JPH05109819A - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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- JPH05109819A JPH05109819A JP26739191A JP26739191A JPH05109819A JP H05109819 A JPH05109819 A JP H05109819A JP 26739191 A JP26739191 A JP 26739191A JP 26739191 A JP26739191 A JP 26739191A JP H05109819 A JPH05109819 A JP H05109819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 突起電極を有する半導体素子を回路基板に絶
縁性樹脂を用いて実装する半導体装置の製造法を提供す
る。 【構成】 配線電極４を有する回路基板３の上で配線電
極４の周囲に光硬化性樹脂６を塗布し、配線電極４を結
ぶ線の内側に光硬化性樹脂６よりも屈折率が小さい絶縁
性部材５を設置する工程と、半導体素子１に形成された
突起電極２と配線電極４とを位置合わせして加圧する工
程と、光硬化性樹脂６に光８を照射し硬化する工程とを
有する。
縁性樹脂を用いて実装する半導体装置の製造法を提供す
る。 【構成】 配線電極４を有する回路基板３の上で配線電
極４の周囲に光硬化性樹脂６を塗布し、配線電極４を結
ぶ線の内側に光硬化性樹脂６よりも屈折率が小さい絶縁
性部材５を設置する工程と、半導体素子１に形成された
突起電極２と配線電極４とを位置合わせして加圧する工
程と、光硬化性樹脂６に光８を照射し硬化する工程とを
有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、特に多端
子で狭ピッチの電極を有する半導体素子の回路基板への
実装に用いる半導体装置の製造法に関する。
子で狭ピッチの電極を有する半導体素子の回路基板への
実装に用いる半導体装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、多端子で狭ピッチの電極を有する
半導体素子を回路基板へフェイスダウンで一括接合によ
り実装する方法としてマイクロバンプボンディング技術
（以下ＭＢＢ技術と略する）が注目されている。
半導体素子を回路基板へフェイスダウンで一括接合によ
り実装する方法としてマイクロバンプボンディング技術
（以下ＭＢＢ技術と略する）が注目されている。
【０００３】以下図面を参照しながら、従来の光硬化性
樹脂を用いたＭＢＢ技術について説明する。図５（ａ）
〜（ｄ）は従来のＭＢＢ技術を用いた半導体装置の製造
法の工程図である。まず図５（ａ）に示すように、セラ
ミックス製の回路基板２１にクロムー金からなる配線電
極２２が形成されており、この回路基板２１の主面にア
クリル系の光硬化性樹脂２３を塗布する。次に図５
（ｂ）に示すように、金の突起電極２４を有する半導体
素子２５を光硬化性樹脂２３の上から回路基板２１に搭
載し、半導体素子２５の突起電極２４と回路基板２１の
配線電極２２とを位置合わせする。つぎに図５（ｃ）に
示すように、加圧治具２６を用いて半導体素子２５と回
路基板２１を加圧する。このとき、光硬化性樹脂２３は
加圧により押し出され、配線電極２２と突起電極２４と
が直接接触し電気的に接続される。この状態で、回路基
板２１が不透明の場合はその側方から紫外線（以下ＵＶ
線と略する）２７を照射して光硬化性樹脂２３を硬化す
る。硬化後は図５（ｄ）に示すように加圧を除去しても
突起電極２４と配線電極２２の電気的接続は良好に維持
される。
樹脂を用いたＭＢＢ技術について説明する。図５（ａ）
〜（ｄ）は従来のＭＢＢ技術を用いた半導体装置の製造
法の工程図である。まず図５（ａ）に示すように、セラ
ミックス製の回路基板２１にクロムー金からなる配線電
極２２が形成されており、この回路基板２１の主面にア
クリル系の光硬化性樹脂２３を塗布する。次に図５
（ｂ）に示すように、金の突起電極２４を有する半導体
素子２５を光硬化性樹脂２３の上から回路基板２１に搭
載し、半導体素子２５の突起電極２４と回路基板２１の
配線電極２２とを位置合わせする。つぎに図５（ｃ）に
示すように、加圧治具２６を用いて半導体素子２５と回
路基板２１を加圧する。このとき、光硬化性樹脂２３は
加圧により押し出され、配線電極２２と突起電極２４と
が直接接触し電気的に接続される。この状態で、回路基
板２１が不透明の場合はその側方から紫外線（以下ＵＶ
線と略する）２７を照射して光硬化性樹脂２３を硬化す
る。硬化後は図５（ｄ）に示すように加圧を除去しても
突起電極２４と配線電極２２の電気的接続は良好に維持
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、回路基板が不透明で側方からＵＶ線を入
射させた場合突起電極の内側を照射できないので、光硬
化性樹脂の硬化に多くの時間を有し、光硬化性樹脂の未
硬化分が突起電極と配線電極との間に侵入して電気的接
続がとれなくなるという課題を有していた。
来の構成では、回路基板が不透明で側方からＵＶ線を入
射させた場合突起電極の内側を照射できないので、光硬
化性樹脂の硬化に多くの時間を有し、光硬化性樹脂の未
硬化分が突起電極と配線電極との間に侵入して電気的接
続がとれなくなるという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、屈折率の異なる絶縁性部材と光硬化性樹脂を組み合
わせることにより側面から照射するＵＶ線をその境界で
反射させ突起電極の内側を短時間で硬化させて光硬化性
樹脂の未硬化部分をなくし、接続性の高い半導体装置の
製造法を提供することを目的とする。
で、屈折率の異なる絶縁性部材と光硬化性樹脂を組み合
わせることにより側面から照射するＵＶ線をその境界で
反射させ突起電極の内側を短時間で硬化させて光硬化性
樹脂の未硬化部分をなくし、接続性の高い半導体装置の
製造法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、回路基板上の第１の電極の周囲に光硬化性
樹脂を塗布し、この第１の電極を結ぶ線の内側に光硬化
性樹脂よりも屈折率が小さい絶縁性部材を設置する工程
と、半導体素子に形成された第２の電極と回路基板上の
第１の電極とを位置合わせして加圧する工程と、光硬化
性樹脂に光を照射し硬化する工程とを有する。
に本発明は、回路基板上の第１の電極の周囲に光硬化性
樹脂を塗布し、この第１の電極を結ぶ線の内側に光硬化
性樹脂よりも屈折率が小さい絶縁性部材を設置する工程
と、半導体素子に形成された第２の電極と回路基板上の
第１の電極とを位置合わせして加圧する工程と、光硬化
性樹脂に光を照射し硬化する工程とを有する。
【０００７】
【作用】この構成によって、側面から入射した光は外側
の屈折率が内側の屈折率より大きい媒質の境界で反射さ
れて第１、第２の電極の内側を照射し、その部分の光硬
化性樹脂を硬化する。
の屈折率が内側の屈折率より大きい媒質の境界で反射さ
れて第１、第２の電極の内側を照射し、その部分の光硬
化性樹脂を硬化する。
【０００８】
【実施例】実施例について説明する前に、屈折率の異な
る媒質によって形成される境界に光が進入したときの挙
動について、以下に説明する。
る媒質によって形成される境界に光が進入したときの挙
動について、以下に説明する。
【０００９】屈折率ｎ1の媒質Iから屈折率ｎ2の媒質II
に光が入射角αで進入したときの屈折角をγとすると、
ｎ1，ｎ2，α，γの関係は（数１）のように表される。
に光が入射角αで進入したときの屈折角をγとすると、
ｎ1，ｎ2，α，γの関係は（数１）のように表される。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここでｎ21は媒質IIの媒質Iに対する相対
屈折率である。したがってγは２つの媒質の屈折率と入
射角によって決定されるものであり、そのときの反射率
Ｒはα、γを用いて（数２）のように表される。
屈折率である。したがってγは２つの媒質の屈折率と入
射角によって決定されるものであり、そのときの反射率
Ｒはα、γを用いて（数２）のように表される。
【００１２】
【数２】
【００１３】なおｎ21＝１.２，１.３，１.４のときの
入射角αに対する反射率Ｒの関係を図２に示す。
入射角αに対する反射率Ｒの関係を図２に示す。
【００１４】以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一
実施例における半導体装置の製造法の工程図であり、内
側に封入される絶縁性部材として光硬化性樹脂を用いた
ものである。図１において、１は半導体素子、２は金の
突起電極、３はセラミックス製の不透明な回路基板、４
はクロムー金からなる配線電極、５は第１の光硬化性樹
脂、６は第２の光硬化性樹脂、７は加圧治具、８はＵＶ
線である。まず図１（ａ）に示すように、回路基板３の
上で配線電極４のない所には第１の光硬化性樹脂５を円
形に塗布し、配線電極４のある所には第２の光硬化性樹
脂６を塗布する。このとき第１、第２の光硬化性樹脂
５、６はいずれも透明樹脂であり、第１の光硬化性樹脂
５の屈折率は第２の光硬化性樹脂６の屈折率よりも小さ
いこととする。次に図１（ｂ）に示すように、半導体素
子１を準備し、突起電極２と配線電極４とを位置合わせ
する。次に図１（ｃ）に示すように、加圧治具７を用い
て半導体素子１と回路基板３を加圧する。この時配線電
極４の上の第２の光硬化性樹脂６は加圧により押し出さ
れて突起電極２と配線電極４は接触し、電気的に接続さ
れる。この状態で第１の光硬化性樹脂５と第２の光硬化
性樹脂６をＵＶ線８の照射により硬化する。硬化後は図
１（ｄ）に示すように、加圧を除去しても突起電極２と
配線電極４の電気的な接続は保持される。
照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一
実施例における半導体装置の製造法の工程図であり、内
側に封入される絶縁性部材として光硬化性樹脂を用いた
ものである。図１において、１は半導体素子、２は金の
突起電極、３はセラミックス製の不透明な回路基板、４
はクロムー金からなる配線電極、５は第１の光硬化性樹
脂、６は第２の光硬化性樹脂、７は加圧治具、８はＵＶ
線である。まず図１（ａ）に示すように、回路基板３の
上で配線電極４のない所には第１の光硬化性樹脂５を円
形に塗布し、配線電極４のある所には第２の光硬化性樹
脂６を塗布する。このとき第１、第２の光硬化性樹脂
５、６はいずれも透明樹脂であり、第１の光硬化性樹脂
５の屈折率は第２の光硬化性樹脂６の屈折率よりも小さ
いこととする。次に図１（ｂ）に示すように、半導体素
子１を準備し、突起電極２と配線電極４とを位置合わせ
する。次に図１（ｃ）に示すように、加圧治具７を用い
て半導体素子１と回路基板３を加圧する。この時配線電
極４の上の第２の光硬化性樹脂６は加圧により押し出さ
れて突起電極２と配線電極４は接触し、電気的に接続さ
れる。この状態で第１の光硬化性樹脂５と第２の光硬化
性樹脂６をＵＶ線８の照射により硬化する。硬化後は図
１（ｄ）に示すように、加圧を除去しても突起電極２と
配線電極４の電気的な接続は保持される。
【００１５】以上の製造工程により製造された半導体装
置について、以下その構造について説明する。図３
（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の製造法により
製造された半導体装置の断面図、図３（ｂ）は同半導体
装置の平面図で、図３（ａ）を上方より透視した図であ
る。このように内側の光硬化性樹脂５を円形にすること
により、全方向から進入するＵＶ線８に対して反射を起
こす境界面５ａを形成することができる。この構造で、
第１の光硬化性樹脂５としてポリフッ化エチレン（屈折
率約１．３）、第２の光硬化性樹脂６としてポリエーテ
ルスルホン（屈折率約１．６５）を用いた場合、第１の
光硬化性樹脂５に対する第２の光硬化性樹脂６の相対屈
折率ｎ21は約１．２７となり、その相対屈折率と入射角
で決定される反射率Ｒは図２のようになり、入射角が５
５度を超えるＵＶ線はほとんどが反射されることにな
る。
置について、以下その構造について説明する。図３
（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の製造法により
製造された半導体装置の断面図、図３（ｂ）は同半導体
装置の平面図で、図３（ａ）を上方より透視した図であ
る。このように内側の光硬化性樹脂５を円形にすること
により、全方向から進入するＵＶ線８に対して反射を起
こす境界面５ａを形成することができる。この構造で、
第１の光硬化性樹脂５としてポリフッ化エチレン（屈折
率約１．３）、第２の光硬化性樹脂６としてポリエーテ
ルスルホン（屈折率約１．６５）を用いた場合、第１の
光硬化性樹脂５に対する第２の光硬化性樹脂６の相対屈
折率ｎ21は約１．２７となり、その相対屈折率と入射角
で決定される反射率Ｒは図２のようになり、入射角が５
５度を超えるＵＶ線はほとんどが反射されることにな
る。
【００１６】次に第１の光硬化性樹脂５の代わりにガラ
ス９を用いた例について説明する。図４（ａ）は第１の
光硬化性樹脂５の代わりにガラス９を用いた半導体装置
の断面図、図４（ｂ）は同半導体装置の平面図で、図３
（ａ）を上方より透視した図である。この場合の製造工
程は、図１に示す製造工程とほぼ同じである。図４
（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置が、図３（ａ）、
（ｂ）と異なる点は、ガラス９は第１の光硬化性樹脂５
に比べて選択できる屈折率の値の範囲が大きく、相対屈
折率ｎ21を大きくできるので、屈折させるＵＶ線の量を
大きくすることができる。この場合、外側に設置される
第２の光硬化性樹脂６としてエ−テルスルホン（屈折率
約１．６５）を、内側に封入されるガラス９としてＢｅ
Ｆ2ガラス（屈折率約１．２７）を用いると、ガラス９
に対する第２の光硬化性樹脂６の相対屈折率ｎ21は１．
３となり、その相対屈折率と入射角で決定される反射率
は図２のようになり、入射角が５０度以上のＵＶ線につ
いてはほとんどが反射されることになる。
ス９を用いた例について説明する。図４（ａ）は第１の
光硬化性樹脂５の代わりにガラス９を用いた半導体装置
の断面図、図４（ｂ）は同半導体装置の平面図で、図３
（ａ）を上方より透視した図である。この場合の製造工
程は、図１に示す製造工程とほぼ同じである。図４
（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置が、図３（ａ）、
（ｂ）と異なる点は、ガラス９は第１の光硬化性樹脂５
に比べて選択できる屈折率の値の範囲が大きく、相対屈
折率ｎ21を大きくできるので、屈折させるＵＶ線の量を
大きくすることができる。この場合、外側に設置される
第２の光硬化性樹脂６としてエ−テルスルホン（屈折率
約１．６５）を、内側に封入されるガラス９としてＢｅ
Ｆ2ガラス（屈折率約１．２７）を用いると、ガラス９
に対する第２の光硬化性樹脂６の相対屈折率ｎ21は１．
３となり、その相対屈折率と入射角で決定される反射率
は図２のようになり、入射角が５０度以上のＵＶ線につ
いてはほとんどが反射されることになる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、回路基板上の第
１の電極の周囲に光硬化性樹脂を塗布し、この第１の電
極を結ぶ線の内側に光硬化性樹脂よりも屈折率が小さい
絶縁性部材を設置する工程と、半導体素子に形成された
第２の電極と回路基板上の第１の電極とを位置合わせし
て加圧する工程と、光硬化性樹脂に光を照射し硬化する
工程とを備え、光硬化性樹脂の硬化時間を従来の半分以
下に短縮でき、かつ第１の電極と第２の電極との間に樹
脂が侵入して接続不良を起こすことのない半導体装置の
製造法を実現できるものである。
１の電極の周囲に光硬化性樹脂を塗布し、この第１の電
極を結ぶ線の内側に光硬化性樹脂よりも屈折率が小さい
絶縁性部材を設置する工程と、半導体素子に形成された
第２の電極と回路基板上の第１の電極とを位置合わせし
て加圧する工程と、光硬化性樹脂に光を照射し硬化する
工程とを備え、光硬化性樹脂の硬化時間を従来の半分以
下に短縮でき、かつ第１の電極と第２の電極との間に樹
脂が侵入して接続不良を起こすことのない半導体装置の
製造法を実現できるものである。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における半
導体装置の製造法の工程図
導体装置の製造法の工程図
【図２】入射角に対する反射率の関係を示す図
【図３】（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の製造
法により製造された半導体装置の断面図 （ｂ）は同半導体装置の平面図
法により製造された半導体装置の断面図 （ｂ）は同半導体装置の平面図
【図４】（ａ）は図３の実施例における第１の光硬化性
樹脂の代わりにガラスを用いた半導体装置の断面図 （ｂ）は同半導体装置の平面図
樹脂の代わりにガラスを用いた半導体装置の断面図 （ｂ）は同半導体装置の平面図
【図５】（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造法の
工程図
工程図
１ 半導体素子 ２ 突起電極（第２の電極） ３ 回路基板 ４ 配線電極（第１の電極） ５ 第１の光硬化性樹脂（絶縁性部材） ６ 第２の光硬化性樹脂（光硬化性樹脂） ８ 紫外線（光）
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の電極を有する回路基板上で前記第
１の電極の周囲に光硬化性樹脂を塗布し、前記第１の電
極を結ぶ線の内側に前記光硬化性樹脂よりも屈折率が小
さい絶縁性部材を設置する工程と、半導体素子に形成さ
れた第２の電極と前記第１の電極を位置合わせして加圧
する工程と、前記光硬化性樹脂に光を照射し硬化する工
程とを有する半導体装置の製造法。 - 【請求項２】 第１の電極を結ぶ線の内側に設置される
絶縁性部材が液状の絶縁性樹脂を硬化させたものである
請求項１記載の半導体装置の製造法。 - 【請求項３】 第１の電極を結ぶ線の内側に設置される
絶縁性部材が固体で、かつ略円形の板状体である請求項
１記載の半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26739191A JPH05109819A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26739191A JPH05109819A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109819A true JPH05109819A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17444199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26739191A Pending JPH05109819A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004302406A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-28 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像現像用キャリア |
| WO2015146328A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | ソニー株式会社 | 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26739191A patent/JPH05109819A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004302406A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-28 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像現像用キャリア |
| WO2015146328A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | ソニー株式会社 | 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法 |
| JP2015184600A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法 |
| US10304787B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-05-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, display panel, display device, and electronic device |
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