JP3920753B2 - 半導体装置及びそれを組み込んだ電子装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びそれを組み込んだ電子装置に関し、特に、ノンリード型半導体装置及びそれを組み込んだ電子装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止型半導体装置は、その製造においてリードフレームが使用される。リードフレームは、金属板を精密プレスによる打ち抜きやエッチングによって所望のパターンに加工することで製造される。リードフレームは、半導体チップ（半導体素子）を固定するための支持体（タブ、ダイパッド等）や、この支持体の周囲に先端（内端）を臨ませる複数のリードを有し、支持体はリードフレームの枠部から延在する吊りリードによって支持されている。
【０００３】
このようなリードフレームを使用して樹脂封止型半導体装置を製造する場合、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを固定すると共に、半導体チップの電極とリードの先端とをボンディングワイヤで電気的に接続し、その後、ボンディングワイヤ、半導体チップ及びリードの内端側を絶縁性の樹脂で封止して樹脂封止体を形成し、その後、リードフレームの不要な部分を切断除去すると共に、樹脂封止体から突出するリードやタブ吊りリードを切断する。
【０００４】
一方、リードフレームを用いて製造する樹脂封止型半導体装置の一つとして、リードフレームの片面側に片面モールドを行って樹脂封止体を形成し、樹脂封止体の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの裏面に外部接続用端子としてリード又はリードの一部を露出させたノンリード型半導体装置が知られている。このノンリード型半導体装置としては、例えば、樹脂封止体の裏面の互いに反対側に位置する２つの辺側に夫々リードを配置したＳＯＮ（Ｓmall Ｏutline Ｎon-Ｌeaded Ｐackage）型や、樹脂封止体の裏面の４つの辺側に夫々リードを配置したＱＦＮ（Ｑuad Ｆlat Ｎon-Ｌeaded Ｐackage）型が知られている。このようなノンリード型半導体装置は、樹脂封止体の側面からリードを突出させて所定の形状に折り曲げ成形したパッケージ構造、例えばＱＦＰ（Ｑuad Ｆlatpack Ｐackage）型やＳＯＰ（Ｓmall Ｏut-line Ｐackage）型の半導体装置と比較して小型化を図ることができる。
【０００５】
なお、ノンリード型半導体装置については、例えば特開２００１−３５９６１号公報（特許文献１）に記載されている。また、この特許文献１には、樹脂封止体の裏面に凹部を設け、異物に起因するノンリード型半導体装置の実装不良を抑制する技術も記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−３５９６１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、樹脂封止型半導体装置の一つに、電力増幅回路や電源回路等のスイッチング素子に使用されるパワートランジスタ（電力用半導体装置）がある。このパワートランジスタにおいても様々なパッケージ構造のものが提案され、製品化されている。例えばＴＳＳＯＰ（Ｔhin Ｓhrink Ｓmall Ｏut-line Ｐackage）型のパワートランジスタが製品化されている。また、近年、ノンリード型のパワートランジスタも製品化されている。
【０００８】
本発明者は、配線基板にノンリード型パワートランジスタを実装する電子装置について検討した結果、以下の問題点を見出した。
【０００９】
配線基板の主面を延在する配線は、配線の保護を目的に一般的に絶縁膜で覆われている。配線を絶縁膜で覆った部分は、配線の厚さに相当する分、配線を絶縁膜で覆わない部分よりも厚みが増す。ＴＳＳＯＰ型パワートランジスタの場合、樹脂封止体の側面から突出するリードの折り曲げ成形によって、配線基板の主面と樹脂封止体の裏面との間隔、即ちスタンドオフ高さを、配線が絶縁膜で覆われた部分の厚さよりも高くすることができるため、配線基板の主面のトランジスタ実装領域に、絶縁膜で配線を覆った部分が存在していても、この部分がトランジスタの実装時の障害物となることはない。従って、ＴＳＳＯＰ型パワートランジスタの場合は、配線基板の主面と樹脂封止体の裏面との間に、絶縁膜で覆われた配線を通すことができる。
【００１０】
ノンリード型パワートランジスタの場合、樹脂封止体の裏面からリードが突出する突出量が極わずかであり、ＴＳＳＯＰ型のようにリードの曲げ成形によってスタンドオフ高さを高くすることができないため、配線基板の主面のトランジスタ実装領域に、絶縁膜で配線を覆った部分が存在した場合、この部分がトランジスタの実装時の障害物となり、配線基板の電極パッドにリードが接続されないといった実装不良が発生し易くなる。従って、ノンリード型パワートランジスタの場合は、配線基板の主面と樹脂封止体の裏面との間に絶縁膜で覆われた配線を通すことができない。
【００１１】
一方、電子機器の小型化に伴い、電子機器に組み込まれる電子装置においても小型化が要求されている。電子装置の小型化を図るためには、配線基板の平面サイズを縮小する必要がある。配線基板の平面サイズを縮小するためには、配線基板の主面の配線密度を高める必要がある。しかしながら、リードレス型パワートランジスタの場合、前述したように、配線基板の主面と樹脂封止体の裏面との間に、絶縁膜で覆われた配線を通すことができないため、配線基板の主面のトランジスタ実装領域を避けて配線を引き回す必要があり、配線基板の主面の配線密度を高めることが困難である。従って、従来のノンリード型パワートランジスタを実装する場合には電子装置の小型化が困難であった。
【００１２】
本発明の目的は、配線基板の主面と半導体装置との間に配線を通すことが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、電子装置の小型化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明の半導体装置は、互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記主面に複数の電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの一辺に沿って配置され、かつ前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記半導体チップ及び前記複数のリードを封止する樹脂封止体と、
前記複数のリードに夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された複数の外部接続用端子と、
前記半導体チップの裏面に固定され、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された支持体と、
前記樹脂封止体の裏面に設けられた凹部であって、前記複数の外部接続用端子と前記支持体との間を横切り、かつ前記複数のリードの配列方向において互いに反対側に位置する前記樹脂封止体の２つの側面に亘って延在する凹部とを有する。
（２）本発明の電子装置は、主面に絶縁膜で覆われた配線を有する配線基板と、前記配線基板の主面に実装された半導体装置とを有し、
前記半導体装置は、互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記主面に複数の電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの一辺に沿って配置され、かつ前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記半導体チップ及び前記複数のリードを封止する樹脂封止体と、
前記複数のリードに夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された複数の外部接続用端子と、
前記半導体チップの裏面に固定され、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された支持体と、
前記樹脂封止体の裏面に設けられた凹部であって、前記複数の外部接続用端子と前記支持体との間を横切り、かつ前記複数のリードの配列方向において互いに反対側に位置する前記樹脂封止体の２つの側面に亘って延在する凹部とを有し、
前記配線基板の配線は、前記半導体装置の凹部の下を通って前記半導体装置を横切っている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
本実施形態では、ノンリード型パワートランジスタ（半導体装置）に本発明を適用した例について説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態のパワートランジスタの内部構造を示す模式的平面図であり、
図２（ａ）は、図１のａ−ａ線に沿う模式的断面図、図２（ｂ）は、図１のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図であり、
図３は、図２（ａ）の一部を拡大した模式的要部断面図であり、
図４は、図１のパワートランジスタの模式的底面図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態のパワートランジスタ１は、主に、半導体チップ２、複数のリード４、板状の支持体６、及び樹脂封止体１０等を有する構成になっている。
【００２０】
半導体チップ２は、その厚さ方向と直行する平面形状が方形状で形成されている。半導体チップ２は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、主面にはソース電極３ｓ及びゲート電極３ｇを含む複数の電極３が設けられ、裏面には電極３としてドレイン電極３ｄが設けられている。半導体チップ２の主面の複数の電極３は、半導体チップ２の一辺側にその一辺に沿って配置されている。
【００２１】
半導体チップ２は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基板を主体に構成されている。半導体基板の主面には、トランジスタ素子として、例えば縦型構造のＭＯＳＦＥＴ（Ｍetal Ｏxide Ｓemiconductor Ｆield Ｅffect Ｔransistor）が形成されている。この縦型構造のＭＯＳＦＥＴは、大電力を得るため、微細な複数のトランジスタセルを並列に接続した構成になっている。
【００２２】
複数のリード４は、半導体チップ２の周囲に配置され、複数の電極３が配置された半導体チップ２の主面の一辺に沿って配置されている。複数のリード４は、ボンディングワイヤ９を介して、半導体チップ２の主面の複数の電極３と夫々電気的に接続されている。
【００２３】
半導体チップ２、複数のリード４、支持体６、複数のボンディングワイヤ９等は、樹脂封止体１０によって封止されている。樹脂封止体１０は、互いに反対側に位置する主面１０ｘ及び裏面１０ｙを有し、その厚さ方向と直交する平面形状が方形状で形成されている。樹脂封止体１０は低応力化を図る目的として、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。
【００２４】
支持体６の主面は、導電性の接着材８を介在して半導体チップ２の裏面のドレイン電極３ｄに固定され、電気的にかつ機械的に接続されている。支持体６の主面と反対側の裏面は樹脂封止体１０の裏面１０ｙから露出され、この支持体６には樹脂封止体１０の裏面１０ｙから露出された外部接続用端子７が設けられている。
【００２５】
複数のリード４の夫々には、樹脂封止体１０の裏面から露出された外部接続用端子５が設けられている。複数のリード４の夫々は、図３に示すように、支持体６よりも樹脂封止体１０の主面１０ｘ側に位置する第１の部分４ａと、この第１の部分４ａから樹脂封止体１０の裏面１０ｙ側に折れ曲がる第２の部分４ｂと、樹脂封止体１０の裏面１０ｙから露出し、かつ第２の部分４ｂから樹脂封止体１０の側面１０ｚに向かって延びる第３の部分４ｃとを有する構成になっている。
外部接続用端子５は、リード４の第３の部分４ｃに設けられている。
【００２６】
ボンディングワイヤ９は、一端側が半導体チップ２の電極３に接続され、他端側がリード４の第１の部分４ａに接続されている。ボンディングワイヤ９としては、例えば金（Ａｕ）ワイヤを用いている。ボンディングワイヤ９の接続方法としては、例えば、熱圧着に超音波振動を併用したボールボンディング（ネイルヘッドボンディング）法を用いている。
【００２７】
図２乃至図４に示すように、樹脂封止体１０の裏面１０ｙには、その裏面１０ｙから厚さ方向に窪む凹部１１が設けられている。凹部１１は、複数のリード４の夫々の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）と支持体６（外部接続用端子７）との間を横切り、かつ複数のリード４の配列方向において互いに反対側に位置する樹脂封止体１０の２つの側面１０ｚ１に亘って延在している。また、凹部１１は、複数のリード４の夫々の第１の部分４ａの下を横切っている。
【００２８】
本実施形態のパワートランジスタ１は、その製造においてリードフレームが使用される。リードフレームは、図示していないが、枠部で囲まれた領域内に複数のリード４及び支持体６等を有し、複数のリード４は枠部に支持され、支持体６は枠部から延在する吊りリードによって支持されている。リードフレームは、例えばＣｕからなる金属板又はＣｕ系の合金からなる金属板にエッチング加工又はプレス加工を施して所定のリードパターンを形成した後、複数のリード４に折り曲げ加工を施すことによって形成される。
【００２９】
樹脂封止体１０は、大量生産に好適なトランスファ・モールディング法によって形成される。トランスファ・モールディング法は、ポット、ランナー、ゲート及びキャビティ等を有する成型金型を使用し、ポットからランナー、ゲートを通してキャビティの中に樹脂を注入して樹脂封止体を形成する技術である。従って、凹部１１は、成型金型の下型にキャビティの内部において凸部を設けることによって容易に形成することができる。なお、凹部１１は、樹脂封止体１０を形成した後、樹脂封止体１０の裏面１０ｙに切削加工又はエッチング加工を施して形成してもよい。
【００３０】
図５は、図１に示すパワートランジスタを組み込んだ電子装置の模式的要部平面図であり、
図６は、図５のｃ−ｃ線に沿う模式的断面図であり、
図７は、図５の配線基板の導体パターンを示す要部模式的平面図であり、
図８は、図５の配線基板の絶縁膜に形成された開口パターンを示す模式的要部平面図である。
【００３１】
図５に示すように、電子装置２０は、配線基板２１の主面に複数のパワートランジスタ１を実装した構成になっている。複数のパワートランジスタ１は、各々のリード４が同じ方向を向くように向きを揃えた状態で一直線状に配置されている。
【００３２】
複数のパワートランジスタ１は、配線基板２１の主面に設けられた複数の実装領域に夫々実装されている。各実装領域には、図７に示すように、ドレイン用電極パッド２３ｄ、ゲート用電極パッド２３ｇ及びソース用電極パッド２３ｓを含む複数の電極パッドが配置されている。ドレイン用電極パッド２３ｄは、半導体チップ２のドレイン電極３ｄに対応して配置され、ゲート用電極パッド２３ｇは、半導体チップ２のゲート電極３ｇと電気的に接続されたリード４の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）に対応して配置され、ソース用電極パッド２３ｓは、半導体チップ２のソース電極３ｓと電気的に接続されたリード４の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）に対応して配置されている。
【００３３】
配線基板２１の主面には、ドレイン配線２２ｄ、ゲート配線２２ｇ及びソース配線２２ｓを含む配線が設けられている。これらの配線（２２ｄ，２２ｇ，２２ｓ）は、実装領域の配列方向に沿って各実装領域を横切るように連続的に延在している。ドレイン配線２２ｄは、実装領域の配列方向と直行する方向においてドレイン用電極パッド２３ｄの外側に配置され、各実装領域のドレイン用電極パッド２３ｄと電気的に接続されている。ソース配線２２ｓは、実装領域の配列方向と直行する方向においてソース用電極パッド２３ｓの外側に配置され、各実装領域のソース用電極パッド２３ｓと電気的に接続されている。ゲート配線２２ｇは、ドレイン用電極パッド２３ｄとゲート用電極パッド２３ｇ及びソース用電極パッド２３ｓとの間に配置され、各実装領域のゲート用電極２３ｇと電気的に接続されている。
【００３４】
図６及び図８に示すように、配線（２２ｄ，２２ｇ，２２ｓ）は、これらの配線を保護するために、配線基板２１の主面に設けられた絶縁膜２４で覆われている。絶縁膜２４には開口部２５ａ及び２５ｂが設けられ、開口部２５ａによって電極パッド（２３ｇ，２３ｓ）が露出され、開口部２５ｂによってドレイン用電極パッド２３ｄが露出されている。本実施形態において、開口部２５ａは電極パッド（２３ｇ，２３ｓ）毎に設けられている。また、開口部２５ａは、電極パッド（２３ｇ，２３ｓ）の縁を覆うようにして形成されている。また、開口部２５ｂは、ドレイン用電極パッド２３ｄの縁を覆うようにして形成されている。
【００３５】
図６に示すように、パワートランジスタ１の支持体６（外部接続用端子７）は、導電性の接着材２６（例えば半田）を介在して配線基板２０のドレイン用電極パッド２３ｄに固定され、電気的にかつ機械的に接続されている。半導体チップ２のソース電極３ｓと電気的に接続されたリード４の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）は、導電性の接着材２６を介在して配線基板２１のソース用電極パッド２３ｓに固定され、電気的にかつ機械的に接続されている。図示していないが、半導体チップ２のゲート電極３ｇと電気的に接続されたリード４の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）は、導電性の接着材２６を介在して配線基板２１のゲート用電極パッド２３ｇに固定され、電気的にかつ機械的に接続されている。
【００３６】
図６に示すように、ゲート配線２２ｇは、絶縁膜２４で覆われている。絶縁膜２４でゲート配線２２ｇを覆った部分は、配線の厚さに相当する分、配線を絶縁膜で覆わない部分よりも厚みが増しているが、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇは、パワートランジスタ１の樹脂封止体１０の裏面１０ｙに設けられた凹部１１の下を通って各パワートランジスタ１を横切っている。
【００３７】
このように、樹脂封止体１０の裏面１０ｙに、複数のリード４の夫々の第３の部分４ｃ（外部接続用端子５）と支持体６（外部接続用端子７）との間を横切り、かつ複数のリード４の配列方向において互いに反対側に位置する樹脂封止体１０の２つの側面１０ｚ１に亘って延在する凹部１１を設けることにより、ノンリード型パワートランジスタ１においても、配線基板２１の主面と樹脂封止体１０の裏面１０ｙとの間に、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇを通すことができる。凹部１１の深さは、ゲート配線２２ｇを絶縁膜２４で覆った部分の高さに応じて設定する。
【００３８】
また、配線基板２１とノンリード型パワートランジスタ１との間にゲート配線２２ｇを通すことができるので、配線基板２１の主面の配線密度を高めることができる。この結果、配線基板２１の平面サイズを縮小することができるので、ノンリード型パワートランジスタ１を実装する電子装置２０の小型化を図ることができる。
【００３９】
複数のリード４は、支持体６よりも樹脂封止体１０の主面側に位置する第１の部分４ａと、第１の部分４ａから樹脂封止体１０の裏面側に折れ曲がる第２の部分４ｂと、樹脂封止体１０の裏面から露出し、かつ第２の部分４ｂから樹脂封止体１０の側面に向かって延びる第３の部分４ｃとを有し、凹部１１は、複数のリード４の夫々の第１の部分４ａの下を横切っている。このような構成にすることにより、パワートランジスタ１の平面サイズを大型化することなく、配線基板２１の主面と樹脂封止体１０の裏面１０ｙとの間に、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇを通すことができる。
【００４０】
ボンディングワイヤ９は、一端側が半導体チップの電極３に接続され、他端側がリード４の第１の部分４ａに接続されている。このような構成にすることにより、ボンディングワイヤ９の長さを短くすることができるため、パワートランジスタ１の低オン抵抗化を図ることができる。
【００４１】
また、ボンディングワイヤ９のループ高さを低くすることができるため、パワートランジスタ１の薄型化を図ることができる。
【００４２】
パワートランジスタ１は、低オン抵抗化及び低熱抵抗化を図るため、半導体チップ２のドレイン電極３ｄが接続された支持体６を樹脂封止体１０の裏面１０ｙから露出させ、実装時において配線基板２１のドレイン用電極パッド２３ｄに支持体６を接続させる構造になっている。パワートランジスタ１の低オン抵抗化及び低熱抵抗化を図るためには、できるだけ支持体６とドレイン用電極パッド２３ｄとの接合面を大きくすることが望ましい。従って、このようなパッケージ構造の場合、配線基板２１の主面とパワートランジスタ１との間に、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇを通すためのスペースが小さくなる。
【００４３】
しかしながら、本実施形態のように、リード４を、第１部分４ａ、第２の部分４ｂ及び第３の部分４ｃを有するリード形状にし、リード４の第３の部分４ｃの下を横切るように凹部１１を設けることにより、パワートランジスタ１の平面サイズを大型化することなく、配線基板２１の主面と樹脂封止体１０の裏面１０ｙとの間に、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇを通すことができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、配線基板２１の主面とパワートランジスタ１との間に、絶縁膜２４で覆われたゲート配線２２ｇを通す例について説明したが、ゲート配線２２ｇに代えてソース配線２２ｓ又はドレイン配線２２ｄを通してもよい。但し、ソース配線２２ｓを通す場合、電位差が大きいドレイン用電極パッド２３ｄとソース配線２２ｓとの距離が近づくため、両者間の絶縁耐圧を十分考慮して配置する必要がある。
【００４５】
また、本施形態では、電極パッドの縁を覆うように開口部（２５ａ，２５ｂ）を形成した例について説明したが、開口部は、図９（図５の配線基板の絶縁膜に形成された開口パターンの第１の変形例を示す要部模式的平面図）に示すように、開口端が電極パッド（２３ｄ，２３ｇ，２３ｓ）の外側に位置するように形成してもよい。
【００４６】
また、開口部２５ａは、図１０（図５の配線基板の絶縁膜に形成された開口パターンの第２の変形例を示す要部模式的平面図）に示すように、複数の電極パッド（２３ｓ，２３ｇ）を露出するように形成してもよい。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００４８】
例えば、本発明は、主面にドレイン電極及びゲート電極が設けられ、裏面にソース電極が設けられた半導体チップを有するパワートランジスタ、及びそれを組み込んだ電子装置に適用できる。
【００４９】
また、本発明は、トランジスタ素子としてバイポーラトランジスタが内蔵された半導体チップを有するパワートランジスタ、及びそれを組み込んだ電子装置に適用できる。
【００５０】
また、本発明は、トランジスタ素子としてＩＧＢＴが内蔵された半導体チップを有するパワートランジスタ、及びそれを組み込んだ電子装置に適用できる。
【００５１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００５２】
本発明によれば、配線基板の主面と半導体装置との間に配線を通すことができる。
【００５３】
本発明によれば、電子装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の内部構造を示す模式的平面図である。
【図２】（ａ）は図１のａ−ａ線に沿う模式的断面図であり、（ｂ）は図１のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図である。
【図３】図２（ａ）の一部を拡大した模式的要部断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の模式的底面図である。
【図５】図１に示す半導体装置を組み込んだ電子装置の模式的要部平面図である。
【図６】図５のｃ−ｃ線に沿う模式的断面図である。
【図７】図５の配線基板の導体パターンを示す要部模式的平面図である。
【図８】図５の配線基板の保護膜に形成された開口パターンを示す要部模式的平面図である。
【図９】図５の配線基板の絶縁膜に形成された開口パターンの第１の変形例を示す要部模式的平面図である。
【図１０】図５の配線基板の絶縁膜に形成された開口パターンの第２の変形例を示す要部模式的平面図である。
【符号の説明】
１…パワートランジスタ（半導体装置）、２…半導体チップ、３…電極、３ｓ…ソース電極、３ｇ…ゲート電極、３ｄ…ドレイン電極、４…リード、５…外部接続用端子、６…支持体、７…外部接続用端子、８…接着材、９…ボンディングワイヤ、１０…樹脂封止体、１１…凹部、
２０…電子装置、２１…配線基板、２２ｄ…ドレイン配線、２２ｇ…ゲート配線、２２ｓ…ソース配線、２３ｄ…ドレイン用電極パッド、２３ｇ…ゲート用電極パッド、２４…絶縁膜、２５ａ，２５ｂ…開口部。

Claims (7)

  1. （ａ）縦型構造のＭＯＳＦＥＴが形成され、主面に配置されたゲート電極およびソース電極と、裏面に配置されたドレイン電極を有する半導体チップと、
    （ｂ）前記ゲート電極および前記ソース電極とそれぞれ電気的に接続された複数のリードと、
    （ｃ）導電性接着材によって前記ドレイン電極と電気的かつ機械的に接続された、金属板からなる支持体と、
    （ｄ）前記複数のリードそれぞれの一部、前記支持体の一部および前記半導体チップを覆う樹脂封止体を含み、
    （ｅ）前記複数のリードはそれぞれ第１の部分、第２の部分および第３の部分からなり、前記第１の部分と前記第３の部分は前記第２の部分によって接続され、前記第１の部分は前記第２の部分および前記第３の部分よりも前記半導体チップに近い位置に配置され、
    （ｆ）前記複数のリードの第３の部分の裏面および前記支持体の裏面は前記樹脂封止体の裏面から露出し、
    （ｇ）前記複数のリードの第３の部分の側面は前記樹脂封止体の第１の側面から露出し、
    （ｈ）前記複数のリードの第３の部分の裏面と前記樹脂封止体の裏面から露出した前記支持体の裏面は同一平面内に位置し、
    （ｉ）前記複数のリードの第３の部分と前記支持体の間の前記樹脂封止体の裏面に凹部が形成され、
    （ｊ）前記凹部は、前記樹脂封止体の前記第１の側面と交わる第２の側面から前記第２の側面と対向する第３の側面に亘って形成され、
    （ｋ）前記複数のリードの第１の部分は前記凹部の上方に配置され、
    （ｌ）前記ゲート電極および前記ソース電極と前記複数のリードの第１の部分がそれぞれボンディングワイヤによって電気的に接続され、
    （ｍ）前記複数のリードの第１の部分の上面は前記支持体の上面よりも高い位置にあることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記複数のリードおよび前記支持体は同一のリードフレームから形成されることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記複数のリードと前記支持体の高さ方向の厚さは等しいことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記複数のリードの第１の部分の上面は前記半導体チップ２の裏面よりも高い位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記凹部と前記複数のリードの第３の部分は接触していないことを特徴とする半導体装置。
  6. 主面に絶縁膜で覆われた配線を有する配線基板と、前記配線基板の主面に実装された複数の半導体装置とを有する電子装置であって、
    （ａ）前記複数の半導体装置は、
    （ｂ）互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記主面に複数の電極が設けられた半導体チップと、
    （ｃ）前記半導体チップの一辺に沿って配置され、かつ前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
    （ｄ）互いに反対側に位置する主面及び裏面を有し、かつ前記半導体チップ及び前記複数のリードを封止する樹脂封止体と、
    （ｅ）前記複数のリードに夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された複数の外部接続用端子と、
    （ｆ）前記半導体チップの裏面に固定され、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出された支持体と、
    （ｇ）前記樹脂封止体の裏面に設けられた凹部であって、前記複数の外部接続用端子と前記支持体との間を横切り、かつ前記複数のリードの配列方向において互いに反対側に位置する前記樹脂封止体の２つの側面に亘って延在する凹部とを有し、
    （ｈ）前記配線基板の配線は、前記複数の半導体装置の凹部の下を通って前記複数の半導体装置を横切っていることを特徴とする電子装置。
  7. 請求項６に記載の電子装置であって、
    前記複数のリードと前記半導体チップの複数の電極はそれぞれボンディングワイヤで電気的に接続され、
    前記複数のリードの上面は前記支持体の上面より高い位置に配置されていることを特徴とする電子装置。
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