JPH05102347A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05102347A JPH05102347A JP3259331A JP25933191A JPH05102347A JP H05102347 A JPH05102347 A JP H05102347A JP 3259331 A JP3259331 A JP 3259331A JP 25933191 A JP25933191 A JP 25933191A JP H05102347 A JPH05102347 A JP H05102347A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor element
- resin
- sealing resin
- semiconductor
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】使用時の半導体装置の温度を下げ、半田付け時
の熱吸収を低減し、封止樹脂中に含まれている水分を少
なくすることによって、長寿命化と半田付け時の初期不
良の低減を実現する。 【構成】半導体装置の封止する樹脂の外部表面に金属の
蒸着法やスパッタ法・金属と樹脂の配合による塗布法な
どを用いて金属薄膜を形成する。
の熱吸収を低減し、封止樹脂中に含まれている水分を少
なくすることによって、長寿命化と半田付け時の初期不
良の低減を実現する。 【構成】半導体装置の封止する樹脂の外部表面に金属の
蒸着法やスパッタ法・金属と樹脂の配合による塗布法な
どを用いて金属薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置の製造方法に関する。
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、量産性が良く低価
格である樹脂封止型が最も多く用いられている。その製
造方法は、図２に示すように半導体素子載置部１と内部
リード部３と外部リード部６およびそれぞれを保持する
外枠を持つ半導体装置用リードフレームの半導体素子載
置部１に熱硬化性樹脂接着剤を塗布し、その上面より半
導体素子２を載置し加熱により固定する。次に半導体素
子２と内部リード部３間の接続は、金で構成されたワイ
ヤー４を加熱と超音波により合金結合を行う。さらに、
載置された半導体素子２と半導体素子載置部１と内部リ
ード部３を熱硬化性封止樹脂で封止し、封止樹脂部５を
形成する。次に内部リード部３の延長上で封止樹脂部５
より外部の外部リード部６および外枠の表面を半田によ
り鍍金し、セラミックや樹脂の積層基板・プリント基板
に伝わるパターン等に半田付けしやすいようにする。次
に封止樹脂部５の表面にインクやレーザーでの刻印など
を行いその半導体装置の製品名や特徴を表示する。次に
不用となった外枠を切り放し、外部リード部６を所定の
形状に曲げ成形する。このような半導体装置の製造方法
がよくしられていた。
格である樹脂封止型が最も多く用いられている。その製
造方法は、図２に示すように半導体素子載置部１と内部
リード部３と外部リード部６およびそれぞれを保持する
外枠を持つ半導体装置用リードフレームの半導体素子載
置部１に熱硬化性樹脂接着剤を塗布し、その上面より半
導体素子２を載置し加熱により固定する。次に半導体素
子２と内部リード部３間の接続は、金で構成されたワイ
ヤー４を加熱と超音波により合金結合を行う。さらに、
載置された半導体素子２と半導体素子載置部１と内部リ
ード部３を熱硬化性封止樹脂で封止し、封止樹脂部５を
形成する。次に内部リード部３の延長上で封止樹脂部５
より外部の外部リード部６および外枠の表面を半田によ
り鍍金し、セラミックや樹脂の積層基板・プリント基板
に伝わるパターン等に半田付けしやすいようにする。次
に封止樹脂部５の表面にインクやレーザーでの刻印など
を行いその半導体装置の製品名や特徴を表示する。次に
不用となった外枠を切り放し、外部リード部６を所定の
形状に曲げ成形する。このような半導体装置の製造方法
がよくしられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置の構造では半導体素子の高集積化・高性能化が進み
半導体素子上の配線の線幅や厚みが狭く薄くなり、さら
に半導体素子の大型化が進む中、従来の半導体装置の構
造では次のような問題が起きる。
装置の構造では半導体素子の高集積化・高性能化が進み
半導体素子上の配線の線幅や厚みが狭く薄くなり、さら
に半導体素子の大型化が進む中、従来の半導体装置の構
造では次のような問題が起きる。
【０００４】ａ）半導体装置はセラミックや樹脂の積層
基板・プリント基板に半田によって固定されて使用され
るが、半導体素子の高集積化・高性能化が進んでいる現
在、半導体素子から多くの熱を発生するようになった。
この発生した熱は図２においては、半導体素子２から半
導体素子載置部１に伝わり半導体素子載置部１から封止
樹脂部５に伝わり半導体装置の裏面側から外部に伝わる
パターンと、半導体素子２から封止樹脂部５に伝わり半
導体装置の表面側から外部に伝わるパターンと、内部リ
ード部３から外部リード部６に伝わりセラミックや樹脂
の積層基板・プリント基板に伝わるパターン等数多くあ
る。しかし、封止樹脂部５の熱伝導率が低く、さらに半
導体装置の外部の空気層はさらに熱伝導率が低い。この
ことにより、現在の高集積化・高性能化が進んでいる半
導体素子から多く発生する熱を半導体装置の外部に逃が
すことに不十分となっている。半導体素子の温度が高く
なり長時間続くと、半導体素子上の配線不良や半導体素
子とワイヤーとの接合部の不良が発生する。
基板・プリント基板に半田によって固定されて使用され
るが、半導体素子の高集積化・高性能化が進んでいる現
在、半導体素子から多くの熱を発生するようになった。
この発生した熱は図２においては、半導体素子２から半
導体素子載置部１に伝わり半導体素子載置部１から封止
樹脂部５に伝わり半導体装置の裏面側から外部に伝わる
パターンと、半導体素子２から封止樹脂部５に伝わり半
導体装置の表面側から外部に伝わるパターンと、内部リ
ード部３から外部リード部６に伝わりセラミックや樹脂
の積層基板・プリント基板に伝わるパターン等数多くあ
る。しかし、封止樹脂部５の熱伝導率が低く、さらに半
導体装置の外部の空気層はさらに熱伝導率が低い。この
ことにより、現在の高集積化・高性能化が進んでいる半
導体素子から多く発生する熱を半導体装置の外部に逃が
すことに不十分となっている。半導体素子の温度が高く
なり長時間続くと、半導体素子上の配線不良や半導体素
子とワイヤーとの接合部の不良が発生する。
【０００５】ｂ）半導体装置はセラミックや樹脂の積層
基板・プリント基板に半田によって固定されて使用され
るが、その固定される時それら全体を２００℃以上の高
温の雰囲気中で半田を溶融させる。特に赤外線を使用し
たリフローでは封止樹脂が黒色している為に熱の吸収が
早く、熱を必要とする外部リード部に比べ、封止樹脂の
表面温度は高くなる。このように封止樹脂の温度が高く
なると、封止樹脂中に含まれている水分の急激な体積膨
張により封止樹脂部にわれやひびを起こさせる。さら
に、半導体素子上の配線不良や半導体素子とワイヤーと
の接合部の不良にもなり易い。
基板・プリント基板に半田によって固定されて使用され
るが、その固定される時それら全体を２００℃以上の高
温の雰囲気中で半田を溶融させる。特に赤外線を使用し
たリフローでは封止樹脂が黒色している為に熱の吸収が
早く、熱を必要とする外部リード部に比べ、封止樹脂の
表面温度は高くなる。このように封止樹脂の温度が高く
なると、封止樹脂中に含まれている水分の急激な体積膨
張により封止樹脂部にわれやひびを起こさせる。さら
に、半導体素子上の配線不良や半導体素子とワイヤーと
の接合部の不良にもなり易い。
【０００６】そこで、本発明の目的は半導体素子の高温
での半導体素子上の配線不良や半導体素子とワイヤーと
の接合部の不良、積層基板・プリント基板に半田付けす
る時の封止樹脂部にわれやひび不良を低減することにあ
る。
での半導体素子上の配線不良や半導体素子とワイヤーと
の接合部の不良、積層基板・プリント基板に半田付けす
る時の封止樹脂部にわれやひび不良を低減することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体装置
において、封止する樹脂の外部表面に金属薄膜を有する
ことにより達成される。
において、封止する樹脂の外部表面に金属薄膜を有する
ことにより達成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００９】図１において、半導体素子載置部１と内部
リード部３と外部リード部６およびそれぞれを保持する
外枠を持つ半導体装置用リードフレームの半導体素子載
置部１に熱硬化性樹脂接着剤を塗布し、その上面より半
導体素子２を載置し加熱により固定する。次に半導体素
子２と内部リード部３間の接続は、金で構成されたワイ
ヤー４を加熱と超音波により合金結合を行う。さらに、
載置された半導体素子２と半導体素子載置部１と内部リ
ード部３を熱硬化性封止樹脂で封止し、封止樹脂部５を
形成する。次に内部リード部３の延長上で封止樹脂部５
より外部の外部リード部６および外枠の表面を半田によ
り鍍金し、セラミックや樹脂の 積層基板・プリント基
板に伝わるパターン等に半田付けしやすいようにする。
次に封止樹脂部５の表面に金属の蒸着法やスパッタ法・
金属と樹脂の配合による塗布法などを用いて金属薄膜７
たとえばチタンなどの薄膜を形成する。この時は封止樹
脂部５の表面に必要な半導体装置の製品名や特徴などの
刻印をあらかじめマスクしておけば、改めてインクやレ
ーザーなどの刻印は必要なくなる。次に不用となった外
枠を切り放し、外部リード部６を所定の形状に曲げ成形
する。
リード部３と外部リード部６およびそれぞれを保持する
外枠を持つ半導体装置用リードフレームの半導体素子載
置部１に熱硬化性樹脂接着剤を塗布し、その上面より半
導体素子２を載置し加熱により固定する。次に半導体素
子２と内部リード部３間の接続は、金で構成されたワイ
ヤー４を加熱と超音波により合金結合を行う。さらに、
載置された半導体素子２と半導体素子載置部１と内部リ
ード部３を熱硬化性封止樹脂で封止し、封止樹脂部５を
形成する。次に内部リード部３の延長上で封止樹脂部５
より外部の外部リード部６および外枠の表面を半田によ
り鍍金し、セラミックや樹脂の 積層基板・プリント基
板に伝わるパターン等に半田付けしやすいようにする。
次に封止樹脂部５の表面に金属の蒸着法やスパッタ法・
金属と樹脂の配合による塗布法などを用いて金属薄膜７
たとえばチタンなどの薄膜を形成する。この時は封止樹
脂部５の表面に必要な半導体装置の製品名や特徴などの
刻印をあらかじめマスクしておけば、改めてインクやレ
ーザーなどの刻印は必要なくなる。次に不用となった外
枠を切り放し、外部リード部６を所定の形状に曲げ成形
する。
【００１０】以上のごとく封止樹脂部の表面に金属薄膜
を形成することにより、半導体素子から多く発生する熱
を半導体装置の外部に逃がすことが容易になり、半導体
装置をセラミックや樹脂の積層基板・プリント基板に半
田付けする時の熱吸収を低減でき、封止樹脂中に含まれ
ている水分を少なくすることが出来る。
を形成することにより、半導体素子から多く発生する熱
を半導体装置の外部に逃がすことが容易になり、半導体
装置をセラミックや樹脂の積層基板・プリント基板に半
田付けする時の熱吸収を低減でき、封止樹脂中に含まれ
ている水分を少なくすることが出来る。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、使用時の半導体装置の
温度を下げることができ、半田付けする時の熱吸収を低
減でき、封止樹脂中に含まれている水分を少なくするこ
とが出来るので、従来の半導体装置に比べて寿命を長く
半田付け時の初期不良を低減できる効果がある。
温度を下げることができ、半田付けする時の熱吸収を低
減でき、封止樹脂中に含まれている水分を少なくするこ
とが出来るので、従来の半導体装置に比べて寿命を長く
半田付け時の初期不良を低減できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例で、封止する樹脂の外部表面
に金属薄膜を有した半導体装置の図。
に金属薄膜を有した半導体装置の図。
【図２】従来の半導体装置の図。
１ 半導体素子載置部 ２ 半導体素子 ３ 内部リード部 ４ ワイヤー ５ 封止樹脂部 ６ 外部リード部 ７ 金属薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも半導体素子載置部・半導体素子
・内部リード部・半導体素子と内部リードを接続するワ
イヤーまたはリード・これらを封止する樹脂・および外
部リードまたは外部接続部を有する半導体装置の製造方
法において、樹脂封止後に樹脂封止外部表面に金属薄膜
を形成する工程を持つことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259331A JPH05102347A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259331A JPH05102347A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102347A true JPH05102347A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17332615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259331A Pending JPH05102347A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102347A (ja) |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3259331A patent/JPH05102347A/ja active Pending
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