JPH05109819A - 半導体装置の製造法 - Google Patents

半導体装置の製造法

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JPH05109819A
JPH05109819A JP26739191A JP26739191A JPH05109819A JP H05109819 A JPH05109819 A JP H05109819A JP 26739191 A JP26739191 A JP 26739191A JP 26739191 A JP26739191 A JP 26739191A JP H05109819 A JPH05109819 A JP H05109819A
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JP
Japan
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semiconductor device
electrode
circuit board
resin
manufacturing
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Application number
JP26739191A
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English (en)
Inventor
Tetsuhiro Yamamoto
哲浩 山本
Kenzo Hatada
賢造 畑田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 突起電極を有する半導体素子を回路基板に絶
縁性樹脂を用いて実装する半導体装置の製造法を提供す
る。 【構成】 配線電極4を有する回路基板3の上で配線電
極4の周囲に光硬化性樹脂6を塗布し、配線電極4を結
ぶ線の内側に光硬化性樹脂6よりも屈折率が小さい絶縁
性部材5を設置する工程と、半導体素子1に形成された
突起電極2と配線電極4とを位置合わせして加圧する工
程と、光硬化性樹脂6に光8を照射し硬化する工程とを
有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、特に多端
子で狭ピッチの電極を有する半導体素子の回路基板への
実装に用いる半導体装置の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、多端子で狭ピッチの電極を有する
半導体素子を回路基板へフェイスダウンで一括接合によ
り実装する方法としてマイクロバンプボンディング技術
(以下MBB技術と略する)が注目されている。
【0003】以下図面を参照しながら、従来の光硬化性
樹脂を用いたMBB技術について説明する。図5(a)
〜(d)は従来のMBB技術を用いた半導体装置の製造
法の工程図である。まず図5(a)に示すように、セラ
ミックス製の回路基板21にクロムー金からなる配線電
極22が形成されており、この回路基板21の主面にア
クリル系の光硬化性樹脂23を塗布する。次に図5
(b)に示すように、金の突起電極24を有する半導体
素子25を光硬化性樹脂23の上から回路基板21に搭
載し、半導体素子25の突起電極24と回路基板21の
配線電極22とを位置合わせする。つぎに図5(c)に
示すように、加圧治具26を用いて半導体素子25と回
路基板21を加圧する。このとき、光硬化性樹脂23は
加圧により押し出され、配線電極22と突起電極24と
が直接接触し電気的に接続される。この状態で、回路基
板21が不透明の場合はその側方から紫外線(以下UV
線と略する)27を照射して光硬化性樹脂23を硬化す
る。硬化後は図5(d)に示すように加圧を除去しても
突起電極24と配線電極22の電気的接続は良好に維持
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、回路基板が不透明で側方からUV線を入
射させた場合突起電極の内側を照射できないので、光硬
化性樹脂の硬化に多くの時間を有し、光硬化性樹脂の未
硬化分が突起電極と配線電極との間に侵入して電気的接
続がとれなくなるという課題を有していた。
【0005】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、屈折率の異なる絶縁性部材と光硬化性樹脂を組み合
わせることにより側面から照射するUV線をその境界で
反射させ突起電極の内側を短時間で硬化させて光硬化性
樹脂の未硬化部分をなくし、接続性の高い半導体装置の
製造法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、回路基板上の第1の電極の周囲に光硬化性
樹脂を塗布し、この第1の電極を結ぶ線の内側に光硬化
性樹脂よりも屈折率が小さい絶縁性部材を設置する工程
と、半導体素子に形成された第2の電極と回路基板上の
第1の電極とを位置合わせして加圧する工程と、光硬化
性樹脂に光を照射し硬化する工程とを有する。
【0007】
【作用】この構成によって、側面から入射した光は外側
の屈折率が内側の屈折率より大きい媒質の境界で反射さ
れて第1、第2の電極の内側を照射し、その部分の光硬
化性樹脂を硬化する。
【0008】
【実施例】実施例について説明する前に、屈折率の異な
る媒質によって形成される境界に光が進入したときの挙
動について、以下に説明する。
【0009】屈折率n1の媒質Iから屈折率n2の媒質II
に光が入射角αで進入したときの屈折角をγとすると、
1,n2,α,γの関係は(数1)のように表される。
【0010】
【数1】
【0011】ここでn21は媒質IIの媒質Iに対する相対
屈折率である。したがってγは2つの媒質の屈折率と入
射角によって決定されるものであり、そのときの反射率
Rはα、γを用いて(数2)のように表される。
【0012】
【数2】
【0013】なおn21=1.2,1.3,1.4のときの
入射角αに対する反射率Rの関係を図2に示す。
【0014】以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図1(a)〜(d)は本発明の一
実施例における半導体装置の製造法の工程図であり、内
側に封入される絶縁性部材として光硬化性樹脂を用いた
ものである。図1において、1は半導体素子、2は金の
突起電極、3はセラミックス製の不透明な回路基板、4
はクロムー金からなる配線電極、5は第1の光硬化性樹
脂、6は第2の光硬化性樹脂、7は加圧治具、8はUV
線である。まず図1(a)に示すように、回路基板3の
上で配線電極4のない所には第1の光硬化性樹脂5を円
形に塗布し、配線電極4のある所には第2の光硬化性樹
脂6を塗布する。このとき第1、第2の光硬化性樹脂
5、6はいずれも透明樹脂であり、第1の光硬化性樹脂
5の屈折率は第2の光硬化性樹脂6の屈折率よりも小さ
いこととする。次に図1(b)に示すように、半導体素
子1を準備し、突起電極2と配線電極4とを位置合わせ
する。次に図1(c)に示すように、加圧治具7を用い
て半導体素子1と回路基板3を加圧する。この時配線電
極4の上の第2の光硬化性樹脂6は加圧により押し出さ
れて突起電極2と配線電極4は接触し、電気的に接続さ
れる。この状態で第1の光硬化性樹脂5と第2の光硬化
性樹脂6をUV線8の照射により硬化する。硬化後は図
1(d)に示すように、加圧を除去しても突起電極2と
配線電極4の電気的な接続は保持される。
【0015】以上の製造工程により製造された半導体装
置について、以下その構造について説明する。図3
(a)は本発明の一実施例の半導体装置の製造法により
製造された半導体装置の断面図、図3(b)は同半導体
装置の平面図で、図3(a)を上方より透視した図であ
る。このように内側の光硬化性樹脂5を円形にすること
により、全方向から進入するUV線8に対して反射を起
こす境界面5aを形成することができる。この構造で、
第1の光硬化性樹脂5としてポリフッ化エチレン(屈折
率約1.3)、第2の光硬化性樹脂6としてポリエーテ
ルスルホン(屈折率約1.65)を用いた場合、第1の
光硬化性樹脂5に対する第2の光硬化性樹脂6の相対屈
折率n21は約1.27となり、その相対屈折率と入射角
で決定される反射率Rは図2のようになり、入射角が5
5度を超えるUV線はほとんどが反射されることにな
る。
【0016】次に第1の光硬化性樹脂5の代わりにガラ
ス9を用いた例について説明する。図4(a)は第1の
光硬化性樹脂5の代わりにガラス9を用いた半導体装置
の断面図、図4(b)は同半導体装置の平面図で、図3
(a)を上方より透視した図である。この場合の製造工
程は、図1に示す製造工程とほぼ同じである。図4
(a)、(b)に示す半導体装置が、図3(a)、
(b)と異なる点は、ガラス9は第1の光硬化性樹脂5
に比べて選択できる屈折率の値の範囲が大きく、相対屈
折率n21を大きくできるので、屈折させるUV線の量を
大きくすることができる。この場合、外側に設置される
第2の光硬化性樹脂6としてエ−テルスルホン(屈折率
約1.65)を、内側に封入されるガラス9としてBe
2ガラス(屈折率約1.27)を用いると、ガラス9
に対する第2の光硬化性樹脂6の相対屈折率n21は1.
3となり、その相対屈折率と入射角で決定される反射率
は図2のようになり、入射角が50度以上のUV線につ
いてはほとんどが反射されることになる。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明は、回路基板上の第
1の電極の周囲に光硬化性樹脂を塗布し、この第1の電
極を結ぶ線の内側に光硬化性樹脂よりも屈折率が小さい
絶縁性部材を設置する工程と、半導体素子に形成された
第2の電極と回路基板上の第1の電極とを位置合わせし
て加圧する工程と、光硬化性樹脂に光を照射し硬化する
工程とを備え、光硬化性樹脂の硬化時間を従来の半分以
下に短縮でき、かつ第1の電極と第2の電極との間に樹
脂が侵入して接続不良を起こすことのない半導体装置の
製造法を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は本発明の一実施例における半
導体装置の製造法の工程図
【図2】入射角に対する反射率の関係を示す図
【図3】(a)は本発明の一実施例の半導体装置の製造
法により製造された半導体装置の断面図 (b)は同半導体装置の平面図
【図4】(a)は図3の実施例における第1の光硬化性
樹脂の代わりにガラスを用いた半導体装置の断面図 (b)は同半導体装置の平面図
【図5】(a)〜(d)は従来の半導体装置の製造法の
工程図
【符号の説明】
1 半導体素子 2 突起電極(第2の電極) 3 回路基板 4 配線電極(第1の電極) 5 第1の光硬化性樹脂(絶縁性部材) 6 第2の光硬化性樹脂(光硬化性樹脂) 8 紫外線(光)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の電極を有する回路基板上で前記第
    1の電極の周囲に光硬化性樹脂を塗布し、前記第1の電
    極を結ぶ線の内側に前記光硬化性樹脂よりも屈折率が小
    さい絶縁性部材を設置する工程と、半導体素子に形成さ
    れた第2の電極と前記第1の電極を位置合わせして加圧
    する工程と、前記光硬化性樹脂に光を照射し硬化する工
    程とを有する半導体装置の製造法。
  2. 【請求項2】 第1の電極を結ぶ線の内側に設置される
    絶縁性部材が液状の絶縁性樹脂を硬化させたものである
    請求項1記載の半導体装置の製造法。
  3. 【請求項3】 第1の電極を結ぶ線の内側に設置される
    絶縁性部材が固体で、かつ略円形の板状体である請求項
    1記載の半導体装置の製造法。
JP26739191A 1991-10-16 1991-10-16 半導体装置の製造法 Pending JPH05109819A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004302406A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Ricoh Co Ltd 静電潜像現像用キャリア
WO2015146328A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル、表示装置、電子装置、および、半導体デバイスの製造方法

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