JPH0512676B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線管理システム等に利用される
ガラス線量測定方法およびその測定装置に係わ
り、特に放射線被曝された蛍光ガラス素子の被曝
線量を高感度、かつ、高精度に測定するガラス線
量測定方法およびその測定装置に関する。

〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕

放射線防護上、原子炉、加速器、Ｘ線発生器お
よびラジオアイソトープ等の設置者は放射線管理
に万全を期す必要があり、またその施設従事者な
いしは利用者等においてはその放射線被曝線量の
測定が不可欠なものである。ここに、各線量計の
線量を個別に測定してそれら線量データを適切に
管理することが非常に重要になつてくる。

この種のラジオ・フオト・ルミネセンス線量計
は、その使用時、第８図に示すように蛍光ガラス
素子１を装填してなるガラス素子ホルダー２を図
示矢印イ方向から下側ケース３内へ挿入載置した
後、この下側ケース３を図示矢印ロ方向へ移動さ
せて上側ケース４内へ収納し、いわゆるカプセル
化した状態にて携行し、あるいはそのカプセルを
適宜な場所に設置し、蛍光ガラス素子１の被曝線
量測定時には上下ケース４，３からガラス素子ホ
ルダー２を取り出し後、所定の測定位置に配置
し、放射線被曝蛍光ガラス素子１の被曝線量を測
定している。

この被曝線量の測定は、第９図に示す如く励起
紫外線５を放射線被曝蛍光ガラス素子１に照射
し、その蛍光ガラス素子１の紫外線照射方向とは
別の蛍光検出面側からその被曝線量に相当する赤
橙色の蛍光（ラジオ・フオトルミネセンス：以
下、RPLと指称する）６が発するので、その
RPLを読取ることにより放射線被曝蛍光ガラス
素子１の被曝線量を測定している。

ところで、励起紫外線５の照射により蛍光ガラ
ス素子１の蛍光検出面側から発する蛍光６には放
射線被曝によつて発生する蛍光成分と、放射線被
曝前の蛍光ガラス固有の蛍光（プレドース）成分
とが含まれているので、蛍光ガラス素子１から発
する蛍光量からプレドーズ成分を差し引いて真の
放射線被曝によるRPLを測定する必要がある。

そこで、本発明者等は、先にRPLとプレドー
ズとの減衰時定数が大きく異なることに着目し、
RPLだけを効率良く測定する方法およびその装
置について提案され（特開昭59−190681号公報）、
その後、更に蛍光パルスを検出する光電子増倍管
のダイノード電圧の印加タイミングを遅延制御
し、減衰の早いプレドーズの検出感度を抑えるこ
とによりRPLを測定する方法および装置につい
て提案された（特開昭61−292582号公報）。

しかし、その後、放射線被爆線量の測定に関し
種々の角度から研究を重ねた結果、次のような点
が指摘されるに至つた。

その１つとして、プレドーズの問題がある。
すなわち、このプレドーズには減衰の早いもの
と減衰の遅いものがあり、減衰の早いプレドー
ズの検出感度を抑えたとしても、減衰の遅いブ
レドーズが低線量のRPLに比較して相当大き
い。そのため紫外線励起された蛍光ガラス素子
１から発せられる蛍光６から減衰の早いプレド
ーズの検出感度を抑え、さらに減衰の遅いプレ
ドーズを差し引いて高感度、かつ、高精度に
RPLを検出することが非常に困難であること。

さらに、他の１つは蛍光強度分布の問題であ
る。従来、被曝線量の測定に際し、窒素ガスレ
ーザ装置から発生する励起紫外線パルスを蛍光
ガラス素子１に照射するが、このとき励起紫外
線パルスの強度変動により蛍光ガラス素子から
発生する蛍光パルスの強度が変化するので、そ
れを補償する観点から放射線被曝蛍光ガラス素
子１に照射する励起紫外線パルスの一部を標準
蛍光ガラス素子に照射し、各蛍光ガラス素子か
ら発生する蛍光パルス強度の変動量を求めた
後、この変動量に応じて蛍光パルスの強度を補
正している。

ところが、前記励起紫外線パルスを分割し、
その一部を標準蛍光ガラス素子に照射しても、
前記励起紫外線パルスにおける断面方向の強度
分布がその窒素ガスレーザ装置からの距離によ
つて異なるために、各蛍光ガラス素子に照射さ
れる紫外線パルスの強度の比率が一定となる
ず、前述と同様に高精度に蛍光強度を読取るこ
とが難しい。

さらに、プレドーズ成分における減衰時定数
の補正の問題がある。一般に、プレドーズ成分
のうち減衰の遅いプレドーズ成分の値はサンプ
リング時点を遅らせて検出しているので、その
減衰時点数に従つて減衰する。そこで、この減
衰分を補償するために、蛍光強度読取値に補正
係数を掛けて蛍光ガラス素子の放射線被曝線量
を算出する必要があるが、減衰時定数は蛍光ガ
ラス素子によつて異なるので、放射線の被曝管
理には蛍光ガラス素子の補正係数の管理が必要
になつてくる。

しかし、本来、個々の蛍光ガラス素子ごとに
補正係数を管理するのが望ましいが、個々の蛍
光ガラス素子ごとに補正係数のオペレータによ
る設定入力、また連続測定時の各蛍光ガラス素
子と補正係数との対応関係の繁雑さ等から従来
では代表的な一定値を用いて行つており、その
分だけ精度の面で今１つの感がある。これは蛍
光ガラス素子の感度特性の補正についても同様
である。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、蛍
光ガラス素子でのプレドーズ成分の低減化によ
り、放射線被曝蛍光ガラス素子の被曝線量を高感
度、かつ、高精度に測定するガラス線量測定方法
およびその測定装置を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、励起紫外線パルス
の照射高度分布の変動の影響を受けることなく高
精度に蛍光ガラス素子からの蛍光強度を読取つて
被曝線量を取得可能とするガラス線量測定装置を
提供する。

さらに、本発明の別の目的は、個々の蛍光ガラ
ス素子の補正係数を適切に管理し、各蛍光ガラス
素子ごとに高精度に被曝線量を求め得、放射線管
理の信頼性を高めうるガラス線量測定装置を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

先ず、請求項１記載の発明は、上記課題を解決
するために、蛍光ガラス素子に励起紫外線パルス
を照射し、そのときに蛍光ガラス素子から発生す
る蛍光ガラスをサンプリング時刻を異にする第１
および第２のサンプリング時点でそれぞれ所定の
サンプリング時間ずつサンプリングし、これらの
各サンプリングされた蛍光パルスの積分値から蛍
光ガラス素子の被曝線量を求めるガラス線量測定
方法において、前記蛍光パルスから蛍光ガラス素
子固有の被爆前のプレドーズを低減し、かつ、被
曝線量に相当する蛍光が最も大きく現われる特定
波長域の蛍光パルス成分を選択的に取込むことに
より、前記放射線被曝蛍光ガラス素子の被曝線量
を得る方法である。

次に、請求項２記載の発明は、ガラス線量測定
装置の一部を構成する蛍光ガラス素子と光電変換
素子との間に特定波長域の蛍光パルス成分を選択
的に通す波長選択素子を配置したものである。

さらに、請求項３、４記載の発明は、この窒素
ガスレーザ装置から発生された励起紫外線パルス
の一部を放射線被曝蛍光ガラス素子に照射すると
ともに前記励起紫外線パルスの一部を標準蛍光ガ
ラス素子に照射するための光学系として、前記両
蛍光ガラス素子に照射する励起紫外線パルスの強
度分布が等しくなるような構成とし、その１つと
して例えば窒素ガスレーザ装置からそれぞれ等し
い光路長の位置に放射線被曝蛍光ガラス素子およ
び標準蛍光ガラス素子を配置してなる構成であ
る。

さらに、蛍光ガラス素子が装填された前記ガラ
ス素子ホルダーまたはこのガラス素子ホルダーを
収納してなる線量計の何れか一方または両方に付
設された認識コードを読取る認識コード読取手段
と、各蛍光ガラス素子ごとに異なる蛍光減衰特性
および感度特性の何れか一方または両方の補正デ
ータを記憶するデータ記憶手段と、前記認識コー
ド読取手段で読取つた認識コードに基づいて前記
データ記憶手段から該当する補正データを読出し
て蛍光ガラス素子ごとに前記蛍光強度を補正し各
蛍光ガラス素子の被曝線量を求める演算処理手段
とを備えた構成である。

〔作用〕

従つて、請求項１記載の発明では、前記蛍光パ
ルスから蛍光ガラス素子固有の被曝前のプレドー
ズが低減し、一方、被曝線量に相当するRPLが
最も大きく現われる特定波長域の蛍光パルス成分
の選択的に取込むことにより、減衰の遅いプレド
ーズ成分を大幅に低減させた状態で測定でき、か
つ、RPLに対するプレドーズの比率が小さくな
るので差し引く値が小さくなつて演算の分解能が
高くなり、前記放射線被爆の蛍光ガラス素子の被
曝線量を高精度に測定できる。

次に、請求項２記載の発明においては、蛍光ガ
ラス素子と光電変換素子との間に特定波長域の蛍
光パルス成分を選択的に通す波長選択素子を配置
するだけであるので、非常に簡単な構成で実現で
き、しかも所望とする蛍光パルス成分、すなわち
蛍光ガラス素子固有の被曝前のプレドーズ成分が
低く、かつ、被曝線量に相当するRPLが最も大
きく現われる蛍光パルス成分を選択的に取込むこ
とができ、また前記特定波長域ではプレドーズ成
分が低いので、光電変換素子の感度を上げること
が可能となり微弱なRPL成分を高感度に検出で
きる。

さらに、請求項３，４記載の発明においては、
窒素ガスレーザ装置１１から発生された励起紫外
線パルスの大きさが等しくなるようにして放射線
被曝蛍光ガラス素子および標準蛍光ガラス素子へ
入射するので、励起紫外線バルスの強度や強度分
布が変動しても各蛍光ガラス素子へは相似な状態
で入射され、このため各蛍光ガラス素子から発生
する蛍光パルスは一定の比率となり、励起紫外線
パルスの強度および強度分布の変動を正しく補正
できる。

さらに、請求項５記載の発明は、予め各蛍光ガ
ラス素子ごとにデータ記憶手段に認識コードとと
もに蛍光減衰特性補正係数、感度特性補正係数を
記憶し、各蛍光ガラス素子の被曝線量読取時にガ
ラス素子ホルダーまたは線量計に付設された認識
コードを読取手段により認識コードとともに蛍光
量を読取り、この認識コードに基づいて記憶手段
の補正係数を読取つて蛍光量を補正することによ
り、各蛍光ガラス素子の被曝線量に得るものであ
る。

〔実施例〕

以下、請求項１、２に係わる発明の実施例に関
し、特にガラス線量測定方法を適用してなるガラ
ス線量測定装置について第１図および第２図を参
照して説明する。第１図において１１は窒素ガス
レーザ装置であつて、このレーザ装置１１はトリ
ガ回路１２から与えられた瞬間的な高電圧によつ
て起動して例えばパルス幅５〜10ns、波長337.1n
ｍの紫外線レーザ光をパルス発振する。この紫外
線パルスは色フイルタ１３を通つて散乱光等の迷
光が除去されて波長337.1nｍの紫外線のみが取り
出された後、石英ガラス等からなる半透鏡１４に
送られ、ここで２つに分光される。すなわち、一
方の分光となる紫外線パルスは半透鏡１４を直進
して放射線被曝蛍光ガラス素子１５に照射され、
他方の分光となる紫外線パルスは半透鏡１４で反
射され、かつ、後段に配置された反射鏡１６で反
射されて標準蛍光ガラス素子１７に照射される。
なお、標準蛍光ガラス素子１７としては、例えば
予め所定の放射線エネルギーで被曝させた銀活性
リン酸塩ガラスが使用されている。この標準蛍光
ガラス素子１７は前記窒素ガスレーザ光の出力変
動を補正する為に用いられるものである。つま
り、紫外線励起によつて発生するRPLは励起光
の強さ（レーザ光強度）に依存するので、標準蛍
光ガラス素子１７を用いて観測される蛍光をもつ
て、後述するようにRPL測定値の補正を行うこ
とにある。

以上のようにして励起紫外線パルスの照射を受
けると、蛍光ガラス素子１５の蛍光検出面側から
被曝線量に相当する蛍光パルスが発生し、また標
準蛍光ガラス素子１７の蛍光検出面側から標準蛍
光パルスが発生する。そして、これらの各蛍光パ
ルスはそれぞれ対応する紫外線カツトフイルタ１
８，１９を通つた後、さらに干渉フイルタ等の波
長選択素子２０，２１を通して光電子増倍管２
２，２３に送られる。このとき、高電圧発生回路
２４は、例えばトリガ回路１２から窒素ガスレー
ザ装置１１と同じタイミングで出力される起動信
号等を受け、或いは後述するシユミツト回路の出
力を受けて、光電子増倍管２２の検出感度を制御
する。この検出感度の制御は被曝蛍光パルスの減
衰と早いプレドーズが十分減衰した時点で光電子
増倍管２２のダイノード印加電圧を高くすること
のより、その光電子増倍管２２と検出感度を高く
する制御を行う。

なお、前記紫外線カツトフイルタ１８，１９は
励起用紫外線パルスの光電子増倍管２２，２３へ
の入力を阻止する機能をもつており、また波長選
択素子２０，２１は前記蛍光パルス成分のうち特
定の波長範囲の蛍光パルス成分のみを通過させる
機能をもつている。

しかして、前記光電子増倍管２２で検出された
被曝蛍光パルスは前置増幅器２５を介し、更に線
形増幅器２６で線形処理された後第１および第２
のサンプリングゲート回路２７，２８に送られ
る。一方、前記光電子増倍管２３で検出された標
準蛍光パルスは前置増幅器２９で所定の増幅度で
増幅された後、第３のサンプリングゲート回路３
０に送られる。

３１はシユミツト回路であつて、これは標準蛍
光パルスを検出するとその検出タイミングを基準
として所定振幅のパルス信号等を前記高電圧発生
回路２４のほか、各サンプリング設定回路３２，
３３に送出する。これらサンプリング設定回路３
２，３３は第１および第２のサンプリング時間を
それぞれ設定する。つまり、サンプリング設定回
路３２は、シユミツト回路３１による標準蛍光パ
ルスの検出タイミングを基準とし、第２図に示す
ように紫外線励起によつて生じた蛍光強度の高い
プレドーズに伴う蛍光が十分に減衰する時間を経
たときに所定時間前記第２および第３のサンプリ
ングゲート回路２８，３０のゲートを開けるため
に第１のサンプリング期間を設定するものであ
り、この第１のサンプリング期間に被曝蛍光パル
スおよび標準蛍光パルスをサンプリングし、後続
の積分器３４，３５へ送出する。一方、サンプリ
ング設定回路３３は蛍光成分が十分に減衰する時
間を経た後、つまり減衰の遅いプレドースのみを
サンプリングするために第２のタイミング時間を
設定し、この第２のサンプリング時間に第１のサ
ンプリングゲート回路２７のゲートを開けて減衰
の遅いプレドーズをサンプリングして後続の積分
器３６へ送出する。そこで、これらの積分器３４
〜３６はそれぞれのサンプリング値を平均的直流
電流として積分した後、演算処理手段３７へ送出
する。

この演算処理手段３７では、前記積分器３４の
積分値から前記積分器３６で得た積分値を差し引
きし、これによつて第１のサンプリング期間に検
出された蛍光量中のRPL成分を検出する。さら
に、積分器３５の積分値を用いて前記RPL成分
との比を算出し、紫外線パルスの強度変動による
RRL成分の変動を補正する。そして、この変動
補正されたRPL成分を蛍光ガラス素子１５の被
膜線量として算出し、この算出結果を表示器３８
に表示する。

従つて、以上のような実施例の構成によれば、
特定波長域、つまり第２図に示す如くRPLの蛍
光強度が大きく、一方、プレドーズの蛍光強度が
小さい波長λ₁〜λ₂の範囲の蛍光パルス成分を選択
的に取込んでいるので、減衰の遅いプレドーズ成
分が従来の（1/2）〜（1/5）に減少させ得、その
ぶん光電子増倍管の感度を上げることが可能とな
つて微弱なRPLを高感度に検出できる。また、
特定波長域を選択的に通すことにより、従来のよ
うに光電子増倍管の分光感度特性の違いによりプ
レドーズの大きさが左右されていたものが、光電
子増倍管の特性に依存しなくなり、その結果、光
電子増倍管の特性上の選別を必要としなくなる。
また、RPLに対するプレドーズの比率が小さく
なるので差し引く値が小さくなり、演算の分解能
が高くなつて高精度な測定が可能となる。

なお、上記実施例では特定の波長範囲の蛍光を
通過させるために、波長選択素子として干渉フイ
ルタを用いたが、例えば色ガラスフイルタを組合
せたり、プリズムや回折格子を用いることも可能
である。その他、紫外線励起光源の蛍光パルス検
出器等の種類についてはその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施できる。

次に、請求項３、４に係わる発明の実施例につ
いて第３図ないし第５図を参照して説明する。な
お、これらの図において第１図と同一部分には同
一符号を付してその詳しい説明は省略する。この
ガラス線量測定装置は、第１図と比較して構成的
にほぼ同じであり、特に異なるところは光学系に
あるので、以下、その光学系について具体的に説
明する。

一般に、窒素ガスレーザ装置１１から発生する
紫外線レーザ光は、第１図に示す如く色フイルタ
１３、半透鏡１４、反射鏡１６を介して放射線被
曝蛍光ガラス素子１５や標準蛍光ガラス素子１７
に照射されるが、前記紫外線レーザ光の断面にお
ける強度分布を調べると例えば第３図にような状
況を呈している。つまり、窒素ガスレーザ装置１
１の出射口から発生された断面方向の紫外線レー
ザビーム４１は窒素ガスレーザ装置１１からの距
離L1の位置では図示実線で示す大きさのビーム
ホとすれば、このビームホよりやや左右側に片寄
つた図示点線で示す強度分布ヘなる変動を有して
おり、そのうち特に強度の強い場所トは斜線で示
す部分となつている。さらに、紫外線レーザビー
ム４１が窒素ガスレーザ装置１１から距離L1＋
距離L2の位置では、それぞれ拡大されたビーム
ホ′、強度分布ヘ′の変動および強度の強い場所
ト′となつて現われる。このことは紫外線レーザ
光の断面での強度分布は窒素ガスレーザ装置１１
の出射口からの距離によつて異なることを意味
し、これが励起紫外線パルスの強度変化となり、
適正な補正処理をしない限り放射線被曝蛍光ガラ
ス素子１５の被曝線量を高精度に測定できない。

そこで、本発明装置においては、第４図および
第５図に示す如く、第１図で用いた反射鏡１６を
取り除くとともに半透鏡１４からそれぞれ等しい
距離L3、L4に放射線被曝蛍光ガラス素子１５と
標準蛍光ガラス素子１７を配置することにより、
常に等しい大きさのビームの励起紫外線パルスの
照射を受ける構成としたものである。このこと
は、励起紫外線パルスの強度変化の補正を簡単、
かつ、正確に行うことが可能となり、ひいては放
射線被曝蛍光ガラス素子１５の被曝線量を高精度
に測定できることになる。なお、装置全体の動作
は第１図と全く同様であるので省略する。

従つて、以上のような実施例の構成によれば、
励起紫外線パルスを発生する窒素ガスレーザ装置
１１のレーザ光強度および強度分布が変動して
も、放射線被曝蛍光ガラス素子１５と標準蛍光ガ
ラス素子１７にそれぞれ照射する励起紫外線パル
スの強度分布が相似になり、各蛍光ガラス素子１
５，１７の蛍光検出面から発する蛍光パルスの比
率が一定となり、その結果、窒素ガスレーザ装置
１１のレーザ光強度および強度分布の変動を正し
く補強でき、ひいては精度の高い測定が可能とな
る。

なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、例えば半透鏡１４の代わりにビームスプ
リツターを用いたり、あるいは半透鏡１４で分光
した後グラスフアイバを用いて互いに等しい距離
にある各蛍光ガラス素子１５，１７に照射するこ
ともできる。また、各蛍光ガラス素子１５，１７
への光路長さが等しくなくても、拡散したビーム
をレンズ等で集光して２つのガラス素子に入射す
るビームの大きさを等しくすればそれでもよい。
その他、紫外線励起光源や蛍光パルス検出器等の
種類についてはその要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できる 次に、請求項５に係わる発明の実施例について
説明する。この発明は、蛍光減衰特性および感度
特性の何れか一方または両方を補正する係数を蛍
光ガラス素子個々に対して自動的に記憶管理する
ことにある。

具体的には、第６図に示すように蛍光ガラス素
子１５はガラス素子ホルダー５１の一方片部に装
填され、他方片部側にはガラス素子ホルダー５１
を認識するための認識コード部として、インデツ
クス用孔５２が設けられている。なお、蛍光ガラ
ス素子１５はガラス素子ホルダー５１から取外す
ことがほとんどないので、インデツクス用孔５２
はガラス素子ホルダー５１を認識させるだけでな
く、蛍光ガラス素子１５および蛍光ガラス線量計
を携行する例えば原子力施設従事者との間でも１
対１の関係をもたせることができる。

そこで、以上のような事柄を前提とし、第７図
に示すような装置により補正係数の管理を行う。
先ず、各蛍光ガラス素子１５ごとに例えばフロツ
ピーデイスク５３等のデータ記憶手段に前記イン
デツクス用孔５２の認識コードと対応関係をもた
せて蛍光減衰特性補正係数や感度特性補正係数を
記憶する。なお、放射線被曝蛍光ガラス素子１
５，……の被曝線量測定時、前記プロツピーデイ
スク５３はデイスクユニツト５４に装着されるも
のである。５５はガラス素子ホルダー５１のイン
デツクス用孔５２および蛍光ガラス素子１５から
発する蛍光を読取る例えば励起紫外線パルス発生
源、光学系、光電子増倍管等の読取手段、５６は
読取手段５５で読取つた認識コードおよび蛍光量
とデイスクユニツト５４内のフロツピーデイスク
５３に記憶されている補正係数とに基づいて各蛍
光ガラス素子１５の適切な被曝線量を得る演算処
理手段、５７はプリンタ、５８はCRT等の表示
器である。なお、前記蛍光域衰特性補正係数は蛍
光ガラス素子１５をアニールし、被曝による蛍光
が無い時期に予め第７図に示す装置にて自動連続
測定し、フロツピーデイスク５３に記憶してお
く。また、感度特性補正係数も同様に蛍光ガラス
素子個々に対して予め前もつてフロツピーデイス
ク５３に記憶しておく。

従つて、以上のような実施例の構成によれば、
多数の放射線被曝蛍光ガラス素子１５，……の被
曝線量測定時、予の認識コードと共に蛍光減衰特
性や感度特性データを記憶するフロツピーデイス
ク５３をデイスクユニツト５４に装填した後、前
記被曝線量の測定を開始する。以上のような状態
において、読取手段５５は先ずガラス素子ホルダ
ー５１のインデツクス用孔５２から認識コードを
読取つた後、放射線被曝蛍光ガラス素子１５から
発する被曝線量を読み取る。ここで、演算処理手
段５６は、読取手段５５によつて読取つた認識コ
ードとフロツピーデイスク５３内に記憶するコー
ドとを高速度で照合し、一致するコードが有れば
当該コードに対応する蛍光減衰特性補正係数や感
度特性補正係数等のデータをフロツピーデイスク
５３から読出し、この補正係数に基づいて読取手
段５５で読取つた被曝線量を補正し、その補正後
の被曝線量をCRT表示器５８に表示し、或いは
プリンタ５７に印字する。

なお、上記実施例ではプロツピーデイスク５３
を用いたが、ハードデイスクその他種々の記憶装
置を用いてもよく、構成機器を種々変形可能であ
ることは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば次に述べる
ような種々の効果を奏する。

先ず、請求項１、２においては、波長選択素子
等を用いて蛍光パルスから特定波長域の蛍光パル
ス成分を選択測定することにより、減衰の遅いプ
レドーズ成分の低いところでRPLを測定でき、
よつて光電変換素子の感度を上げて微弱なRPL
を高感度に測定できる。また、RPL成分に対す
るプレドーズの比率が小さくなるために差し引く
値が小さくなり、よつて演算の分解能が高くなつ
て高精度な測定ができる。さらに、光電変換素子
の分光感度特性の違いによりプレドーズの大きさ
が左右されていたが、光電変換素子の特性に依存
しなくなるために当該光電変換素子の特性選別を
行う必要がなくなり、保守管理が容易となる。さ
らに、波長選択素子を用いるだけであるので、構
成簡単であり、スペース的にも全く問題がなく、
高感度、高精度化により放射能管理の面で非常に
有効なものとなる。

次に、請求項３、４では、放射線被曝蛍光ガラ
ス素子と標準蛍光ガラス素子にそれぞれ照射する
励起紫外線パルスの強度および強度分布を相似に
することにより、各蛍光ガラス素子から発生する
蛍光パルスは一定の比率となり、前記強度および
強度分布の変動に対する補正処理を正しく行うこ
とができる。

さらに、請求項５では、蛍光ガラス素子個々に
認識コードとともに補正係数を記憶管理し、蛍光
ガラス素子の被曝線量測定時にガラス素子ホルダ
ーから読取つた認識コードに基づいて補正係数を
取り出して被曝線量を補正することにより、精度
の高い補正が可能となり、ひいては各蛍光ガラス
素子の被曝線量を高精度に測定できる。また、手
作業による補正係数の入力が不要となり、かつ、
蛍光ガラス素子の被曝線量を連続測定することが
容易となり、被曝管理作業を大幅に簡略化でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるガラス線量測定方法を
適用したブロツク構成図、第２図は第１図の動作
を説明する波長に対するプレドーズおよびRPL
の関係特性図、第３図は窒素ガスレーザ装置から
の距離に対するレーザビームの強度および強度分
布の変動を説明する図、第４図は別のガラス線量
測定装置のブロツク構成図、第５図は第４図に示
す装置のうち特に光学系の配置を説明する図、第
６図は蛍光ガラス素子および認識コードを持つた
ガラス素子ホルダーの斜視図、第７図は蛍光ガラ
ス素子個々の補正係数を管理し、かつ、測定被曝
線量の補正を行うためのブロツク構成図、第８図
および第９図は従来方法および装置を説明するた
めに示したもので、第８図は蛍光ガラス線量計の
分解斜視図、第９図は第８図に示す蛍光ガラス素
子への紫外線励起および蛍光の発する状況を示す
図である。 １１……窒素ガスレーザ装置、１３……色フイ
ルタ、１４……半透鏡、１５……放射線被曝蛍光
ガラス素子、１６……反射鏡、１７……標準蛍光
ガラス素子、１８，１９……紫外線カツトフイル
タ、２０，２１……波長選択素子、２２，２３…
…光電子増倍管、３７……演算処理手段、３８…
…表示器、５１……ガラス素子ホルダー、５２…
…インデツクス用孔、５３……プロツピーデイス
ク、５５……読取手段、５６……演算処理手段、
５７……プリンタ、５８……表示器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 蛍光ガラス素子に励起紫外線パルスを照射
   し、このとき蛍光ガラス素子から発生する蛍光パ
   ルスをサンプリング時刻を異にする第１および第
   ２のサンプリング時点でそれぞれ所定のサンプリ
   ング時間ずつサンプリングし、これら各サンプリ
   ングされた蛍光パルスの積分値から蛍光ガラス素
   子の被曝線量を求めるガラス線量測定方法におい
   て、 前記蛍光パルスから特定波長域の蛍光パルス成
   分を選択的に取込んで前記放射線被曝の蛍光ガラ
   ス素子の被曝線量を得ることを特徴とするガラス
   線量測定方法。 ２ 励起紫外線パルスを発生する窒素ガスレーザ
   装置と、この窒素ガスレーザ装置から発生する励
   起紫外線パルスを蛍光ガラス素子に照射するため
   の光学系と、この励起紫外線パルスの照射によつ
   て前記蛍光ガラス素子から発生する蛍光パルスを
   検出する光電変換素子と、この光電変換素子で検
   出された蛍光強度から前記蛍光パルス素子の被曝
   線量を求める演算手段とを具備したガラス線量測
   定装置において、 前記蛍光ガラス素子と前記光電変換素子との間
   に特定波長域の蛍光パルス成分を選択的に通す波
   長選択素子を配置したことを特徴とするガラス線
   量測定装置。 ３ 励起紫外線パルスを発生する窒素ガスレーザ
   装置と、その窒素ガスレーザ装置から発生する励
   起紫外線パルスの一部を放射線被曝蛍光ガラス素
   子に照射するとともに前記励起紫外線パルスの一
   部を標準蛍光ガラス素子に照射するための光学系
   と、前記両蛍光ガラス素子から発生する蛍光パル
   スをそれぞれ個別に検出する第１および第２の光
   電変換素子と、この第１および第２の光電変換素
   子で検出された蛍光パルスから前記放射線被曝蛍
   光ガラス素子の被曝線量を求める演算手段とを具
   備したガラス線量測定装置において、 前記光学系が前記両蛍光ガラス素子に照射する
   励起紫外線パルスの強度分布が等しくなるように
   構成したことを特徴とするガラス線量測定装置。 ４ 窒素ガスレーザ装置からそれぞれ等しい光路
   長の位置に放射線被曝蛍光ガラス素子および標準
   蛍光ガラス素子を配置したことを特徴とする請求
   項３記載のガラス線量測定装置。 ５ ガラス素子ホルダーに装填されている蛍光ガ
   ラス素子を紫外線パルスで励起し、そのときの蛍
   光ガラス素子から発生する蛍光強度から放射線量
   を読取るガラス線量測定装置において、前記蛍光
   ガラス素子が装填された前記ガラス素子ホルダー
   またはこのガラス素子ホルダーを収納してなる線
   量計の何れか一方または両方に付設された認識コ
   ードを読取る認識コード読取手段と、 各蛍光ガラス素子ごとに異なる蛍光減衰特性お
   よび感度特性の何れか一方または両方の補正デー
   タを記憶するデータ記憶手段と、 前記認識コード読取手段で読取つた認識コード
   に基づいて前記データ記憶手段から該当する補正
   データを読出して蛍光ガラス素子ごとに前記蛍光
   強度を補正し各蛍光ガラス素子の被曝線量を求め
   る演算処理手段とを備えたことを特徴とするガラ
   ス線量測定装置。