JPH05119071A - ランダムサンプリング方式 - Google Patents
ランダムサンプリング方式Info
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- JPH05119071A JPH05119071A JP27502891A JP27502891A JPH05119071A JP H05119071 A JPH05119071 A JP H05119071A JP 27502891 A JP27502891 A JP 27502891A JP 27502891 A JP27502891 A JP 27502891A JP H05119071 A JPH05119071 A JP H05119071A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速のＡ／Ｄ変換器および高速のアクセスタ
イムを有するメモリが１組ですみ、かつのこぎり波の直
線性がそのまま出力波形に影響しないランダムサンプリ
ング方式を提供すること。 【構成】 入力観測信号をＡ／Ｄ変換器４でＡ／Ｄ変換
し、該Ａ／Ｄ変換デ−タをメモリに格納し、Ａ／Ｄ変換
器４に供給する第１サンプリングパルスのトリガポイン
トから所定個数目のパルスと同時に出力されるパルスを
第２サンプリングパルスとし、第２サンプリングパルス
に基づいてサンプルホールドした掃引のこぎり波をＡ／
Ｄ変換器８でＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換のこぎり波デー
タからのこぎり波の勾配に基づいて第２サンプリングパ
ルスの発生時期をトリガポイントからの期間に変換し、
Ａ／Ｄ変換デ−タの前記メモリから表示用メモリへの格
納においてＡ／Ｄ変換デ−タを前記期間に基づいて並べ
替えて格納するようにした。
イムを有するメモリが１組ですみ、かつのこぎり波の直
線性がそのまま出力波形に影響しないランダムサンプリ
ング方式を提供すること。 【構成】 入力観測信号をＡ／Ｄ変換器４でＡ／Ｄ変換
し、該Ａ／Ｄ変換デ−タをメモリに格納し、Ａ／Ｄ変換
器４に供給する第１サンプリングパルスのトリガポイン
トから所定個数目のパルスと同時に出力されるパルスを
第２サンプリングパルスとし、第２サンプリングパルス
に基づいてサンプルホールドした掃引のこぎり波をＡ／
Ｄ変換器８でＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換のこぎり波デー
タからのこぎり波の勾配に基づいて第２サンプリングパ
ルスの発生時期をトリガポイントからの期間に変換し、
Ａ／Ｄ変換デ−タの前記メモリから表示用メモリへの格
納においてＡ／Ｄ変換デ−タを前記期間に基づいて並べ
替えて格納するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデジタルストレージオシ
ロスコープにおけるランダムサンプリング方式に関す
る。
ロスコープにおけるランダムサンプリング方式に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のデジタルストレージオシロスコー
プにおけるランダムサンプリング方式は図５に示すよう
に、入力信号と非同期の図５（ｃ）および（ｄ）に示す
サンプリングパルスによって、測定波形のＸ軸と比例関
係のある図５（ｂ）掃引波形のＹ軸上の値、例えば
ｘ1、ｘ2、…、ｘｎ、…をサンプリングし、図５（ａ）
に示す入力信号波形をサンプリング点ｘ1、ｘ2、…、ｘ
ｎ、…に対する波形の値すなわちＹ軸上の値ｙ1、ｙ2、
…、ｙｎ、…をサンプリングして、それぞれ各別にＡ／
Ｄ変換し、ｘ軸上の各点のＡ／Ｄ変換出力を第１のメモ
リに一旦格納し、Ｙ軸上の各点のＡ／Ｄ変換出力を第２
のメモリに一旦格納するよう構成していた。
プにおけるランダムサンプリング方式は図５に示すよう
に、入力信号と非同期の図５（ｃ）および（ｄ）に示す
サンプリングパルスによって、測定波形のＸ軸と比例関
係のある図５（ｂ）掃引波形のＹ軸上の値、例えば
ｘ1、ｘ2、…、ｘｎ、…をサンプリングし、図５（ａ）
に示す入力信号波形をサンプリング点ｘ1、ｘ2、…、ｘ
ｎ、…に対する波形の値すなわちＹ軸上の値ｙ1、ｙ2、
…、ｙｎ、…をサンプリングして、それぞれ各別にＡ／
Ｄ変換し、ｘ軸上の各点のＡ／Ｄ変換出力を第１のメモ
リに一旦格納し、Ｙ軸上の各点のＡ／Ｄ変換出力を第２
のメモリに一旦格納するよう構成していた。
【０００３】さらに、第１および第２のメモリの記憶内
容を処理して、第１のメモリの記憶内容の処理結果を第
１の表示用メモリに格納し、第２のメモリの記憶内容の
処理結果を第２の表示用メモリに格納し、第１の表示用
メモリの記憶内容を読み出してＤ／Ａ変換して出力し、
Ｘ軸ファイナル増幅器に供給し、第２の表示用メモリの
記憶内容を読み出してＤ／Ａ変換して出力し、Ｙ軸ファ
イナル増幅器に供給するように構成していた。
容を処理して、第１のメモリの記憶内容の処理結果を第
１の表示用メモリに格納し、第２のメモリの記憶内容の
処理結果を第２の表示用メモリに格納し、第１の表示用
メモリの記憶内容を読み出してＤ／Ａ変換して出力し、
Ｘ軸ファイナル増幅器に供給し、第２の表示用メモリの
記憶内容を読み出してＤ／Ａ変換して出力し、Ｙ軸ファ
イナル増幅器に供給するように構成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来のランダム
サンプリング方式によるときは、Ｘ軸上の値のＡ／Ｄ変
換のためおよびＹ軸上の値のＡ／Ｄ変換のために２組の
高速のＡ／Ｄ変換器を必要とするほか、高速のアクセス
タイムを有する２組のメモリを必要とするという問題点
があった。
サンプリング方式によるときは、Ｘ軸上の値のＡ／Ｄ変
換のためおよびＹ軸上の値のＡ／Ｄ変換のために２組の
高速のＡ／Ｄ変換器を必要とするほか、高速のアクセス
タイムを有する２組のメモリを必要とするという問題点
があった。
【０００５】またさらに、Ｘ軸のデータは掃引回路の出
力波形から得ることが多くこの波形の直線性がそのまま
出力波形に影響してしまうため掃引回路が性能を決定し
てしまうという問題点があった。
力波形から得ることが多くこの波形の直線性がそのまま
出力波形に影響してしまうため掃引回路が性能を決定し
てしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は高速のＡ／Ｄ変換器および高速の
アクセスタイムを有するメモリが１組ですみ、かつ掃引
回路の出力波形の直線性がそのまま出力波形に影響しな
いランダムサンプリング方式を提供することを目的とす
る。
アクセスタイムを有するメモリが１組ですみ、かつ掃引
回路の出力波形の直線性がそのまま出力波形に影響しな
いランダムサンプリング方式を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のランダムサンプ
リング方式は、入力観測信号レベルをＡ／Ｄ変換し、該
Ａ／Ｄ変換デ−タをメモリに格納し、前記Ａ／Ｄ変換の
ために入力観測信号をサンプリングするための第１サン
プリングパルスのトリガポイントから所定個数目のパル
スと同時に出力されるパルスを第２サンプリングパルス
とし、第２サンプリングパルスに基づいてサンプルホー
ルドした掃引のこぎり波をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換の
こぎり波データからのこぎり波の勾配に基づいて第２サ
ンプリングパルスの発生時期をトリガポイントからの期
間に変換し、Ａ／Ｄ変換デ−タの前記メモリから表示用
メモリへの転送格納においてＡ／Ｄ変換デ−タを前記期
間に基づいて並べ替えて格納することを特徴とする。
リング方式は、入力観測信号レベルをＡ／Ｄ変換し、該
Ａ／Ｄ変換デ−タをメモリに格納し、前記Ａ／Ｄ変換の
ために入力観測信号をサンプリングするための第１サン
プリングパルスのトリガポイントから所定個数目のパル
スと同時に出力されるパルスを第２サンプリングパルス
とし、第２サンプリングパルスに基づいてサンプルホー
ルドした掃引のこぎり波をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換の
こぎり波データからのこぎり波の勾配に基づいて第２サ
ンプリングパルスの発生時期をトリガポイントからの期
間に変換し、Ａ／Ｄ変換デ−タの前記メモリから表示用
メモリへの転送格納においてＡ／Ｄ変換デ−タを前記期
間に基づいて並べ替えて格納することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明のランダムサンプリング方式によれば、
のこぎり波の勾配に基づいてＡ／Ｄ変換のこぎり波デー
タが、トリガポイントから第２サンプリングパルスの発
生時期までの期間に変換される。しかるに、入力観測信
号と第１サンプリングパルスとは非同期であり、トリガ
ポイントを基準とした第２サンプリングパルスの発生時
期は時間的に変動し、前記期間は掃引毎に変化してい
る。そこで第１サンプリングパルスによってサンプリン
グされてＡ／Ｄ変換されたＡ／Ｄ変換デ−タを順次格納
した前記メモリから表示用メモリへの転送格納におい
て、Ａ／Ｄ変換デ−タが前記期間に基づいて並べ替えら
れて格納される。したがって表示用メモリから順次読み
出したＡ／ＤデータをＤ／Ａ変換した波形のジッタは補
正されていることになる。
のこぎり波の勾配に基づいてＡ／Ｄ変換のこぎり波デー
タが、トリガポイントから第２サンプリングパルスの発
生時期までの期間に変換される。しかるに、入力観測信
号と第１サンプリングパルスとは非同期であり、トリガ
ポイントを基準とした第２サンプリングパルスの発生時
期は時間的に変動し、前記期間は掃引毎に変化してい
る。そこで第１サンプリングパルスによってサンプリン
グされてＡ／Ｄ変換されたＡ／Ｄ変換デ−タを順次格納
した前記メモリから表示用メモリへの転送格納におい
て、Ａ／Ｄ変換デ−タが前記期間に基づいて並べ替えら
れて格納される。したがって表示用メモリから順次読み
出したＡ／ＤデータをＤ／Ａ変換した波形のジッタは補
正されていることになる。
【０００９】第２サンプリングパルスは第１サンプリン
グパルスのトリガポイントから所定個数目のパルスと同
時に出力されるパルスとしたために、第１サンプリング
パルスによる１掃引期間に１個であり、入力観測信号を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器は高速である必要がある
が、掃引のこぎり波をＡ／Ｄ変換するためのＡ／Ｄ変換
器は低速ですむ。したがって、高速のＡ／Ｄ変換器は１
つですむことになる。さらに、高速のＡ／Ｄ変換器で変
換された入力観測信号を格納するメモリは速いアクセス
タイムを必要とするが、表示用メモリは速いアクセスタ
イムを必要とせず、アクセスタイムの速いメモリも一つ
ですむことになる。
グパルスのトリガポイントから所定個数目のパルスと同
時に出力されるパルスとしたために、第１サンプリング
パルスによる１掃引期間に１個であり、入力観測信号を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器は高速である必要がある
が、掃引のこぎり波をＡ／Ｄ変換するためのＡ／Ｄ変換
器は低速ですむ。したがって、高速のＡ／Ｄ変換器は１
つですむことになる。さらに、高速のＡ／Ｄ変換器で変
換された入力観測信号を格納するメモリは速いアクセス
タイムを必要とするが、表示用メモリは速いアクセスタ
イムを必要とせず、アクセスタイムの速いメモリも一つ
ですむことになる。
【００１０】さらにまた、第２サンプリングパルスのジ
ッタ幅は第１サンプリングパルスの１周期の範囲内の短
い期間であって、掃引のこぎり波形の直線性がそのまま
出力波形に直接影響を及ぼすこともなくなる。
ッタ幅は第１サンプリングパルスの１周期の範囲内の短
い期間であって、掃引のこぎり波形の直線性がそのまま
出力波形に直接影響を及ぼすこともなくなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。図１
は本発明方式を適応した一実施例の構成を示すブロック
図である。観測波形入力信号は増幅器１に供給して増幅
し、増幅器１の増幅出力はトリガパルス発生器２に供給
してトリガパルスを発生させ、トリガパルスは掃引回路
３に供給してのこぎり波信号を発生させる。
は本発明方式を適応した一実施例の構成を示すブロック
図である。観測波形入力信号は増幅器１に供給して増幅
し、増幅器１の増幅出力はトリガパルス発生器２に供給
してトリガパルスを発生させ、トリガパルスは掃引回路
３に供給してのこぎり波信号を発生させる。
【００１２】増幅器１の増幅出力はタイミングパルス発
生回路１１から出力されるサンプリングパルスによって
サンプリングして高速のＡ／Ｄ変換器４に供給し、デジ
タルデータに変換する。高速のＡ／Ｄ変換器４は垂直信
号のＡ／Ｄ変換器である。高速のＡ／Ｄ変換器４で変換
されたデジタルデータは波形データとしてアクイジショ
ンメモリ５に格納する。アクイジションメモリ５は高速
のアクセスタイムを有するメモリである。１画面分の波
形データのアクイジションメモリ５への格納が終了する
毎にアクイジション５の格納波形デ−タをデータメモリ
６ヘ転送する。
生回路１１から出力されるサンプリングパルスによって
サンプリングして高速のＡ／Ｄ変換器４に供給し、デジ
タルデータに変換する。高速のＡ／Ｄ変換器４は垂直信
号のＡ／Ｄ変換器である。高速のＡ／Ｄ変換器４で変換
されたデジタルデータは波形データとしてアクイジショ
ンメモリ５に格納する。アクイジションメモリ５は高速
のアクセスタイムを有するメモリである。１画面分の波
形データのアクイジションメモリ５への格納が終了する
毎にアクイジション５の格納波形デ−タをデータメモリ
６ヘ転送する。
【００１３】一方、高速のＡ／Ｄ変換器４に供給される
サンプリングパルスのトリガポイントからの所定数パル
ス目、例えば３パルス目と同時にタイミングパルス発生
回路１１から出力されるサンプリングパルスを受けてサ
ンプルホールド回路７は、掃引回路３からの出力のこぎ
り波信号をサンプリングし、ホールドする。このホール
ド出力は低速のＡ／Ｄ変換器８に供給してデジタルデー
タに変換する。
サンプリングパルスのトリガポイントからの所定数パル
ス目、例えば３パルス目と同時にタイミングパルス発生
回路１１から出力されるサンプリングパルスを受けてサ
ンプルホールド回路７は、掃引回路３からの出力のこぎ
り波信号をサンプリングし、ホールドする。このホール
ド出力は低速のＡ／Ｄ変換器８に供給してデジタルデー
タに変換する。
【００１４】低速のＡ／Ｄ変換器８で変換されたデジタ
ルデータはストレージマイクロコンピュ−タ９に供給し
て、ストレージマイクロコンピュータ９の制御のもとに
低速のＡ／Ｄ変換器８からの変換出力デジタルデ−タに
基づいてデータメモリ６の記憶内容を並び換えて表示用
メモリ１０に格納し、表示用メモリ１０の格納データを
図示しないＤ／Ａ変換器に供給してＣＲＴに印加する。
ルデータはストレージマイクロコンピュ−タ９に供給し
て、ストレージマイクロコンピュータ９の制御のもとに
低速のＡ／Ｄ変換器８からの変換出力デジタルデ−タに
基づいてデータメモリ６の記憶内容を並び換えて表示用
メモリ１０に格納し、表示用メモリ１０の格納データを
図示しないＤ／Ａ変換器に供給してＣＲＴに印加する。
【００１５】ここで、ストレージマイクロコンピュータ
９は、低速のＡ／Ｄ変換器８からの出力デジタルデータ
を受けてトリガポイントすなわちのこぎり波信号のレベ
ル零を基準にのこぎり波信号の勾配に基づいて、Ａ／Ｄ
変換デジタルデータの出力時期、すなわちサンプルホー
ルド回路７へのサンプリングパルスの供給時期をトリガ
ポイントからの時間軸上における期間に変換し、変換し
た該期間に基づいてメモリ６の格納デ−タを表示用メモ
リ１０へ並べ替えて格納させる。
９は、低速のＡ／Ｄ変換器８からの出力デジタルデータ
を受けてトリガポイントすなわちのこぎり波信号のレベ
ル零を基準にのこぎり波信号の勾配に基づいて、Ａ／Ｄ
変換デジタルデータの出力時期、すなわちサンプルホー
ルド回路７へのサンプリングパルスの供給時期をトリガ
ポイントからの時間軸上における期間に変換し、変換し
た該期間に基づいてメモリ６の格納デ−タを表示用メモ
リ１０へ並べ替えて格納させる。
【００１６】上記のように構成した本実施例の作用を説
明する。増幅器１で増幅された入力観測信号波形は図２
（ａ）に示す曲線ａのとうりであるとする。増幅された
入力観測信号はトリガパルス発生回路２に供給されて、
トリガパルスの発生時から掃引回路３によって図２
（ｂ）において直線ｂで示すのこぎり波信号が出力され
る。図２（ａ）において破線でトリガレベルが示してあ
る。
明する。増幅器１で増幅された入力観測信号波形は図２
（ａ）に示す曲線ａのとうりであるとする。増幅された
入力観測信号はトリガパルス発生回路２に供給されて、
トリガパルスの発生時から掃引回路３によって図２
（ｂ）において直線ｂで示すのこぎり波信号が出力され
る。図２（ａ）において破線でトリガレベルが示してあ
る。
【００１７】高速のＡ／Ｄ変換器４に供給されるサンプ
リングパルスは図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）に示す
ごとくである。図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）で示す
サンプリングパルスは入力信号と非同期でかつ所定周期
で、図２（ｃ）（ｄ）（ｅ）の順序で発生しており、図
２においては入力観測信号波形ａを基準にして示してあ
る。
リングパルスは図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）に示す
ごとくである。図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）で示す
サンプリングパルスは入力信号と非同期でかつ所定周期
で、図２（ｃ）（ｄ）（ｅ）の順序で発生しており、図
２においては入力観測信号波形ａを基準にして示してあ
る。
【００１８】このサンプリングパルスを受けて、増幅器
１で増幅された入力観測信号はサンプリングされ、ホー
ルドされて、高速のＡ／Ｄ変換器４でデジタルデ−タに
変換される。この変換による波形データはアクイジショ
ンメモリ５に格納され、１掃引毎にデータメモリ６に転
送されて格納される。データメモリ６には図３（ａ）に
模式的に示すように掃引毎に順次格納される。図３
（ａ）において各行は１掃引により得た波形データを示
している。
１で増幅された入力観測信号はサンプリングされ、ホー
ルドされて、高速のＡ／Ｄ変換器４でデジタルデ−タに
変換される。この変換による波形データはアクイジショ
ンメモリ５に格納され、１掃引毎にデータメモリ６に転
送されて格納される。データメモリ６には図３（ａ）に
模式的に示すように掃引毎に順次格納される。図３
（ａ）において各行は１掃引により得た波形データを示
している。
【００１９】図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）に示すサ
ンプリングパルスのトリガポイントから３パルス目毎の
パルスに同期した図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）にお
いてパルスｃ１、ｃ２、ｃ３で示すパルスが、サンプリ
ングパルスとしてサンプルホ−ルド回路７に供給され、
サンプルホールド回路７においてのこぎり波信号がサン
プリングされ、ホールドされて、低速のＡ／Ｄ変換器８
によってデジタルデータに変換される。
ンプリングパルスのトリガポイントから３パルス目毎の
パルスに同期した図２（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）にお
いてパルスｃ１、ｃ２、ｃ３で示すパルスが、サンプリ
ングパルスとしてサンプルホ−ルド回路７に供給され、
サンプルホールド回路７においてのこぎり波信号がサン
プリングされ、ホールドされて、低速のＡ／Ｄ変換器８
によってデジタルデータに変換される。
【００２０】この変換の結果、例えばサンプリングパル
スｃ１によってサンプリングされて低速のＡ／Ｄ変換器
８で変換されたデジタルデータがｂ１であり、サンプリ
ングパルスｃ２によってサンプリングされてＡ／Ｄ変換
されたデジタルデータがｂ２であり、サンプリングパル
スｃ３によってサンプリングされてＡ／Ｄ変換されたデ
ジタルデータがｂ３であったとすれば、デジタルデータ
ｂ１、ｂ２、ｂ３がストレージコンピュータ９に入力さ
れる。
スｃ１によってサンプリングされて低速のＡ／Ｄ変換器
８で変換されたデジタルデータがｂ１であり、サンプリ
ングパルスｃ２によってサンプリングされてＡ／Ｄ変換
されたデジタルデータがｂ２であり、サンプリングパル
スｃ３によってサンプリングされてＡ／Ｄ変換されたデ
ジタルデータがｂ３であったとすれば、デジタルデータ
ｂ１、ｂ２、ｂ３がストレージコンピュータ９に入力さ
れる。
【００２１】デジタルデータｂ１、ｂ２、ｂ３が入力さ
れたストレージコンピュータ９によって、のこぎり波信
号の勾配に基づいてデジタルデータｂ１、ｂ２、ｂ３に
対応するサンプルパルスｃ１、ｃ２、ｃ３の発生時点が
トリガポイントからの時間軸上の期間ｔ１、ｔ２、ｔ３
に変換される。この変換結果に基づいてデータメモリ６
に格納されている波形データが、図３（ｂ）に模式的に
示すように表示用メモリ１０に並び変えられる。
れたストレージコンピュータ９によって、のこぎり波信
号の勾配に基づいてデジタルデータｂ１、ｂ２、ｂ３に
対応するサンプルパルスｃ１、ｃ２、ｃ３の発生時点が
トリガポイントからの時間軸上の期間ｔ１、ｔ２、ｔ３
に変換される。この変換結果に基づいてデータメモリ６
に格納されている波形データが、図３（ｂ）に模式的に
示すように表示用メモリ１０に並び変えられる。
【００２２】この並び変えは図３（ｂ）を参照すれば明
らかなように、サンプリングパルスｃ３に対応する期間
ｔ３が１番短く、次いで期間ｔ１、ｔ２の順序であり、
データメモリ６の第３行目に格納されている波形データ
ｙ30、ｙ31、ｙ32、…がそれぞれ高速のＡ／Ｄ変換器４
のサンプリングパルス周期に対応する番地づつ離れた番
地に格納される。
らかなように、サンプリングパルスｃ３に対応する期間
ｔ３が１番短く、次いで期間ｔ１、ｔ２の順序であり、
データメモリ６の第３行目に格納されている波形データ
ｙ30、ｙ31、ｙ32、…がそれぞれ高速のＡ／Ｄ変換器４
のサンプリングパルス周期に対応する番地づつ離れた番
地に格納される。
【００２３】また、波形データｙ30、ｙ31、ｙ32、…の
それぞれからＣＲＴの表示上で（ｔ３−ｔ１）だけ遅れ
た位置に対応する番地から順次波形データｙ10、ｙ11、
ｙ12、…がそれぞれ高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリン
グパルス周期に対応する番地づつ離れて格納され、同様
に波形データｙ30、ｙ31、ｙ32、…のそれぞれからＣＲ
Ｔの表示上で（ｔ３−ｔ２）だけ遅れた位置に対応する
番地から順次波形データｙ20、ｙ21、ｙ22、…がそれぞ
れ高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリングパルス周期に対
応する番地づつ離れて格納される。その他の掃引によっ
て得た波形データについても同様である。
それぞれからＣＲＴの表示上で（ｔ３−ｔ１）だけ遅れ
た位置に対応する番地から順次波形データｙ10、ｙ11、
ｙ12、…がそれぞれ高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリン
グパルス周期に対応する番地づつ離れて格納され、同様
に波形データｙ30、ｙ31、ｙ32、…のそれぞれからＣＲ
Ｔの表示上で（ｔ３−ｔ２）だけ遅れた位置に対応する
番地から順次波形データｙ20、ｙ21、ｙ22、…がそれぞ
れ高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリングパルス周期に対
応する番地づつ離れて格納される。その他の掃引によっ
て得た波形データについても同様である。
【００２４】この格納の状態をストレージマイクロコン
ピュータ９に格納してあるプログラムに基づいてフロー
チャートの形で示せば図４に示す如くになる。図４にお
いてオフセットを持たせるとの記載は上記した期間ｔ
１、ｔ２、ｔ３に対応するだけ格納番地をずらせること
および高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリングパルス周期
に対応する番地づつずらせることを示し、一点鎖線部分
は同様のステップを示している。
ピュータ９に格納してあるプログラムに基づいてフロー
チャートの形で示せば図４に示す如くになる。図４にお
いてオフセットを持たせるとの記載は上記した期間ｔ
１、ｔ２、ｔ３に対応するだけ格納番地をずらせること
および高速のＡ／Ｄ変換器４のサンプリングパルス周期
に対応する番地づつずらせることを示し、一点鎖線部分
は同様のステップを示している。
【００２５】次いで、表示用メモリ１０に格納されてい
る波形データは番地順に順次読み出されて、図示しない
Ｄ／Ａ変換器によってＤ／Ａ変換され、Ｙ軸ファイナル
増幅器によって増幅されてＣＲＴに印加される。したが
って、ＣＲＴの管面上に図２（ｆ）に示すように図２
（ａ）の入力観測波形ａが表示されることになる。
る波形データは番地順に順次読み出されて、図示しない
Ｄ／Ａ変換器によってＤ／Ａ変換され、Ｙ軸ファイナル
増幅器によって増幅されてＣＲＴに印加される。したが
って、ＣＲＴの管面上に図２（ｆ）に示すように図２
（ａ）の入力観測波形ａが表示されることになる。
【００２６】上記のように、時間軸上の位置を低速のＡ
／Ｄ変換器８で変換したデジタルデータに基づいて時間
軸上の位置に変換したため高速のＡ／Ｄ変換器は高速の
Ａ／Ｄ変換器４の１台ですみ、さらに高速のアクセスタ
イムを有するメモリはアクイジションメモリ５の一つで
すむことになる。
／Ｄ変換器８で変換したデジタルデータに基づいて時間
軸上の位置に変換したため高速のＡ／Ｄ変換器は高速の
Ａ／Ｄ変換器４の１台ですみ、さらに高速のアクセスタ
イムを有するメモリはアクイジションメモリ５の一つで
すむことになる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明した如く本発明によれば、第２
サンプリングパルスは第１サンプリングパルスのトリガ
ポイントから所定個数目のパルスと同時に出力されるパ
ルスとしたために、第１サンプリングパルスによる１掃
引期間に１個であり、入力観測信号をＡ／Ｄ変換するＡ
／Ｄ変換器は高速である必要があるが、掃引のこぎり波
をＡ／Ｄ変換するためのＡ／Ｄ変換器は低速ですむため
に、高速のＡ／Ｄ変換器は１つですみ、さらに高速のＡ
／Ｄ変換器で変換された入力観測信号を格納するメモリ
は速いアクセスタイムを必要とするが、表示用メモリは
速いアクセスタイムを必要とせず、アクセスタイムの速
いメモリは一つですむという効果がある。
サンプリングパルスは第１サンプリングパルスのトリガ
ポイントから所定個数目のパルスと同時に出力されるパ
ルスとしたために、第１サンプリングパルスによる１掃
引期間に１個であり、入力観測信号をＡ／Ｄ変換するＡ
／Ｄ変換器は高速である必要があるが、掃引のこぎり波
をＡ／Ｄ変換するためのＡ／Ｄ変換器は低速ですむため
に、高速のＡ／Ｄ変換器は１つですみ、さらに高速のＡ
／Ｄ変換器で変換された入力観測信号を格納するメモリ
は速いアクセスタイムを必要とするが、表示用メモリは
速いアクセスタイムを必要とせず、アクセスタイムの速
いメモリは一つですむという効果がある。
【００２８】さらに、第２サンプリングパルスのジッタ
幅は第１サンプリングパルスの１周期の範囲内の短い期
間であって、掃引のこぎり波の波形の直線性がそのまま
出力波形に直接影響を及ぼすこともないという効果もあ
る。
幅は第１サンプリングパルスの１周期の範囲内の短い期
間であって、掃引のこぎり波の波形の直線性がそのまま
出力波形に直接影響を及ぼすこともないという効果もあ
る。
【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の作用の説明に供する表示波
形図である。
形図である。
【図３】本発明の一実施例の作用の説明に供するデータ
メモリおよび表示用メモリに格納された波形デ−タを示
す模式図である。
メモリおよび表示用メモリに格納された波形デ−タを示
す模式図である。
【図４】本発明の一実施例の作用の説明に供するフロー
チャートである。
チャートである。
【図５】従来例の説明に供する説明図である。
２ トリガパルス発生器 ３ 掃引回路 ４ 高速のＡ／Ｄ変換器 ５ アクイジションメモリ ６ データメモリ ７ サンプルホールド回路 ８ 低速のＡ／Ｄ変換器 ９ ストレージマイクロコンピュータ １０ 表示用メモリ １１ タイミングパルス発生回路
Claims (1)
- 【請求項１】 入力観測信号レベルをＡ／Ｄ変換し、該
Ａ／Ｄ変換デ−タをメモリに格納し、前記Ａ／Ｄ変換の
ために入力観測信号をサンプリングするための第１サン
プリングパルスのトリガポイントから所定個数目のパル
スと同時に出力されるパルスを第２サンプリングパルス
とし、第２サンプリングパルスに基づいてサンプルホー
ルドした掃引のこぎり波をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換の
こぎり波データからのこぎり波の勾配に基づいて第２サ
ンプリングパルスの発生時期をトリガポイントからの期
間に変換し、Ａ／Ｄ変換デ−タの前記メモリから表示用
メモリへの転送格納においてＡ／Ｄ変換デ−タを前記期
間に基づいて並べ替えて格納することを特徴とするラン
ダムサンプリング方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27502891A JPH05119071A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ランダムサンプリング方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27502891A JPH05119071A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ランダムサンプリング方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119071A true JPH05119071A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=17549872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27502891A Pending JPH05119071A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ランダムサンプリング方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119071A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934164A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-24 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 波形取込装置 |
| JPS59192969A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | デジタル式オシロスコ−プ |
| JPS63195575A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Yokogawa Electric Corp | サンプリングオシロスコ−プ |
| JPS63300968A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Nec Corp | ディジタル・オシロスコ−プ |
| JPH01143965A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Sharp Corp | 波形記憶装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP27502891A patent/JPH05119071A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934164A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-24 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 波形取込装置 |
| JPS59192969A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | デジタル式オシロスコ−プ |
| JPS63195575A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Yokogawa Electric Corp | サンプリングオシロスコ−プ |
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| JPH01143965A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Sharp Corp | 波形記憶装置 |
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