう
に、チツプ取付け（チツプ固定）領域とネジ挿入
孔が設けられた領域とを区分けするような位置に
設けられている。また、前記溝９の両端部分はチ
ツプ取付け領域と同様に厚く形成され、補強部材
としてのリブ（補強部）１２を構成している。ま
た、ネジ取付け側パツケージ部分１０の略中央に
は、ネジ挿入孔４が設けられている。また、この
ネジ取付け側パツケージ部分１０にはモールド時
に生じてしまう孔１１が存在している。この孔１
１はモールド時にヘツダ１を支持する突子がモー
ルド後に取り除かれることによつて生じることか
ら、ヘツダ１の主面および裏面側にそれぞれ発生
する。実施例ではパツケージ２の主面および裏面
にそれぞれ二つの穴が存在している。
つぎに、第２図〜第４図を参照しながら、この
トランジスタの製造方法について説明し、さら
に、トランジスタの細部について説明する。
トランジスタの製造方法について説明し、さら
に、トランジスタの細部について説明する。
このトランジスタの組立にあつては、第２図で
示すようなリードフレーム１３が用いられる。こ
のリードフレーム１３は放熱性の優れた金属板、
たとえば、鉄−ニツケル系合金、銅系合金等の
0.1〜0.25mm程度の厚さの薄い金属板をエツチン
グあるいはプレス等によつて所望パターンに形成
するとともに、プレス成型することによつて得ら
れる。すなわち、リードフレーム１３は細い枠部
１４と、この枠部１４の一側から平行に延在する
３本のリード５を有している。３本のリード５は
前記枠部１４と平行に延在する細いダム片１５に
よつて連結されている。このダム片１５はリード
フレーム１３の取扱時には補強部材の役割を果た
し、レジンモールド時には注入されたレジンの流
出を防ぐダムの役割を果たす。両側のリード５の
先端部分は両側に僅かに張り出して幅広となり、
ワイヤ接続部１６を構成している。ワイヤ接続部
１６の張り出しはパツケージ２のレジン部分に張
り出し部分が喰い込んでパツケージ２からリード
５が抜けないようにするためである。
示すようなリードフレーム１３が用いられる。こ
のリードフレーム１３は放熱性の優れた金属板、
たとえば、鉄−ニツケル系合金、銅系合金等の
0.1〜0.25mm程度の厚さの薄い金属板をエツチン
グあるいはプレス等によつて所望パターンに形成
するとともに、プレス成型することによつて得ら
れる。すなわち、リードフレーム１３は細い枠部
１４と、この枠部１４の一側から平行に延在する
３本のリード５を有している。３本のリード５は
前記枠部１４と平行に延在する細いダム片１５に
よつて連結されている。このダム片１５はリード
フレーム１３の取扱時には補強部材の役割を果た
し、レジンモールド時には注入されたレジンの流
出を防ぐダムの役割を果たす。両側のリード５の
先端部分は両側に僅かに張り出して幅広となり、
ワイヤ接続部１６を構成している。ワイヤ接続部
１６の張り出しはパツケージ２のレジン部分に張
り出し部分が喰い込んでパツケージ２からリード
５が抜けないようにするためである。
一方、中央のリード５は下方に一段折れ曲が
り、幅広のヘツダ１に連結されている。このヘツ
ダ１のリード５との連結側はチツプ（半導体素
子）３を固定するチツプ取付領域１７となつてい
る。また、ヘツダ１の他端部分はその両端から細
いアーム１８を有している。このアーム１８は途
中から階段状に一段高く延在し、モールド時のヘ
ツダ１のモールド高さを規定する高さ規定片１９
となつている。なお、一対のアーム１８間の空間
部分にはネジ挿入孔形成用空間２０となつてい
る。
り、幅広のヘツダ１に連結されている。このヘツ
ダ１のリード５との連結側はチツプ（半導体素
子）３を固定するチツプ取付領域１７となつてい
る。また、ヘツダ１の他端部分はその両端から細
いアーム１８を有している。このアーム１８は途
中から階段状に一段高く延在し、モールド時のヘ
ツダ１のモールド高さを規定する高さ規定片１９
となつている。なお、一対のアーム１８間の空間
部分にはネジ挿入孔形成用空間２０となつてい
る。
このようなリードフレーム１３を用いてトラン
ジスタを組み立てる場合には、第２図に示すよう
に、リードフレーム１３のチツプ取付領域（チツ
プ固定領域）１７にチツプ３が最初に固定され
る。つぎに、チツプ３の電極と各リード５とはワ
イヤ２１で接続される。その後、このリードフレ
ーム１３は、第３図および第４図に示されるよう
に、モールド型２２の上型２３と下型２４との間
に挟持される。上型２３と下型２４とによつて形
成されるキヤビテイ２５内には、リードフレーム
１３のダム片１５よりも先端となる部分、すなわ
ち、ヘツダ１、ワイヤ接続部１６等が納まる。そ
して、ヘツダ１端に位置するゲート２６から溶け
たレジン２７がキヤビテイ２５内に圧入される。
ジスタを組み立てる場合には、第２図に示すよう
に、リードフレーム１３のチツプ取付領域（チツ
プ固定領域）１７にチツプ３が最初に固定され
る。つぎに、チツプ３の電極と各リード５とはワ
イヤ２１で接続される。その後、このリードフレ
ーム１３は、第３図および第４図に示されるよう
に、モールド型２２の上型２３と下型２４との間
に挟持される。上型２３と下型２４とによつて形
成されるキヤビテイ２５内には、リードフレーム
１３のダム片１５よりも先端となる部分、すなわ
ち、ヘツダ１、ワイヤ接続部１６等が納まる。そ
して、ヘツダ１端に位置するゲート２６から溶け
たレジン２７がキヤビテイ２５内に圧入される。
この際、レジン２７はヘツダ１の裏面側にも確
実に注入する必要があることから、ヘツダ１から
延在する高さ規定片１９は上型２３および下型２
４から突出する支持突子２８，２９によつて支持
される。キヤビテイ２５の底面とヘツダ１の裏面
との間隔は、製造された絶縁型トランジスタが所
望の耐絶縁破壊電圧を維持できるように、たとえ
ば、0.4mmとなつている。また、一対のアーム１
８間のキヤビテイ２５部分には円柱体３０が位置
している。この円柱体３０はモールド型２２の上
型２３あるいは下型２４の一方あるいは両方に分
けて設けられている（この実施例では円柱体３０
は上型２３に設けられている。）。この円柱体３０
が位置する部分はモールド後には、ネジ挿入孔４
となる。したがつて、モールド時、前記ネジ挿入
孔４の内周には耐絶縁破壊層が形成されるよう
に、この円柱体３０はヘツダ１の何れの部分にも
接触しないようになつている。また、その離反距
離はヘツダ１の裏面に形成されるレジン２７の厚
さと同一あるいはそれ以上に厚くなつている。
実に注入する必要があることから、ヘツダ１から
延在する高さ規定片１９は上型２３および下型２
４から突出する支持突子２８，２９によつて支持
される。キヤビテイ２５の底面とヘツダ１の裏面
との間隔は、製造された絶縁型トランジスタが所
望の耐絶縁破壊電圧を維持できるように、たとえ
ば、0.4mmとなつている。また、一対のアーム１
８間のキヤビテイ２５部分には円柱体３０が位置
している。この円柱体３０はモールド型２２の上
型２３あるいは下型２４の一方あるいは両方に分
けて設けられている（この実施例では円柱体３０
は上型２３に設けられている。）。この円柱体３０
が位置する部分はモールド後には、ネジ挿入孔４
となる。したがつて、モールド時、前記ネジ挿入
孔４の内周には耐絶縁破壊層が形成されるよう
に、この円柱体３０はヘツダ１の何れの部分にも
接触しないようになつている。また、その離反距
離はヘツダ１の裏面に形成されるレジン２７の厚
さと同一あるいはそれ以上に厚くなつている。
一方、この実施例では、第４図に示すように、
前記ヘツダ１の主面側中央に対応するキヤビテイ
２５部分にレジン２７の流れ抵抗が大きくなるよ
うな絞り部３１が設けられている。この絞り部３
１は上型２３に突出形成された板状のオリフイス
板３２の先端（下端）とヘツダ１の主面とによつ
て形成されている。また、第３図に示すように、
このオリフイス板３２はキヤビテイ２５の両側部
分には、たとえば、数mmの幅に渡つて設けられて
いない。すなわち、この部分ではオリフイス板３
２の突出長さは零となつている。このオリフイス
板３２が設けられていない部分はレジン２７が注
入され、リブ１２を構成するようになる。前記絞
り部３１の開口高さは、ヘツダ１の裏面側の空間
に比較してヘツダ１の主面側の空間が遥かに大き
いことから、ヘツダ１の主面側には大量にレジン
２７を流し込む必要があるため、ヘツダ１の裏面
における空間の高さ（厚さ）の0.4mmよりも大き
くなるが、ヘツダ１の裏面側にレジン２７が充満
しないうちに、ヘツダ１の主面側に流れ込んだレ
ジン２７がヘツダ１の裏面側に流れ込むことのな
いように、絞り部３１で流入するレジン２７の流
れを規定する必要がある。
前記ヘツダ１の主面側中央に対応するキヤビテイ
２５部分にレジン２７の流れ抵抗が大きくなるよ
うな絞り部３１が設けられている。この絞り部３
１は上型２３に突出形成された板状のオリフイス
板３２の先端（下端）とヘツダ１の主面とによつ
て形成されている。また、第３図に示すように、
このオリフイス板３２はキヤビテイ２５の両側部
分には、たとえば、数mmの幅に渡つて設けられて
いない。すなわち、この部分ではオリフイス板３
２の突出長さは零となつている。このオリフイス
板３２が設けられていない部分はレジン２７が注
入され、リブ１２を構成するようになる。前記絞
り部３１の開口高さは、ヘツダ１の裏面側の空間
に比較してヘツダ１の主面側の空間が遥かに大き
いことから、ヘツダ１の主面側には大量にレジン
２７を流し込む必要があるため、ヘツダ１の裏面
における空間の高さ（厚さ）の0.4mmよりも大き
くなるが、ヘツダ１の裏面側にレジン２７が充満
しないうちに、ヘツダ１の主面側に流れ込んだレ
ジン２７がヘツダ１の裏面側に流れ込むことのな
いように、絞り部３１で流入するレジン２７の流
れを規定する必要がある。
したがつて、このモールド型２２によれば、ヘ
ツダ１の裏面側全域にレジン２７が流れ込んだ時
点では、ヘツダ１の主面側には引き続いてレジン
２７が流入し続ける状態にある。この結果、絶縁
破壊が生じては困るヘツダ１の裏面側のレジン部
分には、レジン２７が流れ合つて来て相互に衝突
して接触してできるレジン２７の流れの突き当た
り部分が存在しなくなる。
ツダ１の裏面側全域にレジン２７が流れ込んだ時
点では、ヘツダ１の主面側には引き続いてレジン
２７が流入し続ける状態にある。この結果、絶縁
破壊が生じては困るヘツダ１の裏面側のレジン部
分には、レジン２７が流れ合つて来て相互に衝突
して接触してできるレジン２７の流れの突き当た
り部分が存在しなくなる。
このレジンの流れの突き当たり部分は、微視的
にはその衝突界面は隙間が存在するような状態と
なり、耐絶縁性の信頼性は低いことが本発明者に
よつて明らかとされている。
にはその衝突界面は隙間が存在するような状態と
なり、耐絶縁性の信頼性は低いことが本発明者に
よつて明らかとされている。
つぎに、モールドが終了した後は、リードフレ
ーム１３の不用となる部分、すなわち、ダム片１
５、枠部１４は切断除去され、第１図に示される
ようなトランジスタ（レジンモールド構造の絶縁
型半導体装置）が製造される。
ーム１３の不用となる部分、すなわち、ダム片１
５、枠部１４は切断除去され、第１図に示される
ようなトランジスタ（レジンモールド構造の絶縁
型半導体装置）が製造される。
このような実施例によれば、つぎのような効果
が得られる。
が得られる。
(1) 本発明の絶縁型半導体装置（レジンモールド
型半導体装置）の製造方法によれば、パツケー
ジ形成時、上型にオリフイス板が設けられたモ
ールド型が使用されるため、ヘツダ主面のチツ
プ取付領域側へのレジンの充填速度は所望の速
度となり、ヘツダ裏面にレジンの流れの突き当
たり部分を発生させずにかつ未充填を生じさせ
ることなくモールドを行うことができるという
効果が得られる。
型半導体装置）の製造方法によれば、パツケー
ジ形成時、上型にオリフイス板が設けられたモ
ールド型が使用されるため、ヘツダ主面のチツ
プ取付領域側へのレジンの充填速度は所望の速
度となり、ヘツダ裏面にレジンの流れの突き当
たり部分を発生させずにかつ未充填を生じさせ
ることなくモールドを行うことができるという
効果が得られる。
(2) 上記した(1)により、本発明の絶縁型半導体装
置の製造方法によれば、製造された絶縁型半導
体装置にあつては、薄いヘツダ裏面に耐絶縁性
の信頼性が低いレジンの流れの突き当たり部分
が存在しないことと、レジンの充填状態が良好
であることから、耐絶縁破壊強度の向上が達成
できるという効果が得られる。
置の製造方法によれば、製造された絶縁型半導
体装置にあつては、薄いヘツダ裏面に耐絶縁性
の信頼性が低いレジンの流れの突き当たり部分
が存在しないことと、レジンの充填状態が良好
であることから、耐絶縁破壊強度の向上が達成
できるという効果が得られる。
(3) 上記した(1)により、本発明の絶縁型半導体装
置の製造方法によれば、製造された絶縁型半導
体装置にあつては、薄いヘツダ裏面にレジンの
流れの突き当たり部分が存在しないことと、レ
ジンの充填状態が良好であることから、耐湿性
も高くなるという効果が得られる。
置の製造方法によれば、製造された絶縁型半導
体装置にあつては、薄いヘツダ裏面にレジンの
流れの突き当たり部分が存在しないことと、レ
ジンの充填状態が良好であることから、耐湿性
も高くなるという効果が得られる。
(4) 上記(1)により、本発明の絶縁型半導体装置の
製造方法によれば、上型にオリフイス板が設け
られたモールド型が使用されるため、ネジ挿入
孔が設けられたパツケージ部分のレジンの厚さ
は、従来に比較して厚くなることから、パワー
トランジスタの実装時、ネジを強く締め付けて
も、レジン部分は締付力によつて押し潰され
て、クラツクが発生したりあるいはレジンが剥
離したりすることがなく、実装の信頼性が高く
なるという効果が得られる。
製造方法によれば、上型にオリフイス板が設け
られたモールド型が使用されるため、ネジ挿入
孔が設けられたパツケージ部分のレジンの厚さ
は、従来に比較して厚くなることから、パワー
トランジスタの実装時、ネジを強く締め付けて
も、レジン部分は締付力によつて押し潰され
て、クラツクが発生したりあるいはレジンが剥
離したりすることがなく、実装の信頼性が高く
なるという効果が得られる。
(5) 本発明の絶縁型半導体装置の製造によれば、
パツケージには溝が設けられるが、この溝の溝
端にリブが設けられる構造となつていることか
ら、このリブが機械的補強部材として作用する
ため、溝が位置するレジン部分の強度が向上
し、実装条件の悪い場所への実装においてもネ
ジの締め付けによつてレジン部分が損傷するよ
うなことはなくなり、実装の信頼性が高くなる
という効果が得られる。たとえば、パツケージ
の下面の両側部分にリードと平行にそれぞれ
100μｍの直径のピアノ線を置き、ネジを10Kg
−cmの締め付けトルクで締め付けても前記溝に
沿うパツケージ部分にクラツクは発生しないこ
とが実験により確められた。
パツケージには溝が設けられるが、この溝の溝
端にリブが設けられる構造となつていることか
ら、このリブが機械的補強部材として作用する
ため、溝が位置するレジン部分の強度が向上
し、実装条件の悪い場所への実装においてもネ
ジの締め付けによつてレジン部分が損傷するよ
うなことはなくなり、実装の信頼性が高くなる
という効果が得られる。たとえば、パツケージ
の下面の両側部分にリードと平行にそれぞれ
100μｍの直径のピアノ線を置き、ネジを10Kg
−cmの締め付けトルクで締め付けても前記溝に
沿うパツケージ部分にクラツクは発生しないこ
とが実験により確められた。
(6) 上記(4)および(5)から、本発明の方法によつて
製造された絶縁型半導体装置はその実装時、ネ
ジの締付にそれほど注意を払わなくとも良くな
ることから、実装作業性の向上が図れるという
効果が得られる。
製造された絶縁型半導体装置はその実装時、ネ
ジの締付にそれほど注意を払わなくとも良くな
ることから、実装作業性の向上が図れるという
効果が得られる。
(7) 本発明によれば、特に第４図および第６図か
ら明らかなように、上型２３には、ワイヤ２１
が接続された半導体チツプ３（ただし、第６図
はワイヤを省略）とゲート２６との間に位置さ
れた部分にヘツダ１の上主面側に向かつてオリ
フイス板３２が突出して設けられているため、
ゲート２６からのレジン注入（高圧注入）の際
にそのオリフイス板３１が壁となつて半導体チ
ツプ３に接続されたワイヤ２１のワイヤ流れや
それによるワイヤ同士あるいはチツプ主面への
ワイヤタツチを防止することができる。
ら明らかなように、上型２３には、ワイヤ２１
が接続された半導体チツプ３（ただし、第６図
はワイヤを省略）とゲート２６との間に位置さ
れた部分にヘツダ１の上主面側に向かつてオリ
フイス板３２が突出して設けられているため、
ゲート２６からのレジン注入（高圧注入）の際
にそのオリフイス板３１が壁となつて半導体チ
ツプ３に接続されたワイヤ２１のワイヤ流れや
それによるワイヤ同士あるいはチツプ主面への
ワイヤタツチを防止することができる。
(8) 上記(1)〜(7)により、本発明によれば、耐湿
性、耐絶縁性が優れかつ実装の信頼性が高いパ
ワートランジスタを製造することができるとい
う相乗効果が得られる。
性、耐絶縁性が優れかつ実装の信頼性が高いパ
ワートランジスタを製造することができるとい
う相乗効果が得られる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。たとえば、第５図に示されるように、前記パ
ツケージ２の上面に設ける溝９の端のリブ（補強
部）１２は、その高さが溝９の底面とパツケージ
２上面との間の高さとなつている。このリブ１２
の高さは、絶縁型半導体装置の製造におけるレジ
ンによるパツケージングの際、上型に設けるオリ
フイス板の一部、この場合ではオリフイス板両端
の一部の突出長さを他の部分よりも小さくするこ
とによつて形成できる。すなわち、このオリフイ
ス板の一部の突出長さの調節選択によつて、レジ
ン２７が通過する絞り部３１の条件が変化する。
したがつて、品種が変わつてパツケージ寸法が異
なつたり、あるいはパツケージ形状が変わつた場
合でも、オリフイス板３２の全体での突出長さを
変化させずに、このオリフイス板３２の一部の突
出長さの選択変更で、レジンの流れの突き当たり
部分のヘツダ裏面での発生を常に防止できること
になり、耐絶縁破壊強度の向上を図ることができ
る。
基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。たとえば、第５図に示されるように、前記パ
ツケージ２の上面に設ける溝９の端のリブ（補強
部）１２は、その高さが溝９の底面とパツケージ
２上面との間の高さとなつている。このリブ１２
の高さは、絶縁型半導体装置の製造におけるレジ
ンによるパツケージングの際、上型に設けるオリ
フイス板の一部、この場合ではオリフイス板両端
の一部の突出長さを他の部分よりも小さくするこ
とによつて形成できる。すなわち、このオリフイ
ス板の一部の突出長さの調節選択によつて、レジ
ン２７が通過する絞り部３１の条件が変化する。
したがつて、品種が変わつてパツケージ寸法が異
なつたり、あるいはパツケージ形状が変わつた場
合でも、オリフイス板３２の全体での突出長さを
変化させずに、このオリフイス板３２の一部の突
出長さの選択変更で、レジンの流れの突き当たり
部分のヘツダ裏面での発生を常に防止できること
になり、耐絶縁破壊強度の向上を図ることができ
る。
また、以上で説明した実施例において、リブ１
２の形状は、立方体又は直方体で構成されている
が、それには限定されず、台形状円弧状であつて
もよい。
２の形状は、立方体又は直方体で構成されている
が、それには限定されず、台形状円弧状であつて
もよい。
第６図は本発明の他の実施例による絶縁型半導
体装置（レジンモールド型半導体装置）を示す斜
視図である。この実施例の絶縁型半導体装置にお
いては、前記溝９はパツケージ２の全幅に亘つて
設けられていて、特に補強部（リブ）１２は設け
られていない。この絶縁型半導体装置は実装条件
が比較的良好な場合有効である。すなわち、絶縁
型半導体装置を取り付ける取付板の平坦性が良好
である場合には、ネジ挿入孔４に挿入したネジを
強く締め付けても、前記取付板が平坦であること
から、ヘツダ１やチツプ３に強い応力は作用せ
ず、チツプ３のヘツダ１からの剥離、チツプクラ
ツク、溝９でのパツケージ部分でのクラツク発生
は起きない。
体装置（レジンモールド型半導体装置）を示す斜
視図である。この実施例の絶縁型半導体装置にお
いては、前記溝９はパツケージ２の全幅に亘つて
設けられていて、特に補強部（リブ）１２は設け
られていない。この絶縁型半導体装置は実装条件
が比較的良好な場合有効である。すなわち、絶縁
型半導体装置を取り付ける取付板の平坦性が良好
である場合には、ネジ挿入孔４に挿入したネジを
強く締め付けても、前記取付板が平坦であること
から、ヘツダ１やチツプ３に強い応力は作用せ
ず、チツプ３のヘツダ１からの剥離、チツプクラ
ツク、溝９でのパツケージ部分でのクラツク発生
は起きない。
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野である絶縁
型半導体装置の製造技術に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、前記同様の構造をした集積回路装置の製
造技術などに適用できる。
れた発明をその背景となつた利用分野である絶縁
型半導体装置の製造技術に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、前記同様の構造をした集積回路装置の製
造技術などに適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のによつて得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
のによつて得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
本発明の絶縁型半導体装置（レジンモールド型
半導体装置）の製造方法によれば、パツケージの
際用いるモールド型において、チツプが固定され
たヘツダ主面側へのレジンの充填速度を調節する
ために、モールド型の上型にオリフイス板が設け
られる。これにより、耐絶縁性の信頼性が低いレ
ジンの流れの突き当たり部分をヘツダ裏面に設け
ることなくレジンの充填ができることから、耐絶
縁破壊強度が向上するとともに、ネジ取付け側パ
ツケージ部分の厚さを厚くでき、また、必要に応
じてオリフイス板に対応して形成される溝端にリ
ブを設けることができるため、機械強度が向上
し、実装の信頼性が高くなる。
半導体装置）の製造方法によれば、パツケージの
際用いるモールド型において、チツプが固定され
たヘツダ主面側へのレジンの充填速度を調節する
ために、モールド型の上型にオリフイス板が設け
られる。これにより、耐絶縁性の信頼性が低いレ
ジンの流れの突き当たり部分をヘツダ裏面に設け
ることなくレジンの充填ができることから、耐絶
縁破壊強度が向上するとともに、ネジ取付け側パ
ツケージ部分の厚さを厚くでき、また、必要に応
じてオリフイス板に対応して形成される溝端にリ
ブを設けることができるため、機械強度が向上
し、実装の信頼性が高くなる。
第１図は本発明の一実施例によつて製造された
絶縁型半導体装置の斜視図、第２図は本発明の絶
縁型半導体装置の製造方法を示す斜視図、第３図
は第２図の−線における部分的な断面図、第
４図は第２図の−線における部分的な断面
図、第５図は本発明の他の実施例による絶縁型半
導体装置の斜視図、第６図は本発明の他の実施例
による絶縁型半導体装置の斜視図、第７図は従来
の絶縁型半導体装置の概要を示す断面図である。 １……ヘツダ、２……パツケージ、３……チツ
プ、４……ネジ挿入孔、５……リード、６……ネ
ジ、７……取付板、８……ナツト、９……溝、１
０……ネジ取付け側パツケージ部分、１１……
孔、１２……リブ、１３……リードフレーム、１
４……枠部、１５……ダム片、１６……ワイヤ接
続部、１７……チツプ取付領域、１８……アー
ム、１９……高さ規定片、２０……ネジ挿入孔形
成用空間、２１……ワイヤ、２２……モールド
型、２３……上型、２４……下型、２５……キヤ
ビテイ、２６……ゲート、２７……レジン、２
８，２９……支持突子、３０……円柱体、３１…
…絞り部、３２……オリフイス板。
絶縁型半導体装置の斜視図、第２図は本発明の絶
縁型半導体装置の製造方法を示す斜視図、第３図
は第２図の−線における部分的な断面図、第
４図は第２図の−線における部分的な断面
図、第５図は本発明の他の実施例による絶縁型半
導体装置の斜視図、第６図は本発明の他の実施例
による絶縁型半導体装置の斜視図、第７図は従来
の絶縁型半導体装置の概要を示す断面図である。 １……ヘツダ、２……パツケージ、３……チツ
プ、４……ネジ挿入孔、５……リード、６……ネ
ジ、７……取付板、８……ナツト、９……溝、１
０……ネジ取付け側パツケージ部分、１１……
孔、１２……リブ、１３……リードフレーム、１
４……枠部、１５……ダム片、１６……ワイヤ接
続部、１７……チツプ取付領域、１８……アー
ム、１９……高さ規定片、２０……ネジ挿入孔形
成用空間、２１……ワイヤ、２２……モールド
型、２３……上型、２４……下型、２５……キヤ
ビテイ、２６……ゲート、２７……レジン、２
８，２９……支持突子、３０……円柱体、３１…
…絞り部、３２……オリフイス板。
Claims (1)
- １ モールド型の下型と上型で形成されるキヤビ
テイ内にチツプが主面に固定されかつネジ挿入孔
形成用空間領域を有するヘツダを浮かせ、かつ前
記モールド型によつて形成されるゲートからレジ
ンをキヤビテイ内に注入して、前記ヘツダの主面
側および裏面側にレジンを充填し、前記ヘツダを
レジンからなるパツケージで被うレジンモールド
型半導体装置の製造方法であつて、前記上型にヘ
ツダ主面側に向かい、かつそのヘツダ主面に接す
ることのないように突出するオリフイス板が配設
され、前記オリフイス板に向けてレジンを注入す
ることを特徴とするレジンモールド型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325668A JPH02290032A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | レジンモールド型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325668A JPH02290032A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | レジンモールド型半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12516384A Division JPS615529A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290032A JPH02290032A (ja) | 1990-11-29 |
| JPH0512853B2 true JPH0512853B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=18179382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325668A Granted JPH02290032A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | レジンモールド型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290032A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| JP6228904B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2017-11-08 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758771U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983052U (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-05 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325668A patent/JPH02290032A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758771U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02290032A (ja) | 1990-11-29 |
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