JPH05121208A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
- Publication number
- JPH05121208A JPH05121208A JP3306894A JP30689491A JPH05121208A JP H05121208 A JPH05121208 A JP H05121208A JP 3306894 A JP3306894 A JP 3306894A JP 30689491 A JP30689491 A JP 30689491A JP H05121208 A JPH05121208 A JP H05121208A
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- JP
- Japan
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- voltage non
- voltage
- resistor
- semiconductor porcelain
- linearity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体磁器に電極を形成する際の酸素の吸着
を防止して非直線係数，及びサージ耐量の低下を回避で
きる電圧非直線抵抗体を提供する。 【構成】 半導体磁器のセラミック粒界を酸化させるこ
とによって電圧非直線性特性を得るようにした電圧非直
線抵抗体を構成する場合に、上記半導体磁器に、Ａｇペ
ーストを750 ℃以下の温度で焼き付けて電極を形成す
る。
を防止して非直線係数，及びサージ耐量の低下を回避で
きる電圧非直線抵抗体を提供する。 【構成】 半導体磁器のセラミック粒界を酸化させるこ
とによって電圧非直線性特性を得るようにした電圧非直
線抵抗体を構成する場合に、上記半導体磁器に、Ａｇペ
ーストを750 ℃以下の温度で焼き付けて電極を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粒界酸化型の電圧非直
線抵抗体に関し、特に電極を形成する際の酸素の吸着を
防止して電気的特性の劣化を回避できるようにした構造
に関する。
線抵抗体に関し、特に電極を形成する際の酸素の吸着を
防止して電気的特性の劣化を回避できるようにした構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】印加電圧に応じて抵抗値が非直線的に変
化する電圧非直線抵抗体は、サージ吸収素子，電圧安定
化素子として広く使用されている。このような抵抗体を
製造する場合、従来、例えばチタン酸ストロンチウムを
主成分とする半導体磁器のセラミック粒界に、Ｎａ2 Ｏ
等の酸化剤を熱拡散させて半導体素子を形成し、この素
子の両主面にＡｇペーストを塗布した後、これを焼き付
けて電極を形成する方法が採用されている。このような
粒界酸化型の電圧非直線抵抗体では、上記セラミック粒
界を酸化させることによって電圧非直線性特性を得てい
る。
化する電圧非直線抵抗体は、サージ吸収素子，電圧安定
化素子として広く使用されている。このような抵抗体を
製造する場合、従来、例えばチタン酸ストロンチウムを
主成分とする半導体磁器のセラミック粒界に、Ｎａ2 Ｏ
等の酸化剤を熱拡散させて半導体素子を形成し、この素
子の両主面にＡｇペーストを塗布した後、これを焼き付
けて電極を形成する方法が採用されている。このような
粒界酸化型の電圧非直線抵抗体では、上記セラミック粒
界を酸化させることによって電圧非直線性特性を得てい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の電圧非直線抵抗体では、高い温度による電極焼き付け
では、余分な酸素が吸着し易く、その結果非直線係数が
低下するとともに、サージ電流を印加したときの非直線
係数，及びバリスタ電圧の劣化が大きいという問題点が
ある。
の電圧非直線抵抗体では、高い温度による電極焼き付け
では、余分な酸素が吸着し易く、その結果非直線係数が
低下するとともに、サージ電流を印加したときの非直線
係数，及びバリスタ電圧の劣化が大きいという問題点が
ある。
【０００４】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、電極を形成する際の酸素の吸着を防止して非直
線係数の低下，及びサージ耐量の劣化を回避できる電圧
非直線抵抗体を提供することを目的としている。
もので、電極を形成する際の酸素の吸着を防止して非直
線係数の低下，及びサージ耐量の劣化を回避できる電圧
非直線抵抗体を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、電極を
形成する際に酸素が吸着する原因について検討したとこ
ろ、Ａｇペーストを焼き付ける際の温度に関係してお
り、この温度が高すぎると酸素が吸着し易くなることを
見出し、この焼き付け温度の上限を規定することによっ
て余分な酸素吸着を防止できることに想到し、本発明を
成したものである。そこで本発明は、半導体磁器のセラ
ミック粒界を酸化させてなる電圧非直線抵抗体におい
て、上記半導体磁器に形成された電極が、Ａｇペースト
を750 ℃以下の温度で焼き付けてなるものであることを
特徴としている。ここで、本発明の電圧非直線抵抗体
は、単板からなる焼結体の両主面に電極を形成してなる
ものである。
形成する際に酸素が吸着する原因について検討したとこ
ろ、Ａｇペーストを焼き付ける際の温度に関係してお
り、この温度が高すぎると酸素が吸着し易くなることを
見出し、この焼き付け温度の上限を規定することによっ
て余分な酸素吸着を防止できることに想到し、本発明を
成したものである。そこで本発明は、半導体磁器のセラ
ミック粒界を酸化させてなる電圧非直線抵抗体におい
て、上記半導体磁器に形成された電極が、Ａｇペースト
を750 ℃以下の温度で焼き付けてなるものであることを
特徴としている。ここで、本発明の電圧非直線抵抗体
は、単板からなる焼結体の両主面に電極を形成してなる
ものである。
【０００６】
【作用】本発明に係る電圧非直線抵抗体によれば、電極
の焼き付け温度を750 ℃以下としたので、電極を形成す
る際に酸素が吸着するのを防止でき、その結果非直線係
数の低下を回避できるとともに、サージ電流印加による
非直線係数，及びバリスタ電圧の劣化を回避でき、それ
だけ電気的特性を向上できる。
の焼き付け温度を750 ℃以下としたので、電極を形成す
る際に酸素が吸着するのを防止でき、その結果非直線係
数の低下を回避できるとともに、サージ電流印加による
非直線係数，及びバリスタ電圧の劣化を回避でき、それ
だけ電気的特性を向上できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
では、本発明の電圧非直線抵抗体を製造し、これの効果
を確認するために行った試験について説明する。本実施
例の電圧非直線抵抗体の一製造方法について説明する。
まず、ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3
の各原料粉をそれぞれＳｒ0.9 Ｃａ0.1 Ｅｒ0.005 Ｔｉ
Ｏ3 となるよう秤量配合し、これを湿式で混合して乾燥
させた後、1150℃で２時間仮焼成する。
では、本発明の電圧非直線抵抗体を製造し、これの効果
を確認するために行った試験について説明する。本実施
例の電圧非直線抵抗体の一製造方法について説明する。
まず、ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3
の各原料粉をそれぞれＳｒ0.9 Ｃａ0.1 Ｅｒ0.005 Ｔｉ
Ｏ3 となるよう秤量配合し、これを湿式で混合して乾燥
させた後、1150℃で２時間仮焼成する。
【０００８】次に、仮焼成体を粉砕した後、これに酢酸
ビニル系樹脂を５重量％添加して造粒粉を形成し、この
造粒粉からプレスにより１ton/cm2の圧力を加えて直径1
0mmφ, 厚さ1.5mm φの成形体を得る。次いで、この成
形体を空気中にて1000℃×２時間焼成し、続いてＨ2 ／
Ｎ2 ＝１／100(体積％) の混合雰囲気中にて1450℃に昇
温し、２時間焼成して半導体磁器を得る。
ビニル系樹脂を５重量％添加して造粒粉を形成し、この
造粒粉からプレスにより１ton/cm2の圧力を加えて直径1
0mmφ, 厚さ1.5mm φの成形体を得る。次いで、この成
形体を空気中にて1000℃×２時間焼成し、続いてＨ2 ／
Ｎ2 ＝１／100(体積％) の混合雰囲気中にて1450℃に昇
温し、２時間焼成して半導体磁器を得る。
【０００９】次に、Ｎａ2 Ｏ，ＴｉＯ2 を２：１のモル
比で混合してなる粉末にワニスを加えてペースト状の酸
化剤を形成し、この酸化剤を上記半導体磁器に１重量％
塗布し、1200℃で３時間熱処理を施す。これにより上記
酸化剤が半導体磁器のセラミック粒界に熱拡散されるこ
ととなる。
比で混合してなる粉末にワニスを加えてペースト状の酸
化剤を形成し、この酸化剤を上記半導体磁器に１重量％
塗布し、1200℃で３時間熱処理を施す。これにより上記
酸化剤が半導体磁器のセラミック粒界に熱拡散されるこ
ととなる。
【００１０】このようにして得られた半導体磁器の両主
面にＡｇペーストを塗布した後、750 ℃以下の温度で所
定時間焼き付けて電極を形成する。これにより本実施例
の電圧非直線抵抗体が製造される。
面にＡｇペーストを塗布した後、750 ℃以下の温度で所
定時間焼き付けて電極を形成する。これにより本実施例
の電圧非直線抵抗体が製造される。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１は、上記実施例方法により製造された
電圧非直線抵抗体の効果を確認するために行った試験結
果を示す。この試験は、上記Ａｇペーストの焼き付け温
度を700 〜850 ℃の範囲内で変化させ、これにより得ら
れた電圧非直線抵抗体の非直線係数α, バリスタ電圧Ｖ
1mA ,及び5000A/cm2 のサージ電流を印加した時のバリ
スタ電圧, 及び非直線係数の変化率ΔＶ1mA , Δαを測
定して行った。表中、No.1〜No.4は本実施例試料を示
し、No.5〜No.8（＊印参照）は比較試料を示す。同表か
らも明らかなように、比較試料No.5〜No.8の場合は、非
直線係数が12.4〜13.9と低く、またバリスタ電圧の変化
率が−2.5 〜−12.1％、非直線係数の変化率が−5.4 〜
−16.2％と大きくなっており、特性が劣化している。こ
れに対して本実施例試料No.1〜No.4の場合は、非直線係
数が14.5〜15.2といずれも高い値が得られている。また
バリスタ電圧の変化率では＋0.9 〜−1.31％と小さくな
っており、さらに非直線係数の変化率では＋0.3 〜−1.
2％とこれも小さくなっている。この結果、焼き付け温
度を750 ℃以下に設定することによって非直線係数, サ
ージ耐量を向上できることがわかる。
電圧非直線抵抗体の効果を確認するために行った試験結
果を示す。この試験は、上記Ａｇペーストの焼き付け温
度を700 〜850 ℃の範囲内で変化させ、これにより得ら
れた電圧非直線抵抗体の非直線係数α, バリスタ電圧Ｖ
1mA ,及び5000A/cm2 のサージ電流を印加した時のバリ
スタ電圧, 及び非直線係数の変化率ΔＶ1mA , Δαを測
定して行った。表中、No.1〜No.4は本実施例試料を示
し、No.5〜No.8（＊印参照）は比較試料を示す。同表か
らも明らかなように、比較試料No.5〜No.8の場合は、非
直線係数が12.4〜13.9と低く、またバリスタ電圧の変化
率が−2.5 〜−12.1％、非直線係数の変化率が−5.4 〜
−16.2％と大きくなっており、特性が劣化している。こ
れに対して本実施例試料No.1〜No.4の場合は、非直線係
数が14.5〜15.2といずれも高い値が得られている。また
バリスタ電圧の変化率では＋0.9 〜−1.31％と小さくな
っており、さらに非直線係数の変化率では＋0.3 〜−1.
2％とこれも小さくなっている。この結果、焼き付け温
度を750 ℃以下に設定することによって非直線係数, サ
ージ耐量を向上できることがわかる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電圧非直線抵
抗体によれば、電極の焼き付け温度を750 ℃以下とした
ので、セラミック粒界に余分な酸素が吸着するのを防止
でき、それだけ非直線係数，及びサージ耐量の低下を回
避でき、電気的特性を向上できる効果がある。
抗体によれば、電極の焼き付け温度を750 ℃以下とした
ので、セラミック粒界に余分な酸素が吸着するのを防止
でき、それだけ非直線係数，及びサージ耐量の低下を回
避でき、電気的特性を向上できる効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体磁器のセラミック粒界を酸化させ
るとともに、該半導体磁器に電極を形成し、電圧非直線
性特性を得るようにした電圧非直線抵抗体において、上
記電極が、Ａｇペーストを750 ℃以下の温度で焼き付け
てなるものであることを特徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306894A JPH05121208A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306894A JPH05121208A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121208A true JPH05121208A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17962542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3306894A Withdrawn JPH05121208A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121208A (ja) |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3306894A patent/JPH05121208A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |