JPH05121430A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタInfo
- Publication number
- JPH05121430A JPH05121430A JP28428691A JP28428691A JPH05121430A JP H05121430 A JPH05121430 A JP H05121430A JP 28428691 A JP28428691 A JP 28428691A JP 28428691 A JP28428691 A JP 28428691A JP H05121430 A JPH05121430 A JP H05121430A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- emitter
- gainp
- base
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い電流利得を有し、かつ製造の容易なＧa
ＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(ＨＢ
Ｔ)を提供する。 【構成】 エミツタ層１６を構成するＧaＩnＰとベース
層１４を構成するＧaＡsとの間に、組成グレーデッドＡ
lＧaＡsエミツタ遷移層１５を設ける。
ＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(ＨＢ
Ｔ)を提供する。 【構成】 エミツタ層１６を構成するＧaＩnＰとベース
層１４を構成するＧaＡsとの間に、組成グレーデッドＡ
lＧaＡsエミツタ遷移層１５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はヘテロ接合バイポーラ
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(以
下、「ＨＢＴ」という。)は、高い駆動能力と優れた高周
波特性を合わせ持つことから、精力的に開発が進められ
ている。従来のＨＢＴとしては、周知のＡlＧaＡs／Ｇa
ＡsＨＢＴの他に、図４に示すように、ＧaＩnＰ／ＧaＡ
sＨＢＴが知られている。このＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴ
は、半絶縁性ＧaＡs基板２１上に、n+−ＧaＡsコレクタ
コンタクト層２２と、n−ＧaＡsコレクタ層２３と、p−
ＧaＡsベース層２４と、n−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐエミツタ
層２５と、n+−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐエミッタコンタクト層
２６とを順次設けて構成されている。エミッタコンタク
ト層２６上にはエミッタ電極２７が、メサエッチングに
より露出したベース層２４、コレクタコンタクト層２２
上にはベース電極２８、コレクタ電極２９がそれぞれ形
成されている。このＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、エミツ
タ／ベース接合すなわちＧa0.51Ｉn0.49Ｐ／ＧaＡsヘテ
ロ接合が格子整合系である上、その価電子帯端エネルギ
不連続量ΔＥvがＡlＧaＡs／ＧaＡsヘテロ接合よりも大
きい。例えば、通常のＡlＧaＡs／ＧaＡsヘテロ接合の
ΔＥvが０.１５eＶであるのに対して、Ｇa0.51Ｉn0.49
Ｐ／ＧaＡsヘテロ接合のΔＥvは０.２４eＶとなってい
る(なお、伝導帯端エネルギ不連続量ΔＥcは両系ともほ
ぼ０.２３eＶである。)。したがって、ＡlＧaＡs／Ｇa
ＡsＨＢＴに比して、ＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは電流利
得の点で有利であり、次世代の超高速デバイスとして注
目されている。
下、「ＨＢＴ」という。)は、高い駆動能力と優れた高周
波特性を合わせ持つことから、精力的に開発が進められ
ている。従来のＨＢＴとしては、周知のＡlＧaＡs／Ｇa
ＡsＨＢＴの他に、図４に示すように、ＧaＩnＰ／ＧaＡ
sＨＢＴが知られている。このＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴ
は、半絶縁性ＧaＡs基板２１上に、n+−ＧaＡsコレクタ
コンタクト層２２と、n−ＧaＡsコレクタ層２３と、p−
ＧaＡsベース層２４と、n−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐエミツタ
層２５と、n+−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐエミッタコンタクト層
２６とを順次設けて構成されている。エミッタコンタク
ト層２６上にはエミッタ電極２７が、メサエッチングに
より露出したベース層２４、コレクタコンタクト層２２
上にはベース電極２８、コレクタ電極２９がそれぞれ形
成されている。このＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、エミツ
タ／ベース接合すなわちＧa0.51Ｉn0.49Ｐ／ＧaＡsヘテ
ロ接合が格子整合系である上、その価電子帯端エネルギ
不連続量ΔＥvがＡlＧaＡs／ＧaＡsヘテロ接合よりも大
きい。例えば、通常のＡlＧaＡs／ＧaＡsヘテロ接合の
ΔＥvが０.１５eＶであるのに対して、Ｇa0.51Ｉn0.49
Ｐ／ＧaＡsヘテロ接合のΔＥvは０.２４eＶとなってい
る(なお、伝導帯端エネルギ不連続量ΔＥcは両系ともほ
ぼ０.２３eＶである。)。したがって、ＡlＧaＡs／Ｇa
ＡsＨＢＴに比して、ＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは電流利
得の点で有利であり、次世代の超高速デバイスとして注
目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、エミッタ／ベース接合
がアブラプト型(階段型)であるため、図５に示すよう
に、エミッタ／ベース接合界面にΔＥcに起因したエネ
ルギーバンド的バリアが形成され、このバリアによって
エミッタからベースの電子の注入が阻害される。この結
果、期待されるほど高い電流利得が得られないという問
題がある。
来のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、エミッタ／ベース接合
がアブラプト型(階段型)であるため、図５に示すよう
に、エミッタ／ベース接合界面にΔＥcに起因したエネ
ルギーバンド的バリアが形成され、このバリアによって
エミッタからベースの電子の注入が阻害される。この結
果、期待されるほど高い電流利得が得られないという問
題がある。
【０００４】ここで、エミッタとベースとの間に、組成
比x, yがベースからエミッタに向かってx＝１→０.５
１、y＝０→１となる組成グレーデッドＧaxＩn1-xＰyＡ
s1-yエミッタ遷移層を設けることにより、理論的には上
記エネルギーバンド的バリアを解消することができる。
上記遷移層は、格子整合を維持しながら、Ｇa0.51Ｉn0.
49ＰとＧaＡsとの価電子帯端および伝導帯端をスムーズ
につなぐからである。しかし、実際には上記遷移層をエ
ピタキシー成長することは非常に困難(特に、Ｐ,Ａsの
制御が困難)であるため、これまでグレーデッド型のエ
ミッタ／ベース接合を有するＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは
作製されなかった。
比x, yがベースからエミッタに向かってx＝１→０.５
１、y＝０→１となる組成グレーデッドＧaxＩn1-xＰyＡ
s1-yエミッタ遷移層を設けることにより、理論的には上
記エネルギーバンド的バリアを解消することができる。
上記遷移層は、格子整合を維持しながら、Ｇa0.51Ｉn0.
49ＰとＧaＡsとの価電子帯端および伝導帯端をスムーズ
につなぐからである。しかし、実際には上記遷移層をエ
ピタキシー成長することは非常に困難(特に、Ｐ,Ａsの
制御が困難)であるため、これまでグレーデッド型のエ
ミッタ／ベース接合を有するＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは
作製されなかった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、従来のＧaＩn
Ｐ／ＧaＡsＨＢＴに比して電流利得に優れ、しかも容易
に作製できるＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴを提供することに
ある。
Ｐ／ＧaＡsＨＢＴに比して電流利得に優れ、しかも容易
に作製できるＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴを提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、この発明は、エミツタ層を構成するＧaＩn
Ｐとベース層を構成するＧaＡsとの間に、組成グレーデ
ッド遷移層を有するＧaＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタにおいて、上記組成グレーデッド遷移
層はＡlＧaＡsからなることを特徴としている。
成するため、この発明は、エミツタ層を構成するＧaＩn
Ｐとベース層を構成するＧaＡsとの間に、組成グレーデ
ッド遷移層を有するＧaＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタにおいて、上記組成グレーデッド遷移
層はＡlＧaＡsからなることを特徴としている。
【０００７】この発明は本発明者による次の考察により
創出された。
創出された。
【０００８】図３はＧaＡsに対するＡlxＧa1-xＡsの伝
導帯端エネルギ不連続量ΔＥcと価電子帯端エネルギ不
連続量ΔＥvのＡl組成比x依存性を示している(なお、細
線はＧa0.51Ｉn0.49ＰのΔＥc,ΔＥvを示している。)。
図３から明らかなように、Ａl0.27Ｇa0.73ＡsとＧa0.51
Ｉn0.49ＰはＧaＡsに対してΔＥcが同一値０.２２eＶと
なっている。本発明はこの点に着目してなされたもので
あり、組成グレーデッド遷移層として、実現困難なＧax
Ｉn1-xＰyＡs1-yに代えてＡlxＧa1-xＡsを採用する。そ
して、ベース層からエミツタ層へ向かってＡl組成比xを
x＝０からx＝０.２７まで変化させる。これにより、エ
ピタキシー成長の問題および格子整合の問題が同時に解
決されることとなる。すなわち、ＡlＧaＡs系のエピタ
キシー成長は知られているように非常に容易であり、ま
たＡlＧaＡs系はＧaＡs系とほとんど格子整合している
からである。しかも、組成グレーデッド遷移層をＡlＧa
Ａsで構成することにより、界面欠陥が発生しなくな
り、図２に例示するように、エネルギーバンド的バリア
は解消される。この結果、従来のアブラプト型ＧaＩnＰ
／ＧaＡsＨＢＴに比して、エミッタ注入効率が大幅に改
善され、電流利得が向上する。なお、当然ながら、上記
組成グレーデッドＡlＧaＡs層は、ドープされる不純物
の種類によってエミツタ層、ベース層のいずれにも包含
され得る。
導帯端エネルギ不連続量ΔＥcと価電子帯端エネルギ不
連続量ΔＥvのＡl組成比x依存性を示している(なお、細
線はＧa0.51Ｉn0.49ＰのΔＥc,ΔＥvを示している。)。
図３から明らかなように、Ａl0.27Ｇa0.73ＡsとＧa0.51
Ｉn0.49ＰはＧaＡsに対してΔＥcが同一値０.２２eＶと
なっている。本発明はこの点に着目してなされたもので
あり、組成グレーデッド遷移層として、実現困難なＧax
Ｉn1-xＰyＡs1-yに代えてＡlxＧa1-xＡsを採用する。そ
して、ベース層からエミツタ層へ向かってＡl組成比xを
x＝０からx＝０.２７まで変化させる。これにより、エ
ピタキシー成長の問題および格子整合の問題が同時に解
決されることとなる。すなわち、ＡlＧaＡs系のエピタ
キシー成長は知られているように非常に容易であり、ま
たＡlＧaＡs系はＧaＡs系とほとんど格子整合している
からである。しかも、組成グレーデッド遷移層をＡlＧa
Ａsで構成することにより、界面欠陥が発生しなくな
り、図２に例示するように、エネルギーバンド的バリア
は解消される。この結果、従来のアブラプト型ＧaＩnＰ
／ＧaＡsＨＢＴに比して、エミッタ注入効率が大幅に改
善され、電流利得が向上する。なお、当然ながら、上記
組成グレーデッドＡlＧaＡs層は、ドープされる不純物
の種類によってエミツタ層、ベース層のいずれにも包含
され得る。
【０００９】
【実施例】以下、この発明のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴを
図示の実施例により詳細に説明する。
図示の実施例により詳細に説明する。
【００１０】図１に示すように、このＧaＩnＰ／ＧaＡs
ＨＢＴは、半絶縁性ＧaＡs(１００)基板１１上に、n+−
ＧaＡsコレクタコンタクト層１２と、n−ＧaＡsコレク
タ層１３と、p−ＧaＡsベース層１４と、組成グレーデ
ッドn−ＡlＧaＡsエミツタ遷移層１５と、n−ＧaＩnＰ
エミツタ層１６と、n+−ＧaＩnＰエミッタコンタクト層
１７とを順に設けて構成されている。このＨＢＴはメサ
構造を有しており、各メサ頂部Ｍ１,Ｍ２,Ｍ３にエミッ
タ電極１８、ベース電極１９、コレクタ電極２０がそれ
ぞれ形成されている。
ＨＢＴは、半絶縁性ＧaＡs(１００)基板１１上に、n+−
ＧaＡsコレクタコンタクト層１２と、n−ＧaＡsコレク
タ層１３と、p−ＧaＡsベース層１４と、組成グレーデ
ッドn−ＡlＧaＡsエミツタ遷移層１５と、n−ＧaＩnＰ
エミツタ層１６と、n+−ＧaＩnＰエミッタコンタクト層
１７とを順に設けて構成されている。このＨＢＴはメサ
構造を有しており、各メサ頂部Ｍ１,Ｍ２,Ｍ３にエミッ
タ電極１８、ベース電極１９、コレクタ電極２０がそれ
ぞれ形成されている。
【００１１】素子作製について説明すると、先ずＬＥＣ
半絶縁性(ρ＞１×１０7Ωcm)ＧaＡs(１００)基板１１
上に、ＭＢＥ(モレキュラ・ビーム・エピタキシ)法によ
り、n+−ＧaＡs(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０18cm-3、
厚さ５００nm)コレクタコンタクト層１２、n−ＧaＡs
(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０16cm-3、厚さ５００nm)コ
レクタ層１３、p−ＧaＡs(Ｂeドープ、Ｂe濃度１×１０
19cm-3、厚さ１００nm)ベース層１４を順に積層成長す
る。続いて、ＭＢＥ法により、n−ＡlxＧa1-xＡs(Ｓiド
ープ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ２０nm)エミッタ遷
移層１５を成長する。このとき、Ａl組成比xはベース層
１４からエミツタ層１６に向かってx＝０からx＝０.２
７まで変化させる。このエミッタ遷移層１５は、ＧaＡs
ベース層１４と格子整合を維持しながら容易に成長させ
ることができる。続いて、ＭＢＥ法により、n−Ｇa0.51
Ｉn0.49Ｐ(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ１
００nm)エミツタ層１６、n+−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐ(Ｓiド
ープ、Ｓi濃度５×１０18cm-3、厚さ１５０nm)エミッタ
コンタクト層１７を順に積層成長する。次に、メサ構造
をウエットエッチングにより形成する。最後に、各メサ
頂部Ｍ１,Ｍ２,Ｍ３にエミッタ電極１８、ベース電極１
９、コレクタ電極２０をそれぞれ蒸着し、さらに合金化
熱処理を行って素子を完成する。エミッタ電極１８およ
びコレクタ電極２０はＡu−Ｇe系、ベース電極１９はＡ
u−Ｚn系オーミックメタルを用いる。
半絶縁性(ρ＞１×１０7Ωcm)ＧaＡs(１００)基板１１
上に、ＭＢＥ(モレキュラ・ビーム・エピタキシ)法によ
り、n+−ＧaＡs(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０18cm-3、
厚さ５００nm)コレクタコンタクト層１２、n−ＧaＡs
(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０16cm-3、厚さ５００nm)コ
レクタ層１３、p−ＧaＡs(Ｂeドープ、Ｂe濃度１×１０
19cm-3、厚さ１００nm)ベース層１４を順に積層成長す
る。続いて、ＭＢＥ法により、n−ＡlxＧa1-xＡs(Ｓiド
ープ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ２０nm)エミッタ遷
移層１５を成長する。このとき、Ａl組成比xはベース層
１４からエミツタ層１６に向かってx＝０からx＝０.２
７まで変化させる。このエミッタ遷移層１５は、ＧaＡs
ベース層１４と格子整合を維持しながら容易に成長させ
ることができる。続いて、ＭＢＥ法により、n−Ｇa0.51
Ｉn0.49Ｐ(Ｓiドープ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ１
００nm)エミツタ層１６、n+−Ｇa0.51Ｉn0.49Ｐ(Ｓiド
ープ、Ｓi濃度５×１０18cm-3、厚さ１５０nm)エミッタ
コンタクト層１７を順に積層成長する。次に、メサ構造
をウエットエッチングにより形成する。最後に、各メサ
頂部Ｍ１,Ｍ２,Ｍ３にエミッタ電極１８、ベース電極１
９、コレクタ電極２０をそれぞれ蒸着し、さらに合金化
熱処理を行って素子を完成する。エミッタ電極１８およ
びコレクタ電極２０はＡu−Ｇe系、ベース電極１９はＡ
u−Ｚn系オーミックメタルを用いる。
【００１２】特性比較のため、実際にこにのＨＢＴと図
４に示した従来のアブラプト型ＨＢＴとを、エミッタ遷
移層１５を除いて同一プロセスで作製した。ＤＣ測定の
結果、本発明の素子(エミッタサイズ８０μｍ角)では、
電流利得hFEとして約１００が得られた(ただし、Ｊc＝
１×１０4Ａ／cm2)。一方、従来のアブラプト型ＨＢＴ
では、同一エミッタサイズ、同一測定条件においてhFE
は４０であった。これにより、電流利得を大幅に向上で
きることが確認できた。
４に示した従来のアブラプト型ＨＢＴとを、エミッタ遷
移層１５を除いて同一プロセスで作製した。ＤＣ測定の
結果、本発明の素子(エミッタサイズ８０μｍ角)では、
電流利得hFEとして約１００が得られた(ただし、Ｊc＝
１×１０4Ａ／cm2)。一方、従来のアブラプト型ＨＢＴ
では、同一エミッタサイズ、同一測定条件においてhFE
は４０であった。これにより、電流利得を大幅に向上で
きることが確認できた。
【００１３】なお、上記ベース層１４は、p−ＧaＡs(均
一組成)としたが、グレーデッドベース構造としても良
い。例えば、p−ＡlxＧa1-xＡsで、ベース層からエミツ
タ層へ向かってＡl組成比をx＝０からx＝０.１まで変化
させる。ただし、この場合、n−ＡlxＧa1-xＡs(Ｓiドー
プ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ２０nm)エミツタ遷移
層１５は、Ａl組成比xをベース層からエミツタ層へ向か
ってx＝０.１からx＝０.２７まで変化させるものとす
る。すなわち、ベース層とエミツタ層との間でＡl組成
比xを連続させるのである。
一組成)としたが、グレーデッドベース構造としても良
い。例えば、p−ＡlxＧa1-xＡsで、ベース層からエミツ
タ層へ向かってＡl組成比をx＝０からx＝０.１まで変化
させる。ただし、この場合、n−ＡlxＧa1-xＡs(Ｓiドー
プ、Ｓi濃度５×１０17cm-3、厚さ２０nm)エミツタ遷移
層１５は、Ａl組成比xをベース層からエミツタ層へ向か
ってx＝０.１からx＝０.２７まで変化させるものとす
る。すなわち、ベース層とエミツタ層との間でＡl組成
比xを連続させるのである。
【００１４】また、この実施例はnpn型のＨＢＴについ
て説明したが、当然ながらpnp型でもよい。さらに、上
記各層１２,…,１７をＭＢＥ法以外の方法でエピタキシ
成長しても構わない。
て説明したが、当然ながらpnp型でもよい。さらに、上
記各層１２,…,１７をＭＢＥ法以外の方法でエピタキシ
成長しても構わない。
【００１５】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のＧ
aＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、組成グレーデッド遷移層がＡ
lＧaＡsからなるので、格子整合を維持しながらベース
／エミツタ界面に格子欠陥を発生させることなく、上記
遷移層を容易に作製することができる。しかも、ベース
層からエミツタ層へ向かって上記組成グレーデッド遷移
層のＡl組成比をx＝０.１からx＝０.２７まで変化させ
ることによって、電子の注入を妨げるバリアを解消する
ことができ、素子特性、特に電流利得を向上させること
ができる。
aＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴは、組成グレーデッド遷移層がＡ
lＧaＡsからなるので、格子整合を維持しながらベース
／エミツタ界面に格子欠陥を発生させることなく、上記
遷移層を容易に作製することができる。しかも、ベース
層からエミツタ層へ向かって上記組成グレーデッド遷移
層のＡl組成比をx＝０.１からx＝０.２７まで変化させ
ることによって、電子の注入を妨げるバリアを解消する
ことができ、素子特性、特に電流利得を向上させること
ができる。
【図１】 この発明の一実施例のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢ
Ｔの断面構造を示す図である。
Ｔの断面構造を示す図である。
【図２】 上記ＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴの動作時のエネ
ルギバンドを示す図である。
ルギバンドを示す図である。
【図３】 ＧaＡsに対するＡlxＧa1-xＡs系の伝導帯端
エネルギ不連続量ΔＥcと価電子帯端エネルギ不連続量
ΔＥvのＡl組成比x依存性を示す図である。
エネルギ不連続量ΔＥcと価電子帯端エネルギ不連続量
ΔＥvのＡl組成比x依存性を示す図である。
【図４】 従来のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴの断面構造を
示す図である。
示す図である。
【図５】 上記従来のＧaＩnＰ／ＧaＡsＨＢＴの動作時
のエネルギバンドを示す図である。
のエネルギバンドを示す図である。
１１ ＧaＡs半絶縁性基板 １２ n+−ＧaＡsコレクタコンタクト層 １３ n−ＧaＡsコレクタ層 １４ p−ＧaＡsベース層 １５ n−ＡlＧaＡsエミツタ遷移層 １６ n−ＡlＧaＡsエミツタ層 １７ n+−ＧaＡsエミッタコンタクト層 １８ エミツタ電極 １９ ベース電極 ２０ コレクタ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 エミツタ層を構成するＧaＩnＰとベース
層を構成するＧaＡsとの間に、組成グレーデッド遷移層
を有するＧaＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタにおいて、 上記組成グレーデッド遷移層はＡlＧaＡsからなること
を特徴とするＧaＩnＰ／ＧaＡsヘテロ接合バイポーラト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28428691A JPH05121430A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28428691A JPH05121430A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121430A true JPH05121430A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17676568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28428691A Pending JPH05121430A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0875941A2 (de) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | Daimler-Benz Aktiengesellschaft | Heterobipolartransistor mit Mehrschicht-Emitterstruktur |
| KR100337942B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2002-05-24 | 김효근 | 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28428691A patent/JPH05121430A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0875941A2 (de) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | Daimler-Benz Aktiengesellschaft | Heterobipolartransistor mit Mehrschicht-Emitterstruktur |
| EP0875941A3 (de) * | 1997-05-02 | 1999-10-20 | DaimlerChrysler AG | Heterobipolartransistor mit Mehrschicht-Emitterstruktur |
| KR100337942B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2002-05-24 | 김효근 | 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터 |
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