JPH05109967A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05109967A JPH05109967A JP26772491A JP26772491A JPH05109967A JP H05109967 A JPH05109967 A JP H05109967A JP 26772491 A JP26772491 A JP 26772491A JP 26772491 A JP26772491 A JP 26772491A JP H05109967 A JPH05109967 A JP H05109967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- external leads
- external
- leads
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣの外部リードを多数導出する際に、ＩＣ
パッケージを大型化することなくファインピッチ化をは
かる。 【構成】 複数の外部リード２０をＩＣパッケージに入
り込む直前の部分は細い部分２０ａにし、細い部分２０
ａでは隣合う外部リード２０が接触しないようにし、Ｉ
Ｃパッケージの外側で隣合う外部リード２０が接触する
ように太い部分２０ｂで構成し、太い部分２０ｂで接触
している外部リード２０の部分でモールド時の樹脂の流
れを止める。そして外部リード２０の加工工程で、奇数
番目の外部リード２０と、偶数番目の外部リード２０の
折り曲げ位置を細い部分２０ａと太い部分２０ｂを選択
して、隣合う外部リード２０同士のショートを防止す
る。
パッケージを大型化することなくファインピッチ化をは
かる。 【構成】 複数の外部リード２０をＩＣパッケージに入
り込む直前の部分は細い部分２０ａにし、細い部分２０
ａでは隣合う外部リード２０が接触しないようにし、Ｉ
Ｃパッケージの外側で隣合う外部リード２０が接触する
ように太い部分２０ｂで構成し、太い部分２０ｂで接触
している外部リード２０の部分でモールド時の樹脂の流
れを止める。そして外部リード２０の加工工程で、奇数
番目の外部リード２０と、偶数番目の外部リード２０の
折り曲げ位置を細い部分２０ａと太い部分２０ｂを選択
して、隣合う外部リード２０同士のショートを防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在使用されている半導体装置（以降、
ＩＣと略称する。）パッケージは、パッケージ本体から
横方向に張り出す複数の外部リードの水平部の長さが等
しく、これらの外部リードをプリント配線基板面のパッ
ドに半田付けして、ＩＣパッケージをプリント配線基板
に搭載するようにしている。しかしながら、各外部リー
ド間のピッチの限界は、半田付けされるプリント配線基
板側の各パッド間ピッチによって左右される。その限界
は、半田供給装置の能力あるいは半田リフロー技術など
によって制限される。現在の外部リード間ピッチは０．
５ｍｍ程度であり、高密度実装化、多リード化の要請に
より、外部リード間ピッチを狭くすることにより小型化
がはかられてきたが、半田付け技術の限界により、単に
高密度実装化、多リード化するだけではその要請に応え
ることができない。
ＩＣと略称する。）パッケージは、パッケージ本体から
横方向に張り出す複数の外部リードの水平部の長さが等
しく、これらの外部リードをプリント配線基板面のパッ
ドに半田付けして、ＩＣパッケージをプリント配線基板
に搭載するようにしている。しかしながら、各外部リー
ド間のピッチの限界は、半田付けされるプリント配線基
板側の各パッド間ピッチによって左右される。その限界
は、半田供給装置の能力あるいは半田リフロー技術など
によって制限される。現在の外部リード間ピッチは０．
５ｍｍ程度であり、高密度実装化、多リード化の要請に
より、外部リード間ピッチを狭くすることにより小型化
がはかられてきたが、半田付け技術の限界により、単に
高密度実装化、多リード化するだけではその要請に応え
ることができない。
【０００３】そのため、各種の技術開発が行われている
が、その一例として、実開平２−４５６５０「フラット
リードパッケージ」でファインピッチ化、多ピン化に対
応させたＩＣの外部リードの構成が提案されている。そ
の構成は、図５に示したように、パッケージ本体５から
横方向（図の矢印Ｘ方向）に張り出させた複数の外部リ
ード１、２を備えたフラットリードパッケージの、パッ
ケージ本体５から横方向に張り出す水平部１ａ、２ａの
長さが異なる外部リード１、２を交互に千鳥状に配列
し、これらの外部リード１、２に半田付け部１ｂ、２ｂ
の折り曲げ方向を交互に反対向きにしている。
が、その一例として、実開平２−４５６５０「フラット
リードパッケージ」でファインピッチ化、多ピン化に対
応させたＩＣの外部リードの構成が提案されている。そ
の構成は、図５に示したように、パッケージ本体５から
横方向（図の矢印Ｘ方向）に張り出させた複数の外部リ
ード１、２を備えたフラットリードパッケージの、パッ
ケージ本体５から横方向に張り出す水平部１ａ、２ａの
長さが異なる外部リード１、２を交互に千鳥状に配列
し、これらの外部リード１、２に半田付け部１ｂ、２ｂ
の折り曲げ方向を交互に反対向きにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな外部リード構成のＩＣでは、モールド工程で封止樹
脂の流れを止めるために、図６に示すようなダムバー７
０が必要で、さらに隣合う外部リード２０はショートし
てはならないので、外部リード２０間には必ずギャップ
が存在する。そのため、ＩＣパッケージ本体の長さを長
くしなければならず、小型化、ファインピッチ化対応の
ＩＣとしては自ずと限界が生じてくる。さらにまた、近
年、カメラ一体型ＶＴＲ、ヘッドホンステレオなどの超
小型電子機器ではプリント配線基板を小型化しなければ
ならない上に、多数の部品も搭載しなければならず、前
述の半田付け技術を考慮しながらも、プリント配線基板
面上に面積的な余裕がない場合は、外部リードがプリン
ト配線基板面上で占める面積をできるだけ小さなＩＣに
する必要がある。この発明は、前述したような欠点を除
こうとするもので、多数の外部リードを導出する必要が
ある場合でもＩＣパッケージ本体をそれほど大型化する
ことなくファインピッチ化をはかり、しかも生産性を上
げようとするものであり、また、プリント配線基板面へ
実装した場合の外部リードが占める面積を小さくしたＩ
Ｃを提供するものである。
うな外部リード構成のＩＣでは、モールド工程で封止樹
脂の流れを止めるために、図６に示すようなダムバー７
０が必要で、さらに隣合う外部リード２０はショートし
てはならないので、外部リード２０間には必ずギャップ
が存在する。そのため、ＩＣパッケージ本体の長さを長
くしなければならず、小型化、ファインピッチ化対応の
ＩＣとしては自ずと限界が生じてくる。さらにまた、近
年、カメラ一体型ＶＴＲ、ヘッドホンステレオなどの超
小型電子機器ではプリント配線基板を小型化しなければ
ならない上に、多数の部品も搭載しなければならず、前
述の半田付け技術を考慮しながらも、プリント配線基板
面上に面積的な余裕がない場合は、外部リードがプリン
ト配線基板面上で占める面積をできるだけ小さなＩＣに
する必要がある。この発明は、前述したような欠点を除
こうとするもので、多数の外部リードを導出する必要が
ある場合でもＩＣパッケージ本体をそれほど大型化する
ことなくファインピッチ化をはかり、しかも生産性を上
げようとするものであり、また、プリント配線基板面へ
実装した場合の外部リードが占める面積を小さくしたＩ
Ｃを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そのためこの発明のＩＣ
では、複数の外部リードをパッケージに入り込む直前の
部分では細くして、この部分では隣合う外部リード同士
は接触しないようにしているが、パッケージの外側では
隣合う外部リード同士が接触するように構成しており、
この接触している外部リードの部分で、モールド時の樹
脂の流れを止める。そして外部リードの加工工程で、奇
数番目の外部リードと、偶数番目の外部リードで、折り
曲げ位置を細くなっている部分とその外側の部分とを選
択して、隣合っている外部リード同士のショートを防止
するようにして前述の課題を解決した。
では、複数の外部リードをパッケージに入り込む直前の
部分では細くして、この部分では隣合う外部リード同士
は接触しないようにしているが、パッケージの外側では
隣合う外部リード同士が接触するように構成しており、
この接触している外部リードの部分で、モールド時の樹
脂の流れを止める。そして外部リードの加工工程で、奇
数番目の外部リードと、偶数番目の外部リードで、折り
曲げ位置を細くなっている部分とその外側の部分とを選
択して、隣合っている外部リード同士のショートを防止
するようにして前述の課題を解決した。
【０００６】
【作用】したがって、この発明のＩＣの外部リードの構
成を採れば、ＩＣパッケージ本体の外形が従来のものと
同一であっても、より多くのリードを配列することがで
きる。したがって、高密度実装が可能になる。
成を採れば、ＩＣパッケージ本体の外形が従来のものと
同一であっても、より多くのリードを配列することがで
きる。したがって、高密度実装が可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面とともに詳述
する。図１はこの発明のＩＣ用の外部リードのリードフ
レーム状態での一部斜視図、図２はこの発明のＩＣのモ
ールド工程で樹脂が流れ込んでくる状態を示す一部斜視
図、そして図３および図４はこの発明のＩＣの外部リー
ドの加工状態を示す斜視図である。
する。図１はこの発明のＩＣ用の外部リードのリードフ
レーム状態での一部斜視図、図２はこの発明のＩＣのモ
ールド工程で樹脂が流れ込んでくる状態を示す一部斜視
図、そして図３および図４はこの発明のＩＣの外部リー
ドの加工状態を示す斜視図である。
【０００８】まず図１を用いてこの発明のＩＣの外部リ
ードのリードフレーム構成を説明する。符号１０はイン
ナーリード、２０は外部リードであるが、この外部リー
ド２０は、細い部分２０ａと太い部分２０ｂより構成さ
れており、モールドした際のパッケージラインとなる境
を一点鎖線で示した。実施例ではリードフレームの厚さ
を０．１５ｍｍ、細い部分２０ａのＸ方向の長さを０．
５ｍｍ、そのＹ方向の幅を０．３ｍｍ、太い部分２０ｂ
のＹ方向の幅を０．４ｍｍとした。リードフレーム作成
段階では、外部リード２０の太い部分２０ｂは隣の外部
リード２０の太い部分２０ｂとは一旦切り離されるが、
もとの同一平面上に戻してある。したがって、互いの外
部リード２０の太い部分２０ｂの間のギャップは殆ど存
在しない。
ードのリードフレーム構成を説明する。符号１０はイン
ナーリード、２０は外部リードであるが、この外部リー
ド２０は、細い部分２０ａと太い部分２０ｂより構成さ
れており、モールドした際のパッケージラインとなる境
を一点鎖線で示した。実施例ではリードフレームの厚さ
を０．１５ｍｍ、細い部分２０ａのＸ方向の長さを０．
５ｍｍ、そのＹ方向の幅を０．３ｍｍ、太い部分２０ｂ
のＹ方向の幅を０．４ｍｍとした。リードフレーム作成
段階では、外部リード２０の太い部分２０ｂは隣の外部
リード２０の太い部分２０ｂとは一旦切り離されるが、
もとの同一平面上に戻してある。したがって、互いの外
部リード２０の太い部分２０ｂの間のギャップは殆ど存
在しない。
【０００９】つぎに図２を用いてこの発明のＩＣのモー
ルド工程での樹脂の流れについて説明する。符号５０は
モールド金型キャビティで、点線で示した。モールド工
程でモールド金型キャビティ５０内部の領域に樹脂が充
填され、外部リード２０の細い部分２０ａにも流れる
が、太い部分２０ｂでは隣の太い部分２０ｂと殆ど接し
ており、この部分で樹脂の流れは止められる。
ルド工程での樹脂の流れについて説明する。符号５０は
モールド金型キャビティで、点線で示した。モールド工
程でモールド金型キャビティ５０内部の領域に樹脂が充
填され、外部リード２０の細い部分２０ａにも流れる
が、太い部分２０ｂでは隣の太い部分２０ｂと殆ど接し
ており、この部分で樹脂の流れは止められる。
【００１０】最後に図３および図４を用いてこの発明の
ＩＣ用の外部リードの加工工程での外部リード２０の折
り曲げ方について説明する。図３に示すように外部リー
ド２０は奇数番目と偶数番目とがその折り曲げ位置が変
えられる。すなわち奇数番目の外部リード２０（３０
ａ、３０ｃ）は細い部分２０ａで下方に折り曲げられ、
偶数番目の外部リード２０（３０ｂ、３０ｄ）は細い部
分２０ａと太い部分２０ｂの境目あるいは太い部分２０
ｂで下方に折り曲げられる。そして外部リード２０の先
端部の折り曲げ方向も奇数番目（３０ａ、３０ｃ）と偶
数番目（３０ｂ、３０ｄ）とで変えられる。内側の細い
部分２０ａで下方に折り曲げられた外部リード２０（３
０ａ、３０ｃ）は先端部が内側に折り曲げられ、外側の
細い部分２０ａと太い部分２０ｂの境目あるいは太い部
分２０ｂで下方に折り曲げられた外部リード２０（３０
ｂ、３０ｄ）は先端部が外側に折り曲げられる。
ＩＣ用の外部リードの加工工程での外部リード２０の折
り曲げ方について説明する。図３に示すように外部リー
ド２０は奇数番目と偶数番目とがその折り曲げ位置が変
えられる。すなわち奇数番目の外部リード２０（３０
ａ、３０ｃ）は細い部分２０ａで下方に折り曲げられ、
偶数番目の外部リード２０（３０ｂ、３０ｄ）は細い部
分２０ａと太い部分２０ｂの境目あるいは太い部分２０
ｂで下方に折り曲げられる。そして外部リード２０の先
端部の折り曲げ方向も奇数番目（３０ａ、３０ｃ）と偶
数番目（３０ｂ、３０ｄ）とで変えられる。内側の細い
部分２０ａで下方に折り曲げられた外部リード２０（３
０ａ、３０ｃ）は先端部が内側に折り曲げられ、外側の
細い部分２０ａと太い部分２０ｂの境目あるいは太い部
分２０ｂで下方に折り曲げられた外部リード２０（３０
ｂ、３０ｄ）は先端部が外側に折り曲げられる。
【００１１】この折り曲げ形状は図４Ａに示したような
円弧形状でもよいし、図４Ｂに示したような平面形状で
もよい。ただ折り曲げられた外部リード２０の先端部で
形成する面は同一平面上にあるようにする必要がある。
すなわち図４Ａのように円弧形状に折り曲げられた外部
リード２０の場合、それぞれの円弧の先端で形成する面
が同一平面になるように折り曲げ加工がなされる。また
図４Ｂのように平面形状に折り曲げられた外部リード２
０の場合、それぞれの先端で折り曲げられてできた面が
同一平面になるように折り曲げ加工がなされる。
円弧形状でもよいし、図４Ｂに示したような平面形状で
もよい。ただ折り曲げられた外部リード２０の先端部で
形成する面は同一平面上にあるようにする必要がある。
すなわち図４Ａのように円弧形状に折り曲げられた外部
リード２０の場合、それぞれの円弧の先端で形成する面
が同一平面になるように折り曲げ加工がなされる。また
図４Ｂのように平面形状に折り曲げられた外部リード２
０の場合、それぞれの先端で折り曲げられてできた面が
同一平面になるように折り曲げ加工がなされる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明のＩＣではその
外部リードが従来削り捨てていたリードフレーム部分に
外部リードを増やすことができるようになっので、従来
のものに比べほぼ２倍の外部リードを配列することがで
きるので、それだけＩＣを高密度実装することができ
る。
外部リードが従来削り捨てていたリードフレーム部分に
外部リードを増やすことができるようになっので、従来
のものに比べほぼ２倍の外部リードを配列することがで
きるので、それだけＩＣを高密度実装することができ
る。
【図１】この発明のＩＣ用の外部リードのリードフレー
ム状態での一部斜視図である。
ム状態での一部斜視図である。
【図２】この発明のＩＣのモールド工程で樹脂が流れ込
んでくる状態を示す一部斜視図である。
んでくる状態を示す一部斜視図である。
【図３】この発明のＩＣの外部リードの加工状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】この発明のＩＣの外部リードの加工状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来のＩＣの外部リードの構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】従来のＩＣのリードフレームの構成を示す斜視
図である。
図である。
１０ インナーリード ２０ 外部リード ２０ａ 細い部分 ２０ｂ 太い部分 ３０ａ 外部リード ３０ｂ 外部リード ３０ｃ 外部リード ３０ｄ 外部リード ４０ 隣のリードと接した面 ５０ モールド金型のキャビティ ６０ 樹脂が流れ込んでくる部分 ７０ ダムバー
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置において、 その外部リードの幅を、封止樹脂部の端面では隣接する
外部リードと接触しない第１のリード幅に、かつ、封止
樹脂の端面より離れた位置では前記外部リードが隣接す
る外部リードと接触する第２のリード幅に構成されたこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記外部リードのうち奇数番目の外部リ
ードは第１のリード幅の部分で下方に曲げられ、偶数番
目の外部リードは第２のリード幅の部分で下方に曲げら
れたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記外部リードのうち奇数番目の外部リ
ード先端部は内側に曲げられ、偶数番目の外部リード先
端部は外側に曲げられたことを特徴とする請求項２記載
の半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26772491A JPH05109967A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26772491A JPH05109967A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109967A true JPH05109967A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17448687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26772491A Pending JPH05109967A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014143373A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9064851B2 (en) | 2013-02-27 | 2015-06-23 | Denso Corporation | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26772491A patent/JPH05109967A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014143373A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9391006B2 (en) | 2013-01-25 | 2016-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US9064851B2 (en) | 2013-02-27 | 2015-06-23 | Denso Corporation | Semiconductor device |
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